JPH0445103B2 - - Google Patents

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JPH0445103B2
JPH0445103B2 JP27150385A JP27150385A JPH0445103B2 JP H0445103 B2 JPH0445103 B2 JP H0445103B2 JP 27150385 A JP27150385 A JP 27150385A JP 27150385 A JP27150385 A JP 27150385A JP H0445103 B2 JPH0445103 B2 JP H0445103B2
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absolute
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Takeo Murakoshi
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • G01N21/274Calibration, base line adjustment, drift correction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/065Integrating spheres

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は反射率測定方法に係り、特に物質の絶
対反射率を測定するときに絶対反射率測定機構と
相対反射率測定機構とを組合せて絶対反射率を測
定するのに好適な反射率測定方法に関するもので
ある。
〔発明の背景〕 従来、10cm×10cm以上の試料の反射率を相対反
射率のみで管理していたため、基準試料が経年変
化で反射率が変化すると、相対反射率が変化する
ので、管理指標が変化していた。また、測定装置
を変えると、反射率の値が異なつてくるなどの問
題があつた。
また、被測定試料の絶対反射率を測定するとき
分光器と積分球を組み合わせて測定していたが、
従来の積分球の試料ホルダは、第10図、第11
図に示すように、積分球7の出力口部をばね70
で押える方式がとられていたため、試料14の測
定位置が不正確であり、試料14が大きくなり、
中心より離れた位置を測定するときは、ばね70
押えだけでは固定できなかつた。また、直接試料
14を試料ホールダ17に接触させていたため、
試料14が傷つきやすく、測定後は不良品として
廃棄せねばならないなどの欠点があつた。なお、
第10図、第11図において、8は白板、9は検
知器、16は10゜スペーサ、22はベースである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、基準試料の絶対反射率の経年
変化を、被測定試料の相対反射率測定に的確に反
映させることによつて、被測定試料の絶対反射率
を正確に求めることができる反射率測定方法を提
供することにある。
〔発明の概要〕 本発明の特徴は、分光器と相対反射率測定用積
分球の間の光路内に、ベースライン補正用ミラー
を有する絶対反射率測定機構を装着し、その絶対
反射率測定機構内に基準試料を設置しないときの
上記補正用ミラーで反射された光の測定値と基準
試料を設置したときの基準試料反射光が上記補正
用ミラーで反射された光の測定値とからその基準
試料の絶対反射率を求め記憶装置に記憶するこ
と、絶対反射率測定機構を上記光路から外し、絶
対反射率を求めた上記基準試料を上記積分球の試
料ホールダに装置したときの測定値と上記試料ホ
ールダに被測定試料を装着したときの測定値から
この被測定試料の相対反射率を求めること、およ
び被測定試料の相対反射率と上記基準試料の絶対
反射率の記憶値に基づいて被測定試料の絶対反射
率を求めることにある。
〔発明の実施例〕
以下本発明を第1図〜第9図に示した実施例を
用いて詳細に説明する。
第1図は本発明の反射率測定装置の絶対反射率
測定機構をセツトした場合の一実施例を示す全体
構成図である。第1図において、1は白色光を単
色光に分光し、その分光した光を対照光2と試料
光3として取り出す光源を含めた分光器である。
分光器1よりの試料光3はトロイダルミラー4に
よつて、90゜方向に反射し、トロイダルミラー5
で再び90゜方向に反射してレンズ6で集光され、
絶対反射率測定機構60に入る。この絶対反射率
測定機構60は、平面ミラー61、ベースライン
補正用基準ミラー62および回転ミラー63より
なるVN方式のものが例示してある。実線はベー
スライン補正時のミラー状態を示し、点線は試料
測定時(ここでは、相対反射率測定機構による基
準試料の測定)を示している。したがつて、図中
のミラー62とミラー62′および回転ミラー6
3と63′とは同一ミラーを示している。64は
絶対反射率測定機構60をベース5に取り付ける
ためのガイドピンで、ベース15側に付いてい
る。したがつて、絶対反射率測定機構60は容易
にベース15上に着脱可能となつている。7は積
分球で、回転ミラー63での反射光は、試料によ
る鏡面反射を10゜の入射角で積分球7の内壁に当
てて拡散反射させる10゜スベーサ16と筒状の試
料ホルダ17にばね18の圧力とホールダ26で
サポートされている拡散反射をする白板8aに照
射されて拡散反射され、検知器9に照射されて電
気信号に変換される。同様にして対照光2はトロ
イダルミラー10,11、平面ミラー12を介し
て積分球7に入り、拡散性のある白板8bに照射
され、拡散反射されて試料光3と同様に検知器9
により電気信号に変換される。試料光3と対照光
2の電気信号は、分光器1側のデータ処理部13
へ送信される。そして、各波長毎に試料光3と対
照光2の補正係数を記憶装置(RAM)に記憶す
る。次に、絶対反射率測定装置として使用するた
めに、基準試料65をセツトし、基準ミラー62
を前述のように62′とし、また、回転ミラー6
3を点線位置63′にセツトする。このように、
ミラー62,63を62′,63′にセツトし直す
と、基準試料65の表面反射の絶対値が測定され
る。なぜならば、平面ミラー61、基準ミラー6
2′、回転ミラー63′の反射率は、前述と同じで
あり、基準試料65の反射率のみが前記の記憶値
と異なつてくるからである。この値は、各波長毎
に前述の補正係数とは別のエリアに記憶され、以
下に述べる相対値が求まつたとき、各波長毎にデ
ータ処理部13のCPU内で演算され、データ処
理部13内の表示部、例えば、デイスプレ、記録
計などに表示または記憶される。
第2図は第1図の絶対反射率測定機構を外した
相対反射測定を行う場合の全体構成図である。以
下第2図を用いて試料の相対反射率測定方法につ
いて説明する。第2図において、最初に絶対反射
率を実測し、記憶素子にその値を記憶させた基準
試料65を10゜スペーサ16と試料ホールダ17
でセツトする(この場合は白板8aは取り外す)。
この状態で再度ベースライン補正を行い、各波長
毎の補正係数を記憶する。もし、固定波長の場合
はオートゼロスイツチを押すのみでよい。
次に、試料ホールダ17より基準試料65を取
り外し、測定しようとする被測定試料14をホー
ルダ26にセツトする。ホールダ26の詳細は第
3図〜第6図に示す。
なお、試料14の大きさに応じてホールダ26
の左右および上下の位置を可変として、試料14
の測定位置を可変とすることができる。レンズ6
で集光された光は、被測定試料14面で鏡面反射
し、積分球7の内壁で拡散反射し、検知器9(こ
こでは1個しか図示してないが、必要に応じて特
性の異なる複数の検知器を配置してもよい)で光
信号が電気信号に変換され、その値をデータ処理
部13の演算処理部で前に記憶した基準試料65
の絶対値を掛けて測定試料14の絶対値を表示
部、例えば、デイスプレーやプリンタまたは記録
計に表示または記憶する。
本装置で測定する試料は表面に接触角がつくこ
とをきらうため、10゜スペーサ16と試料スペー
サ17には樹脂材で作つた接触ピン19をそれぞ
れに埋め込んで接着してある。また、大形の試料
ををセツトするとき、操作性をよくするため、つ
まみ20にストツパピン21を設け(第3図参
照)。第3図の右方向に引いてベース22にネジ
23で固定したサポータ24よりストツパピン2
1の先端が抜けた位置でつまみ20を回転するこ
とによつて試料ホールダ17を試料14の背面よ
り離し、その位置で、ロツクすることができるよ
うにしてある。したがつて、大形の試料を両手で
自由に操作することができる。なお、サポータ2
4にはストツパピン21のガイド溝25が設けて
ある(第4図参照)。試料14をホールダ26に
セツト後は再びつまみ20をサポート24のガイ
ド溝25の位置に戻すと、ばね18の弾力で試料
ホールダ17は試料14の背面を押し、サポート
することができる。
第5図、第6図はホールダ26の詳細を示す図
で、試料の大きさおよび測定位置を任意に可変で
きるようになつている。第5図において、30は
つまみで、反時計方向に回転するとロツクが外れ
て指針31、側板32を左右方向に移動できる。
また、時計方向に回転すると、ロツクする機構系
となつている。33は試料受部で、試料14の右
側端面から測定位置までの寸法目盛板27が貼付
してある。34もつまみで、つまみ34を反時計
方向に回転すると、試料受部33を上下に移動で
き、試料14の大きさによる試料受部33の位置
調整ができる。35はガイドレール、36(第6
図)は上下方向の測定位置を示す指針で、上下移
動機構部37に取り付けてある。38は寸法目盛
板で、目盛板38の目盛と指針36の合つた数字
が試料14の下端よりの測定距離を示す。そし
て、つまみ34を時計方向に回転するとロツクさ
れる。ガイドレール35は上下移動機構部37の
案内溝39(第5図)を有するアルミ引抜き材よ
りなつている。ガイドレール35の案内溝39内
を回転機構40が回転移動する。
左右の移動機構も上下移動機構部37とほぼ同
じで、その移動機構部の断面図を第7図に示す。
41は回転機構40の軸で、ナツト42で移動ブ
ロツク43に取り付けてあり、ガイドドレール3
5の案内溝39をスライドする。
第8図、第9図に移動ブロツク43の形状の詳
細を示す。移動ブロツク43の切り込み部44
は、移動ブロツク43のすべりを調整するための
もので、これを広げるとすべりがきつくなる。
このような構成になつているので、本発明の実
施例によれば、試料14の大きさおよび測定点に
合せてあらかじめ寸法をセツトしておけば、試料
14の測定位置が明確となるので、試料14の反
射率の各部におけるばらつき分布を簡単に再現性
よく測定できる。また、試料には傷がつくことが
なく、測定後もそのサンプルを利用することがで
きる。また、実試料の状態(例えば、8インチの
大きさのまま)で絶対反射率を容易に測定でき、
さらに、ホールダ26に目盛が付いているので、
広い試料14の各点を自由に測定ができ、試料1
4の蒸着分布なども測定できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、基準試料に経年変化があつて
も、被測定試料の相対反射率測定光学系を利用し
て基準試料の絶対反射率を求ることができ、操作
者は被測定試料に対して相対反射率を測定するだ
けで済むのにもかかわらず、被測定試料の絶対反
射率を正確に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第9図は本発明の実施例を示す図で、
第1図は本発明の反射率測定装置の絶対反射測定
機構をセツトした状態を示す全体構成図、第2図
は第1図から絶対反射測定機構を外して相対反射
率測定を行う場合の全体構成図、第3図は第1図
のホールダ付近の断面図、第4図は第3図の平面
図、第5図は第1図のホールダ部の移動機構を示
す平面図、第6図は第5図の正面図、第7図は左
右の移動機構を示す断面図、第8図は第7図の移
動でロツクの正面図、第9図は第8図の側面図、
第10図は従来の積分球、ホールダ付近の断面
図、第11図は第10図の平面図である。 1……分光器、2……対照光、3……試料光、
4,5,10,11……トロイドミラー、6……
レンズ、7……積分球、8a,8b……白板、9
……検知器、12……平面ミラー、13……デー
タ処理部、16……10゜スペーサ、17……試料
ホールダ、18……ばね、19……接触ピン、2
0,34……つまみ、21……ストツパーピン、
22……ベース、24……サポータ、26……ホ
ールダ、27,38……目盛板、31,36……
指針、32……側板、33……試料受部、35…
…ガイドレール、37……上下移動機構部、39
……案内溝、40……回転機構、41……軸、4
2……ナツト、43……移動ブロツク、44……
切り込み部、60……絶対反射率測定機構、61
……平面ミラー、62……基準ミラー、63……
回転ミラー、64……ガイドピン、65……基準
試料。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 分光器と相対反射率測定用積分球の間の光路
    内に、ベースライン補正用ミラーを有する絶対反
    射率測定機構を装着し、その絶対反射率測定機構
    内に基準試料を設置しないときの上記補正用ミラ
    ーで反射された光の測定値と基準試料を設置した
    ときの上記基準試料反射光が上記補正用ミラーで
    反射された光の測定値とから上記基準試料の絶対
    反射率を求め記憶装置に記憶すること、上記絶対
    反射率測定機構を上記光路から外し、上記絶対反
    射率を求めた上記基準試料を上記積分球の試料ホ
    ールダに装着したときの測定値と上記試料ホール
    ダに被測定試料を装着したときの測定値からこの
    被測定試料の相対反射率を求めること、および上
    記被測定試料の相対反射率と上記基準試料の絶対
    反射率の記憶値に基づいて上記被測定試料の絶対
    反射率を求めること、を特徴とする反射率測定方
    法。
JP60271503A 1985-12-04 1985-12-04 反射率測定方法 Granted JPS62132152A (ja)

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JP60271503A JPS62132152A (ja) 1985-12-04 1985-12-04 反射率測定方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011133463A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Konica Minolta Sensing Inc 白色校正部材およびそれを用いた光学特性測定システム

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