JPS62132152A - 反射率測定方法 - Google Patents

反射率測定方法

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JPS62132152A
JPS62132152A JP60271503A JP27150385A JPS62132152A JP S62132152 A JPS62132152 A JP S62132152A JP 60271503 A JP60271503 A JP 60271503A JP 27150385 A JP27150385 A JP 27150385A JP S62132152 A JPS62132152 A JP S62132152A
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    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は反射* ntq定装研装置り、特に物質の絶対
反射率を測定するときに絶対反射率t1す足機構と相対
反射率測定機構とを組合せて絶対反射率を測定するのに
好適な反射率測定装置に関するものである。
〔発明の背景〕
従来、10cmX10m以上の試料の反射率を相対反射
率のみで管理していたため、基準試料が経年変化で反射
率が変化すると、相対反射率が変化するので、管理指標
が変化していた。また、測定装置を変えると、反射率の
値が異なってくるなどのクレームが多かった。
また、試料の絶対反射率を測定するとき分光器と積分球
を組み合せて測定していたが、従来の積分球の試料ホル
ダは、第10図、第11図に示すように、積分球7の出
方口部をばね7oで押える方式がとられていたため、試
料14の測定位置が不正確であり、試料14が大きくな
り、中心より離れた位置を測定するときは、ばね7oの
押えだけでは固定できながった。また、直接試料14を
試料ホールダ17に接触させていたため、試料14が傷
つきやすく、測定後は不良品として廃棄せねばならない
などの欠点があった。なお、第10図、第11図におい
て、8は白板、9は検知器、16は10°スペーサ、2
2はベースである。
〔発明の目的〕
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、基準試料の絶対値を同一試料室と同一光路で
実sl!Iでき、しかも、被81り定試料の実寸法の状
態での絶対反射率を求めることができ、かつ、411I
定再現性が良好な積分球、ホールダを用いた反射率測定
装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、絶対反射率測定機構と相対反射率測定
機構とを備え、上記絶対反射率測定機構で実11111
した基準試料の絶対反射率を記憶させる記憶手段と、」
1記相対反射率測定機構で実測した被測定試料の相対反
射率の値に上記記憶手段に記憶された上記基準試料の絶
対反射率を各波長毎に掛け合せて上記被測定試料の絶対
反射率を求める演算手段とを具備した構成とした点にあ
る。
〔発明の実施例〕
以下本発明を第1図〜第9図に示した実施例を用いて詳
細に説明する。
第1図は本発明の反射率測定装置の絶対反射率測定機構
をセットした場合の一実施例を示す全体構成図である。
第1図において、1は白色光を単色光に分光し、その分
光した光を対照光2と試料光3として取り出す光源を含
めた分光器である。
分光器1よりの試料光3はトロイダルミラー4によって
、90°方向に反射し、トロイダルミラー5で再び90
″方向に反射してレンズ6で収光され、絶対反射率測定
機構60に入る。この絶対反射率測定機構60は、平面
ミラー61、基準ミラー62および回転ミラー63より
なるVN方式のものが例示してある。実線はベースライ
ン補正時のミラー状態を示し1点線は試料測定時(ここ
では、相対反射率測定機構による基準試料の測定)を示
している。したがって1図中のミラー62とミラー62
′および回転ミラー63と63′とは同一ミラーを示し
ている。64は絶対反射率測定機構60をベース15に
取り付けるためのガイドピンで、ベース15側に付いて
いる。したがって、絶対反射率測定機W60は容易にベ
ース15上に着脱可能となっている。7は積分球で、回
転ミラー63での反射光は、試料による鏡面反射を10
″の入射角で積分球7の内壁に当てて拡散反射させる1
0°スペーサ16と筒状の試料ホルダ17にばね18の
圧力とホールダ26でサポートされている拡散反射をす
る白板8aに照射されて拡散反射され、検知器9に照射
されて電気信号に変換される。同様にして対照光2はト
ロイダルミラー10.11、平面ミラー12を介して積
分球7に入り、拡散性のある白板8bに照射され、拡散
反射されて試料光3と同様に検知器9に照射されて電気
信号に変換される。試料光2と対照光3の電気信号は、
分光器1側のデータ処理部13へ送信される。そして、
各波長毎に試料光2と対照光3の補正係数を記憶装置(
RAM)に記憶する。次に、絶対反射率81す定装置と
して使用するために、基準試料65をセットし、基準ミ
ラー62を前述のように62′とし、また、回転ミラー
63を点線位ff!63’ にセットする。このように
、ミラー62.63を62’ 、63’にセットし直す
と、基準試料65の表面反射の絶対値が測定される。
なぜならば、平面ミラー61、基準ミラー62′、回転
ミラー63′の反射率は、前述と同じであり。
基準試料65の反射率のみが前記の記憶値と異なってく
るからである。この値は、各波長毎に前述の補正係数と
は別のエリアに記憶され、以下に述べる相対値が求まっ
たとき、各油長毎にデータ処理部13のCP U内で演
算され、データ処理部13内の表示部1例えば、ディス
プレ、記録計などに表示または記憶される。
第2図は第1 rl!Iの絶対反射率測定機構を外した
相対反射測定を行う場合の全体構成図である。以下第2
図を用いて試料の相対反射率測定方法について説明する
。第2図において、最初に絶対反射率を実測し、記憶素
子にその値を記憶させた基準試料65を10°スペーサ
16と試料ホールダ17でセットする(この場合は白板
8aは取り外す)。この状態で再度ベースライン補正を
行い、各波長毎の補正係数を記憶する。もし、固定波長
の場合はオートゼロスイッチを押すのみでよい。
次に、試料ホールダ17より基準試料65を取り外し、
測定しようとする被測定試料14をホールダ26にセッ
トする。ホールダ26の詳細は第3図〜第6図に示す。
なお、試料14の大きさに応じてホールダ26の左右お
よび上下の位置を可変として、試料14の測定位置を可
変とすることができる。レンズ6で収光された光は、試
料面で鏡面反射し、積分球7の内壁で拡散反射し、検知
器9(ここでは1個しか図示してないが、必要に応じて
特性の異なる複数の検知器を配置してもよい)で光信号
が電気信号に変換され、その値をデータ処理部13の演
算処理部で前に記憶した基準試料65の絶対値を掛けて
8111定試料14の絶対値を表示部、例えば、ディス
プレーやプリンタまたは記録計に表示または記録する。
本装置で′61す定する試料は表面に接触傷がつくこと
をきらうため、10°スペーサ16と試料スペーサ17
には樹脂材で作った接触ピン19をそれぞれに埋め込ん
で接着してある。また、大形の試料をセットするとき、
操作性をよくするため、つまみ20にストッパピン21
を設け(第3図参照)。
第3図の右方向に引いてベース22にネジ23で固定し
たサポータ24よりストッパピン21の先端が抜けた位
置でつまみ20を回転することによって試料ホールダ1
7を試料14の背面より離し、その位置で、ロックする
ことができるようにしてある。したがって、大形の試料
を両手で自由に操作することができる。なお、サポータ
24にはストッパピン21のガイド溝25が設けである
(第4図参照)、試料14をホールダ26にセット後は
再びつまみ20をサポート24のガイド溝25の位置に
戻すと、ばね18の弾力で試料ホールダ17は試料14
の背面を押し、サポートすることができる。
第5図、第6図はホールダ26の詳細を示す図で、試料
の大きさおよび測定位置を任意に可変できるようになっ
ている。第5図において、30はつまみで1反時計方向
に回転するとロックが外れて指針31、側板32を左右
方向に移動できる。
また、時計方向に回転すると、ロックする機構系となっ
ている。33は試料受部で、試料14の右側端面から測
定位置までの寸法目盛板27が貼付してある。34もつ
まみで、つまみ34を反時計方向に回転すると、試料受
部33を上下に移動でき、試料】4の大きさによる試料
受部33の位置調整ができる。35はガイドレール、3
6(第6図)は上下方向の測定位置を示す指針で、上下
移動機構部37に取り付けである。38は寸法目盛板で
、目盛板38の目盛と指針36の合った数字が試料14
の下端よりの測定距離を示す。そして、つまみ34を時
計方向に回転するとロックされる。
ガイドレール35は上下移動機構部37の案内溝39(
第5図)を有するアルミ引抜き材よりなっている。ガイ
ドレール35の案内溝39を回転機構40が回転移動す
る。
左右の移動機構も上下移動機構部37とほぼ同じで、そ
の移動機構部の断面図を第7図に示す。
41は回転機構40の軸で、ナツト42で移動ブロック
43に取り付けてあり、ガイドレール35の案内溝39
をスライドする。
第8図、第9図に移動ブロック43の形状の詳細を示す
。移動ブロック43の切り込み部44は、移動ブロック
43のすベリを調整するためのもので、これを広げると
すべりがきつくなる。
このような構成になっているめで、本発明の実施例によ
れば、試料14の大きさおよび測定点に合せてあらかじ
め寸法をセットしておけば、試料14のKl’l定位置
が明確となるので、試料14の反射率の各部におけるば
らつき分布を簡単に再現性よく測定できる。また、試料
には傷がつくことがなく、測定後もそのサンプルを利用
することができる。また、実試料の状!(例えば、8イ
ンチの大きさのまま)で絶対反射率を容易にilり定で
き、さらに、ホールダ26に目盛が付いているので、広
い試料14の各点を自由に測定ができ、試料14の蒸着
分布なども測定できる。
[発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、絶対反射率を常
に測定でき、基準試料の経年変化や装置などの構造差に
よる測定誤差を最小に抑えることができ、さらに、試料
の反射率の各部におけるばらつき分布を簡単に再現性よ
く測定でき、測定後の試料に傷をつけることがなく、?
lI!I定後もそのサンプルを使用できるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第9図は本発明の実施例を示す図で、第1図は
本発明の反射率測定装置の絶対反射測定機構をセットし
た状態を示す全体構成図、第2図は第1図から絶対反射
測定機構を外して相対反射率測定を行う場合の全体構成
図、第3図は第1図のホールダ付近の断面図、第4図は
第3図の平面図、第5図は第1図のホールダ部の移動機
構を示す平面図、第6図は第5図の正面図、第7図は左
右の移動機構を示す断面図、第8図は第7図の移動でロ
ックの正面図、第9図は第8図の側面図、第10図は従
来の積分球、ホールダ付近の断面図、第11図は第10
図の平面図である。 1・・・分光器、2・・・対照光、3・・・試料光、4
,5゜10.11・・・トロイドミラー、6・・・レン
ズ、7・・・積分球、8a、8b・・・白板、9・・・
検知器、12・・・平面ミラー、13・・・データ処理
部、16・・・10’スペーサ、17・・・試料ホール
ダ、18・・・ばね、】9・・・接触ピン、20.34
・・・つまみ、21・・・ストッパーピン、22・・・
ベース、24・・・サポータ、26・・・ホールシダ、
27,38・・・目盛板、31゜36・・・指針、32
・・・側板、33・・・試料受部、35・・・ガイドレ
ール、37・・・上下移動機摺部、39・・・案内溝、
40・・・回転機構、41・・・軸、42・・・ナツト
、43・・・移動ブロック、44・・・切り込み部、6
0・・・絶対反射5$測定機構、61・・・平面ミラー
、62・・・基準ミラー、63・・・回転ミラー、64
・・・ガイドピン、65・・・基準試料。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、分光器と積分球を組合せて被測定試料の絶対反射率
    を測定するものにおいて、絶対反射率測定機構と相対反
    射率測定機構とを備え、前記絶対反射率測定機構で実測
    した基準試料の絶対反射率を記憶させる記憶手段と、前
    記相対反射率測定機構で実測した前記被測定試料の相対
    反射率の値に前記記憶手段に記憶された前記基準試料の
    絶対反射率を各波長毎に掛け合せて前記被測定試料の絶
    対反射率を求める演算手段とを具備することを特徴とす
    る反射率測定装置。 2、前記絶対反射率測定機構と相対反射率測定機構とは
    同一試料室内にセットできるように構成してある特許請
    求の範囲第1項記載の反射率測定装置。 3、前記被測定試料は、前記積分球と一体のスペーサと
    試料ホールダとでそれぞれ非金属材料からなる接触部材
    を介して挾持されるように、測定位置を示す目盛が設け
    てあり、上下、左右の移動機構を備えたホールダに押え
    てある特許請求の範囲第1項または第2項記載の反射率
    測定装置。
JP60271503A 1985-12-04 1985-12-04 反射率測定方法 Granted JPS62132152A (ja)

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JPH0445103B2 JPH0445103B2 (ja) 1992-07-23

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05240783A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Shimadzu Corp 分光光度計
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JPS56119843A (en) * 1980-02-26 1981-09-19 Shimadzu Corp Electrophoresis measuring device
JPS5979841A (ja) * 1982-10-29 1984-05-09 Shimadzu Corp 絶対反射率測定装置

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