JPH0448163B2 - - Google Patents
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- JPH0448163B2 JPH0448163B2 JP59075655A JP7565584A JPH0448163B2 JP H0448163 B2 JPH0448163 B2 JP H0448163B2 JP 59075655 A JP59075655 A JP 59075655A JP 7565584 A JP7565584 A JP 7565584A JP H0448163 B2 JPH0448163 B2 JP H0448163B2
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- processing circuit
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
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- G01B7/105—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using magnetic means, e.g. by measuring change of reluctance for measuring thickness of coating
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B3/00—Measuring instruments characterised by the use of mechanical techniques
- G01B3/002—Details
- G01B3/008—Arrangements for controlling the measuring force
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/40—Investigating hardness or rebound hardness
- G01N3/42—Investigating hardness or rebound hardness by performing impressions under a steady load by indentors, e.g. sphere, pyramid
-
- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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- G01N2203/02—Details not specific for a particular testing method
- G01N2203/06—Indicating or recording means; Sensing means
- G01N2203/0641—Indicating or recording means; Sensing means using optical, X-ray, ultraviolet, infrared or similar detectors
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、固体の性質を測定するための装置に
関するものである。
関するものである。
ある物質の性質を決定するために、その物質に
くいこむ物体の挙動を用いるおそらく最もよく知
られている例は、物質の硬さを測定することであ
る。その硬さ測定にはかなりの数の方法があり、
シヨアー硬さ測定、ビツカース硬さ測定、ロツク
ウエル硬さ測定、プリネル硬さ測定、ハーバート
振り子などがその例である。しかし、表面層が完
全に、または部分的に破壊されることからそれら
の方法は非常に多くの用途には使用できない。た
とえば、塗装の硬さを測定しようとする時はその
塗料層に完全に押しこむわけにはいかないことが
ある。しかし、完全に押しこまなくても塗装が損
われて、その部分が局部的な腐食の核となるが、
その他の塗装部分は依然として支障がないという
ことがある。このような理由から、完成品を測定
せずに試験片について測定することが行われる。
しかし試験片は完成品ではない。
くいこむ物体の挙動を用いるおそらく最もよく知
られている例は、物質の硬さを測定することであ
る。その硬さ測定にはかなりの数の方法があり、
シヨアー硬さ測定、ビツカース硬さ測定、ロツク
ウエル硬さ測定、プリネル硬さ測定、ハーバート
振り子などがその例である。しかし、表面層が完
全に、または部分的に破壊されることからそれら
の方法は非常に多くの用途には使用できない。た
とえば、塗装の硬さを測定しようとする時はその
塗料層に完全に押しこむわけにはいかないことが
ある。しかし、完全に押しこまなくても塗装が損
われて、その部分が局部的な腐食の核となるが、
その他の塗装部分は依然として支障がないという
ことがある。このような理由から、完成品を測定
せずに試験片について測定することが行われる。
しかし試験片は完成品ではない。
押し込んだときの固体の挙動から固体の性質を
測定する非破壊的な方法もある。
測定する非破壊的な方法もある。
例えば、物質の上に超音波プローブを置くこと
により周波数の不整合を測定できることが知られ
ている。この方法は、試験物体との結合度に非常
に影響される。また、測定される値はその試験物
体の弾性率、被覆の厚さ、物体の形、とくに厚さ
に大幅に依存するから、測定されるのは硬さだけ
ではない。この方法は比較値を測定するためにの
み使用できるのであつて、絶対測定には向かな
い。
により周波数の不整合を測定できることが知られ
ている。この方法は、試験物体との結合度に非常
に影響される。また、測定される値はその試験物
体の弾性率、被覆の厚さ、物体の形、とくに厚さ
に大幅に依存するから、測定されるのは硬さだけ
ではない。この方法は比較値を測定するためにの
み使用できるのであつて、絶対測定には向かな
い。
絶対測定を行う別の非破壊測定方法が雑誌「イ
ンドウストリー・アンツアイガー(Industrie
Anzeiger)」1981年12月2日、所載の「鍛造品の
表面硬さ分布を試験する方法(Method for
Testing the Case Hardness Distribution of
Forgings)」という論文に示されている。しか
し、この方法は実施に非常に費用がかかり、ま
た、その方法を実施する装置が非常に大型である
から、試験物体をその装置の所へ持つていかなけ
ればならず、その逆は可能ではない。力が誘導的
に加えられ、押しこみの深さは光学的な変位の測
定により測定される。測定に用いられるセンサ装
置に起因して、押しこみの深さをミクロンの範囲
で安全に決定することは可能ではない。この方法
は典型的な押しこみ深さが500ミクロンで表面硬
さを測定するように構成されている。マイクロメ
ータのねじゲージの場合と同様に、この装置は非
常に硬いヨークを必要とする。ある与えられた力
における押しこみ深さが使用困難なモノグラムに
より変換される。その理由は、測定値が加えられ
た力の複雑な関数だからである。
ンドウストリー・アンツアイガー(Industrie
Anzeiger)」1981年12月2日、所載の「鍛造品の
表面硬さ分布を試験する方法(Method for
Testing the Case Hardness Distribution of
Forgings)」という論文に示されている。しか
し、この方法は実施に非常に費用がかかり、ま
た、その方法を実施する装置が非常に大型である
から、試験物体をその装置の所へ持つていかなけ
ればならず、その逆は可能ではない。力が誘導的
に加えられ、押しこみの深さは光学的な変位の測
定により測定される。測定に用いられるセンサ装
置に起因して、押しこみの深さをミクロンの範囲
で安全に決定することは可能ではない。この方法
は典型的な押しこみ深さが500ミクロンで表面硬
さを測定するように構成されている。マイクロメ
ータのねじゲージの場合と同様に、この装置は非
常に硬いヨークを必要とする。ある与えられた力
における押しこみ深さが使用困難なモノグラムに
より変換される。その理由は、測定値が加えられ
た力の複雑な関数だからである。
本発明の目的は、製作が容易で、持ち運びがで
きるほど小型であり、非破壊的に測定でき、再現
性があり、絶対測定を行え、不均質な物体の場合
でも1番上の被覆を実際に測定でき、簡単な関数
関係に導き、超音波センサのような特殊な装置や
干渉測定などを使用せず、訓練を受けていない人
でも操作できる前記した種類の装置を得ることで
ある。
きるほど小型であり、非破壊的に測定でき、再現
性があり、絶対測定を行え、不均質な物体の場合
でも1番上の被覆を実際に測定でき、簡単な関数
関係に導き、超音波センサのような特殊な装置や
干渉測定などを使用せず、訓練を受けていない人
でも操作できる前記した種類の装置を得ることで
ある。
この目的は、特許請求の範囲の記載で明らかな
本発明に従つて達成される。本発明は下記のよう
な利点を有する。
本発明に従つて達成される。本発明は下記のよう
な利点を有する。
(a) 公知のプローブにより広い範囲の厚さにわた
つて被覆の厚さを非常に正確に測定できる。非
常に正確な絶対測定が可能であるために、被覆
の厚さの差を高い確度で測定することが可能で
ある。たとえば、被覆の厚さが20ミクロンであ
る場合には0.05ミクロンの厚さ変化を容易に検
出できる。あるいは、被覆の厚さが100〜500ミ
クロンの場合には0.1ミクロンの厚さ変化を容
易に測定できる。そのように小さい被覆厚さ変
化は非常に小さい接触力によつて生ずる。必要
な力の大きさはたとえば0.05〜1Nである。
つて被覆の厚さを非常に正確に測定できる。非
常に正確な絶対測定が可能であるために、被覆
の厚さの差を高い確度で測定することが可能で
ある。たとえば、被覆の厚さが20ミクロンであ
る場合には0.05ミクロンの厚さ変化を容易に検
出できる。あるいは、被覆の厚さが100〜500ミ
クロンの場合には0.1ミクロンの厚さ変化を容
易に測定できる。そのように小さい被覆厚さ変
化は非常に小さい接触力によつて生ずる。必要
な力の大きさはたとえば0.05〜1Nである。
(b) それらの小さい力は極めて軟かい被覆でも破
壊することはない。
壊することはない。
(c) 必要な力が非常に小さいから、装置が自重で
曲る危険はなく、非常に少い使用材料で、本発
明の目的のために十分な剛性を持たせることが
可能である。
曲る危険はなく、非常に少い使用材料で、本発
明の目的のために十分な剛性を持たせることが
可能である。
(d) そのように小さい力により、測定は実際に表
面領域だけで行われ、このことはどのような場
合にも最も重要である。
面領域だけで行われ、このことはどのような場
合にも最も重要である。
(e) 測定領域がそのように狭いから、測定自体は
何の痕跡も残さない。
何の痕跡も残さない。
(f) 高いエネルギーを加える必要がないから、高
いエネルギーを供給する必要もない。従がつ
て、この装置を電池で動作させることが完全に
可能である。
いエネルギーを供給する必要もない。従がつ
て、この装置を電池で動作させることが完全に
可能である。
(g) 測定値には事実上変動はなく、得られる結果
は全て有効である。
は全て有効である。
(h) この装置は非常に小さい表面、曲つた表面ま
たは非常に小さくて曲つた表面を測定するため
に使用できる。
たは非常に小さくて曲つた表面を測定するため
に使用できる。
そのように薄い被覆を高い確度で測定するため
のプローブは以前から知られており、たとえばド
イツ実用新案第7243915号、第7336864号、ドイツ
特許開示第255634号、未決のドイツ特許出願第
P3331407号に開示されている。
のプローブは以前から知られており、たとえばド
イツ実用新案第7243915号、第7336864号、ドイツ
特許開示第255634号、未決のドイツ特許出願第
P3331407号に開示されている。
特許請求の範囲第2項記載の特徴より、測定す
べき性質を物質の硬さとすることができる。
べき性質を物質の硬さとすることができる。
特許請求の範囲第3項記載の特徴により、関数
が一次関数であるためにこう配が驚くほど十分に
一定であるから指示を非常に簡単にできる。
が一次関数であるためにこう配が驚くほど十分に
一定であるから指示を非常に簡単にできる。
特許請求の範囲第4項記載の特徴により、測定
点をあらゆる力の増分において測定点をとること
ができ、かつその測定値を通つて平均直線を引く
ことができる。
点をあらゆる力の増分において測定点をとること
ができ、かつその測定値を通つて平均直線を引く
ことができる。
特許請求の範囲第5項記載の特徴により、力の
増分を発生する回路を特に簡単にでき、広く分離
された測定値より特定の確度で直線を引くことが
できる。
増分を発生する回路を特に簡単にでき、広く分離
された測定値より特定の確度で直線を引くことが
できる。
特許請求の範囲第6項記載の特徴により、連続
使用で変動なしに動作し、モーメントしたがつて
力を極めて良く再現できる、簡単な市販されてい
る電気的駆動装置を使用できる。
使用で変動なしに動作し、モーメントしたがつて
力を極めて良く再現できる、簡単な市販されてい
る電気的駆動装置を使用できる。
特許請求の範囲第7項記載の特徴により、回転
磁石の場合に力を発生するために常に必要である
レバーを使用せずにすむ。そのようなリニヤモー
タは、たとえば、レコードの針の先において接触
圧を発生するためにレコードプレーヤーで使用さ
れるような種類のものとすることができる。
磁石の場合に力を発生するために常に必要である
レバーを使用せずにすむ。そのようなリニヤモー
タは、たとえば、レコードの針の先において接触
圧を発生するためにレコードプレーヤーで使用さ
れるような種類のものとすることができる。
特許請求の範囲第8項記載の特徴により、遊び
のない中間歯車装置を使用でき、測定には事実上
変動がないから、回転磁石が回転することにより
プローブが擬似直線運動を行うことになる。
のない中間歯車装置を使用でき、測定には事実上
変動がないから、回転磁石が回転することにより
プローブが擬似直線運動を行うことになる。
特許請求の範囲第9項記載の特徴により、プロ
ーブの重量を簡単なやり方で補償できる。
ーブの重量を簡単なやり方で補償できる。
少くとも現在の技術状態に関する限りは、二極
プローブを使用することもできる。しかし、単極
プローブを使用することにより、二極プローブ
が、避けることのできない遊びとともに、必要と
する全カルダン(Karda)とりつけ、またはセミ
カルダンとりつけを使用せずにすむ。
プローブを使用することもできる。しかし、単極
プローブを使用することにより、二極プローブ
が、避けることのできない遊びとともに、必要と
する全カルダン(Karda)とりつけ、またはセミ
カルダンとりつけを使用せずにすむ。
特許請求の範囲第11項記載の特徴により、非
常に硬い物体を測定する場合にも、押しこみ物体
の特徴を一定のままとすることができる。
常に硬い物体を測定する場合にも、押しこみ物体
の特徴を一定のままとすることができる。
特許請求の範囲第12項記載の特徴により、プ
ローブの力線をあまり遠くへ移動させないよう
に、押しつけ物体を保持する管状マウントの力線
の出口面を物体の表面に近く、ただし非常に近く
ではなく、置くことができる。
ローブの力線をあまり遠くへ移動させないよう
に、押しつけ物体を保持する管状マウントの力線
の出口面を物体の表面に近く、ただし非常に近く
ではなく、置くことができる。
特許請求の範囲第13項に記載されている値
は、非常に良く確かめられている。驚くべきこと
に、直線のこう配はくぼみの曲率半径に非常に僅
か依存するだけである。0.15mmと0.2mmの半径の
差は5%以下である。実際の測定においては、押
みこみの深さは通常は押しこみ物体の先端部の丸
くされた領域程度である。
は、非常に良く確かめられている。驚くべきこと
に、直線のこう配はくぼみの曲率半径に非常に僅
か依存するだけである。0.15mmと0.2mmの半径の
差は5%以下である。実際の測定においては、押
みこみの深さは通常は押しこみ物体の先端部の丸
くされた領域程度である。
特許請求の範囲第14項記載の特徴により、プ
ローブに加えられる力により装置が持ちあげられ
ないように装置の重量を決めることができる。
ローブに加えられる力により装置が持ちあげられ
ないように装置の重量を決めることができる。
特許請求の範囲第15項記載の特徴により、静
的な冗長性を避けることができる。
的な冗長性を避けることができる。
特許請求の範囲第16項記載の特徴により、ト
ランジスタは温度センサとして機能できるから、
物体の温度を測定に含めることができる。
ランジスタは温度センサとして機能できるから、
物体の温度を測定に含めることができる。
特許請求の範囲第17項記載の特徴により、プ
ローブの保護装置を基板上に設けることができ
る。
ローブの保護装置を基板上に設けることができ
る。
特許請求の範囲第18項記載の特徴により、線
の復旧力を無視できる。
の復旧力を無視できる。
特許請求の範囲第19項記載の特徴により、実
際には線のスチフネスを完全に無視できるよう
に、線のスチフネスが力にほとんど影響しないよ
うにできる。
際には線のスチフネスを完全に無視できるよう
に、線のスチフネスが力にほとんど影響しないよ
うにできる。
特許請求の範囲第20項記載の特徴により、物
質のクリープ性質を測定できる。このことは、物
質がプラスチツクの場合に特に重要である。
質のクリープ性質を測定できる。このことは、物
質がプラスチツクの場合に特に重要である。
特許請求の範囲第21項記載の特徴により、測
定点が直線上にあるから指示が非常に簡単であ
る。この場合には力を一定に保たなければならな
いが、可能な任意の対数を使用できる。
定点が直線上にあるから指示が非常に簡単であ
る。この場合には力を一定に保たなければならな
いが、可能な任意の対数を使用できる。
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明す
る。
る。
まず第1図を参照して、金属板16は長方形
で、重く、かつ硬い。その金属板の左右の後方隅
に設けられているねじ穴にねじこまれている2本
の止めねじ17,18により、金属板16は固定
される。それらの止めねじは、中心平面19に関
して対称的に配置される。その中心平面19内に
は、第3の調節できない脚としてトランジスタ2
1が配置される。そのトランジスタ21は熱感知
器として機能し、基板23の表面に付着されてい
る被覆22の温度を測定するために使用できる
(第2図)。金属板16の裏面からねじこまれる止
めねじにより、垂直支持性24が金属板16の各
隅に固定される。それらの支持柱の上に硬くて重
い金属覆い板26が、ねじにより固定される。こ
の金属覆い板26は、垂直支持柱24および金属
板16とともに、十分な重量の非常に硬くて重い
保護かごを形成する。金属板16の後部には、回
転磁石集合体27が中心平面19に関して対称的
に設けられる(第2図)。この回転磁石集合体は
市販されているものである。その回転磁石集合体
27は、端部枠28により金属板16に固定され
る。回転磁石集合体27の出力軸29は、端部枠
28を貫通している。その出力軸29は中心平面
19内に含まれる。出力軸29にはレバー31が
とりつけられる(第2図)。レバー31は左側ア
ーム32と右側アーム33を有する。そのレバー
31は金属製であつて、重い。レバーはそれの広
い構造のために、ここで考えている目的のために
は、回転方向34には絶対的に硬い。レバー31
が出力軸29に絶対に比例して追従するようにす
るために、レバー31のうしろに広い面積を有す
る固定ワツシヤ36が設けられ、ねじ37により
レバー31の中心領域に平らになるようにして押
しつけられる。更に、レバー31を固定ワツシヤ
36に同様に連結するために2本の止めねじ38
も設けられる。
で、重く、かつ硬い。その金属板の左右の後方隅
に設けられているねじ穴にねじこまれている2本
の止めねじ17,18により、金属板16は固定
される。それらの止めねじは、中心平面19に関
して対称的に配置される。その中心平面19内に
は、第3の調節できない脚としてトランジスタ2
1が配置される。そのトランジスタ21は熱感知
器として機能し、基板23の表面に付着されてい
る被覆22の温度を測定するために使用できる
(第2図)。金属板16の裏面からねじこまれる止
めねじにより、垂直支持性24が金属板16の各
隅に固定される。それらの支持柱の上に硬くて重
い金属覆い板26が、ねじにより固定される。こ
の金属覆い板26は、垂直支持柱24および金属
板16とともに、十分な重量の非常に硬くて重い
保護かごを形成する。金属板16の後部には、回
転磁石集合体27が中心平面19に関して対称的
に設けられる(第2図)。この回転磁石集合体は
市販されているものである。その回転磁石集合体
27は、端部枠28により金属板16に固定され
る。回転磁石集合体27の出力軸29は、端部枠
28を貫通している。その出力軸29は中心平面
19内に含まれる。出力軸29にはレバー31が
とりつけられる(第2図)。レバー31は左側ア
ーム32と右側アーム33を有する。そのレバー
31は金属製であつて、重い。レバーはそれの広
い構造のために、ここで考えている目的のために
は、回転方向34には絶対的に硬い。レバー31
が出力軸29に絶対に比例して追従するようにす
るために、レバー31のうしろに広い面積を有す
る固定ワツシヤ36が設けられ、ねじ37により
レバー31の中心領域に平らになるようにして押
しつけられる。更に、レバー31を固定ワツシヤ
36に同様に連結するために2本の止めねじ38
も設けられる。
第1図の右側には多極ソケツト39が設けられ
る。そのソケツトの線は、レバー31の前方で金
属板16にとりつけられている端子盤42まで延
びる。2本の線43,44が、レバー31または
それに関連する部品のいずれにも接触することな
しに、端子盤42から回転磁石集合体27まで延
びる。回転磁石集合体は、線43,44を流れる
電流がある特定の大きさである限りは、再現性あ
る正確なトルクを出力軸29へ与えるように構成
されている。出力軸29の回転が阻止されていて
も、回転磁石集合体27は、損傷を受けることな
しに、連続動作をさせることができる。
る。そのソケツトの線は、レバー31の前方で金
属板16にとりつけられている端子盤42まで延
びる。2本の線43,44が、レバー31または
それに関連する部品のいずれにも接触することな
しに、端子盤42から回転磁石集合体27まで延
びる。回転磁石集合体は、線43,44を流れる
電流がある特定の大きさである限りは、再現性あ
る正確なトルクを出力軸29へ与えるように構成
されている。出力軸29の回転が阻止されていて
も、回転磁石集合体27は、損傷を受けることな
しに、連続動作をさせることができる。
右側のアーム33には、プローブ集合体47の
重量を補償する釣合おもり46がとりつけられ
る。プローブ集合体47は、重い金属ブロツク4
9を有する(第3図)。その金属ブロツクは、左
側アーム32の後部に2本のねじ48により固定
される。ブロツク49は貫通穴51を有する。こ
の貫通穴51は中心平面19に平行で、かつ中心
軸52に沿つて延びる。測定位置においては、中
心軸52は被覆22に垂直で、中心平面19に平
行に延びる。実際のプローブ53が、中心軸52
と同様状になつて、貫通穴51の中に接着剤54
により接着される(第4図)。非常に柔軟な3本
の線56,57,58が、貫通穴51から出て第
1図に示すように曲げられ、中心平面19とレバ
ーアーム平面61の間の交わる部分においてクリ
ツプ59により固定され、そこから端子盤42ま
で延びる。ハウジングの保持リングとして形成さ
れている部分の広い接触領域の上に、プローブ5
3が接着剤54を用いて接着される。保持リング
62の下側部分は、円錐63を形成する。この円
錐はカラー64内で終端する。中心軸52と同軸
の貫通穴66が保持リング62と、円錐63と、
カラー64とを貫通する。ブロツク49の右側に
は、線56,57,58を通すための溝67が上
方へ延びる(第5図)。
重量を補償する釣合おもり46がとりつけられ
る。プローブ集合体47は、重い金属ブロツク4
9を有する(第3図)。その金属ブロツクは、左
側アーム32の後部に2本のねじ48により固定
される。ブロツク49は貫通穴51を有する。こ
の貫通穴51は中心平面19に平行で、かつ中心
軸52に沿つて延びる。測定位置においては、中
心軸52は被覆22に垂直で、中心平面19に平
行に延びる。実際のプローブ53が、中心軸52
と同様状になつて、貫通穴51の中に接着剤54
により接着される(第4図)。非常に柔軟な3本
の線56,57,58が、貫通穴51から出て第
1図に示すように曲げられ、中心平面19とレバ
ーアーム平面61の間の交わる部分においてクリ
ツプ59により固定され、そこから端子盤42ま
で延びる。ハウジングの保持リングとして形成さ
れている部分の広い接触領域の上に、プローブ5
3が接着剤54を用いて接着される。保持リング
62の下側部分は、円錐63を形成する。この円
錐はカラー64内で終端する。中心軸52と同軸
の貫通穴66が保持リング62と、円錐63と、
カラー64とを貫通する。ブロツク49の右側に
は、線56,57,58を通すための溝67が上
方へ延びる(第5図)。
貫通穴66が同軸状の円筒形ポツトコア穴68
まで下方へ延びる(第5図)。そのポツトコア穴
の中には、ポツトコア71の殻69が配置され
る。第5図に示すように、ポツトコア71は、同
軸状のスラストワツシヤ72を有する。そのスラ
ストワツシヤは貫通穴66の中に保持される。ポ
ツトコア71は中心軸52と同軸のシリンダ73
を有する。そのシリンダの前面74は、殻69の
底面76から突き出る。殻69とシリンダ73の
間の空間には一次コイル77が配置される。この
コイルは線56,57により一定の交流電流によ
り付勢される。一定コイル77の下側には二次コ
イル78が設けられる。その二次コイルの底面は
殻69の底面76に近接して置かれる。二次コイ
ル78は、線57,58により指示器回路79に
接続される。被覆22が非導電体で、基基体23
が非磁性体であれば、コイル77は500KHzの交
流電流により励磁される。
まで下方へ延びる(第5図)。そのポツトコア穴
の中には、ポツトコア71の殻69が配置され
る。第5図に示すように、ポツトコア71は、同
軸状のスラストワツシヤ72を有する。そのスラ
ストワツシヤは貫通穴66の中に保持される。ポ
ツトコア71は中心軸52と同軸のシリンダ73
を有する。そのシリンダの前面74は、殻69の
底面76から突き出る。殻69とシリンダ73の
間の空間には一次コイル77が配置される。この
コイルは線56,57により一定の交流電流によ
り付勢される。一定コイル77の下側には二次コ
イル78が設けられる。その二次コイルの底面は
殻69の底面76に近接して置かれる。二次コイ
ル78は、線57,58により指示器回路79に
接続される。被覆22が非導電体で、基基体23
が非磁性体であれば、コイル77は500KHzの交
流電流により励磁される。
被覆22が非磁性体で、基体23が磁性体であ
れば、コイル77は約200Hzの低周波交流電流に
より励磁される。用途に応じて、ポツトコア71
を、軟鉄またはフエライトで作ることができる。
れば、コイル77は約200Hzの低周波交流電流に
より励磁される。用途に応じて、ポツトコア71
を、軟鉄またはフエライトで作ることができる。
シリンダ73には、下向きの円筒形状盲穴81
が設けられる。その盲穴の中には小型の管状マウ
ント82が軸線方向に固定される。そのマウント
82の後部の円形肩部84が、シリンダ73の前
面74にぴつたり接触する。マウント82の外面
85はシリンダ73の外面と面一である。マウン
ト82の下面90は、中心軸52を中心として
120度の角度で傾しやしている。管状マウント8
2の下側部分の中に、そのマウント82と同軸状
になるようにして、ダイヤモンド86が、接着剤
またははんだ87により固定される。そのダイヤ
モンドの下面88は、120度の立体角を有する円
錐を形成する。その下面88はマウント82の下
面90と面一にされる。半径が0.2mmの半径方向
頂部89を形成するようにダイヤモンド86の下
面88は丸められる。
が設けられる。その盲穴の中には小型の管状マウ
ント82が軸線方向に固定される。そのマウント
82の後部の円形肩部84が、シリンダ73の前
面74にぴつたり接触する。マウント82の外面
85はシリンダ73の外面と面一である。マウン
ト82の下面90は、中心軸52を中心として
120度の角度で傾しやしている。管状マウント8
2の下側部分の中に、そのマウント82と同軸状
になるようにして、ダイヤモンド86が、接着剤
またははんだ87により固定される。そのダイヤ
モンドの下面88は、120度の立体角を有する円
錐を形成する。その下面88はマウント82の下
面90と面一にされる。半径が0.2mmの半径方向
頂部89を形成するようにダイヤモンド86の下
面88は丸められる。
ダイヤモンド86と管状マウント82との具対
的な構造を除き、プローブ53はあらゆる面で現
在の技術状態を表す。
的な構造を除き、プローブ53はあらゆる面で現
在の技術状態を表す。
金属板16の左側アーム32の左端部下側部分
に、段つきの切抜き部91が設けられる。この切
抜き部によりプローブ53を第3図に示す動作位
置に置くことができる。この装置を輸送する場合
には、ダイヤモンド86が傷つかないようにダイ
ヤモンドを引きあげて第4図に示す位置にする。
に、段つきの切抜き部91が設けられる。この切
抜き部によりプローブ53を第3図に示す動作位
置に置くことができる。この装置を輸送する場合
には、ダイヤモンド86が傷つかないようにダイ
ヤモンドを引きあげて第4図に示す位置にする。
第6図に示す動作位置においては、力線92が
ほぼ図示のように延びるから、力線が実際に1個
所に集中して飽和してしまうことが避けられる。
マウント82は、ニツケル鉄のような高透磁率の
材料で作られる。
ほぼ図示のように延びるから、力線が実際に1個
所に集中して飽和してしまうことが避けられる。
マウント82は、ニツケル鉄のような高透磁率の
材料で作られる。
第11図に示すブロツク図には、支持柱24と
覆い板26を有する金属板16を表す固体ベース
93が示されている。レバー31と、プローブ5
3と、温度センサとして使用されるトランジスタ
21も示されている。更に、コイル95を有する
回転磁石集合体27も示されている。被覆の厚さ
を測定する回路94が、プローブ52により正常
な被覆厚さ測定を行う。温度測定回路96は通常
の温度測定を行う。回転磁石回路97には、プロ
グラム可能な電流制御器98が設けられている。
これはコイル95に流れる電流を指示する。情報
が公称値電流線101を介して公称値−実施値比
較器99へ与えられる。
覆い板26を有する金属板16を表す固体ベース
93が示されている。レバー31と、プローブ5
3と、温度センサとして使用されるトランジスタ
21も示されている。更に、コイル95を有する
回転磁石集合体27も示されている。被覆の厚さ
を測定する回路94が、プローブ52により正常
な被覆厚さ測定を行う。温度測定回路96は通常
の温度測定を行う。回転磁石回路97には、プロ
グラム可能な電流制御器98が設けられている。
これはコイル95に流れる電流を指示する。情報
が公称値電流線101を介して公称値−実施値比
較器99へ与えられる。
公称値−実施値比較器99は、実際値電流も実
際値電流線102を通じて受ける。公称値電流と
実際値電流の比較の結果が、線103を通じて最
後の制御素子へ与えられる。その制御素子は線4
4上に正しい電流を設定する。
際値電流線102を通じて受ける。公称値電流と
実際値電流の比較の結果が、線103を通じて最
後の制御素子へ与えられる。その制御素子は線4
4上に正しい電流を設定する。
マイクロプロセツサ107に接続されているバ
ス106により、データのやりとりが行われる。
データの流れる向きが矢印で示されている。
ス106により、データのやりとりが行われる。
データの流れる向きが矢印で示されている。
マイクロプロセツサには、デイスプレーおよび
キーボード108が設けられている。インターフ
エース109により、他の装置への接続が可能と
なる。
キーボード108が設けられている。インターフ
エース109により、他の装置への接続が可能と
なる。
回転磁石集合体の制御に関して非常に重要な点
は、ダイヤモンド86−またはその他の任意のく
いこみ体−が被覆上で絶対にはねかえることがな
いように降ろすことである。これは、ダイヤモン
ドまたはその他の試験体が砕けることがあるから
ではなく、はねかえりに伴う運動エネルギーによ
り試験点を前もつて変形させないためである。は
ねかえりを生ぜずに降ろすことを保証するため
に、レコードの針を降ろすために使用されるよう
な機構を使用でき、または、はねかえることなし
にプローブ53を降ろすように回転磁石集合体2
7を制御できる。
は、ダイヤモンド86−またはその他の任意のく
いこみ体−が被覆上で絶対にはねかえることがな
いように降ろすことである。これは、ダイヤモン
ドまたはその他の試験体が砕けることがあるから
ではなく、はねかえりに伴う運動エネルギーによ
り試験点を前もつて変形させないためである。は
ねかえりを生ぜずに降ろすことを保証するため
に、レコードの針を降ろすために使用されるよう
な機構を使用でき、または、はねかえることなし
にプローブ53を降ろすように回転磁石集合体2
7を制御できる。
たとえば、被覆22の硬さを測定するものとす
ると、はねかえらないように降ろした後で、基本
荷重を加えなければならない。その基本荷重に従
つて、半径方向頂部89が一定の深さだけ被覆を
くぼませる。この一定の深さは、2%+0.1ミク
ロンである。それから力Fを増加し、その力の各
増分に関連する被覆の厚さを同時に測定する。こ
のようにして、被覆の厚さの変化分Δdと力Fの
間の非直線的な関係が得られる。ΔdをFの平方
根の関数としてグラフを描くと、第7図に示すよ
うに直線が得られる。第7図のグラフから計算さ
れたこう配mF=δd/δ√は被覆の表面の硬さ
を明確に表す。
ると、はねかえらないように降ろした後で、基本
荷重を加えなければならない。その基本荷重に従
つて、半径方向頂部89が一定の深さだけ被覆を
くぼませる。この一定の深さは、2%+0.1ミク
ロンである。それから力Fを増加し、その力の各
増分に関連する被覆の厚さを同時に測定する。こ
のようにして、被覆の厚さの変化分Δdと力Fの
間の非直線的な関係が得られる。ΔdをFの平方
根の関数としてグラフを描くと、第7図に示すよ
うに直線が得られる。第7図のグラフから計算さ
れたこう配mF=δd/δ√は被覆の表面の硬さ
を明確に表す。
回転磁石集合体27は第9図に示す階段状の電
流により励磁される。力が直線的に増加するよう
にその励磁電流は選択される。時間、、は
通常は0.8秒と同じ長さである。力は第9図に示
すように時間の経過につれて大きくなる。
流により励磁される。力が直線的に増加するよう
にその励磁電流は選択される。時間、、は
通常は0.8秒と同じ長さである。力は第9図に示
すように時間の経過につれて大きくなる。
第10図は、第9図に示す時間の間における
プローブ53の電圧出力U(d)と時間の関係を示す
グラフである。電圧出力U(d)は被覆の厚さ(d)の非
直線的な関数であるから、被覆の厚さ測定回路
は、被測定値が被測定変量に正比例するように、
2つの値U(d1)−U(d2)の差から被覆の厚さを
変換する。ダイアモンドが被覆22の表面にくい
こむ時に発生される抵抗値のモーメントのため
に、電圧u(d)は力Fに自然に追従することはな
い。この理由から、電圧の値を求める時点では、
電圧u(d)が事実上一定となつているように、電流
の増分を選択せねばならない。その時点が第1
0図に上向きの矢印で示されている。その時点は
時間の始まる直前となるように定められること
がわかる。同じことが時間とについてもあて
はまる。測定値はまず貯えられ、それから、第7
図に示すように変換された直線的な関係が得られ
るようにそれらの測定値が更に処理される。
プローブ53の電圧出力U(d)と時間の関係を示す
グラフである。電圧出力U(d)は被覆の厚さ(d)の非
直線的な関数であるから、被覆の厚さ測定回路
は、被測定値が被測定変量に正比例するように、
2つの値U(d1)−U(d2)の差から被覆の厚さを
変換する。ダイアモンドが被覆22の表面にくい
こむ時に発生される抵抗値のモーメントのため
に、電圧u(d)は力Fに自然に追従することはな
い。この理由から、電圧の値を求める時点では、
電圧u(d)が事実上一定となつているように、電流
の増分を選択せねばならない。その時点が第1
0図に上向きの矢印で示されている。その時点は
時間の始まる直前となるように定められること
がわかる。同じことが時間とについてもあて
はまる。測定値はまず貯えられ、それから、第7
図に示すように変換された直線的な関係が得られ
るようにそれらの測定値が更に処理される。
硬さの代りに被覆22のクリープ挙動を測定す
るものとすると、等距離の対数間隔で被覆の厚さ
Δdが得られる。この情報は処理されてから表示
器およびキーボード装置108において表示され
る。第8図に示す直線のこう配はクリープ挙動を
直接に表す。こう配の式は、mt=δd/δ1nΔtで与
えられる。
るものとすると、等距離の対数間隔で被覆の厚さ
Δdが得られる。この情報は処理されてから表示
器およびキーボード装置108において表示され
る。第8図に示す直線のこう配はクリープ挙動を
直接に表す。こう配の式は、mt=δd/δ1nΔtで与
えられる。
種々の材料の特性値のために較正値を必要とす
るときは、表示器およキーボード装置108によ
り較正値を入力できる。
るときは、表示器およキーボード装置108によ
り較正値を入力できる。
マイクロプロセツサ107は、指定されてトル
クを表す一定電流により回転磁石集合体27を制
御する。中心平面19とレバーアーム平面61と
の交わる部分から半径方向頂部89までの距離を
マイクロプロセツサ107が知つているから、そ
れらの変量からマイクロプロセツサは力Fを計算
できる。一定電流のために、回転磁石集合体27
のコイル−抵抗器の温度が変化しても力の増分が
実際には一定であるために、コイル−抵抗器の温
度変化は測定においては何の役割も演じない。
クを表す一定電流により回転磁石集合体27を制
御する。中心平面19とレバーアーム平面61と
の交わる部分から半径方向頂部89までの距離を
マイクロプロセツサ107が知つているから、そ
れらの変量からマイクロプロセツサは力Fを計算
できる。一定電流のために、回転磁石集合体27
のコイル−抵抗器の温度が変化しても力の増分が
実際には一定であるために、コイル−抵抗器の温
度変化は測定においては何の役割も演じない。
種々の目的のためにインターフエース109を
使用できる。たとえば、第7図、第8図に示す種
類のグラフを出力するプリンタを接続できる。
使用できる。たとえば、第7図、第8図に示す種
類のグラフを出力するプリンタを接続できる。
第1図は本発明の装置の一実施例を示す一部切
欠き斜視図、第2図は支持性と覆い板を除いて示
す第1図の装置の正面図、第3図は第2図の矢印
3に沿う断面図、第4図はプローブを引きあげた
状態を示す第3図と同じ断面図、第5図はプロー
ブの下側領域における拡大断面図、第6図は第5
図の1点鎖線円で囲まれている部分の拡大断面
図、第7図は硬さ測定を表すグラフを示す図、第
8図はクリープ挙動を示すグラフを示す図、第9
図は時間の関数として加えられる力を示す図、第
10図はプローブにより与えられる電圧と第9図
に示す時間との関係を示す図、第11図は測定装
置のブロツク図である。 21……トランジスタ、27……回転磁石集合
体、32,33……アーム、47……プローブ集
合体、49……金属ブロツク、53……プロー
ブ、63……円錐、73……シリンダ、77……
一次コイル、78……二次コイル、79……指示
器回路、86……ダイヤモンド、94……被覆厚
さ測定回路、97……回転磁石回路、98……電
流制御器、95……コイル、99……公称−実際
比較器、107……マイクロプロセツサ。
欠き斜視図、第2図は支持性と覆い板を除いて示
す第1図の装置の正面図、第3図は第2図の矢印
3に沿う断面図、第4図はプローブを引きあげた
状態を示す第3図と同じ断面図、第5図はプロー
ブの下側領域における拡大断面図、第6図は第5
図の1点鎖線円で囲まれている部分の拡大断面
図、第7図は硬さ測定を表すグラフを示す図、第
8図はクリープ挙動を示すグラフを示す図、第9
図は時間の関数として加えられる力を示す図、第
10図はプローブにより与えられる電圧と第9図
に示す時間との関係を示す図、第11図は測定装
置のブロツク図である。 21……トランジスタ、27……回転磁石集合
体、32,33……アーム、47……プローブ集
合体、49……金属ブロツク、53……プロー
ブ、63……円錐、73……シリンダ、77……
一次コイル、78……二次コイル、79……指示
器回路、86……ダイヤモンド、94……被覆厚
さ測定回路、97……回転磁石回路、98……電
流制御器、95……コイル、99……公称−実際
比較器、107……マイクロプロセツサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 固体にくい込む物体をその固体の表面上に導
く案内機構と電気的処理回路とを有し、前記固体
にくい込む前記物体の挙動から固体の性質を絶対
測定するための装置において、 (a) 前記固体にくい込む物体は、数千ミクロンま
たはそれ以下の範囲の薄い皮膜の厚さを測定す
る固体上に載せられ出力として電圧を発生する
プローブの先端インサートであり、 (b) 前記案内機構は、前記固体にくい込む物体を
所定のただし変化できる力で固体の表面に押し
つける電気的駆動装置に連結され、かつ (c) 皮膜厚さ及びくい込む力を表す電圧出力を前
記電気的処理回路に送り、そのくい込む力に対
する皮膜厚さの変化に応じて硬さ及びクリープ
挙動を演算する手段を有することを特徴とする
固体の性質を絶対測定するための装置。 2 特許請求の範囲第1項記載の装置であつて、
処理回路は費やした力を表す変量を受けることを
特徴とする装置。 3 特許請求の範囲第2項記載の装置であつて、
処理回路はd(皮膜の厚さ)対√(力)の関数
のこう配を指示することを特徴とする装置。 4 特許請求の範囲第2項記載の装置であつて、
力は段階的に変えられることを特徴とする装置。 5 特許請求の範囲第2項記載の装置であつて、
増分の大きさは等しいことを特徴とする装置。 6 特許請求の範囲第1項記載の装置であつて、
電気的駆動装置には回転磁石が設けられることを
特徴とする装置。 7 特許請求の範囲第1項記載の装置であつて、
電気的駆動装置にはリニヤモータが設けられるこ
とを特徴とする装置。 8 特許請求の範囲第6項記載の装置であつて、
案内機構はレバーであり、そのレバーは回転磁石
の出力軸に固定され、そのレバーはプローブを回
転の向きに垂直に保持することを特徴とする装
置。 9 特許請求の範囲第8項記載の装置であつて、
レバーは2本のアームを有し、かつプローブを保
持する面と反対側の面に釣合いおもりを保持する
ことを特徴とする装置。 10 特許請求の範囲第1項記載の装置であつ
て、プローブは単極プローブであることを特徴と
する装置。 11 特許請求の範囲第1項記載の装置であつ
て、くい込む物体はダイヤモンドであることを特
徴とする装置。 12 特許請求の範囲第1項または第11項記載
の装置であつて、くい込む物体の単面は120度プ
ラスマイナス20度の立体角を有する円錐の切頭体
を形成することを特徴とする装置。 13 特許請求の範囲第1項、第11項または第
12項記載の装置であつて、円錐の切頭体の先端
は0.1〜0.3mm、好ましくは0.2mmの曲率半径を有す
る頂部に丸められることを特徴とする装置。 14 特許請求の範囲第1項記載の装置であつ
て、プローブと案内機構及び駆動装置は重量が
300グラム以上で、固体上に載せられる携帯可能
な機器のためのものであることを特徴とする装
置。 15 特許請求の範囲第14項記載の装置であつ
て、前記機器は3本の脚で立つことを特徴とする
装置。 16 特許請求の範囲第15項記載の装置であつ
て、1本の脚はトランジスタであることを特徴と
すする装置。 17 特許請求の範囲第16項記載の装置であつ
て、機器は重い基板を有し、その基板にはプロー
ブを通す切欠き部が設けられることを特徴とする
装置。 18 特許請求の範囲第1項記載の装置であつ
て、プローブおよびある静止点の間にかけわされ
る電線は柔軟であることを特徴とする装置。 19 特許請求の範囲第6項または第18項記載
の装置であつて、電線は回転磁石の回転中心にお
いてレバー上に固定されていることを特徴とする
装置。 20 特許請求の範囲第1項乃至第19項のいず
れかに記載の装置であつて、処理回路は時間を表
す変量を受けることを特徴とする装置。 21 特許請求の範囲第20項記載の装置であつ
て、時間の対数を表す変量が受けられることを特
徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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