JPH0440945B2 - - Google Patents
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- JPH0440945B2 JPH0440945B2 JP58196468A JP19646883A JPH0440945B2 JP H0440945 B2 JPH0440945 B2 JP H0440945B2 JP 58196468 A JP58196468 A JP 58196468A JP 19646883 A JP19646883 A JP 19646883A JP H0440945 B2 JPH0440945 B2 JP H0440945B2
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- JP
- Japan
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- rectifier
- semiconductor
- semiconductor rectifier
- disk
- solder
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- Expired - Lifetime
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 12
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- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
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- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は車両用交流発電機等に使用する整流装
置に関する。
置に関する。
（従来技術）及び（本発明の背景）
従来周知の整流器に於ける半導体整流器接続構
造は、その縦断面図を第１図に示す如くで、１は
半導体整流器、１Ｄは凹形状の銅デイスクで、こ
のデイスク１Ｄの内側に半導体素子１Ｐ、リード
１Ｌが半田１Ｓで接続・固定され、シリコンゴム
１Ｒにて気密封止されており、前記デイスク１Ｄ
の外側に冷却フイン３が半田２にて接合・固定さ
れており、冷却フインのエンボス部３ａの凹部に
半導体整流器を半田付にて接続・固定しエンボス
凸部より風を当てて冷却する構造となつている
が、この構造だと半導体整流器のデイスク１Ｄに
風が当り難くデイスク１Ｄから風への熱伝達は非
常に悪い、デイスク１Ｄの放熱を良くするため、
第２図に示すように、冷却フインのエンボス凸部
に半導体整流器を直接半田付する構造が考えられ
るが、半田がエンボス上面から下へ流れてしま
い、半田付の信頼性が著しく低下するという問題
がある。
造は、その縦断面図を第１図に示す如くで、１は
半導体整流器、１Ｄは凹形状の銅デイスクで、こ
のデイスク１Ｄの内側に半導体素子１Ｐ、リード
１Ｌが半田１Ｓで接続・固定され、シリコンゴム
１Ｒにて気密封止されており、前記デイスク１Ｄ
の外側に冷却フイン３が半田２にて接合・固定さ
れており、冷却フインのエンボス部３ａの凹部に
半導体整流器を半田付にて接続・固定しエンボス
凸部より風を当てて冷却する構造となつている
が、この構造だと半導体整流器のデイスク１Ｄに
風が当り難くデイスク１Ｄから風への熱伝達は非
常に悪い、デイスク１Ｄの放熱を良くするため、
第２図に示すように、冷却フインのエンボス凸部
に半導体整流器を直接半田付する構造が考えられ
るが、半田がエンボス上面から下へ流れてしま
い、半田付の信頼性が著しく低下するという問題
がある。
（本発明の目的）
本発明は、上記の問題点に鑑み、半導体整流器
の冷却性の優れた軽量・低コスト・高品質の整流
装置を提供することを目的とするものである。
の冷却性の優れた軽量・低コスト・高品質の整流
装置を提供することを目的とするものである。
（本発明の構成）
本発明は、有底凹形状の金属デイスクの内部に
整流用半導体素子を配設した半導体整流器を有
し、軽金属製冷却フインのエンボス部の凸部に固
相接合状態で一体化した、径が前記半導体整流器
の金属デイスク底部の外径とほぼ等しく熱伝導性
半田付性良好なる金属板状体に、前記半導体整流
器の金属デイスクの底部を半田にて接合、固定し
たものである。
整流用半導体素子を配設した半導体整流器を有
し、軽金属製冷却フインのエンボス部の凸部に固
相接合状態で一体化した、径が前記半導体整流器
の金属デイスク底部の外径とほぼ等しく熱伝導性
半田付性良好なる金属板状体に、前記半導体整流
器の金属デイスクの底部を半田にて接合、固定し
たものである。
（実施例）
以下、本発明を図に示す実施例について説明す
る。
る。
第３図は本発明になる整流装置の一実施例の構
成を示す縦断面図で、１は半導体整流器で凹形状
の鋼デイスク１Ｄに半導体素子１Ｐ、リード１Ｌ
の順に半田１Ｓで接続・固定され、シリコンゴム
１Ｒにて気密封止されており、入力側はリードが
図示していない交流入力端子に接続され、出力側
はデイスク１Ｄが直接電極となるアルミ等の軽金
属製冷却フイン３の高さがフインの板厚程度のエ
ンボス部３ａの凸部に固相状態で一体化された径
が半導体整流器の外径とほぼ等しいろう着可能な
金属板状体例えば銅板４に半田２にて接合・固定
されている。
成を示す縦断面図で、１は半導体整流器で凹形状
の鋼デイスク１Ｄに半導体素子１Ｐ、リード１Ｌ
の順に半田１Ｓで接続・固定され、シリコンゴム
１Ｒにて気密封止されており、入力側はリードが
図示していない交流入力端子に接続され、出力側
はデイスク１Ｄが直接電極となるアルミ等の軽金
属製冷却フイン３の高さがフインの板厚程度のエ
ンボス部３ａの凸部に固相状態で一体化された径
が半導体整流器の外径とほぼ等しいろう着可能な
金属板状体例えば銅板４に半田２にて接合・固定
されている。
なお、上記実施例においては、冷却風がエンボ
ス凹部方向から当たつているため、エンボス部で
のフインから風への熱伝達は悪くなるが熱は熱伝
導によりフイン全体に広がつて冷却される。従つ
てフイン全体が効率的に冷却に寄与でき半導体素
子部の温度を低く押さえることができる。
ス凹部方向から当たつているため、エンボス部で
のフインから風への熱伝達は悪くなるが熱は熱伝
導によりフイン全体に広がつて冷却される。従つ
てフイン全体が効率的に冷却に寄与でき半導体素
子部の温度を低く押さえることができる。
（発明の効果）
上述のように、本発明による整流装置において
は、有底凹形状の金属デイスクの内部に整流用半
導体素子を配設した半導体整流器を有し、軽金属
製冷却フインのエンボス部の凸部に固相接合状態
で一体化した、径が前記半導体整流器の金属デイ
スク底部の外径とほぼ等しく熱伝導性・半田付性
良好なる金属板状体に、前記半導体整流器の金属
デイスクの底部を半田にて接合、固定しているた
め、従来装置と比較して下記のような優れた利点
を有する。
は、有底凹形状の金属デイスクの内部に整流用半
導体素子を配設した半導体整流器を有し、軽金属
製冷却フインのエンボス部の凸部に固相接合状態
で一体化した、径が前記半導体整流器の金属デイ
スク底部の外径とほぼ等しく熱伝導性・半田付性
良好なる金属板状体に、前記半導体整流器の金属
デイスクの底部を半田にて接合、固定しているた
め、従来装置と比較して下記のような優れた利点
を有する。
(1) 半導体整流器が冷却フインのエンボス部によ
り覆われることなく外気に対しあらわになつて
いるため、半導体整流器のデイスクから外気へ
の放熱が飛躍的に多くなり、半導体素子部の温
度を押さえることができ、半導体素子部の損傷
の少ない高品質の整流装置を提供できるという
効果がある。
り覆われることなく外気に対しあらわになつて
いるため、半導体整流器のデイスクから外気へ
の放熱が飛躍的に多くなり、半導体素子部の温
度を押さえることができ、半導体素子部の損傷
の少ない高品質の整流装置を提供できるという
効果がある。
(2) 半導体整流器と金属板状体を接続、固定して
いる半田は、金属板状体より下へ流れることは
なく、また、半田の表面張力により半田厚が一
定となり信頼性の高い整流装置を提供できると
いう効果がある。
いる半田は、金属板状体より下へ流れることは
なく、また、半田の表面張力により半田厚が一
定となり信頼性の高い整流装置を提供できると
いう効果がある。
第１図は従来の整流装置の要部縦断面図、第２
図は本発明を説明するための整流装置の要部縦断
面図、第３図は本発明になる整流装置の一実施例
の構成を示す要部縦断面図である。 １……半導体整流器、１Ｄ……デイスク、１Ｐ
……半導体素子、１Ｌ……リード、１Ｓ，２……
半田、３……冷却フイン、３ａ……エンボス部、
４……金属板状体。
図は本発明を説明するための整流装置の要部縦断
面図、第３図は本発明になる整流装置の一実施例
の構成を示す要部縦断面図である。 １……半導体整流器、１Ｄ……デイスク、１Ｐ
……半導体素子、１Ｌ……リード、１Ｓ，２……
半田、３……冷却フイン、３ａ……エンボス部、
４……金属板状体。
Claims (1)
- １ 有底凹形状の金属デイスクの内部に整流用半
導体素子を配設した半導体整流器を有し、軽金属
製冷却フインのエンボス部の凸部に固相接合状態
で一体化した、径が前記半導体整流器の金属デイ
スク底部の外径とほぼ等しく熱伝導性・半田付性
良好なる金属板状体に、前記半導体整流器の金属
デイスクの底部を半田にて接合、固定したことを
特徴とする整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196468A JPS6087675A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196468A JPS6087675A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087675A JPS6087675A (ja) | 1985-05-17 |
| JPH0440945B2 true JPH0440945B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=16358300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196468A Granted JPS6087675A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087675A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3426101B2 (ja) * | 1997-02-25 | 2003-07-14 | 三菱電機株式会社 | 整流装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51272A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-01-05 | Hitachi Ltd | Denkikairosochioyobisono seiho |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58196468A patent/JPS6087675A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51272A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-01-05 | Hitachi Ltd | Denkikairosochioyobisono seiho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6087675A (ja) | 1985-05-17 |
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