JPH0443976A - 超電導磁気センサ - Google Patents
超電導磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0443976A JPH0443976A JP2150795A JP15079590A JPH0443976A JP H0443976 A JPH0443976 A JP H0443976A JP 2150795 A JP2150795 A JP 2150795A JP 15079590 A JP15079590 A JP 15079590A JP H0443976 A JPH0443976 A JP H0443976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- oxide superconductor
- pieces
- gold electrodes
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910017610 Cu(NO3) Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、多結晶酸化物超電導体を用いる磁気センサに
関する。この磁気センサは例えば微弱磁界や微小電流の
測定に適用することができる。
関する。この磁気センサは例えば微弱磁界や微小電流の
測定に適用することができる。
［従来の技術］
従来、下部臨界磁界Ｈｃ１と上部臨界磁界Ｈｃ２の範囲
（いわゆる混合状態）で印加磁界の強度に応じて連続的
に（巨視的に見て）超電導領域と常電導領域の割合が変
化する第２種超電導体は、上記混合状態において印加磁
界の強度に応じて電気抵抗が連続的に変化する。
（いわゆる混合状態）で印加磁界の強度に応じて連続的
に（巨視的に見て）超電導領域と常電導領域の割合が変
化する第２種超電導体は、上記混合状態において印加磁
界の強度に応じて電気抵抗が連続的に変化する。
この現象を利用した電気抵抗変調型の超電導磁気センサ
が知られており、超電導体としてはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系酸化物超電導体が提案されている。
が知られており、超電導体としてはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系酸化物超電導体が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体を
用いた従来の多結晶厚ａｍ気センサは、電気抵抗−印加
磁界特性において大きなヒステリシス（以下、電気抵抗
ヒステリシスという）が生じるという問題があった。
用いた従来の多結晶厚ａｍ気センサは、電気抵抗−印加
磁界特性において大きなヒステリシス（以下、電気抵抗
ヒステリシスという）が生じるという問題があった。
高精度の測定にあたっては、このような電気抵抗ヒステ
リシスの回路的な補償が要求されるが、このような補償
回路は複雑、困難である。
リシスの回路的な補償が要求されるが、このような補償
回路は複雑、困難である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、電
気抵抗ヒステリシスが小さい超電導磁気センサを提供す
ることを、その解決すべき課題としている。
気抵抗ヒステリシスが小さい超電導磁気センサを提供す
ることを、その解決すべき課題としている。
［課題を解決するための手段１
本発明の超電導磁気センサは、被測定磁界強度による多
結晶酸化物超電導体の電気抵抗変調効果に基づいて被測
定磁界強度を測定する超電導磁気センサにおいて、 前記多結晶酸化物超電導体はＢ１−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系の酸化物超電導体からなることを特徴として
いる。
結晶酸化物超電導体の電気抵抗変調効果に基づいて被測
定磁界強度を測定する超電導磁気センサにおいて、 前記多結晶酸化物超電導体はＢ１−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系の酸化物超電導体からなることを特徴として
いる。
ｓｒ ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ：Ｏは、モル比率で、
１．０〜２．Ｏ：０．１〜１．０：１．０〜２．５：１
．Ｏ〜２．５：２．０〜３．５：６゜０〜１０．０とす
ることができる。
１．０〜２．Ｏ：０．１〜１．０：１．０〜２．５：１
．Ｏ〜２．５：２．０〜３．５：６゜０〜１０．０とす
ることができる。
［作用及び発明の効果］
本発明者らは、Ｂ １−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−ＣＬＩＯ系
酸化物超電導体の電気抵抗が混合状態において極めて小
ざい電気抵抗ヒステリシスをもつことを見出した。その
原因は不明である。同時に、電気抵抗が印加磁界に対し
て、混合状態中、特に下部臨界磁界ＨＣ１及び上部臨界
磁界Ｈｃ２近傍（肩部）を除く範囲において、優れた直
線性をもつことを見出した。
酸化物超電導体の電気抵抗が混合状態において極めて小
ざい電気抵抗ヒステリシスをもつことを見出した。その
原因は不明である。同時に、電気抵抗が印加磁界に対し
て、混合状態中、特に下部臨界磁界ＨＣ１及び上部臨界
磁界Ｈｃ２近傍（肩部）を除く範囲において、優れた直
線性をもつことを見出した。
更に、このような小さい電気抵抗ヒステリシスと優れた
直線性とをもつ超電導体を電気抵抗変調型の超電導磁気
センサに適用することによって、その測定精度を格段に
改善できる点に気が付いた。
直線性とをもつ超電導体を電気抵抗変調型の超電導磁気
センサに適用することによって、その測定精度を格段に
改善できる点に気が付いた。
すなわち、このＢ ｉ −Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系の多結晶酸化物超電導体を用いた電気抵抗変調型の磁
気センサは、従来の多結晶酸化物超電導体を用いた超電
導磁気センサと比較して磁気ピンニング効果が小さく印
加磁界の変化による超電導体内部への磁束の侵入及び脱
出が両方とも容易であるために、電気抵抗ヒステリシス
が小さくでき、高い測定精度を得ることができる。
系の多結晶酸化物超電導体を用いた電気抵抗変調型の磁
気センサは、従来の多結晶酸化物超電導体を用いた超電
導磁気センサと比較して磁気ピンニング効果が小さく印
加磁界の変化による超電導体内部への磁束の侵入及び脱
出が両方とも容易であるために、電気抵抗ヒステリシス
が小さくでき、高い測定精度を得ることができる。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の超電導磁気センサの実施例
を説明する。
を説明する。
この超電導磁気センサは、第１図に示すように、ＭｑＯ
（酸化マグネシウム）基板１上に被着された酸化物超電
導体からなる超電導厚膜２を有し、更に、超電導厚膜２
の表面に４個の金電極３が互いに所定間隔を隔てて一列
に被着されて、センサ本体Ａが形成されている。センサ
本体Ａは、デユワ−４に充填された液体窒素３中に浸漬
されている。４個の金電極３の内、両側の２個の金電極
３は定電流電源５の一対の出力端に接続されており、残
る中央部の２個の金電極は電圧計６の一対の入力端に接
続されている。
（酸化マグネシウム）基板１上に被着された酸化物超電
導体からなる超電導厚膜２を有し、更に、超電導厚膜２
の表面に４個の金電極３が互いに所定間隔を隔てて一列
に被着されて、センサ本体Ａが形成されている。センサ
本体Ａは、デユワ−４に充填された液体窒素３中に浸漬
されている。４個の金電極３の内、両側の２個の金電極
３は定電流電源５の一対の出力端に接続されており、残
る中央部の２個の金電極は電圧計６の一対の入力端に接
続されている。
なお、センサ本体Ａの詳細構造を第２図及び第３図を参
照して説明する。
照して説明する。
ＭＱＯ基板１は、ＭＣｌ０粉末を焼結して、はぼ、縦２
．５ｃｍ、横２．５ｃｍ、厚さ１ｍｍに形成されている
。
．５ｃｍ、横２．５ｃｍ、厚さ１ｍｍに形成されている
。
超電導厚膜２は、Ｂ ｉ −Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
Ｑ系酸化物超電導体の厚膜からなり、はぼ、長辺２Ｑｍ
ｍ、短辺５ｍｍ、厚さ１２０μｍに形成され、−Ｅ／Ｌ
、比でほぼ、３ｉ ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ：Ｏ＝０
．８：０．２：０．８：１ ：１．４に形成されている
。
Ｑ系酸化物超電導体の厚膜からなり、はぼ、長辺２Ｑｍ
ｍ、短辺５ｍｍ、厚さ１２０μｍに形成され、−Ｅ／Ｌ
、比でほぼ、３ｉ ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ：Ｏ＝０
．８：０．２：０．８：１ ：１．４に形成されている
。
金電極３は被着領域以外を金属マスクで遮蔽してスパッ
タリングして形成され、厚さ約０．１５μｍに形成され
ている。金電極３の短幅及び隣接する電極間の距離は２
．５ｍｍとなっている。
タリングして形成され、厚さ約０．１５μｍに形成され
ている。金電極３の短幅及び隣接する電極間の距離は２
．５ｍｍとなっている。
上記超電導磁気センサの電気抵抗−印加磁界特性を試験
した。
した。
印加磁界発生のために第１図に図示するように、一対の
ソレノイドコイル７．７をデユワ−４中にセンサ本体Ａ
を挟むように配設した。各ソレノイドコイル７．７はセ
ンサ本体Ａの表面及び裏面にそれぞれ所定間隔を隔てて
対面しており、ＭｇＯ基板１の主面と直交する方向への
被測定磁界を発生させる。
ソレノイドコイル７．７をデユワ−４中にセンサ本体Ａ
を挟むように配設した。各ソレノイドコイル７．７はセ
ンサ本体Ａの表面及び裏面にそれぞれ所定間隔を隔てて
対面しており、ＭｇＯ基板１の主面と直交する方向への
被測定磁界を発生させる。
電気抵抗の測定は、４端子法にて一定電流■を定電流電
源５を両端の金電極３．３間に通電し、電圧計６にて降
下電圧Ｖを測定して行う。なお、磁界の強度は図示しな
い磁気計をデユワ−４中に入れて求めた。
源５を両端の金電極３．３間に通電し、電圧計６にて降
下電圧Ｖを測定して行う。なお、磁界の強度は図示しな
い磁気計をデユワ−４中に入れて求めた。
測定した電気抵抗−印加磁界特性を第４図に示す。第４
図から１０〜３０ （Ｏｅ）の範囲で極めて電気抵抗ヒ
ステリシスが小さくかつ優れたりニアリティをもつこと
がわかる。
図から１０〜３０ （Ｏｅ）の範囲で極めて電気抵抗ヒ
ステリシスが小さくかつ優れたりニアリティをもつこと
がわかる。
比較のために、同一形状に形成された従来のＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系酸化物超電導体を用いた超電導磁気センサの
磁気特性を第８図に示す。この従来の超電導磁気センサ
（第８図〉では磁界増加時と磁界減少時において、セン
サの抵抗値が最大約１０％変化しているのに対し、この
実施例（第４図）では磁界増加時と磁界減少時において
ヒステリシスは極めて小ざく、かつ優れたりニアリテイ
が得られることがわかる。更に、感度すなわち磁界変化
に対する抵抗変化率も広い範囲にわたって大きくするこ
とができる。なお、測定温度は７７に１通電電流はこの
実施例のもの（第４図）で１０ｍＡ、比較例量（第８図
）で１００ｍＡとした。
Ｃｕ−０系酸化物超電導体を用いた超電導磁気センサの
磁気特性を第８図に示す。この従来の超電導磁気センサ
（第８図〉では磁界増加時と磁界減少時において、セン
サの抵抗値が最大約１０％変化しているのに対し、この
実施例（第４図）では磁界増加時と磁界減少時において
ヒステリシスは極めて小ざく、かつ優れたりニアリテイ
が得られることがわかる。更に、感度すなわち磁界変化
に対する抵抗変化率も広い範囲にわたって大きくするこ
とができる。なお、測定温度は７７に１通電電流はこの
実施例のもの（第４図）で１０ｍＡ、比較例量（第８図
）で１００ｍＡとした。
ちなみに、超電導転移温度（ゼロ抵抗温度）ＴＣは、Ｂ
ｉ −Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯｗＡで９５に、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ−０膜で９０にであった。
ｉ −Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯｗＡで９５に、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ−０膜で９０にであった。
また、臨界電流密度は、Ｂ ｉ −Ｐｂ−Ｓｒ−ＣａＣ
ｕ−０膜で４．２Ａ／Ｃｍ２、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ膜で
０．１６Ａ／ｃｍ２であった。
ｕ−０膜で４．２Ａ／Ｃｍ２、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ膜で
０．１６Ａ／ｃｍ２であった。
以下にセンサ本体Ａの製造方法を説明する。
まず噴霧熱分解法により、Ｂ＋−Ｐｂ−ＳｒＣａ−Ｃｕ
−ｏ系微粒子粉末を作製する。この噴霧熱分解法では、
まず、Ｂｉ２Ｏ３とＣａＣＯ３をＨＮＯ３（ＨＮＯ３１
１度は６５ｗｔ％）中に、Ｐｂ（ＮＯ３）２、Ｓｒ（Ｎ
Ｏ３）２、Ｃｕ（ＮＯ３）２・３Ｈ２０を水中に、各々
完全に溶解させ、溶解した時点で二液を混合する。混合
時のＢ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｃａ５Ｃｕの−Ｅ／Ｌ、比は、Ｂ
１：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．８：０．２：０゜８
：１ ：１．４である。この原液を、炉体温度７５０℃
、炉心管内温度６５０℃に保った噴霧熱分解装置内に導
入して、原料粉末を得る（第５図（ａ））。
−ｏ系微粒子粉末を作製する。この噴霧熱分解法では、
まず、Ｂｉ２Ｏ３とＣａＣＯ３をＨＮＯ３（ＨＮＯ３１
１度は６５ｗｔ％）中に、Ｐｂ（ＮＯ３）２、Ｓｒ（Ｎ
Ｏ３）２、Ｃｕ（ＮＯ３）２・３Ｈ２０を水中に、各々
完全に溶解させ、溶解した時点で二液を混合する。混合
時のＢ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｃａ５Ｃｕの−Ｅ／Ｌ、比は、Ｂ
１：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．８：０．２：０゜８
：１ ：１．４である。この原液を、炉体温度７５０℃
、炉心管内温度６５０℃に保った噴霧熱分解装置内に導
入して、原料粉末を得る（第５図（ａ））。
仮焼粉砕工程
得た原料粉末を空気中８００℃にて２０時間仮焼した後
、粉砕して平均粒径０．５μｍ程度に調整する（第５図
（ｂ）、（Ｃ））。
、粉砕して平均粒径０．５μｍ程度に調整する（第５図
（ｂ）、（Ｃ））。
混練ペースト工程
テレピネオール中に１０ｗｔ％のエチルセメロースを溶
かした溶液に上記粉末を混合して三本口方法にてペース
ト化する（第５図（ｄ））。
かした溶液に上記粉末を混合して三本口方法にてペース
ト化する（第５図（ｄ））。
スクリーン印刷法
このペーストをスクリーン印刷法にて、ＭＱＯ基板１上
に４層塗布する。膜厚は焼成後の測定で約１２０ｕｍか
ら１３０μｍでｉ９ツたく第５図（ｅ））。
に４層塗布する。膜厚は焼成後の測定で約１２０ｕｍか
ら１３０μｍでｉ９ツたく第５図（ｅ））。
乾燥焼成工程
スクリーン印刷後、ホットプレート（て約１５０℃で乾
燥し、圧力１ａｔｍ、Ａｒ：０２−１２：１の雰囲気下
で、焼成温度８３０℃、焼成時間１５時間で焼成する。
燥し、圧力１ａｔｍ、Ａｒ：０２−１２：１の雰囲気下
で、焼成温度８３０℃、焼成時間１５時間で焼成する。
なお、焼成条件を種々変更しても、充分小さい電気抵抗
ヒステリシスが得られた。例えば、焼成温度を８１５℃
から８６０℃、焼成時間を１時間から５０時間の範囲で
変化させても、磁気特性ヒステリシスが小さく、超電導
転移温度（ゼロ抵抗温度）が７７に以上の厚膜が得られ
た。第６図及び第７図は、超電導転移温度（ゼロ抵抗温
度）と焼成温度及び焼成時間との関係を示したものであ
る。なお、第６図では焼成時間は１５時間に固定し、第
７図では焼成温度を８３０’Ｃに固定している。以上の
焼成条件においては、７７Ｋにて電気抵抗ヒステリシス
が小さい。
ヒステリシスが得られた。例えば、焼成温度を８１５℃
から８６０℃、焼成時間を１時間から５０時間の範囲で
変化させても、磁気特性ヒステリシスが小さく、超電導
転移温度（ゼロ抵抗温度）が７７に以上の厚膜が得られ
た。第６図及び第７図は、超電導転移温度（ゼロ抵抗温
度）と焼成温度及び焼成時間との関係を示したものであ
る。なお、第６図では焼成時間は１５時間に固定し、第
７図では焼成温度を８３０’Ｃに固定している。以上の
焼成条件においては、７７Ｋにて電気抵抗ヒステリシス
が小さい。
もちろん、超電導厚膜２は上記した製造方法以外の公知
方法でも製造可能であり、また超電導厚膜２の組成や形
状も種々変更可能である。
方法でも製造可能であり、また超電導厚膜２の組成や形
状も種々変更可能である。
更に電気抵抗を測定する方法としても、ホイートストン
ブリッジ法など公知の各種の方法を採用することができ
る。
ブリッジ法など公知の各種の方法を採用することができ
る。
第１図は本発明の超電導磁気センサの模式断面図、第２
図はセンサ本体Ａの平面図、第３図はセンサ本体Ａの側
面図、第４図はこの実施例の超電導磁気センサの印加磁
界−電気抵抗特性図、第５図はこの実施例の超電導磁気
センサに用いる超電導厚膜２の製造工程図、第６図及び
第７図はこの超電導厚膜２の超電導転移温度（ゼロ抵抗
温度）と焼成温度及び焼成時間との関係を示す図、第８
図は従来のＹ−Ｂａ−ＣＬＪ−０系酸化物超電導体を有
する超電導磁気センサの磁界−電気抵抗特性図である。 ２・・・超電導厚膜 （酸化物超電導体）
図はセンサ本体Ａの平面図、第３図はセンサ本体Ａの側
面図、第４図はこの実施例の超電導磁気センサの印加磁
界−電気抵抗特性図、第５図はこの実施例の超電導磁気
センサに用いる超電導厚膜２の製造工程図、第６図及び
第７図はこの超電導厚膜２の超電導転移温度（ゼロ抵抗
温度）と焼成温度及び焼成時間との関係を示す図、第８
図は従来のＹ−Ｂａ−ＣＬＪ−０系酸化物超電導体を有
する超電導磁気センサの磁界−電気抵抗特性図である。 ２・・・超電導厚膜 （酸化物超電導体）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被測定磁界強度による多結晶酸化物超電導体の電気抵
抗変調効果に基づいて被測定磁界強度を測定する超電導
磁気センサにおいて、 前記多結晶酸化物超電導体はＢｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体からなることを特徴とする
超電導磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150795A JPH0443976A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 超電導磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150795A JPH0443976A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 超電導磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443976A true JPH0443976A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15504602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150795A Pending JPH0443976A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 超電導磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015045617A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社フジクラ | 長尺用超電導線材の臨界電流評価装置および評価方法 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150795A patent/JPH0443976A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015045617A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社フジクラ | 長尺用超電導線材の臨界電流評価装置および評価方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69123555T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Überzügen aus supraleitendem Oxyd | |
| US7309511B2 (en) | Method of manufacturing oxide superconductor thick film | |
| DE3888659T2 (de) | Supraleitendes Magnetwiderstandsgerät. | |
| JPH0443976A (ja) | 超電導磁気センサ | |
| US5550101A (en) | Superconducting magnetoresistive element having a plurality of weak-coupling portions and a method of fabricating the same | |
| EP0444873B1 (en) | Apparatus for measuring distribution of magnetic field | |
| DE68908343T2 (de) | Supraleitender Apparat, bestehend aus einer luftdicht verpackten supraleitenden Einrichtung. | |
| US5126668A (en) | Method of eliminating the effect of hysteresis in a superconductive magneto-resistive device | |
| EP0284088B1 (en) | Process for producing superconducting thick film | |
| US5262026A (en) | Method of manufacturing a device having a superconducting film | |
| JPH05264695A (ja) | 超電導磁界測定装置 | |
| JP2698642B2 (ja) | 超電導磁気抵抗素子 | |
| US6847546B2 (en) | High-sensitivity magnetic field sensor | |
| JPH0815398A (ja) | 超電導磁気センサ | |
| US5140300A (en) | Superconductive magneto-resistive device comprising laminated superconductive ceramic films | |
| JP2742691B2 (ja) | 超伝導磁気センサー | |
| JPH01173765A (ja) | 超電導体膜磁気センサ | |
| JP2933681B2 (ja) | 磁界の測定方法 | |
| JPH07113663B2 (ja) | 超電導磁気センサの特性制御回路 | |
| JPH01248076A (ja) | 磁気センサ | |
| SU530602A1 (ru) | Сверхпровод щий квантовый интерференционныйдАТчиК | |
| JPS63265472A (ja) | 抵抗温度計 | |
| JPH02114575A (ja) | 超電導積層膜磁気抵抗素子 | |
| JPH0341332A (ja) | 超電導圧力センサ | |
| JP2000055857A (ja) | 酸素センサ素子 |