JPH044643B2 - - Google Patents
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- JPH044643B2 JPH044643B2 JP6190982A JP6190982A JPH044643B2 JP H044643 B2 JPH044643 B2 JP H044643B2 JP 6190982 A JP6190982 A JP 6190982A JP 6190982 A JP6190982 A JP 6190982A JP H044643 B2 JPH044643 B2 JP H044643B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜磁気ヘツドの保護膜形成方法に
関する。
関する。
半導体デバイス、磁気デバイス等の薄膜形成技
術を応用したデバイスには、既に基板上に形成さ
れたパターンを保護するために主に絶縁物からな
る保護膜が必要である。保護膜の形成手段として
は、周知の如く、蒸着、や気相成長（Chemical
Vapor Deposition）、更にはスパツタリング等の
方法が用いられている。特に薄膜磁気ヘツドに代
表される機械的加工が必要とされるデバイスで
は、一般的な保護膜の目的、即ち、基板上に形成
されたエレメントの腐食、傷等を防止すること以
外に、更に、基板上に既に形成された、パターン
によるステツプカバレジの劣化を防ぐこと、薄膜
磁気ヘツドのギヤツプ面の耐摩耗性を強化するこ
と等を満たす保護膜が要求され、このような目的
にはスパツタリングによる絶縁膜が適している。
術を応用したデバイスには、既に基板上に形成さ
れたパターンを保護するために主に絶縁物からな
る保護膜が必要である。保護膜の形成手段として
は、周知の如く、蒸着、や気相成長（Chemical
Vapor Deposition）、更にはスパツタリング等の
方法が用いられている。特に薄膜磁気ヘツドに代
表される機械的加工が必要とされるデバイスで
は、一般的な保護膜の目的、即ち、基板上に形成
されたエレメントの腐食、傷等を防止すること以
外に、更に、基板上に既に形成された、パターン
によるステツプカバレジの劣化を防ぐこと、薄膜
磁気ヘツドのギヤツプ面の耐摩耗性を強化するこ
と等を満たす保護膜が要求され、このような目的
にはスパツタリングによる絶縁膜が適している。
第１図に従来の薄膜磁気ヘツドの製作工程の概
略を示す。
略を示す。
まず、工程１によつて、薄膜磁気ヘツドのエレ
メント部分が形成される。即ち、スパツタリン
グ、蒸着及びメツキ等の手法により、磁性体層、
導体層、絶縁層の薄膜が基板材上に形成され、そ
れ等は、ケミカルエツチング、イオンシリング等
の手法によつて、薄膜磁気ヘツドの磁極、コイル
となるべく所要の形状に加工され、薄膜磁気ヘツ
ドのエレメント部となる。ついで、工程２により
薄膜磁気ヘツドのエレメント部を保護するため、
絶縁物（例えばAl2O3、SiO2等）により保護膜が
被覆される。これは、前述したようにスパツタリ
ングの手法を用いる。その後、工程３により、基
板材上に形成された多数のエレメントは個々に分
割切断され、次いでスライダの形状に基板材が加
工され、さらに後述の第２図で示す所定のポール
ハイトP.Hが得られるまで薄膜磁気ヘツドの浮上
面が研摩される。最後に、工程４により、個々の
スライダはジンバルに固定接着され、書き込み、
読み出しの回路系と接続すべく端子がエレメント
部から取り出される。
メント部分が形成される。即ち、スパツタリン
グ、蒸着及びメツキ等の手法により、磁性体層、
導体層、絶縁層の薄膜が基板材上に形成され、そ
れ等は、ケミカルエツチング、イオンシリング等
の手法によつて、薄膜磁気ヘツドの磁極、コイル
となるべく所要の形状に加工され、薄膜磁気ヘツ
ドのエレメント部となる。ついで、工程２により
薄膜磁気ヘツドのエレメント部を保護するため、
絶縁物（例えばAl2O3、SiO2等）により保護膜が
被覆される。これは、前述したようにスパツタリ
ングの手法を用いる。その後、工程３により、基
板材上に形成された多数のエレメントは個々に分
割切断され、次いでスライダの形状に基板材が加
工され、さらに後述の第２図で示す所定のポール
ハイトP.Hが得られるまで薄膜磁気ヘツドの浮上
面が研摩される。最後に、工程４により、個々の
スライダはジンバルに固定接着され、書き込み、
読み出しの回路系と接続すべく端子がエレメント
部から取り出される。
以上の工程は薄膜磁気ヘツドに通じた業者にと
つては周知である。しかし、従来、第１図の工程
３において、保護膜が形成された薄膜磁気ヘツド
のエレメント部を含む基板材をスライダ形状に切
断する際、保護膜及びエレメント部には大きなチ
ツピング（欠け）が発生し、薄膜磁気ヘツドの製
作歩留りが低下するという欠点があり、これを防
ぐためにはそのチツピングがエレメント部に影響
を与えない様に余分な切り代取る必要があつた。
余分な切り代を取ると、薄膜磁気ヘツドの浮上面
を適切なポールハイトまで研摩する際に多大な時
間が消費され、更に、前述の余分な切り代を確保
するために、基板材上に形成されるエレメントの
数がその分少くなり、その結果、必然的に薄膜磁
気ヘツドは高価にならざるを得なかつた。以上、
述べた絶縁性保護膜及びエレメント部のチツピン
グは高硬度の絶縁膜ほど大きく、更に多数発生す
るものであり、これを避けるため、低硬度の絶縁
膜を保護膜として用いる手法も知られているが、
低硬度の絶縁性保護膜を用いると、チツピングは
低減化できるものの同じく第１図の工程３に含ま
れる薄膜磁気ヘツドの浮上面を適切なポールハイ
トP.Hまで研摩する際、薄膜磁気ヘツドの浮上面
の耐摩耗性の劣化のため、磁極に大きな研摩ダレ
が生じ、結局、薄膜磁気ヘツドの特性劣化、特に
高周波特性の劣化を導くものであつた。更に低硬
度の絶縁性保護膜を得るためのスパツタ条件で
は、一般的に、ステツプカバレジの劣化が見ら
れ、工程３における各種の機械加工時にエレメン
ト部を覆う保護膜が剥離してしまうものであつ
た。
つては周知である。しかし、従来、第１図の工程
３において、保護膜が形成された薄膜磁気ヘツド
のエレメント部を含む基板材をスライダ形状に切
断する際、保護膜及びエレメント部には大きなチ
ツピング（欠け）が発生し、薄膜磁気ヘツドの製
作歩留りが低下するという欠点があり、これを防
ぐためにはそのチツピングがエレメント部に影響
を与えない様に余分な切り代取る必要があつた。
余分な切り代を取ると、薄膜磁気ヘツドの浮上面
を適切なポールハイトまで研摩する際に多大な時
間が消費され、更に、前述の余分な切り代を確保
するために、基板材上に形成されるエレメントの
数がその分少くなり、その結果、必然的に薄膜磁
気ヘツドは高価にならざるを得なかつた。以上、
述べた絶縁性保護膜及びエレメント部のチツピン
グは高硬度の絶縁膜ほど大きく、更に多数発生す
るものであり、これを避けるため、低硬度の絶縁
膜を保護膜として用いる手法も知られているが、
低硬度の絶縁性保護膜を用いると、チツピングは
低減化できるものの同じく第１図の工程３に含ま
れる薄膜磁気ヘツドの浮上面を適切なポールハイ
トP.Hまで研摩する際、薄膜磁気ヘツドの浮上面
の耐摩耗性の劣化のため、磁極に大きな研摩ダレ
が生じ、結局、薄膜磁気ヘツドの特性劣化、特に
高周波特性の劣化を導くものであつた。更に低硬
度の絶縁性保護膜を得るためのスパツタ条件で
は、一般的に、ステツプカバレジの劣化が見ら
れ、工程３における各種の機械加工時にエレメン
ト部を覆う保護膜が剥離してしまうものであつ
た。
本発明の目的は前記従来の欠点を解決し、チツ
ピングが少なく、かつ耐摩耗性に優れた保護膜の
形成方法を提供することである。
ピングが少なく、かつ耐摩耗性に優れた保護膜の
形成方法を提供することである。
本発明は、基板上に形成されたエレメントを完
全に被覆するまでは、バイアススパツタリングで
第１の絶縁性保護膜を形成し、次に前記第１の絶
縁性保護膜の上にノーマルスパツタリングで第２
の絶縁性保護膜を形成することを特徴とする。
全に被覆するまでは、バイアススパツタリングで
第１の絶縁性保護膜を形成し、次に前記第１の絶
縁性保護膜の上にノーマルスパツタリングで第２
の絶縁性保護膜を形成することを特徴とする。
以下、本発明について、実施例を示す図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第２図は本発明の適用された薄膜磁気ヘツドの
断面図である。図に示した様に、基板材１、例え
ば、フエライト、フオトセラム、Al2O3−TiCセ
ラミツクス等、の上に電気的磁気的分離を行うた
めに下地絶縁層２が形成され、コイルとなるべく
電気的導体６を取り囲む郡に磁極３が形成されて
いる。磁極３の一方の端は絶縁層４を狭んでギヤ
ツプＧを形成している。又、電気的導体６と磁極
３の間は電気的、磁気的絶縁を達成するため絶縁
性の充填材（例えば、レジスト等）５で満たされ
ている。以上の要素は薄膜磁気ヘツドのエレメン
ト部を構成している。エレメント部の完成の後、
第１の絶縁性保護膜７がバイアススパツタリング
により、十数ミクロンの厚みで形成される。基板
材１に例えばAl2O3−TiCセラミツクが選択され
た場合、熱膨張係数を合わせるため第１の絶縁性
保護膜７はAl2O3が適する。又、バイアススパツ
タリングはスパツタ装置の基板材を保持する基板
電極を通して、基板材１に高周波電力を印加する
ことより、第１の絶縁性保護膜７上に負のバイア
ス電圧を発生させて実現できる。具体的なバイア
ス電圧の印加方法として、特に絶縁物のバイアス
スパツタリングでは、通常ターゲツト電極への電
力供給用高周波電源とは別の高周波電源を用いて
基板電極に電力を供給する方法とターゲツト電極
へ供給する電力の一部を利用して基板電極にバイ
アスを誘起する方法とのいずれかが用いられる。
後者においては例えば、アイビーエムジヤーナル
オブリサーチアンドデベロツプメント（IBM
Journal of Research and Development）1970
年、第14巻、172〜175ページに記載のJ.S.Logan
氏による論文“Control of RF Sputtered Film
Properrties through Svbstrate Tuning”に報
告されている言ゆる「同調陽極」システムに代表
されるバイアス印加方法がある。このようなバイ
アススパツタリングにより作られた第１の絶縁性
保護膜７は、薄膜磁気ヘツドのエレメント部の断
差（凹凸）に対し、十分なステツプカバレジを行
い、エレメント部の劣化を防ぐとともに、高硬度
の膜質となつているため耐摩耗性に優れ、薄膜磁
気ヘツドの保護膜としての特性を充分に満足す
る。例えば、バイアス印加方法として、前述の
Logan氏が報告した「同調陽極」システムを用い
て、スパツタ装置のターゲツト電極へ印加する高
周波電力を１キロワツト、バイアス電圧を−100
ボルト印加したバイアススパツタリングの場合、
第１の絶縁性保護膜７のビツカース硬度は900〜
1000が得られる。ついで、第２の絶縁性保護膜８
がノーマルスパツタリング（基板材１に印加され
る電圧は略ゼロ乃至は正の値）により、同じく十
数ミクロンの厚みで形成される。第２の絶縁性保
護膜８の材質は、望ましくは第１の絶縁性保護膜
７と同材料が良い。第２の絶縁性保護膜８の形成
時には、既に第１の絶縁性保護膜で良好なステツ
プカバレジが得られている。ステツプカバレジに
ついて時に留意する必要はない。又、ノーマルス
パツタリングで得られる絶縁性保護膜は、第１の
絶縁性保護膜７に比し低硬度の膜となつている。
例えば第２の絶縁性保護膜として、Al2O3を用
い、スパツタ装置のターゲツト電極へ印加する高
周波電力を１キロワツトとしたノーマルスパツタ
リングの場合、ビツカース硬度は600〜700が得ら
れる。
断面図である。図に示した様に、基板材１、例え
ば、フエライト、フオトセラム、Al2O3−TiCセ
ラミツクス等、の上に電気的磁気的分離を行うた
めに下地絶縁層２が形成され、コイルとなるべく
電気的導体６を取り囲む郡に磁極３が形成されて
いる。磁極３の一方の端は絶縁層４を狭んでギヤ
ツプＧを形成している。又、電気的導体６と磁極
３の間は電気的、磁気的絶縁を達成するため絶縁
性の充填材（例えば、レジスト等）５で満たされ
ている。以上の要素は薄膜磁気ヘツドのエレメン
ト部を構成している。エレメント部の完成の後、
第１の絶縁性保護膜７がバイアススパツタリング
により、十数ミクロンの厚みで形成される。基板
材１に例えばAl2O3−TiCセラミツクが選択され
た場合、熱膨張係数を合わせるため第１の絶縁性
保護膜７はAl2O3が適する。又、バイアススパツ
タリングはスパツタ装置の基板材を保持する基板
電極を通して、基板材１に高周波電力を印加する
ことより、第１の絶縁性保護膜７上に負のバイア
ス電圧を発生させて実現できる。具体的なバイア
ス電圧の印加方法として、特に絶縁物のバイアス
スパツタリングでは、通常ターゲツト電極への電
力供給用高周波電源とは別の高周波電源を用いて
基板電極に電力を供給する方法とターゲツト電極
へ供給する電力の一部を利用して基板電極にバイ
アスを誘起する方法とのいずれかが用いられる。
後者においては例えば、アイビーエムジヤーナル
オブリサーチアンドデベロツプメント（IBM
Journal of Research and Development）1970
年、第14巻、172〜175ページに記載のJ.S.Logan
氏による論文“Control of RF Sputtered Film
Properrties through Svbstrate Tuning”に報
告されている言ゆる「同調陽極」システムに代表
されるバイアス印加方法がある。このようなバイ
アススパツタリングにより作られた第１の絶縁性
保護膜７は、薄膜磁気ヘツドのエレメント部の断
差（凹凸）に対し、十分なステツプカバレジを行
い、エレメント部の劣化を防ぐとともに、高硬度
の膜質となつているため耐摩耗性に優れ、薄膜磁
気ヘツドの保護膜としての特性を充分に満足す
る。例えば、バイアス印加方法として、前述の
Logan氏が報告した「同調陽極」システムを用い
て、スパツタ装置のターゲツト電極へ印加する高
周波電力を１キロワツト、バイアス電圧を−100
ボルト印加したバイアススパツタリングの場合、
第１の絶縁性保護膜７のビツカース硬度は900〜
1000が得られる。ついで、第２の絶縁性保護膜８
がノーマルスパツタリング（基板材１に印加され
る電圧は略ゼロ乃至は正の値）により、同じく十
数ミクロンの厚みで形成される。第２の絶縁性保
護膜８の材質は、望ましくは第１の絶縁性保護膜
７と同材料が良い。第２の絶縁性保護膜８の形成
時には、既に第１の絶縁性保護膜で良好なステツ
プカバレジが得られている。ステツプカバレジに
ついて時に留意する必要はない。又、ノーマルス
パツタリングで得られる絶縁性保護膜は、第１の
絶縁性保護膜７に比し低硬度の膜となつている。
例えば第２の絶縁性保護膜として、Al2O3を用
い、スパツタ装置のターゲツト電極へ印加する高
周波電力を１キロワツトとしたノーマルスパツタ
リングの場合、ビツカース硬度は600〜700が得ら
れる。
以上の様に、薄膜磁気ヘツドの保護膜を第１及
び第２の絶縁性保護膜で構成することにより、第
１図の工程３で示したヘツドエレメント部を含む
基板材をスライダ形状に切断する際、保護膜に加
えられるストレスに対し低硬度の第２の絶縁性保
護膜が一種の緩衝材として働くために、保護膜及
びエレメント部を含む基板材にチツピングが生じ
ることはないか、又は発生しても極めて小さく、
かつ少い。更に、第１の絶縁性保護膜は依然とし
て、高硬度であるため、ポールハイトP.H（第２
図参照）を決定する研摩工程（第１図の工程３に
含まれる）では、磁極３の研摩ダレは極めて小さ
いものが得られ、特性を何等損うことなく耐久性
のある薄膜磁気ヘツドが得られる。
び第２の絶縁性保護膜で構成することにより、第
１図の工程３で示したヘツドエレメント部を含む
基板材をスライダ形状に切断する際、保護膜に加
えられるストレスに対し低硬度の第２の絶縁性保
護膜が一種の緩衝材として働くために、保護膜及
びエレメント部を含む基板材にチツピングが生じ
ることはないか、又は発生しても極めて小さく、
かつ少い。更に、第１の絶縁性保護膜は依然とし
て、高硬度であるため、ポールハイトP.H（第２
図参照）を決定する研摩工程（第１図の工程３に
含まれる）では、磁極３の研摩ダレは極めて小さ
いものが得られ、特性を何等損うことなく耐久性
のある薄膜磁気ヘツドが得られる。
更に、第１及び第２の絶縁性保護膜は同一のス
パツタ装置で形成でき、単にスパツタ作業時に基
板材に印加するバイアス電位を変更するのみで良
く、何等、作業性を損うことはない。又、本発明
によれば、副次的にスパツタ作業時間の短縮が可
能となり、薄膜磁気ヘツドの製造コストの低減化
にも寄与するものである。
パツタ装置で形成でき、単にスパツタ作業時に基
板材に印加するバイアス電位を変更するのみで良
く、何等、作業性を損うことはない。又、本発明
によれば、副次的にスパツタ作業時間の短縮が可
能となり、薄膜磁気ヘツドの製造コストの低減化
にも寄与するものである。
尚、第１から第２の絶縁性保護膜形成時のバイ
アス条件の変更は不連続に行なう必要はなく、連
続的に変更しても、本発明の目的を達成できるこ
とは明らかである。
アス条件の変更は不連続に行なう必要はなく、連
続的に変更しても、本発明の目的を達成できるこ
とは明らかである。
更に、本発明は、第２図に示した、誘導型薄膜
磁気ヘツドに限定するものではなく、再生専用の
機能をもつ強磁性磁気抵抗効果を利用した言わゆ
る磁気抵抗効果ヘツドに適用しても良い。
磁気ヘツドに限定するものではなく、再生専用の
機能をもつ強磁性磁気抵抗効果を利用した言わゆ
る磁気抵抗効果ヘツドに適用しても良い。
第１図は薄膜磁気ヘツド製造の概略的な工程
図、第２図は本発明を適用した薄膜磁気ヘツドの
断面図である。 第２図において、１は基板材、３は磁極、６は
電気的導体、７は第１の絶縁性保護膜、８は第２
の絶縁性保護膜、を示す。
図、第２図は本発明を適用した薄膜磁気ヘツドの
断面図である。 第２図において、１は基板材、３は磁極、６は
電気的導体、７は第１の絶縁性保護膜、８は第２
の絶縁性保護膜、を示す。
Claims (1)
- １ 薄膜磁気ヘツドの保護膜形成方法において、
少なくとも、基板上に形成されたエレメントを完
全に被覆するまでは、バイアススパツタリングで
第１の絶縁性保護膜を形成し、次に前記第１の絶
縁性保護膜の上にノーマルスパツタリングで第２
の絶縁性保護膜を形成することを特徴とする保護
膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190982A JPS58179923A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190982A JPS58179923A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 保護膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179923A JPS58179923A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH044643B2 true JPH044643B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=13184754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6190982A Granted JPS58179923A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179923A (ja) |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6190982A patent/JPS58179923A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58179923A (ja) | 1983-10-21 |
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