JPH0444649A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ豆立及薫±１ 本発明は、多層磁気記録層を備えた光磁気記録媒体に関
し　さらに詳しく屯　優れた耐酸化性を有獣　保磁力、
残留磁化などの磁化特性に便法しかも短波長の再生光を
照射しても大きなが、回転角を示し　垂直磁気記録が可
能な多層磁気記録層を備えた光磁気記録媒体に関する。

日　　の　　　′ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る非晶質合金薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し　一方向に全面磁化された裏面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。この反転磁区の有無を「１」、　「
０」に対応させることによって、上記のような非晶質合
金薄膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような光磁気記録媒体に使用される記録材料として
Ｌ　　Ｇｄ、Ｔｂ、　　Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ、Ｃ
ｏ等の遷移金属元素とを組み合わせた非晶質合金が従来
の代表例である。しかし　これらの非晶質合金薄膜を構
成している希土類元素やＦｅは非常に酸化されやすく、
空気中の酸素とも容易に結合して酸化物を形成する性質
がある。このような酸化が進行して腐食や孔食に至ると
信号の脱落を誘起し　また特に希土類元素が酸化される
と、保磁力と残留磁気が、回転角の減少にともなってＣ
／Ｎ比が低下する。このような問題は、光磁気記録媒体
の磁気記録層の材料に希土類元素が使用されている限り
避けられないものである。

このような遷移金属と希土類元素とを含む非晶質合金薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化ｒ化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻　ＮＯ１２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。

イ）孔食 孔食とは非晶質合金薄膜にピンホールが発生することを
意味する力（この腐食用　主として高温雰囲気下で進行
し　たとえばＴｂ−Ｆｅ　　系、Ｔｂ−Ｃｏ　系などで
著しく進行する。

口）表面酸化 非晶質合金薄膜に表面酸化層が形成さ汰　が、回転角θ
ｋが経時的に変化し　ついにはが、回転角θｋが減少し
てしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 非晶質合金薄膜中の希土類金属が選択的に酸化さ蜆　保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまつ◇ 上述のような酸化や孔食は、上記非晶質合金薄膜にＴｉ
Ｘ　ＣｒＳ　Ａ１等の不動態被膜を形成し得る元素や、
Ｐｔ、Ｐｄ等の不活性元素を添加することにより防止す
ることができ、比較的膜厚の厚い場合においてその効果
は確認されている。しかしながら、上述のような添加元
素の使用はしばしば磁気が、回転角の低下につながり、
しかも５００Å以下の膜厚では所望の効果が得られない
ので、酸化防止保護膜等を併用する必要があった　とこ
ろがこの酸化防止保護膜は高価であるとともに形成する
のに手間がかかり、またこの保護膜を形成しても必ずし
も非晶質合金薄膜の酸化劣化を充分には防止できないと
いう問題点があった ところで、光磁気記録媒体においては磁性変化を生じさ
せるためには記録層が局部的にキュリー温度以上に加熱
されることが必要である。したがって、記録層のキュリ
ー点が低いほど、情報転送速度が向上することになる。

キュリー点を下げる手段としては、記録層に第３の元素
を添加することが従来より考えられている。しかしなが
ら、このような手段は元素の種類によっては記録層の熱
安定性を低下させるため、金属イオンの拡散あるいは記
録層の結晶化が起こり、保磁力や角型比が劣化するとい
う結果を招くことがあツｔ−。

上述のような問題点を解決するために、たとえば特開平
］−９８１４４号公厭　特開平１−１５９８４７７号公
報には、金属ＣＯにある種の他の金属（以下、Ｍと略記
する）を所定の範囲で添加したＣｏＭ合金層とＰｄ層と
を交互に積層した超格子金属薄膜あるいは変調構造金属
薄膜を記録層とする光磁気記録媒体が開示されている。

また特開平１−１６２２５７号公報に１３ｃｏＭ合金層
とＰｔ層とを交互に積層した金属薄膜を磁気記録層とす
る光磁気記録媒体が開示されている。

しかしながら、上記のような公報に記載された磁気記録
層においても、磁化特性、Ｃ／Ｎ特性などの点で必ずし
も満足のいくものではなく、このような点でさらなる改
良要求があった 旦ｊ目と１匝 本発明１戴　優れた耐酸化性を有し　保磁力、残留磁化
などの磁化特性に便法　しかも短波長の再生光を照射し
ても大きなが、回転角を示し　垂直磁気記録が可能な多
層磁気記録層を備えた光磁気記録媒体を提供することを
目的としている。

ｉ里丘見１ 本発明に係る光磁気記録媒体ｉＬ　　その磁気記録層７
５ζ　互いに組成の異なる第１薄膜と第２薄膜とが交互
に積層された周期構造を有する積層体であり、 第１薄膜および第２薄膜が、下記の群（ｉ）の元素と、
下記の群ａｉ）の元素と、下記の群（ｉｉｉ）の元素と
を合本　　かつ第１薄膜と第２薄膜とが互いに組成の異
なることを特徴としている。

（ｉ）Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元乳 但）ＰｔＳ　Ｐｄ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の
九九 １ｉｉ）下記の群（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくと
も１種の九九 （ａ）：　　Ｆｅ、Ｃｏ以外？７）３ｄ遷移元素（ｂ）
：Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ、Ａｕ以外の５ｄ遷移元素（ｄ）：　
　希土類元素 （ｅ）ｓＩＩＩＢＩＩＩＢ族 元素）：ＩＶＢ族元素 （ｇ）：ＶＢ族元素 （ｈ）：ｖ＋Ｂ族元素 本発明に係る光磁気記録媒体は、その磁気記録層が、　
互いに組成の異なる第１薄膜と第２薄膜とが交互に積層
された周期構造を有する積層体であるので、 優れた耐酸化性を有し　保磁力、残留磁化などの磁化特
性に優汰　しかも短波長の再生光を照射しても大きなが
、回転角を示し　垂直磁気記録が可能な多層磁気記録層
を備えた光磁気記録媒体が得られる。

ｉ田！すＵ（昨販ｌ 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

本発明に係る光磁気記録媒体の磁気記録層１戴組成が異
なる２種の薄膜の積層体として構成されている。

本発明に係る光磁気記録媒体の多層磁気記録層を構成す
る２種の薄膜１戯（ｉ）Ｆｅ、　　Ｃｏから選ばれる少
なくとも１種の元素と、（ｉｉ）Ｐ　ｔ、　　Ｐ　ｄ。

Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素と、（ｉｉｉ）
後記（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくとも１種の元素
とを含んでなり、かつ互いにその組成が異なっている。

以下これら２種の薄膜を第１薄膜および第２薄膜と呼人
　この第１薄膜および第２薄膜を積層してなる多層磁気
記録層代　膜面に垂直な磁化容易軸を有する合金薄膜で
あって、かつ隣接する第１薄膜および第２薄膜はその組
成が互いに異なっている。

（ａ）ＦｅＳ　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的に１４　
　Ｓｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｃｒ、　　Ｍｎ、　　
Ｎｉ、Ｃｕ１　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、ＮＬ、Ｃｕ、Ｚｎなどが好ましく
用いられる。

（ｂ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的に１４　　Ｙ、　　Ｚｒ５Ｎｂ、　　Ｍｏ、Ｔｃ
。

Ｒｕ、Ｒｈ、ＡｇＳ　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒまたはＮｂが好ましく用いられる。

（ｃ）Ｐｔ、Ａｕ以外の５ｄ遷移元素 具体的に＋１　　Ｈｆ、　　Ｔａ５ＷＳＲｅ、　　Ｏｓ
。

ＩｒＳ　Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｄ）希土類元素 具体的には、Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、Ｅ
ｒ。

Ｙｂ、Ｌｕ、ＬａＳ　Ｃｅ１　Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓ亀　Ｅｕが用いられる。

コノうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ１　Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

（ｅ）ＩＩＩＢ族元素 具体的に＋ｊＢ、ＡＩ、Ｇａ、　　Ｉｎ、ＴＩが用いら
れる。

このうちＢ、ＡＩ、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｆ）ＩＶＢ族元素 具体的にＬ　　Ｃ，Ｓｉ、ＧｅＳ　Ｓｎ、Ｐｂが用いら
れる。

このうち、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｇｅが好ましく用いられ
る。

（ｇ）ＶＢ族元素 具体的にＣ戯　ＮＸ　Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられ
る。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（ｈ）ＶＩＢ族元素 具体的に告　Ｓｌ　Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

以下に本発明に係る光磁気記録媒体の磁気記録層を構成
する第１薄膜および第２薄膜について詳細に説明する。

第１薄膜Ｌ　　（ｉ）ＦｅまたはＣＯあるいはこの両者
を含有して構成されて、好ましくはＣＯを含有して構成
されていることが望ましい。（ｉ）ＦｅまたはＣＯある
いはこの両者番戴　５０〜９９．８原子％、好ましくは
６０〜９９．０原子％の量で第１薄膜中に存在している
。また該第１薄膜は（ｉｉ）Ｐｔ。

Ｐｄ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素を含有し
て構成されて、好ましくはｐｔを含有して構成されてい
ることが好ましい。（ｉｉ）Ｐ　ｔ、　　Ｐ　ｄ。

Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素は、　０．１〜
５０Ｊｌｉ（予電　好ましくは０．５〜４０原子％の量
で第１薄膜中に存在している。さらに該第１薄膜は０ｉ
ｉ）上記（ａ）〜（ｈ、）から選ばれる少なくとも１種
の元素を含有して構成されており、好ましくは（ｄ）希
土類元素を含有して構成されてし）ることか好ましい。

（ｉｉｉ）上記（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくとも
１種の元素は、０．１〜４０原子％、好ましくは０．５
〜３０ｗ、千％の量で第１薄膜中に存在している。

第２薄膜Ｉｆ、　　（ｉ）ＦｅまたはＣｏあるいはこの
両者を含有して構成されて、好ましくはＣＯを含有して
構成されていることが望ましい。（ｉ）ＦｅまたはＣＯ
あるいはこの両者１転　０．１〜５０原子％、好ましく
は０．５〜４０原子％の量で第２薄膜中に存在している
。また該第２薄膜は（ｉｉ）Ｐ　ｔ、　　Ｐ　ｄ、Ａｕ
から選ばれる少なくとも１種の元素を含有して構成され
ており、好ましくはｐｔを含有して構成されていること
が好ましい。（ｉｉ）Ｐ　ｔＳＰ　ｄ。

Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素は、５０〜９９
．８原子％、好ましくは６０〜９９．０ｉ子％の量で第
２薄膜中に存在している。さらに該第２薄膜は、　（ｉ
ｉｉ）上記（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくとも１種
の元素を含有して構成されており、好ましくは（ｄ）希
土類元素を含有して構成されていることが好ましい。（
ｉｉｉ）上記（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくとも１
種の元素ｉ４０．１〜４ＯＮ、千％、好ましくは０．５
〜３０Ｗ、子％の量で第２薄膜中に存在している。

上記のような組成を有する第１薄膜および第２薄膜の具
体的な例として代 Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｎ１５Ｆｅ−Ｐｔ−Ｃ
ｕ１Ｆｅ−Ｐｔ−Ｚｎ。

Ｆｅ−Ｐｔ−Ｎｂ、　Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔａ、　Ｆｅ−Ｐｔ
−Ｂ５Ｆｅ−Ｐｔ−Ｉｎ。

Ｆｅ−Ｐｔ−８ｉ、Ｆｅ−Ｐｔ−３ｎ、　Ｆｅ−Ｐｔ−
Ｐｂ、　Ｆｅ−Ｐｔ−３ｂ。

Ｆｅ−Ｐｔ−８ｍ５Ｆｅ−Ｐｔ−Ｎｄ、　Ｆｅ−Ｐｔ−
Ｔｂ、　Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔｅ。

Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔｉ−Ｔｂ１Ｆｅ−Ｐｔ−Ｎｉ−Ｔｂ、　
Ｆｅ−Ｐｔ−Ｃｕ−Ｔｂ。

Ｆｅ　−Ｐｔ−Ｚｎ−Ｔｂ、　　Ｆｅ−Ｐｔ−Ｎｂ−Ｔ
ｂ、　　Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｔｏ、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔ
ｂ、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｉｎ−Ｔｂ５　Ｆｅ−Ｐｔ−８ｉ−Ｔ
ｂ、Ｆｅ−Ｐｔ−８ｎ−Ｔｂ、　Ｆｅ−Ｐｔ−Ｐｂ−Ｔ
ｂ、　　Ｆｅ−Ｐｔ−８ｂ−Ｔｂ。

Ｆｅ−Ｐｔ−８ｍ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｎｄ−Ｔｂ、Ｆ
ｅ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔｅ。

Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔｅ−Ｔｂ Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｉ５Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ、　　Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｃｕ、　　Ｃｏ−Ｐｔ−Ｚｎ。

Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｂ、Ｇｏ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｉｎ。

Ｃｏ−Ｐｔ−３ｉ、　、Ｇｏ−Ｐｔ−Ｓｎ、　　Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｐｂ、　　Ｃｏ−Ｐｔ−８ｂ。

Ｃｏ−Ｐｔ−８ｍ５　Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｄ、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｔｂ５　Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｅ。

Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｉ−Ｔｂ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ−Ｔｂ、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｕ−Ｔｂ。

Ｃｏ−Ｐｔ−Ｚｎ−Ｔｂ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｂ−Ｔｂ、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｔｂ。

Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔｂ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｉｎ−Ｔｂ５　Ｃ
ｏ−Ｐｔ−８ｉ−Ｔｂ。

Ｃｏ−Ｐｔ−８ｎ−ＴｂＸ　Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｂ−Ｔｂ５
　Ｃｏ−Ｐｔ−３ｂ−Ｔｂ。

Ｃｏ−Ｐｔ−３ｍ−Ｔｂ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｄ−Ｔｂ、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔｅ。

Ｇｏ−Ｐｔ−Ｔｅ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｕ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｚｎ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｂ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔａ、、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ５　
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｉｎ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−８ｉＳ　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−３ｎＳ
　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｂ１Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−３ｂ、
　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−８ｍ、　　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎ
ｄ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｅ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｉ−Ｔｂ、　　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｎｉ−Ｔｂ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｕ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｚ
ｎ−Ｔｂ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｂ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔ
ａ−Ｔｂ１Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｉｎ−Ｔｂ１Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−８ｉ−Ｔｂ、Ｆ
ｅ−Ｇｏ−Ｐｔ−８ｎ−Ｔｂ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｂ−Ｔｂ、Ｆｅ−Ｇｏ−Ｐｔ−３
ｂ−Ｔｂ。

Ｆｅ−Ｇｏ−Ｐｔ−８ｍ−ＴｂＳ　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｎｄ−Ｔｂ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔｅ、　　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｔｅ−Ｔｂなどを例示することができる。

上記のような合金薄膜の中、第１薄膜として↓戴その組
成比Ｌ　　（ｉ）の群から選ばれる元素をＡ１（ｉｉ）
の群から選ばれる元素をＢｓ　　（ｉｌｌ）の群から選
ばれる元素をＣとおいた場合、 式：　　Ａ、Ｂ、Ｃ＋ａｓ−ｘ−ｕにおいて、Ｘは５０
〜９９．８ｙ１．千％、好ましくは６０〜９９゜Ｏ原子
％であり、Ｙは０．１〜５０原千％、好ましくは０．５
〜４０原子％の範囲にあることが望ましい。

また第２薄膜として代　上記のような合金薄膜の中、　
（ｆ）の群から選ばれる元素をＡ、　　（ｉｉ）の群か
ら選ばれる元素をＢ、　　（ｉｉｉ）の群から選ばれる
元素をＣとおいた場合、 式：　　Ａ、Ｂ、（＋５ｓ−ｘ−ｖにおいて、Ｘは０．
１〜５０原子％、好ましくは０．５〜４０原子％であり
、Ｙは５０〜９９．８原子％、好ましくは６０〜９９．
０原子％の範囲にあることが望ましい。

本発明に係る光磁気記録媒体の磁気記録層は上記のよう
な組成を有した第１薄膜および第２薄膜が交互に積層さ
れてなる薄膜積層体として構成されている。

このような磁気記録層において、第１薄膜１層あたりの
膜厚は３〜１５人、好ましくは３〜１０八であることが
望ましい。また第２薄膜１層あたりの膜厚は５〜２５人
、好ましくは１０〜２０人であることが望ましい。そし
て、このような膜厚の第１薄膜および第２薄膜が交互に
積層されてなる磁気記録層（戴　その全厚が５０〜１０
００人、好ましくＧ４１００〜５００人であることが望
ましし）。

上記のような組成および膜厚を有する第１薄膜および第
２薄膜が交互に積層された周期構造を有する磁気記録層
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し　が、・ヒステリシ
スが良好な角形ループを示す垂直磁気記録可能なことが
確かめられたなお本明細書において、が、・ヒステリシ
スが良好な角形ループを示すとは、最大外部磁場におけ
るが、回転角である飽和が、回転角（θに＋）と外部磁
場ゼロにおけるが、回転角である残留力回転角（θに２
）との比　θに、／θに１　が０．８以上であることを
意味している。

一般に光磁気記録媒体におけるＣ／Ｎは、信号での雑音
が光検出器のショット雑音限界の場合、Ｃ／Ｎ８１Ｍ・
θｋ （Ｒは反射取−θにはが、回転角を示す。）の関係を有
する。したがってＣ／Ｎを向上させるにはＲまたはθに
の少なくともいずれが一方の値を向上させればよい。

したがって、本発明の磁気記録層のＲが大きいというこ
とは、光磁気記録におけるＣ／Ｎを向上せしめる利点を
有する。

本発明において代　その他に種々の元素を第１あるいは
第２薄膜に添加して、キュリー温度や補償温度あるいは
Ｈｅやθにの改善あるいは低コスト化を計ってもよい。

これらの元素は、各薄膜に含まれる元素の総量に対して
たとえば１０原子％未満の割合で置換可能である。

併用できる他の元素の例としては、 Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、Ｅｒ、　　Ｔｍ
、　　Ｙｂ。

Ｌｕといったいわゆる重希土類元素がある。

本発明において磁気記録層を構成する各薄膜の界面ＩＬ
　　異種金属原子が互いに入り乱れずに平坦に形成さ汰
　いわゆる超格子構造とされていることが理想的である
が、界面にやや乱れを生じながらも全体としては一定の
周期を保って組成が変動する、いわゆる変調構造（組成
変調構造）を有するものであっても良い。

次へ　本発明に係る光磁気記録媒体の磁気記録層の製造
方法について説明する。

基板温度を室温程度に保ち、本発明に係る光磁気記録媒
体の磁気記録層を構成する第１薄膜及び第２薄膜を構成
する各元素からなるチップを所定割合で配置した複合タ
ーゲットまたは所定割合の組成からなる合金ターゲット
を所定の位置に配置して、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法あるいは真空同時蒸着法などの従来公知の成膜
条件を採用して自公転している基板（基板は固定してい
てもよいが、　この場合は各ターゲット上のシャッタを
交互に開閉する）上に所定組成の薄膜を順次被着させる
ことにより、本発明に係る光磁気記録媒体の磁気記録層
を形成することができる。

このような本発明に係る光磁気記録媒体重　常温での記
録層成膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持た
せるために成膜後にアニール処理などの熱処理をする必
要がない。

なお必要に応じてｊ４　　基板温度を５０〜６００℃に
加熱しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上
に磁気記録層を成膜することもできる。

またスパッタリング時＆−基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある磁気記録層をもたた
くことになり、優れた特性を有する光磁気記録媒体が得
られることがある。

上記のように本発明の光磁気記録媒体の磁気記録層は、
耐食性が良好であり、膜面に垂直な磁化容易軸を有獣　
しかも、短波長の再生光でも良好なが、回転角を示す。

この結果　本発明に係る光磁気記録媒体によって、従来
よりもが、・ヒステリシス・ループの角形比が高く、耐
食性が向上し、しかも短波長の再生光であっても良好な
が、回転角を示すといった特性を有する光磁気記録媒体
を提供することが可能になる。

このような光磁気記録媒体の構造としては、（Ａ）基板
／磁気記録層 （Ｂ）基板／エンハンス膜／磁気記録層（Ｃ）基板／磁
気記録層／熱拡散及びまたは反射層（Ｄ）基板／エンハ
ンス膜／磁気記録層／熱拡散及びまたは反射層 （Ｅ）基板／エンハンス膜／磁気記録層／エンハンスＭ
／熱拡散及びまたは反射層 あるいはこれらの磁気記録層側の最外層に耐傷性のみを
付与するための保護コートや保護ラベルを形成したよう
な構造のものが可能となる。

そして、ここでエンハンス膜としてはその屈折率が基板
の屈折率よりも大きいものであればよく、有機あるいは
無機のいずれの材料であってもよい。

エンハンス膜の具体例としてＩｔ、　　ＴｉＯ２、Ｓｉ
ｎ。

Ｔｉ０１　Ｚ　ｎ　ＯｌＺ　ｒ　Ｏ２、Ｔ　ａ２０．、
Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓ　ｎ　Ｏ２、ＴｅＯ２等の酸
化物、Ｓｉ、Ｎ、、ＡＩＮ、ＢＮ等の窒化＆ＺｎＳ。

ＣｄＳ等の硫化＃ＤＳ　Ｚｎ５ｅ、ＳｉＣ，Ｓｉなどが
ある。また、コバルトフェライトに代表されるフェライ
ト１ＬＢｉ置換ガーネツトに代表されるガーネット類等
のファラデー効果を有する透明材料をエンハンス膜とし
て使用してもよい。

基板もガラスやアルミニウム等の無機材料の他く　アク
リル樹脂、ポリが、ボネート、ポリが、ボネートとポリ
スチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４７７８
号明細書に示されるような非晶質エチレン−環状オレフ
ィン共重合体たとえばエチレンと１．４．５．８−ジメ
タノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン（テトラシクロドデセン）との共重合
＆　　エチレンと２−メチル−１，４，５，８−ジメタ
ノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン（メチルテトラシクロドデセン）との共
重合体　エチレンと２−エチル−１，４，５，８−ジメ
タノ−１，２，３，４，４ａ　５゜８．８ａ−オクタヒ
ドロナフタレンとの共重合体など、ポリ４−メチル−１
−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、
ポリサルフォン、ポリエーテルイミド等の有機材料等を
使用できる。基板の厚さ＋Ｌ　　特に限定されない八　
好ましくは０．　５、〜５Ｉｌ＋、、特に好ましくはＩ
Ｍ〜２−である。

さらＥ、　　光磁気記録媒体の構成は、前述の（Ａ）〜
（Ｅ）の構成にのみ限定されるものではなく、必要に応
じて下地層あるいは高透磁率軟磁性膜の積層などを行っ
てもよく、単板のほが貼合せて使用することも可能であ
る。

上述のような光磁気記録媒体の記録層への書き込み方法
１表　光ビームのほか、釘型磁気ヘッド、熱ペン、電子
ビームなど、磁化反転を生じさせるのに必要なエネルギ
ーを供給できるものであればいかなるものであっても良
いことは言うまでもない。

なお本発明の光磁気記録媒体を構成する磁気記録層は、
膜面に垂直な磁化容易軸を有しているので、光磁気記録
媒体としての用途の他にも、垂直磁気記録層　磁気バブ
ルメモリーといった磁気記録材料分野、磁気光学効果を
利用した光変調器といった各種の分野に応用できる。

たとえば垂直磁気記録分野でｉｔ　　垂直フレキシブル
ディスクの記録層　リジット磁気ディスク用の記録膜へ
の利用が期待できるし　また、外部磁場のコントロール
によりが、回転角やファラデー回転角を制御し　反射光
や透過光の光量変化によって光電池を作動させる光変調
器への利用も期待できる。

ｉ貝二匁秀 本発明に係る光磁気記録媒体ｉＬ　　その磁気記録層が
、特定の組成を有する第１薄膜と第２薄膜とが交互に積
層された周期構造を有する積層体であるので、全体とし
て、保磁力、残留磁化などの磁化特性に優へ　しかも短
波長の再生光を照射しても大きなが、回転角を示し　垂
直磁気記録が可能な多層磁気記録層を備えた光磁気記録
媒体が得られる。

本願発明と同じ組成の合金薄膜を単一層として形成した
場合、飽和磁化が残留磁化よりも大きく、垂直磁化膜に
はならない。本願の様に多層にした時にはじめて達成さ
れるものである。

［実施例］ 以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

寒１１」 ガラス基板上に、ターゲットとして ＣＯｅ、Ｐ　ｔ３Ｔｂ２合金およびＣｏ、Ｐｔ、、Ｔｂ
２合金を用い、同時スパッタリング法により、Ｃ０ｅｓ
Ｐ　ｔ、Ｔｂ２層５人、Ｃ０５Ｐ　ｔＢＴｂｇ層１０人
全１０人積層しｔら 得られたＣｏｅｓＰ　ｔ３Ｔ’ｂ２／Ｃｏ、Ｐ　ｔ９Ｓ
Ｔｂ。

多層膜の全厚は約１５０八であった　得られた光磁気記
録媒体の特性を測定したところ、得られた光記録媒体に
波長４００ｎｍの光を基板側から入射しが、回転角（θ
ｋ　（４００）　ｄｅｇ）を測定したところ０．４０ｄ
ｅｇであった　その際の反射率は４０％であった　この
光磁気記録媒体を温度８０℃、相対湿度８０％の環境下
に１００時間放置の後、再度が、回転角を測定したとこ
ろ０．４０ｄｅｇであつ九結果を表１に示す。

災蓋貝」 ガラス基板上に、ターゲットとして Ｃｏ９．Ｐ　ｄ、Ｔ　ｂ２合金およびＣＯ３Ｐ　ｄ　＠
　５　Ｔ　ｂ　２合金を用い、同時スパッタリング法に
より、Ｃｏ、５Ｐ　ｄ３Ｔ’ｂ２層５＾、Ｃｏ、Ｐ　ｄ
、、Ｔ　ｂ２層１０人を交互に積層した 得られたＣ　ｏｅｓＰ　ｃｉ、’ｒ　ｂ２／Ｃｏ３Ｐ　
ｄ＊６Ｔ　ｂ２多層膜の全厚は約１５０人であった　得
られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同様に測定し
ｆ。

結果を表１に示す。

叉１１」 ガラス基板上に、ターゲットとして ＣＯｓｓ　Ｐ　ｄ　３　Ｔ　ｂ　２合金およびＣｏ、Ｐ
　ｔ、５Ｔｂ２合金を用い、同時スパッタリング法によ
り、Ｃｏ、、Ｐ　ｄ３Ｔｂ２層５人、Ｃ０３Ｐ　ｔｅｓ
Ｔ　ｂ２層１０人を交互に積層した 得られたＣｏ５６ＰｄａＴｂ２／ＣｏａＰ　ｔ、、’ｒ
ｂ２多層膜の全厚は約１５０人であつ島　得られた光磁
気記録媒体の特性を実施例１と同様に測定した結果を表
１に示す。

皮豊彰」 ガラス基板上に、スパッタリング法により、ターゲット
と１７でＴ　ｂ２＠Ｆ　ｅｓｓを用い、厚さ１０００＾
のＴｂ２゜Ｆｅ、、層を被着した　得られた光磁気記録
媒体の特性を実施例１と同様に測定した結果を表１に示
す。

坦豊１」 ガラス基板上に、スパッタリング法により、ターゲット
として７１）２．Ｆ　ｅｅｓｃ　ｏ、、を用い、厚さ１
０００人のＴ　ｂ＋＊Ｆ　ｅｅｓｃ　Ｏ＋ｓ層を被着し
た得うれた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同様に測
定した 結果を表１に示す。

表

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）磁気記録層を備えた光磁気記録媒体において、該磁
   気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２薄膜と
   が交互に積層された周期構造を有する積層体であり、 第１薄膜および第２薄膜が、下記の群（ｉ）の元素と、
   下記の群（ｉｉ）の元素と、下記の群（ｉｉｉ）の元素
   とを含み、かつ第１薄膜と第２薄膜とが互いに組成の異
   なることを特徴とする光磁気記録媒体。 （ｉ）Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素。 （ｉｉ）Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種
   の元素。 （ｉｉｉ）下記の群（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なく
   とも１種の元素。 （ａ）：Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 （ｃ）：Ｐｔ、Ａｕ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：希土類元素 （ｅ）：IIIＢ族元素 （ｆ）：IVＢ族元素 （ｇ）：ＶＢ族元素 （ｈ）：VIＢ族元素 ２）前記第１薄膜の膜厚が３〜１５Åであり、前記第２
   薄膜の膜厚が５〜２５Åであり、前記磁気記録層の全厚
   が５０〜１０００Åであることを特徴とする請求項第１
   項に記載の光磁気記録媒体。