JPH0444270B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は転写型電子写真複写機、特に画像投影
光学系による画像投影光量を最適値に維持するた
めの構成に関する。

従来技術 一般に、転写型電子写真複写機において、複写
画像中におけるカブリ発生を防止してその画質を
安定化させるため、電子写真感光体の画像露光後
の電位、具体的には静電潜像の背景部の電位と同
等の電位を有する基準潜像を形成し、その基準潜
像の電位を使用条件，環境条件等に拘わらず一定
の値に維持することが重要な問題である。なぜな
らば、感光体の感度変化に応じて静電潜像の背景
部の電位が変動するからである。

そこで、本発明者らは、前記基準潜像の電位と
露光ランプ電圧との間に略一定の比例関係がある
ことを利用し、第１図に示される如き方法を開発
した。なお、実験に使用した感光体の種類は
Se・Te合金感光体である。

第１図において、横軸には露光ランプ電圧LV
を示し、縦軸には基準潜像の形成されている部分
の感光体ドラム表面の電位IVを示し、VREは最
終目標電位である。直線Ａは標準的な使用条件、
環境条件等における感光体の特性を示す。直線
A′は実際の使用時における感光体の特性を示し、
種々の使用条件、環境条件等において種々異な
る。

前記最終目標電位VREとは、複写画像にカブ
リが発生しない程度の電位に設定されている。実
際の複写には種々のコントラストの原稿が供され
るので、望ましくは各種原稿の複写画像にカブリ
が発生しないようにさせる必要がある。この実験
においては原稿画像の背景部の反射濃度を0.25以
下と想定して、基準潜像形成用パターンとして反
射濃度0.25のものを用いると共に、最終目標電位
VREは、現像バイアスを300Vに固定し、300Vと
された。なお、この条件下においては、原稿画像
中反射濃度0.25以下の部分に対応する静電潜像の
部分、即ち静電潜像の背景部は現像されない。

従つて、直線A′のある条件下において、基準
潜像形成当初には露光ランプに対してまずLV₀の
値の電圧が印加され、この表面電位の検出値
（IVm）に対応してLV₁ LV₁＝LV₀・IVX−VRE／IVX−IVm なる補正電圧を印加し、以下同様の補正を表面電
位の検出値が最終目標電位VREに達するまで繰
返し、その後複写工程を行う。

ただし、前式におけるIVXは、第１図に示す
様に、露光ランプ電圧LVに対する標準的条件下
での感光体表面電位特性において、最終目標電位
VRE上での接線を引き伸ばし、この接線が縦軸
と交わる点の表面電位の値を便宜的に定数として
設定したものである。

しかしながら、この方法では露光ランプに対す
る電圧値の補正ごとに感光体ドラムを露光位置か
ら検出位置まで距離(l)（第４図参照）だけ、都合
“補正回数×(l)″の距離だけ感光体ドラムを実質的
な複写動作に関係なく無駄に移動させねばなら
ず、補正回数の増大に伴い複写速度の低速化を招
来する欠点を有している。

ところで、Se・Te合金感光体の特性に関して、
前記直線Ａの傾き、正確には（IVX−VRE）／
LVの値は、第２図に示す様に、感光体ドラムの
温度変化に応じて、かつ複写機使用開始当初（曲
線Ｂ）と長期使用後（曲線B′）とでは異なつた
曲線を描いて変化し、これらの変化は温度が25℃
以上では２次式 K₁TPC²＋K₂TPC＋K₃ （TPC：感光体ドラムの表面温度） で近似でき、また25℃以下では１次式 K₄TPC＋K₅ で近似できることが、本発明者らの実験で確認さ
れた。

また、短時間内における連続複写繰返し回数に
対しても、第３図に示すように、繰返し初期（直
線Ｃ）と多数回繰返し後（直線C′）とでは異つた
傾きで変化し、10回程度の繰返しでは１次式 K₆・logN＋K₇ で近似でき、また10回繰返し以上では１次式 K₈・logN＋K₉ で近似できることが確認された。

さらに、CdS樹脂感光体の特性、すなわち、前
記直線Ａの傾きは、第１５図に示すように、感光
体ドラム周辺の絶対温度の変化に応じて変化し、
K₁₀・AH²＋K₁₁・AH＋K₁₂（AH：絶対湿度）で
近似できることも実験により確認されている。

目 的 そこで、本発明は前記の実験結果に着目してな
されたもので、その目的は、前記補正回数を減ら
すことにより複写速度の低速化を解消し、感光体
のイメージ電位を環境条件や使用条件等感光体の
特性に影響を与える条件に拘らず、かつ迅速に一
定の値に維持することのできる転写型電子写真複
写機を提供することにある。

要 旨 前記の如く、最適画像投影光量は、環境条件等
により依存変化するのであるが、本発明において
はこの最適画像投影光量を得るための条件を一定
の基準式にて表わして画像投影光学系による画像
投影光量、即ち第１図に示したLVの値を近似的
に決定するとともに、第２図、第３図、第１５図
に示した様に、温度変化や湿度変化および連続複
写に伴う感光体の特性の変化に追随させて前記
LVの値を精度よく近似決定するために前記基準
式を逐次修正するようにした。

具体的には、繰返し静電潜像の形成に利用され
る感光体と、 静電潜像形成の際の画像露光に先立つて前記感
光体の表面を均一に帯電する帯電手段と、 原稿画像に対応する光像を感光体の表面に投影
する光学手段と、 感光体の特性に影響を与える条件として温度，
湿度あるいは複写回数を検出する条件検出手段
と、 感光体の表面電位を検出する電位センサと、 予め決められた複数の係数を記憶した記憶手段
と、 前記光学手段の投影光量を制御する光学手段へ
の制御入力値をある値にした場合のこの制御入力
値と、この場合の光学手段により前記感光体の表
面に形成された基準潜像の電位との関係を、検出
された条件を入力変数とし、前記記憶手段に記憶
されている予め決められた複数の係数を含んだ関
係式を用いて、前記条件検出手段の検出条件から
前記光学手段への制御入力値を演算し、この演算
によつて求められた値の制御入力値を前記光学手
段へ入力して前記光学手段を動作させてこの光学
手段により前記感光体を露光し、形成された基準
潜像の電位を前記電位センサで検出して、前記演
算によつて求められた制御入力値に対して前記関
係式が成立する目標の基準潜像電位と前記電位セ
ンサの検出値とを比較してその差が許容範囲内に
なるまで、この電位センサの検出値と前記目標の
基準潜像電位とから基準潜像電位を前記目標の電
位に近づける光学手段への修正制御入力値の演
算、前記光学手段への修正制御入力値の入力に基
づく動作による露光、基準潜像の電位検出および
検出電位と目標の基準潜像電位との比較を繰返
し、前記電位センサの検出値と前記目標の基準潜
像電位との差が許容範囲内になつたことにより、
その最後の前記光学手段へ入力された修正制御入
力値を複写動作時の前記光学手段への制御入力値
とするとともに、この修正制御入力値と前記条件
検出手段の検出値から前記記憶手段に記憶されて
いる予め決められた複数の係数を修正し、修正さ
れた係数を予め決められた係数として前記記憶手
段に記憶させる制御手段とを備えたことを特徴と
する転写型電子写真複写機である。

実施例 第４図は本発明に係る転写型電子写真複写機の
概略内部構造を示し、１は感光体ドラムで、図中
反時計回り方向に回転駆動可能である。２は透明
な原稿台ガラスで、原稿画像走査開始側上板３の
裏面には原稿画像の背景部の反射濃度に対応す
る、反射濃度0.25のハーフトーンの基準潜像形成
用パターン４が設置されている。５は画像投影光
学系で、露光ランプ６、反射鏡７，８，９，１
０、投影レンズ１１から構成され、画像投影時に
おいて露光ランプ６、反射鏡７は感光体ドラム１
の周速ｖと同速で、反射鏡８，９は（1/2ｖ）の
速度で図中左方に走査移動可能である。

１２は帯電チヤージヤで、帯電チヤージヤ電源
１３に接続され、具体的には感光体ドラム１の表
面を600V（負極性）に均一帯電する。１４は感光
体の表面電位検出素子で、その検出出力は表面電
位検出回路１５に入力される。１６は感光体近傍
に設置した温度検出素子で、その検出出力は表面
温度検出回路１７に入力される。また、前記露光
ランプ６に接続された露光ランプ電源１８′は露
光制御手段１８にて制御され、この露光制御手段
１８には前記表面電位検出回路１５、表面温度検
出回路１７からの出力が入力される様になつてい
る。

１９は磁気ブラシ式の現像装置で、マグネツト
ローラ２１を内蔵した現像スリーブ２０上を現像
剤が時計回り方向に移動することにより感光体ド
ラム１上に形成された静電潜像を現像する。この
現像スリーブ２０には、300V（負極性）に固定さ
れた現像バイアスが印加される。従つて、 300V以下の電位の静電潜像は現像されない。
また、２２は転写チヤージヤ、２３３は複写紙の
分離チヤージヤ、２４は残留トナーのクリーナ、
２５は残留電荷のイレーサランプである。

一方、２６は給紙カセツト、２７は給紙ロー
ラ、２８は搬送ローラ、２９は搬送ベルト、３０
は熱ローラ式の定着装置、３１は排出ローラ、３
２は排出トレイである。

本実施例においては感光体としてSe・Te合金
感光体が用いられており、この感光体の特性は温
度依存性が大であるので、本実施例ではその表面
温度を検出する様になつている。勿論、環境条件
は数種類検出される様にしてもよいが、検出対象
が多い程以下に詳述する基準式が複雑になるの
で、一般的には最も依存性の高い条件のみ検出す
ることが望ましい。

つぎに、基準式の決定に関する原理を説明す
る。

第５図に示される如く、（x₁，y₁）、（x₂，y₂）
…（x_o，y_oのｎ組のデータからｘとｙとの相関関
係を最小二乗法に基づき、 ｙ＝αx＋β …… という式で近似させる場合、前記α，βは、下記
のＳの値を最小にする様な値でなければならな
い。

Ｓ＝_o 〓^t=1 〔y_t−（αx_t＋β）〕² …… 前記Ｓの値が最小になる条件は、 δS／δα＝０ δS／δβ＝０ …… であり、この様な条件を満すα，βは、下記の連
立方程式の解として導き出され得る。

_o 〓^t=1 αx_t ²＋_o 〓^t=1 βx_t＝_o 〓^t=1 y_{t o} 〓^t=1 αxt＋_o 〓^t=1 β＝_o 〓^t=1 y_t …… 即ち、前記α，βは、下記の行列式から導き出
されるのである。

一方、第６図に示される如く、（x₁，y₁）、（x₂，
y₂）…（x_o，y_o）のｎ組のデータからｘとｙとの
相関関係を最小二乗法に基づき、 ｙ＝αx²＋βx＋γ ……′ という式で近似させる場合、前記式を導き出し
たのと同一の理由により前記α，β，γは、下記
の行列式から導き出される。

なお、３次式以上の近似も前記と同様にして可
能であるが、本実施例では１次式，２次式を取扱
う。

続いて、本実施例において画像投影光学系５に
よる画像投影光量〔露光ランプ６に対する印加電
圧値〕を決定するプロセスを第７図ないし第１１
図のフローチヤートを参照して説明する。

概略は、第７図に示すように、メインスイツチ
のON後にチヤートＡ（第８図）、チヤートＢ（第
９図）、チヤートＣ（第１０図）と進み、このサイ
クルをｍ回繰返す。このサイクルは定着装置３０
のヒータ等のウオームアツプ時の初期安定を図る
ための時間を有効に利用して、基準式を環境条件
に適合すべく修正しておくためのもので、前記
“ｍ”は任意にとつてよい。

なお、チヤートＡのステツプの直前に（メイン
スイツチON、プリントスイツチON後ともに又
はいずれかに）帯電コントロールを行うプロセス
を挿入してもよい。

そして、プリントスイツチをONするごとに、
今度はチヤートＡ、チヤートB′（第１１図）、チ
ヤートＣと進み、前記基準式を逐次修正し、画像
露光を開始して周知の複写動作を行う。

なお、チヤートB′はチヤートＢと同じであつ
てもよいが、感光体ドラムを交換するとか、かな
りの長期複写機を休止させておいた場合等は、あ
らかじめ記憶されている基準式で近似される感光
体の特性と実際の感光体の特性とが著しくずれる
こともあり得るので、目標値への収束時間がかか
り過ぎて複写速度が低下することがない様に配慮
するため、敢えてチヤートＢと異らされている。
ただし、メインスイツチON後ｍ回繰返されるサ
イクルに関しては複写機のウオームアツプ時間中
に処理されるため、収束時間が多少延びても問題
はない。このため、敢えてチヤートB′の如き処
理は行われない。

前記収束時間を短縮する具体的な手法としてチ
ヤートＢで行われる処理は、チヤートＢ，B′に
示す様に、前回の制御収束値を別途記憶してお
き、プリントスイツチON後、その記憶値と最新
のデータの演算値との加重平均値を次回の露光ラ
ンプへの印加電圧LVとするようにしている。な
お、要因の寄与係数であるγ₁は、0.1〜10の範囲
で選択され、本実施例では１程度が適当である。

詳しくは、これらの制御はマイクロコンピユー
タによりシーケンス制御される様になつている。
第８図に示すように、マイクロコンピユータのラ
ンダムアクセスメモリRAMには、あらかじめ感
光体ドラムの表面温度TPCがTPC≧25℃の条件
下におけるｎ回の複写実験の結果得られた基準式
決定用のデータａ〜ｈ及びTPC＜25℃の条件下
におけるｎ回の複写実験の結果得られた基準式決
定用のデータｉ〜ｍのそれぞれの値が記憶させら
れている。

なお、前記実験は感光体ドラムの温度TPCを
変化させ、その際、基準潜像表面電位を最終目標
電位VRE、具体的には300V（負極性）になるの
に適した露光ランプ電圧LVを求めることによつ
て行われた。なお、この際の前記定数IVXは
1180とした。また、感光体ドラムの帯電電位は
600V（負極性）である。この結果、（TPC₁，
LV₁）……（TPC_o，LV_o）のｎ組のデータが得
られている。

ａ〜ｍの値は具体的には下記のとおりである。

ａ＝_o 〓^t=1 TPC_t ⁴ （1.15×10⁹） ｂ＝_o 〓^t=1 TPC_t ³ （6.411×10⁷） ｃ＝_o 〓^t=1 TPC_t ² （1.027×10⁶） ｄ＝_o 〓^t=1 TPC_t （3.163×10⁴） ｅ＝ｎ （1.0×10³） ｆ＝_o 〓^t=1 φ_t・TPC_t ² （1.759×10⁷） ｇ＝_o 〓^t=1 φ_t・TPC_t （5.374×10⁵） ｈ＝_o 〓^t=1 φ_t （1.684×10⁴） 以上、TPC≧25℃、ただし、 φ＝IVX−VRE／LV ｉ＝_o 〓^t=1 TPC_t ² （3.4033×10⁵） ｊ＝_o 〓^t=1 TPC_t （1.767×10⁴） ｋ＝ｎ （1.0×10³） ｌ＝_o 〓^t=1 φ_t・TPC_t （2.695×10⁵） ｍ＝_o 〓^t=1 φ_t （1.517×10⁴） 以上、TPC＜25℃ このようなａ〜ｍの値がランダムアクセスメモ
リRAMに記憶された後は、メインスイツチの
ON後に、あるいはプリントスイツチのONによ
る複写サイクルごとに前記温度TPC、露光ラン
プ電圧LVのデータが得られる様になつている。

即ち、メインスイツチのONの後、ステツプ
でランダムアクセスメモリRAMに記憶されてい
るａ〜ｍの値を読出し、ステツプでK₁〜K₅を
演算し、ステツプで基準式を決定する。ステツ
プで感光体温度TPCを検出・記憶し、ステツ
プで感光体温度TPCが25℃より高いか否かを
判定する。「YES」であればステツプで式に
感光体温度TPCの値を代入し、露光ランプ電圧
LVを決定する。「NO」であればステツプで
式に感光体温度TPCの値を代入し、露光ランプ
電圧LVを決定する。

次に、第９図のチヤートＢに移り、ステツプ
でステツプで決定された露光ランプ電圧LVを
メモリM₁に記憶し、ステツプで露光ランプに
対して前記LVの値の電流を流すとともに、それ
に若干先立ちステツプで感光体ドラムの回転駆
動を開始する。次に、ステツプで感光体表面電
位VPCを検出し、ステツプで｜VPC−VRE｜
≦εか否か、即ち検出された感光体表面電位
VPCと最終目標電位VREの差が許容誤差εの範
囲内か否かを判定する。

なお、ステツプにおける感光体表面電位
VPCの検出は、第４図に示した様に、露光ラン
プ電圧LVが露光ランプ６に印加された際に露光
された感光体ドラム１のａ点が距離(l)移動して表
面電位検出素子１４に対向する位置に達したとき
に行われる様にタイミングがとられている。

ステツプで「YES」と判定されれば、画像
露光を開始して複写動作を行うとともに、第９図
のチヤートＣに移行する。一方「NO」と判定さ
れれば、ステツプで前記メモリM₁に記憶され
た印加電圧LVの値を、この値に IVX−VRE／IVX−VPC の値を乗じた値に修正し、前記ステツプに戻
り、ステツプで「NO」と判定される限りステ
ツプ〜を繰返す。ただし、所定回数以上繰返
された場合には、露光ランプ切れ、感光体ドラム
１の回転停止等の異常事態が生じていると考えら
れる。よつて、所定回数以上繰返された場合には
複写機本体の表示パネルにその旨の表示がなされ
るとともに、複写機の作動が停止されるようにな
つている。

一方、プリントスイツチON後では、第１１図
に示す様に、チヤートＡの処理後は、ステツプ
〓′で露光ランプ電圧LVの値を前記メモリM₁と
は別のメモリM₂に記憶させ、ステツプ〓″でメモ
リM₁に記憶されている先回の収束値との加重平
均値により、次回の露光ランプ電圧LVを決定す
る様にしている。この場合、ステツプ′でメモ
リM₁，M₂に記憶された印加電圧LVの値を、こ
の値に IVX−VRE／IVX−VPC の値を乗じた値に修正する。従つて、このステツ
プ′を１回通過するごとに、メモリM₁，M₂の
値は等しくなる。

次に、第１０図のチヤートＣによつて新たな
a′〜m′の値が演算され、前記基準式が逐次修正さ
れていく。

即ち、ステツプで感光体温度TPCが25℃よ
り高いか否かを判定し、「YES」であればステツ
プで前記ａ〜ｈの値と記憶されているTPC，
LVの値を式に代入してa′〜h′を演算し、ステ
ツプでランダムアクセスメモリRAMに記憶さ
れているａ〜ｈの値をa′〜h′の値に置換・修正
し、第７図中^*４又は^*５に戻る。また、「NO」
であればステツプで前記ｉ〜ｍの値と記憶され
ているTPC，LVの値を式に代入してi′〜m′を
演算し、ステツプでランダムアクセスメモリ
RAMに記憶されているｉ〜ｍの値をi′〜m′の値
に置換・修正し、第図中^*４又は^*５に戻る。

このチヤートＣにおいて、a′〜m′の値を求める
際に、ａ〜ｍの値に（１−１／Ｎ）を乗じている
のは、ただし本実施例でＮ＝1000とされる、最新
のTPC，LVのデータをそれ以前のデータと比較
してウエイト付けし、古いデータ程（１−１／
Ｎ）を乗ぜられる回数を大きくして基準式決定に
関する寄与率を低くするとともに、ａ〜ｍの値が
無限大に大きくなり、ランダムアクセスメモリ
RAMの記憶容量をオーバするのを防ぐためであ
る。

前記実施例では、露光ランプ電圧の決定要因と
して感光体温度のみに注目して制御したが、他の
要因、例えば連続複写繰返し回数、休止時間等も
データとして記憶し、これらに対する感光体の特
性変化も加味した制御が行われれば、より正確か
つ迅速な制御が可能である。

そこで、他の実施例として、感光体温度TPC
の他に、連続複写繰返し回数(N)を決定要因とした
場合について説明する。

第１２図は前記第７図に準じて露光ランプに対
する印加電圧値を決定するプロセスを示し、チヤ
ートＡ，Ｂ，B′，Ｃはそれぞれ前記第８図，第
９図，第１１図，第１０図に示されており、チヤ
ートA′，C′は第１３図，第１４図に示す。

基本的には、感光体の温度特性による基準式を
逐次修正して得た予測値LV（TPC）と、連続複
写繰返し回数特性による基準式を逐次修正して得
た予測値LV(N)との加重平均により印加する露光
ランプ電圧LVを決定する様にしている。なお、
ここでの加重平均とは、各要因の感光体特性変化
に対する寄与の割合を設定し、要因ごとに適当な
係数を乗じることを意味する。

詳しくは、チヤートA′は、ステツプでラン
ダムアクセスメモリRAMに記憶されているｐ〜
ｚの値を読出し、ステツプで休止時間TRが０
か否かを判定する。この休止時間TRは複写サイ
クルごとの間の時間を意味する。即ち、ステツプ
は連続複写であるか否かを確認するもので、複
写動作をしない休止時間も感光体の特性変化の要
因として確認されているからである。ステツプ
が「YES」であればステツプで繰返し回数(N)
に「１」を加算する。次に、ステツプで繰返し
回数(N)が10より小さいか否かを判定する。
「YES」であればステツプ〓〓でK₆，K₇を演算し、
ステツプ〓〓で基準式を決定する。また、「NO」
であればステツプ〓〓でK₈，K₉を演算し、ステツ
プ〓〓で基準式を決定する。ステツプ〓〓で前記チヤ
ートＡで得た露光ランプ電圧LV（TPC）とステ
ツプ〓〓，〓〓のいずれかで得た露光ランプ電圧LV
(N)を加重平均し、印加電圧LVを決定する。なお、
要因の寄与係数であるγ₂は0.1〜10の範囲で選択
され、本実施例では１程度が適当である。

一方、チヤートC′は、ステツプ〓〓で繰返し回数
(N)が10より小さいか否かを判定し、「YES」であ
ればステツプで前記ｐ〜ｕの値と記憶されてい
るTPC，LVの値を式に代入してp′〜u′を演算
し、ステツプでランダムアクセスメモリRAM
に記憶されているｐ〜ｕの値をp′〜u′の値に置
換・修正する。また、「NO」であればステツプ
で前記ｖ〜ｚの値と記憶されているTPC，LV
の値を式に代入してv′〜z′を演算し、ステツプ
〓〓でランダムアクセスメモリRAMに記憶されて
いるｖ〜ｚの値をv′〜z′の値に置換・修正する。

前記実施例においては、環境条件の検出対象と
して温度および複写回数の場合について述べた
が、例えば、CdS樹脂感光体であると、環境条件
として絶対湿度を使用するのが望ましい。

環境条件として湿度を使用する場合において
も、露光ランプ６の作動状態を決定するプロセス
は基本的に前記実施例と同様であるため、詳細は
省略する。なお、第１６図は第８図に、第１７図
は第１０図に相当する。

また、本実施例において、絶対湿度AHは、温
度ｔと相対湿度Ｈの関数、すなわち、 AH＝2.887×Eω×Ｈ／（273＋ｔ）である。

ここで、Eωは温度ｔにおける水蒸気の飽和蒸
気圧であり、温度，相対湿度検知手段と温度に対
するEωのデータテーブルとから容易に絶対温度
を検知できる。

さらに、本実施例においては、第４図におい
て、感光体ドラム１の近傍に図示しない湿度検出
素子を設け、その検出信号は湿度検出出回路へ入
力され、その出力が露光制御手段１８に入力され
るように構成する。

そして、前記第１６図，第１７図におけるａ〜
ｈは下記の通りである。

ａ＝_o 〓^t=1 AHt⁴ ｂ＝_o 〓^t=1 AHt³ ｃ＝_o 〓^t=1 AHt² ｄ＝_o 〓^t=1 AHt ｅ＝ｎ ｆ＝_o 〓^t=1 φt・AHt² ｇ＝_o 〓^t=1 φt・AHt ｈ＝_o 〓^t=1 φt 但し、 φ＝IVX−VRE／LV また、本発明は、電子写真方式を用いたレーザ
プリンタ等にも適用することができる。

なお、本発明において、画像投影光学系による
画像投影光量の制御は、前記各実施例に示した様
に露光ランプへの印加電圧を制御する方式以外
に、電子写真感光体への露光巾を規制するスリツ
トの巾寸法を制御する等の方式を使用してもよ
い。

効 果 以上の説明で明らかなように、本発明によれ
ば、感光体の特性を一定の基準式にて表わして画
像投影光学系による画像投影光量を決定するとと
もに、実際の使用時における感光体の感度変化等
に応じて複写ごとに前記基準式を逐次修正してい
くようにしたために、静電潜像の背景部の電位を
使用条件，環境条件等に拘わらず、かつ迅速に一
定の値に維持できるばかりか、画像投影光学系の
最適な画像投影光量が精度よく近似決定されるた
め、第１図に示した方法の様に一回の複写ごとに
何回も補正を繰返す必要がなく、複写速度の低速
化を招来することはない。しかも、前記基準式自
体は使用条件，環境条件等に適応するだけでな
く、感光体の製造ロツトに伴う特性のばらつきや
画像投影光学系の設置位置のばらつき、光学系の
汚れ、露光ランプの劣化による光量減少等にも効
果的に適応することとなるため、各複写機各々に
適した画像投影光量の制御が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図，第２図，第３図は本発明者らの実験に
て得られた感光体の感度特性を示すグラフ、第４
図は本発明に係る転写型電子写真複写機の概略
図、第５図，第６図は基準式の決定を説明するた
めのグラフ、第７図ないし第１１図は第１実施例
の作動を説明するフローチヤート、第１２図ない
し第１４図は第２実施例の作動を説明するフロー
チヤート、第１５図は第３実施例の感光体の感度
特性を示すグラフ、第１６図および第１７図は第
３実施例の作動を説明するフローチヤートであ
る。 １……感光体ドラム、４……基準潜像形成用パ
ターン、５……画像投影光学系、６……露光ラン
プ、１４……表面電位検出素子、１５……表面電
位検出回路、１６……温度検出素子、１７……表
面温度検出回路、１８……露光制御手段、１８′
……露光ランプ電源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 繰返し静電潜像の形成に利用される感光体
   と、 静電潜像形成の際の画像露光に先立つて前記感
   光体の表面を均一に帯電する帯電手段と、 原稿画像に対応する光像を感光体の表面に投影
   する光学手段と、 感光体の特性に影響を与える条件として温度，
   湿度あるいは複写回数を検出する条件検出手段
   と、 感光体の表面電位を検出する電位センサと、 予め決められた複数の係数を記憶した記憶手段
   と、 前記光学手段の投影光量を制御する光学手段へ
   の制御入力値をある値にした場合のこの制御入力
   値と、この場合の光学手段により前記感光体の表
   面に形成された基準潜像の電位との関係を、検出
   された条件を入力変数とし、前記記憶手段に記憶
   されている予め決められた複数の係数を含んだ関
   係式を用いて、前記条件検出手段の検出条件から
   前記光学手段への制御入力値を演算し、この演算
   によつて求められた値の制御入力値を前記光学手
   段へ入力して前記光学手段を動作させてこの光学
   手段により前記感光体を露光し、形成された基準
   潜像の電位を前記電位センサで検出して、前記演
   算によつて求められた制御入力値に対して前記関
   係式が成立する目標の基準潜像電位と前記電位セ
   ンサの検出値とを比較してその差が許容範囲内に
   なるまで、この電位センサの検出値と前記目標の
   基準潜像電位とから基準潜像電位を前記目標の電
   位に近づける光学手段への修正制御入力値の演
   算、前記光学手段への修正制御入力値の入力に基
   づく動作による露光、基準潜像の電位検出および
   検出電位と目標の基準潜像電位との比較を繰返
   し、前記電位センサの検出値と前記目標の基準潜
   像電位との差が許容範囲内になつたことにより、
   その最後の前記光学手段へ入力された修正制御入
   力値を複写動作時の前記光学手段への制御入力値
   とするとともに、この修正制御入力値と前記条件
   検出手段の検出値から前記記憶手段に記憶されて
   いる予め決められた複数の係数を修正し、修正さ
   れた係数を予め決められた係数として前記記憶手
   段に記憶させる制御手段とを備えたことを特徴と
   する転写型電子写真複写機。