JPH04373250A - 長尺密着型イメージセンサ - Google Patents
長尺密着型イメージセンサInfo
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- JPH04373250A JPH04373250A JP3175740A JP17574091A JPH04373250A JP H04373250 A JPH04373250 A JP H04373250A JP 3175740 A JP3175740 A JP 3175740A JP 17574091 A JP17574091 A JP 17574091A JP H04373250 A JPH04373250 A JP H04373250A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ，イメー
ジスキャナ等の画像入力部に使用される密着型イメージ
センサに係り、特に、密着型イメージセンサを複数個並
設して成る大型の長尺密着型イメージセンサに関するも
のである。
ジスキャナ等の画像入力部に使用される密着型イメージ
センサに係り、特に、密着型イメージセンサを複数個並
設して成る大型の長尺密着型イメージセンサに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリ等の画像入力部には、装置
の小型化を図るため、原稿面に密着して配置される長尺
状の受光素子アレイを有する密着型イメージセンサが使
用されている。そして、前記受光素子アレイは、図５に
示すように、一列に配置された複数個の受光素子１０よ
り構成されるが、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）に代表される薄膜の光電変換層１２を、絶縁基
板１上に分離形成された複数個の下部電極１１と、一体
的に形成された帯状の上部電極１３とによって挟んで形
成されたサンドイッチ構造の受光素子１０は、優れた光
電変換特性を有しており、かつ構造が簡単で大面積化が
可能なことから密着型イメージセンサとして広く利用さ
れている。
の小型化を図るため、原稿面に密着して配置される長尺
状の受光素子アレイを有する密着型イメージセンサが使
用されている。そして、前記受光素子アレイは、図５に
示すように、一列に配置された複数個の受光素子１０よ
り構成されるが、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）に代表される薄膜の光電変換層１２を、絶縁基
板１上に分離形成された複数個の下部電極１１と、一体
的に形成された帯状の上部電極１３とによって挟んで形
成されたサンドイッチ構造の受光素子１０は、優れた光
電変換特性を有しており、かつ構造が簡単で大面積化が
可能なことから密着型イメージセンサとして広く利用さ
れている。
【０００３】薄膜構造の密着型イメージセンサは、絶縁
基板１上にスパッタリング法やＣＶＤ法等により薄膜を
着膜したり、フォトリソ法によるパターニングにより形
成されるが、前記着膜装置やパターニング装置によりア
レイ幅のサイズが制限される。従って、日本工業規格Ａ
列０番サイズの原稿を読み取るＡ０サイズ幅の密着型イ
メージセンサを作製するには、例えばＡ４幅の密着型イ
メージセンサを４本一列に並設して１本のイメージセン
サとしていた（例えば特開昭６１ー２３２６６７号公報
参照）。
基板１上にスパッタリング法やＣＶＤ法等により薄膜を
着膜したり、フォトリソ法によるパターニングにより形
成されるが、前記着膜装置やパターニング装置によりア
レイ幅のサイズが制限される。従って、日本工業規格Ａ
列０番サイズの原稿を読み取るＡ０サイズ幅の密着型イ
メージセンサを作製するには、例えばＡ４幅の密着型イ
メージセンサを４本一列に並設して１本のイメージセン
サとしていた（例えば特開昭６１ー２３２６６７号公報
参照）。
【０００４】しかしながら、複数の密着型イメージセン
サを並設する場合、その接合部分の位置合せにおいて、
図５に示すように、副走査方向にずれが生じる場合があ
るという問題点があった。すなわち、主走査方向につい
ては、絶縁基板１の切断精度と、接合する際の絶縁基板
１同士の突き当てによりある程度の接合精度を確保でき
るが、副走査方向については各密着型イメージセンサを
一直線状に並設するのが困難であった。このように接合
部分に段差があると、実際に読み取る画像情報は原稿面
においての１ラインに相当するものでないので、原稿画
像と再生画像が相違し画像品質の劣化をきたす。特に、
画素密度が高くなると下部電極１１の面積が小さくなる
ので、それにともなって密着型イメージセンサの受光素
子１０を一列に並設するのが困難になる。
サを並設する場合、その接合部分の位置合せにおいて、
図５に示すように、副走査方向にずれが生じる場合があ
るという問題点があった。すなわち、主走査方向につい
ては、絶縁基板１の切断精度と、接合する際の絶縁基板
１同士の突き当てによりある程度の接合精度を確保でき
るが、副走査方向については各密着型イメージセンサを
一直線状に並設するのが困難であった。このように接合
部分に段差があると、実際に読み取る画像情報は原稿面
においての１ラインに相当するものでないので、原稿画
像と再生画像が相違し画像品質の劣化をきたす。特に、
画素密度が高くなると下部電極１１の面積が小さくなる
ので、それにともなって密着型イメージセンサの受光素
子１０を一列に並設するのが困難になる。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
、複数の密着型イメージセンサを並設して長尺密着型イ
メージセンサを得る際、位置合せの容易な密着型イメー
ジセンサの構造を提供することを目的としている。
、複数の密着型イメージセンサを並設して長尺密着型イ
メージセンサを得る際、位置合せの容易な密着型イメー
ジセンサの構造を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
消するため本発明に係る長尺密着型イメージセンサは、
複数個の密着型イメージセンサを一列に並設して構成さ
れている。この密着型イメージセンサは、絶縁基板上に
分離形成された複数個の下部電極と、一体的に形成され
た上部電極とによって光電変換層を挟んで複数個のサン
ドイッチ構造の受光素子を形成している。そして、前記
各密着型イメージセンサの上部電極は、各下部電極に対
して複数列形成し、該複数列の上部電極の一部を前記長
尺密着型イメージセンサの共通電極としたことを特徴と
している。
消するため本発明に係る長尺密着型イメージセンサは、
複数個の密着型イメージセンサを一列に並設して構成さ
れている。この密着型イメージセンサは、絶縁基板上に
分離形成された複数個の下部電極と、一体的に形成され
た上部電極とによって光電変換層を挟んで複数個のサン
ドイッチ構造の受光素子を形成している。そして、前記
各密着型イメージセンサの上部電極は、各下部電極に対
して複数列形成し、該複数列の上部電極の一部を前記長
尺密着型イメージセンサの共通電極としたことを特徴と
している。
【０００７】
【作用】本発明の構成によれば、各下部電極に対して複
数列形成された上部電極の一部を長尺密着型イメージセ
ンサの共通電極としたので、密着型イメージセンサを並
設する場合に接合部でずれが生じても、上部電極の一部
を共通電極とすることにより共通電極としての位置ずれ
を少なくし、略直線状に配置された受光素子列を得るこ
とができる。
数列形成された上部電極の一部を長尺密着型イメージセ
ンサの共通電極としたので、密着型イメージセンサを並
設する場合に接合部でずれが生じても、上部電極の一部
を共通電極とすることにより共通電極としての位置ずれ
を少なくし、略直線状に配置された受光素子列を得るこ
とができる。
【０００８】
【実施例】本発明の長尺密着型イメージセンサの一実施
例について図１ないし図３を参照しながら説明する。図
１は長尺密着型イメージセンサの一部平面説明図、図２
は図１のＡ−Ａ線断面説明図、図３は長尺密着型イメー
ジセンサ全体の平面説明図である。
例について図１ないし図３を参照しながら説明する。図
１は長尺密着型イメージセンサの一部平面説明図、図２
は図１のＡ−Ａ線断面説明図、図３は長尺密着型イメー
ジセンサ全体の平面説明図である。
【０００９】長尺密着型イメージセンサは、図３に示す
ように、複数の密着型イメージセンサ２０を一列に並設
して構成されている。各密着型イメージセンサは、複数
の受光素子１０を一列に配列して形成され、各受光素子
１０は、クロム（Ｃｒ）から成る下部電極１１、アモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から成る光電変換層１２、
酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜から成
る上部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃを順次絶縁基板１上
に積層して構成されている。
ように、複数の密着型イメージセンサ２０を一列に並設
して構成されている。各密着型イメージセンサは、複数
の受光素子１０を一列に配列して形成され、各受光素子
１０は、クロム（Ｃｒ）から成る下部電極１１、アモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から成る光電変換層１２、
酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜から成
る上部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃを順次絶縁基板１上
に積層して構成されている。
【００１０】下部電極１１は絶縁基板１上に離散的に配
置され、各下部電極１１は副走査方向に長い長方形状に
形成されている。下部電極１１の面積は、所望の受光素
子１０の受光面積に対して大きく形成している。すなわ
ち本実施例の場合、所望の受光素子１０の受光面積（画
素面積）を主走査方向の長さｘと副走査方向の長さｙで
定めるとき、下部電極１１の主走査方向の長さを前記長
さｘと同じにし、副走査方向の長さを前記長さｙの３倍
強とする。
置され、各下部電極１１は副走査方向に長い長方形状に
形成されている。下部電極１１の面積は、所望の受光素
子１０の受光面積に対して大きく形成している。すなわ
ち本実施例の場合、所望の受光素子１０の受光面積（画
素面積）を主走査方向の長さｘと副走査方向の長さｙで
定めるとき、下部電極１１の主走査方向の長さを前記長
さｘと同じにし、副走査方向の長さを前記長さｙの３倍
強とする。
【００１１】光電変換層１２は、受光素子１０のアレイ
方向に沿って前記下部電極１１を覆うように帯状に形成
されている。光電変換層１２上には、前記下部電極１１
と重なる位置に前記長さｙに等しい幅を有する３列の帯
状の上部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている
。光電変換層１２を下部電極１１と上部電極とで挟んだ
部分が受光素子となるので、各下部電極１１には、それ
ぞれ３つの受光素子１０が形成されることになる。
方向に沿って前記下部電極１１を覆うように帯状に形成
されている。光電変換層１２上には、前記下部電極１１
と重なる位置に前記長さｙに等しい幅を有する３列の帯
状の上部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている
。光電変換層１２を下部電極１１と上部電極とで挟んだ
部分が受光素子となるので、各下部電極１１には、それ
ぞれ３つの受光素子１０が形成されることになる。
【００１２】受光素子アレイが形成された絶縁基板１の
端部は、受光素子１０間のピッチを長さｚとした場合、
端部の受光素子１０から長さｚ／２の位置で切断されて
いる。従って、受光素子アレイが形成された絶縁基板１
及び絶縁基板１´を支持板２上に載置する場合、絶縁基
板１と絶縁基板１´同士を突き当て接合すれば、接合部
分間においても主走査方向に同一ピッチで受光素子１０
を並べることができる。この際、絶縁基板１と絶縁基板
１´の位置が図１のように副走査方向にずれた場合にお
いても、絶縁基板１側の上部電極１３ａと絶縁基板１´
側の上部電極１３ｂ´に注目すれば、両者は直線状に配
置されている。そして、上部電極１３ａと上部電極１３
ｂ´との間に、導電性部材で形成された方形状の接続素
子１４を架設配置し、両者を電気的に接続することによ
り、絶縁基板同士がずれた場合においても一列に配列さ
れる受光素子アレイを得ることができる。以上のように
して例えば図３に示すように、Ａ４幅の密着型イメージ
センサを４つ並設してＡ０サイズの原稿が読み取り可能
な長尺密着型イメージセンサを得る。長尺密着型イメー
ジセンサの最端部に配置される絶縁基板１の端部側には
、副走査方向に沿ってクロムで形成された引き出し電極
１５が形成され、該引き出し電極１５と上部電極１３ａ
との間に、接続素子１４を架設配置して両者を電気的に
接続している。引き出し電極１５にはバイアス電圧が供
給され、接続素子１４により直線状に連結された上部電
極１３は、長尺密着型イメージセンサの共通電極となっ
ている。
端部は、受光素子１０間のピッチを長さｚとした場合、
端部の受光素子１０から長さｚ／２の位置で切断されて
いる。従って、受光素子アレイが形成された絶縁基板１
及び絶縁基板１´を支持板２上に載置する場合、絶縁基
板１と絶縁基板１´同士を突き当て接合すれば、接合部
分間においても主走査方向に同一ピッチで受光素子１０
を並べることができる。この際、絶縁基板１と絶縁基板
１´の位置が図１のように副走査方向にずれた場合にお
いても、絶縁基板１側の上部電極１３ａと絶縁基板１´
側の上部電極１３ｂ´に注目すれば、両者は直線状に配
置されている。そして、上部電極１３ａと上部電極１３
ｂ´との間に、導電性部材で形成された方形状の接続素
子１４を架設配置し、両者を電気的に接続することによ
り、絶縁基板同士がずれた場合においても一列に配列さ
れる受光素子アレイを得ることができる。以上のように
して例えば図３に示すように、Ａ４幅の密着型イメージ
センサを４つ並設してＡ０サイズの原稿が読み取り可能
な長尺密着型イメージセンサを得る。長尺密着型イメー
ジセンサの最端部に配置される絶縁基板１の端部側には
、副走査方向に沿ってクロムで形成された引き出し電極
１５が形成され、該引き出し電極１５と上部電極１３ａ
との間に、接続素子１４を架設配置して両者を電気的に
接続している。引き出し電極１５にはバイアス電圧が供
給され、接続素子１４により直線状に連結された上部電
極１３は、長尺密着型イメージセンサの共通電極となっ
ている。
【００１３】また、各下部電極１１には、引き出し配線
１６が形成され、この引き出し配線１６の端部は、絶縁
基板１の近傍の支持板２に配置されたガラスエポキシ基
板３上に固定された信号読み出しのための複数の駆動Ｉ
Ｃ４のパッドにそれぞれボンディングワイヤで接続され
ている。また、接続素子１４による上部電極１３の接合
位置を除いた部分には、受光素子１０を覆うように保護
層１７が着膜されている（図２）。尚、図１においては
保護層１７は省略している。
１６が形成され、この引き出し配線１６の端部は、絶縁
基板１の近傍の支持板２に配置されたガラスエポキシ基
板３上に固定された信号読み出しのための複数の駆動Ｉ
Ｃ４のパッドにそれぞれボンディングワイヤで接続され
ている。また、接続素子１４による上部電極１３の接合
位置を除いた部分には、受光素子１０を覆うように保護
層１７が着膜されている（図２）。尚、図１においては
保護層１７は省略している。
【００１４】次に長尺密着型イメージセンサの製造プロ
セスについて簡単に説明する。絶縁基板（例えばコーニ
ング７０５９ガラス）１上にスパッタリング法によりク
ロム膜を着膜し、続いて、フォトリソ工程と、硝酸セリ
ウムアンモニウム、過塩素酸、水の混合液を用いたエッ
チング工程によりパターニングし、複数の下部電極１１
，引き出し配線１６を形成する。また、長尺密着型イメ
ージセンサを構成する際に両端部に位置する絶縁基板の
端部側には、前記パターニングの際に引き出し電極１５
を同時に形成する。次に、Ｐ−ＣＶＤ法によりアモルフ
ァスシリコン膜（ａ−Ｓｉ）を着膜し、前記下部電極１
１を覆うように帯状にパターニングして光電変換層１２
を形成する。続いて、スパッタ法によりＩＴＯ膜を着膜
し、下部電極１１上に位置するように３列に帯状にパタ
ーニングして上部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃを形成す
る。そして、絶縁基板１の両端部を除いてポリイミドを
着膜して保護層１７を形成し、例えばＡ４幅の密着型イ
メージセンサを構成する。
セスについて簡単に説明する。絶縁基板（例えばコーニ
ング７０５９ガラス）１上にスパッタリング法によりク
ロム膜を着膜し、続いて、フォトリソ工程と、硝酸セリ
ウムアンモニウム、過塩素酸、水の混合液を用いたエッ
チング工程によりパターニングし、複数の下部電極１１
，引き出し配線１６を形成する。また、長尺密着型イメ
ージセンサを構成する際に両端部に位置する絶縁基板の
端部側には、前記パターニングの際に引き出し電極１５
を同時に形成する。次に、Ｐ−ＣＶＤ法によりアモルフ
ァスシリコン膜（ａ−Ｓｉ）を着膜し、前記下部電極１
１を覆うように帯状にパターニングして光電変換層１２
を形成する。続いて、スパッタ法によりＩＴＯ膜を着膜
し、下部電極１１上に位置するように３列に帯状にパタ
ーニングして上部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃを形成す
る。そして、絶縁基板１の両端部を除いてポリイミドを
着膜して保護層１７を形成し、例えばＡ４幅の密着型イ
メージセンサを構成する。
【００１５】以上のように構成された密着型イメージセ
ンサの接合部側の絶縁基板１を、切断装置を用いて切断
する。切断部分を突き合せるよう、図３に示すように、
４つの絶縁基板１を支持板２上に載置してＡ０サイズの
原稿を読み取り可能な長尺状に形成する。引き出し電極
１５が形成された絶縁基板１は支持板２の両端部側に位
置させる。この時、副走査方向にずれが生じても、複数
の上部電極１３のうちの一部は全体を通して略直線状に
配置される。そして、これらの上部電極１３間上及び上
部電極１３と引き出し電極１５間に接続素子１４を配置
して電気的に接続し、バイアス電圧を供給可能な共通電
極とする。また、絶縁基板１に沿って複数の駆動ＩＣ４
を配置し、駆動ＩＣ４の各パッドと前記引き出し配線１
６とをボンディングワイヤで接続する。
ンサの接合部側の絶縁基板１を、切断装置を用いて切断
する。切断部分を突き合せるよう、図３に示すように、
４つの絶縁基板１を支持板２上に載置してＡ０サイズの
原稿を読み取り可能な長尺状に形成する。引き出し電極
１５が形成された絶縁基板１は支持板２の両端部側に位
置させる。この時、副走査方向にずれが生じても、複数
の上部電極１３のうちの一部は全体を通して略直線状に
配置される。そして、これらの上部電極１３間上及び上
部電極１３と引き出し電極１５間に接続素子１４を配置
して電気的に接続し、バイアス電圧を供給可能な共通電
極とする。また、絶縁基板１に沿って複数の駆動ＩＣ４
を配置し、駆動ＩＣ４の各パッドと前記引き出し配線１
６とをボンディングワイヤで接続する。
【００１６】上記実施例によれば、原稿（図示せず）を
長尺密着型イメージセンサの上方に配置し、光源（図示
せず）からの光が原稿下面を照射し、原稿面での反射光
が各受光素子に入射する。各受光素子では反射光に応じ
た光電流の発生により電荷が生じ、これを駆動ＩＣ４に
よるアレイ方向（主走査方向）に沿った電気的走査によ
り時系列的に抽出して原稿面の１ラインに対応する画像
信号とする。そして、原稿搬送手段により原稿を副走査
方向（主走査方向に直交する方向）に移動させ、前記電
気的走査を繰り返して原稿面全体の画像情報を読み取る
。
長尺密着型イメージセンサの上方に配置し、光源（図示
せず）からの光が原稿下面を照射し、原稿面での反射光
が各受光素子に入射する。各受光素子では反射光に応じ
た光電流の発生により電荷が生じ、これを駆動ＩＣ４に
よるアレイ方向（主走査方向）に沿った電気的走査によ
り時系列的に抽出して原稿面の１ラインに対応する画像
信号とする。そして、原稿搬送手段により原稿を副走査
方向（主走査方向に直交する方向）に移動させ、前記電
気的走査を繰り返して原稿面全体の画像情報を読み取る
。
【００１７】図４は本発明の他の実施例を示すもので、
図１と同一構成をとる部分については同一符号を付して
いる。本実施例では、図１に示めした所望の受光素子１
０の受光面積の副走査方向の長さｙより細い幅を有する
帯状の上部電極１３を多数（上部電極１３ａ，１３ｂ，
１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆの６列）形成して構成
される。例えば図５のように接合部分において絶縁基板
１がずれた場合、上部電極１３ｂ，１３ｃが直線状に配
置されが、上部電極１３の２列分より広い幅Ｌを有する
方形状の接続素子１４により隣接する絶縁基板１に形成
された上部電極１３ｂ及び上部電極１３ｃ間を接続する
。本実施例によれば、図１の実施例に比較してずれの許
容範囲を広く設定でき、更に接合精度の向上を図ること
ができる。また、接続素子１４の幅Ｌを変化させること
により、受光素子の受光面積を制御することができると
いう利点もある。
図１と同一構成をとる部分については同一符号を付して
いる。本実施例では、図１に示めした所望の受光素子１
０の受光面積の副走査方向の長さｙより細い幅を有する
帯状の上部電極１３を多数（上部電極１３ａ，１３ｂ，
１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆの６列）形成して構成
される。例えば図５のように接合部分において絶縁基板
１がずれた場合、上部電極１３ｂ，１３ｃが直線状に配
置されが、上部電極１３の２列分より広い幅Ｌを有する
方形状の接続素子１４により隣接する絶縁基板１に形成
された上部電極１３ｂ及び上部電極１３ｃ間を接続する
。本実施例によれば、図１の実施例に比較してずれの許
容範囲を広く設定でき、更に接合精度の向上を図ること
ができる。また、接続素子１４の幅Ｌを変化させること
により、受光素子の受光面積を制御することができると
いう利点もある。
【００１８】以上述べた実施例の構成によれば、絶縁基
板１の接合部分で副走査方向にずれが生じても、上部電
極１３の接続部分においては、複数の上部電極１３のう
ちの一部を共通電極とすることにより前記ずれ幅を少な
くし、共通電極として略直線状に配置可能とすることが
できる。従って、複数の密着型イメージセンサを並設す
る際に、副走査方向についての接合精度の向上により受
光素子を一列に配列することができ、再生画像品質の向
上を図ることができる。また、上記実施例では、接続素
子１４として導電性チップを用いたが、導電性樹脂の塗
布やワイヤボンディングによる接続等、電気的な接続が
安定して得られる手段であればよい。
板１の接合部分で副走査方向にずれが生じても、上部電
極１３の接続部分においては、複数の上部電極１３のう
ちの一部を共通電極とすることにより前記ずれ幅を少な
くし、共通電極として略直線状に配置可能とすることが
できる。従って、複数の密着型イメージセンサを並設す
る際に、副走査方向についての接合精度の向上により受
光素子を一列に配列することができ、再生画像品質の向
上を図ることができる。また、上記実施例では、接続素
子１４として導電性チップを用いたが、導電性樹脂の塗
布やワイヤボンディングによる接続等、電気的な接続が
安定して得られる手段であればよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、各下部電極に対して複
数列形成された上部電極の一部を長尺密着型イメージセ
ンサの共通電極としたので、密着型イメージセンサを並
設する場合に接合部でずれが生じても、上部電極の一部
を共通電極とすることにより共通電極としての位置ずれ
を少なくし、略直線状に配置された受光素子列を得るこ
とができる。従って、複数の密着型イメージセンサを並
設して長尺密着型イメージセンサを形成する場合、密着
型イメージセンサの接合部分間の相対的な位置精度の要
求を厳しくすることなく、略直線状に受光素子を配列す
ることができ、再生画像の品質の向上を図ることができ
る。
数列形成された上部電極の一部を長尺密着型イメージセ
ンサの共通電極としたので、密着型イメージセンサを並
設する場合に接合部でずれが生じても、上部電極の一部
を共通電極とすることにより共通電極としての位置ずれ
を少なくし、略直線状に配置された受光素子列を得るこ
とができる。従って、複数の密着型イメージセンサを並
設して長尺密着型イメージセンサを形成する場合、密着
型イメージセンサの接合部分間の相対的な位置精度の要
求を厳しくすることなく、略直線状に受光素子を配列す
ることができ、再生画像の品質の向上を図ることができ
る。
【図１】 本発明の一実施例の長尺密着型イメージセ
ンサの接合部分の平面説明図である。
ンサの接合部分の平面説明図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面説明図である。
【図３】 長尺密着型イメージセンサの全体を示す平
面説明図である。
面説明図である。
【図４】 本発明の他の実施例を示す長尺密着型イメ
ージセンサの接合部分の平面説明図である。
ージセンサの接合部分の平面説明図である。
【図５】 従来の長尺密着型イメージセンサの接合部
分の平面説明図である。
分の平面説明図である。
１…絶縁基板、 ２…支持板、 １０…受光素子、
１１…下部電極、 １２…光電変換層、 １３
…上部電極、 １４…接続素子
１１…下部電極、 １２…光電変換層、 １３
…上部電極、 １４…接続素子
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に分離形成された複数個の
下部電極と一体的に形成された上部電極とによって光電
変換層を挟み複数個のサンドイッチ構造の受光素子を形
成して成る密着型イメージセンサを、複数個一列に並設
して構成する長尺密着型イメージセンサにおいて、前記
各密着型イメージセンサの上部電極は、各下部電極に対
して複数列形成し、該複数列の上部電極の一部を前記長
尺密着型イメージセンサの共通電極としたことを特徴と
する長尺密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175740A JPH04373250A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 長尺密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175740A JPH04373250A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 長尺密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04373250A true JPH04373250A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16001425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175740A Pending JPH04373250A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 長尺密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04373250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014140157A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Canon Components Inc | イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3175740A patent/JPH04373250A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014140157A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Canon Components Inc | イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置 |
| JP2015173468A (ja) * | 2012-12-19 | 2015-10-01 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置 |
| US9247095B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-01-26 | Canon Components, Inc. | Image sensor unit, image reading apparatus, and image forming apparatus |
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