JPH0442917A - フォトレジストの現像方法 - Google Patents
フォトレジストの現像方法Info
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- JPH0442917A JPH0442917A JP14785290A JP14785290A JPH0442917A JP H0442917 A JPH0442917 A JP H0442917A JP 14785290 A JP14785290 A JP 14785290A JP 14785290 A JP14785290 A JP 14785290A JP H0442917 A JPH0442917 A JP H0442917A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- development
- end point
- current
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォトレジストの現像方法、とくに現像終点
検出方法に係る。
検出方法に係る。
従来の技術
フォトｌ／シストの現像においては、ウェハに光を当て
、その反射光強度の経時変化をモニタすることで現像終
点を検出することが行われている。
、その反射光強度の経時変化をモニタすることで現像終
点を検出することが行われている。
以下、従来の現像終点検出法について説明する。
第２図ｔａ＋は従来の現像終点検出器の概略図である。
１は支持台、２は基板、３はフォト１／シスト、４は現
像液、５は容器、１２は入射光部、１３は受光部である
。入射光部１２から出た光はフォＩ・レジスト上に照射
され、その反射光は受光部１３で検出される。現像が進
行し、７ｔｈレジスト３の膜厚か減少するにつれて、反
射光強度は第２図ｔｂ＋に示したとおり、正弦波状に変
動する。これは、レジスト表面と基板表面からの光の干
渉によるものである。］４はシー・ピー・ティーＣＰＴ
（Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｐｏ１ｎｔ Ｔｉｍｅ） 、１５は
ブレークスルーポイント、１６はティー・デイ−・ティ
ーＴＤＴ（Ｔｏｔａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｔｉ
ｍｅ）と呼ばれているものである。線幅制御を行う際は
、ＣＰＴ１４を検出し、最終的な唄像時間ＴＤＴ１６を
決定する。
像液、５は容器、１２は入射光部、１３は受光部である
。入射光部１２から出た光はフォＩ・レジスト上に照射
され、その反射光は受光部１３で検出される。現像が進
行し、７ｔｈレジスト３の膜厚か減少するにつれて、反
射光強度は第２図ｔｂ＋に示したとおり、正弦波状に変
動する。これは、レジスト表面と基板表面からの光の干
渉によるものである。］４はシー・ピー・ティーＣＰＴ
（Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｐｏ１ｎｔ Ｔｉｍｅ） 、１５は
ブレークスルーポイント、１６はティー・デイ−・ティ
ーＴＤＴ（Ｔｏｔａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｔｉ
ｍｅ）と呼ばれているものである。線幅制御を行う際は
、ＣＰＴ１４を検出し、最終的な唄像時間ＴＤＴ１６を
決定する。
発明か解決しようとする課題
（−かしながら、上記のごとき甲像終点検出法では、露
光面積が小さい場合、干渉波形が検出されず、終点検出
ができないという問題点があった。
光面積が小さい場合、干渉波形が検出されず、終点検出
ができないという問題点があった。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明の現像終点検出方
法は、フォトｌ／シストの現像時に、現像液中に取り付
（プられた２つの電極間に電圧を印加し、その電流の経
時変化をモニタすることにより、現像終点の検出を行う
ことを特徴とする。
法は、フォトｌ／シストの現像時に、現像液中に取り付
（プられた２つの電極間に電圧を印加し、その電流の経
時変化をモニタすることにより、現像終点の検出を行う
ことを特徴とする。
作用
現像が進行すると、現像液中に溶解したフォトレジスト
濃度が増加する。このフォトレジスト濃度の増加は、電
極反応におけるコットレルの式に基づいた上記手段によ
り、電流の増加として検出され、測定できる。すなわち
、電流の経時的な増加をモニタすることによって、現像
状態を認識し、コントロールすることが可能である。し
かも、本手段では現像液中のフォトレジスト濃度が微量
であっても、電流の変化として測定できるために、露光
面積が小さい場合でも終点検出が可能である。
濃度が増加する。このフォトレジスト濃度の増加は、電
極反応におけるコットレルの式に基づいた上記手段によ
り、電流の増加として検出され、測定できる。すなわち
、電流の経時的な増加をモニタすることによって、現像
状態を認識し、コントロールすることが可能である。し
かも、本手段では現像液中のフォトレジスト濃度が微量
であっても、電流の変化として測定できるために、露光
面積が小さい場合でも終点検出が可能である。
実施例
以下、本発明の実施例について、第１図を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図ｒａｔは本発明の実施例における現像終点検出器
の概略図を、第１図（ｂｌは本発明を用いて、現像中の
電流値の経時変化をモニタした時の様子を示している。
の概略図を、第１図（ｂｌは本発明を用いて、現像中の
電流値の経時変化をモニタした時の様子を示している。
１は支持台、２は基板、３はフォトレジスト、４は現像
液、５は容器、６は対電極、７は参照電極、８は作用電
極、９は電流計、１０は電圧計、１１はポテンショメー
タである。
液、５は容器、６は対電極、７は参照電極、８は作用電
極、９は電流計、１０は電圧計、１１はポテンショメー
タである。
以上のように構成された本実施例の現像終点検出器につ
いて、以下にその動作を説明する。参照電極７に対し、
フォトレジストの電解反応のみを引き起こす電位に作用
電極８を設定しておくと、フォトレジスト３の現像が進
むにつれて、現像液中のフォトレジスト濃度が増大し、
電流計９の電流値は、第１図（ｂｌに示すように時間と
ともに増大する。すなわち、この電流値は、フォト」・
シストの現像状態を直接示すものである。従っである電
流値に達するまでの時間、現像を行うことによって、現
像の終点を決定することができる。
いて、以下にその動作を説明する。参照電極７に対し、
フォトレジストの電解反応のみを引き起こす電位に作用
電極８を設定しておくと、フォトレジスト３の現像が進
むにつれて、現像液中のフォトレジスト濃度が増大し、
電流計９の電流値は、第１図（ｂｌに示すように時間と
ともに増大する。すなわち、この電流値は、フォト」・
シストの現像状態を直接示すものである。従っである電
流値に達するまでの時間、現像を行うことによって、現
像の終点を決定することができる。
発明の効果
電気化学的な手法では、微量濃度測定が可能である。本
発明は、電気化学的な手法を現像状態の認識に応用して
いるので、露光面積が極めて小さい場合にも精度の高い
終点検出が可能であり、フォトレジストの広い応用分野
とくに半導体装置の製造工程における適用などで有用で
ある。
発明は、電気化学的な手法を現像状態の認識に応用して
いるので、露光面積が極めて小さい場合にも精度の高い
終点検出が可能であり、フォトレジストの広い応用分野
とくに半導体装置の製造工程における適用などで有用で
ある。
第１図（ａｌは本発明の実施例における現像終点検出法
の概念図、第１図（ｂｌは本発明の実施例における現像
中の電流値の経時変化を示すグラフ、第２図（ａｌは従
来の現像終点検出法の概念図、第２図ｆｂｌは従来の現
像終点検出法での現像中の反射強度の経時変化を示すグ
ラフである。 １・・・・・・支持台、２・・・・・・基板、３・・・
・・・フォトレジスト、４・・・・・・現像液、５・・
・・・・容器、６・・・・・・対電極、７・・・・・・
参照電極、８・・・・・・作用電極、９・・・・・・電
流計、１０・・・・・・電圧計、１１・・・・・・ポテ
ンショメータ、１２・・・・・・入射光部、１３・・・
・・・受光部、１４・・・−＝ ＣＰ Ｔ （Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ Ｐａ１ｎｔ Ｔｉｍｅ） 、１５−ブレークス
ルーポイント、１６・・・・・・Ｔ Ｄ Ｔ （Ｔｏｔ
ａｌＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｔｉｍｅ）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１凶 支Ｉ肴合 基板 ７オトレジスＬ ４Ｉ象２ｒ 現（Ｌ吋Ｍ
の概念図、第１図（ｂｌは本発明の実施例における現像
中の電流値の経時変化を示すグラフ、第２図（ａｌは従
来の現像終点検出法の概念図、第２図ｆｂｌは従来の現
像終点検出法での現像中の反射強度の経時変化を示すグ
ラフである。 １・・・・・・支持台、２・・・・・・基板、３・・・
・・・フォトレジスト、４・・・・・・現像液、５・・
・・・・容器、６・・・・・・対電極、７・・・・・・
参照電極、８・・・・・・作用電極、９・・・・・・電
流計、１０・・・・・・電圧計、１１・・・・・・ポテ
ンショメータ、１２・・・・・・入射光部、１３・・・
・・・受光部、１４・・・−＝ ＣＰ Ｔ （Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ Ｐａ１ｎｔ Ｔｉｍｅ） 、１５−ブレークス
ルーポイント、１６・・・・・・Ｔ Ｄ Ｔ （Ｔｏｔ
ａｌＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｔｉｍｅ）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１凶 支Ｉ肴合 基板 ７オトレジスＬ ４Ｉ象２ｒ 現（Ｌ吋Ｍ
Claims (1)
- フォトレジストの現像時に現像液中に取り付けられた
２つの電極間に電圧を印加し、その電流の経時変化をモ
ニタすることにより、現像終点の検出を行うフォトレジ
ストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14785290A JPH0442917A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14785290A JPH0442917A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトレジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442917A true JPH0442917A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15439716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14785290A Pending JPH0442917A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2218927A1 (de) * | 2009-02-16 | 2010-08-18 | Robert Bosch Gmbh | Linearbewegungsvorrichtung mit überstehendem Wälzflächenteil |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14785290A patent/JPH0442917A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2218927A1 (de) * | 2009-02-16 | 2010-08-18 | Robert Bosch Gmbh | Linearbewegungsvorrichtung mit überstehendem Wälzflächenteil |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
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