JPH0438613A

JPH0438613A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0438613A
Application number: JP14343190A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Amemori; 和彦雨森
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-05-31
Filing date: 1990-05-31
Publication date: 1992-02-07
Anticipated expiration: 2013-10-22
Also published as: JP2813036B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［概要］対向する多層構造の磁極を有する薄膜磁気ヘッドに関し
、飽和磁束密度及び透磁率が高く、データのり一ド／ライ
ト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
し、前記磁極には、メッキ成膜層と真空成膜層とで形成する
ように構成する。

［産業上の利用分野］本発明は、対向する多層構造の磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドに関する。

磁気ディスク装置において、記憶容量の増加にともない
、高密度記録が要望され、このため、薄膜磁気ヘッドが
用いられている。従来の薄膜磁気ヘッドは、製造方法の
容易さより、Ｎ１−Ｆｅをメッキにより形成し、磁極と
している場合が多い。

［従来の技術］次に図面を用いて従来例を説明する。第７図は従来の薄
膜ヘッドの一例を示す平面図、第８図は第７図における
Ａ−Ａ断面図、第９図は真空成膜の製造方法を説明する
図、第１０図はメッキ成膜の製造方法を説明する図であ
る。

第７図及び第８図において、１は基板となるウェハ、２
はウェハ１上に形成された下部磁極、３は下部磁極２上
に形成されたギヤツブ祠、４はギヤツブ祠３１に形成さ
れた絶縁膜、５は絶縁膜４上にスパイラル状にパターン
化された銅のコイル、６はコイル５を覆う絶縁膜、７は
絶縁膜６」二に形成されたパーマロイの上部磁極である
。８は磁気記録媒体で、この磁気記録媒体は第７図にお
いて、矢印方向に移動し、データのリード／ライトがな
される。

ところで、近年、上部及び下部の磁極２，７は、リード
またはライト特性の向上のために、メッキによる多層膜
、あるいは、真空成膜による多層化が進められている。

次に、第９図を用いて真空成膜の製造方法を説明する。

ウェハ１上に真空成膜（スパッタリング。

蒸着等）で、多層膜１１を形成する（ステップ１）そし
て、多層膜１１上にフォトレジストで残したいパターン
を形成する（ステップ２）。

イオンミーリングやスパッタエッチ等で不要な部分を除
去する（ステップ３）。

最後に、フォトレジスト１２を除去する（ステップ４）
。

次に、第１０図を用いて、メッキ成膜の製造方法を説明
する。

まず、ウェハ１上に電極となる薄膜１３をスパッタや蒸
着によって形成する（ステップ１）。

フォトレジスト１４を用いて、メッキを行いたイハター
ンを形成する（ステップ２）。

第１のメッキ１５を行なう（ステップ３）。

第２のメッキ１６を行なう（ステップ４）。

フォトレジスト１４を除去する（ステップ５）。

最後に、イオンミーリングやスパッタエッチ等の手法で
、不要な薄膜１３を除去する（ステップ６）［発明が解
決しようとする課題］ところで、このような磁気ヘッドにおいて、分離型ヘッ
ドでない限り、１つの素子でデータのリド／ライトを行
なう。データのライト時においては、磁気ギャップから
多くの磁束が発生することが好ましい。よって、磁極２
．７の飽和密度（ＢＳ）が大きいことが有利である。

また、データのリード時においては、磁気記録媒体８か
ら発生する磁束をより効果的に吸収するために、透磁率
（μ）の高い磁極２，７が必要である。

透磁率の高い膜は、メッキ成膜では得られないので、通
常真空成膜法が用いられている。

一方、飽和磁束密度の高い膜は、真空成膜、メッキ成膜
でも得られるが、以下の理由により、メッキ成膜の方が
有利である。

■膜厚の均一性が真空成膜の場合はよくない。

第１１図に示すように、例えば、上部コア７のように段
差がある部分に、真空成膜を行なう場合において、成膜
方向に対して斜めの部分の膜厚ｔ２、ｔ４は、他の部分
の膜厚ｔｌ＋ｉ３よりも薄くなる。■真空成膜で磁極パ
ターンを形成することは、磁極が厚くなるにしたがって
、むずかしくなる。

例えば、第１２図に示すように、膜厚の差が大きくなり
、部分的に下地の膜が大きく削られることが発生する。

特に、斜めの部分は削られるスピードが速いために、そ
の差が拡大される。

また、第１３図に示すように、第９図に示すステップ３
において、必要な磁性膜パターンの廻りに削られた磁性
膜の粒子２０が付着し、除去することがむずかしい。

更に、第１４図に示すように、厚い磁性膜をパターン形
成するためには、厚いフォトレジスト１２が必要であり
、その場合、レジスト１２端面はテーパとなる。このテ
ーパがイオンミーリングされると、多層膜１１の端面も
テーパがついてしまう。

また、磁気記録媒体８に対向する浮上面の磁極の形状が
第１５図に示すようにテーパがついてしまう。ここで、
ｇｌが大きいと電磁変換特性の効率が悪くなる。

また、ｇ２が大きいと、上部磁極７を下部磁極２上に形
成する場合、マージンがなく外れてしまう等の障害か発
生する。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的
は、飽和磁束密度及び透磁率が高く、ブタのリード／ラ
イト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを提供することにある
。

［課題を解決するための手段］第１図は本発明の原理図である。図において、３０．３
３は対向する多層構造の磁極である。

この磁極３０．３３は、メッキ成膜層３１，３５と真空
成膜層３２．３４とで形成されている。

［作用］第１図に示す薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極３０．３３
はそれぞれ、飽和磁束密度及び透磁率の高いメッキ成膜
層３１．，３５及び透磁率の高い真空成膜層３２．３４
とで構成されているので、ブタのリード／ライト特性が
良好である。

［実施例］次に、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。第２
図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの平面構成図で
ある第３図におけるＣ−Ｃ断面図、第３図は本発明の一
実施例の薄膜磁気ヘッドの平面図、第４図は第３図にお
けるＢ−Ｂ断面、第５図は第２図における下部磁極の製
造方法を説明する構成図、第６図は第２図における上部
磁極の製造方法を説明する図である。

まず、第２図乃至第４図を用いて本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの構成を説明する。下部磁極の製造方法を説明する
。第３図及び第４図において、４１は基板となるウェハ
、４２はウェハ４１上に形成された下部磁極、４３は下
部磁極４２上に形成されたギャップ材、４４はキャップ
材４３上に形成された絶縁膜、４５は絶縁膜４４上にス
パイラル状にパターン化された銅のコイル、４６はコイ
ル４５を覆う絶縁膜、４７は絶縁膜４６上に形成された
パーマロイの上部磁極である。４８は磁気記録媒体で、
この磁気記録媒体は第３図において、矢印方向に移動し
、データのリード／ライトがなされる。

次に、第２図において、下部磁極４２は、ウニ１１４１
側より、導電膜層５１．メッキ成膜層５２及び真空成膜
層５３より構成されている。

一方、上部磁極４７はギャップ材４３側より、第１の真
空成膜層、第２の真空成膜層５５及びメッキ成膜層５６
より構成されている。

次に、第５図を用いて、下部磁極４２の製造方法につい
て説明を行なう。まず、ウェハ４１上に導電膜（電極と
なる薄膜）５１をスパッタや蒸着等の手法で形成する（
ステップ１）。

次に、フォトレジスト６いたいパターンを形成する（ステップ２）。

メッキ成膜層５２を形成する（ステップ３）。

更に、真空成膜層５３を形成する（ステップ４）。この
時、真空成膜５３の形成前の洗浄（有機洗浄，０２プラ
ズマ、イオンミーリング）を行ってもよい。

そして、フォトレジスト６１を除去する（ステップ５）
。

最後に、導電膜５１の不要部分をイオンミーリングやス
パッタエッチで除去をする（ステップ６）次に、第６図
を用いて上部磁極４７の製造方法について説明を行なう
。

まず、キャップ材４３上に、第１の真空成膜層５４を形
成する（ステップ１）。

第１の真空成膜層５４上に第２の真空成膜層５５をスパ
ッタや蒸着等の手法で形成する（ステップ２）。尚、こ
のステップは省略するしてもよい。

次に、フォトレジスト６２により、メッキを行いたいパ
ターンを形成する（ステップ３）。

メッキ成膜層５６を形成する（ステップ４）。

フォトレジスト６２を除去する（ステップ５）。

イオンミーリングやスパッタ等の手法で、不要部分を除
去する（ステップ６）。

上記構成によれば、下部磁極４２，上部磁極４７はそれ
ぞれ、飽和磁束密度及び透磁率の高いメッキ成膜層及び
透磁率の高い真空成膜層とで構成されているので、デー
タのリード／ライト特性が良好となる。

尚、本発明は上記実施例に限るものではない。

例えば、上記実施例においては、下部磁極４２と上部磁
極４７の対向面に真空成膜層を配置したが、メッキ成膜
層であってもよい。

［発明の効果］以上説明したように本発明によれば、磁極には、メッキ
成膜層と真空成膜層とで形成するように構成したことに
より、飽和磁束密度及び透磁率が高く、データのリード
／ライト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理図、第２図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの平面構成
図である第３図におけるＣ−Ｃ断面図、第３図は本発明
の一実施例の薄膜磁気ヘッドの平面図、第４図は第３図におけるＢ−Ｂ断面、第５図は第２図における下部磁極の製造方法を説明する
構成図、第６図は第２図における上部磁極の製造方法を説明する
図、第７図は従来の薄膜ヘッドの一例を示す平面図、第８図
は第７図におけるＡ−Ａ断面図、第９図は真空成膜の製
造方法を説明する図、第１０図はメッキ成膜の製造方法
を説明する図、第１１図は第１の問題点を説明する図、
第１２図は第２の問題点を説明する図、第１３図は第３
の問題点を説明する図、第１４図は第４の問題点を説明
する図、第１５図は第５の問題点を説明する図である。第１図乃至第６図において３０．３１は磁極、３１．３５，５２．５６はメッキ成膜層、３２．３４．
５３，５４．５５は真空成膜層、４２は下部磁極、４７は上部磁極、５１は導電膜である。

Claims

【特許請求の範囲】対向する多層構造の磁極（３０、３３）を有する薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記磁極（３０、３３）には、メッキ成膜層（３１、３
５）と真空成膜層（３２、３４）とで形成されたことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。