JPH04373155A - 半導体用ヒートシンク - Google Patents
半導体用ヒートシンクInfo
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- JPH04373155A JPH04373155A JP3151528A JP15152891A JPH04373155A JP H04373155 A JPH04373155 A JP H04373155A JP 3151528 A JP3151528 A JP 3151528A JP 15152891 A JP15152891 A JP 15152891A JP H04373155 A JPH04373155 A JP H04373155A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体用ヒートシンクに
かかわり、特に、高速変調または高周波出力が必要で、
かつ放熱が必要な半導体光素子または半導体電子素子に
好適な半導体用ヒートシンクに関する。
かかわり、特に、高速変調または高周波出力が必要で、
かつ放熱が必要な半導体光素子または半導体電子素子に
好適な半導体用ヒートシンクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体用ヒートシンクは、例えば
半導体レーザのヒートシンクを例にあげると、導電性と
熱伝導率の良いｎ型Ｓｉを使用した例がある。これを図
８に示す。図８において、１はｎ型Ｓｉ、２は埋込み半
導体レーザ、３は銅ステム、４はリード線、５はストラ
イプ状電流通路、６は活性領域である。このような構成
であるため、リード線が長くなり、リード線のインダク
タンスの増加のため、高速変調は困難であった。
半導体レーザのヒートシンクを例にあげると、導電性と
熱伝導率の良いｎ型Ｓｉを使用した例がある。これを図
８に示す。図８において、１はｎ型Ｓｉ、２は埋込み半
導体レーザ、３は銅ステム、４はリード線、５はストラ
イプ状電流通路、６は活性領域である。このような構成
であるため、リード線が長くなり、リード線のインダク
タンスの増加のため、高速変調は困難であった。
【０００３】また、従来のマイクロストリップは、図９
に示すように、誘電体板１１、帯状導体１２、導体板１
３で構成されている。ここで、誘電体板１１としては、
従来、ガラス積層板が使用されるのが一般的であり、一
部に、フッ素樹脂、スチレン等のプラチック製品が使わ
れていた。しかし、ガラス積層板は熱伝導率が悪く、ま
たフッ素樹脂、スチレン等のプラスチック製品も同様に
熱伝導率が悪く、このため、搭載する素子の放熱が悪い
という欠点があった。
に示すように、誘電体板１１、帯状導体１２、導体板１
３で構成されている。ここで、誘電体板１１としては、
従来、ガラス積層板が使用されるのが一般的であり、一
部に、フッ素樹脂、スチレン等のプラチック製品が使わ
れていた。しかし、ガラス積層板は熱伝導率が悪く、ま
たフッ素樹脂、スチレン等のプラスチック製品も同様に
熱伝導率が悪く、このため、搭載する素子の放熱が悪い
という欠点があった。
【０００４】また、従来の多電極ＤＦＢレーザアレイの
ヒートシンクとして、図１０に示すようなものがある。 図１０において、２１はｎ型Ｓｉ、２２は絶縁層を介し
て形成された配線パターン、２３は多電極ＤＦＢレーザ
アレイ、２４はリード線、２５は電極分離溝、２６はス
トライプ状電流通路である。この従来例では、リード線
は短くなっているが、配線パターン２２と、絶縁層を介
したｎ型Ｓｉ２１との間での電気容量が大きく、高速変
調が不可能であるという欠点があった。
ヒートシンクとして、図１０に示すようなものがある。 図１０において、２１はｎ型Ｓｉ、２２は絶縁層を介し
て形成された配線パターン、２３は多電極ＤＦＢレーザ
アレイ、２４はリード線、２５は電極分離溝、２６はス
トライプ状電流通路である。この従来例では、リード線
は短くなっているが、配線パターン２２と、絶縁層を介
したｎ型Ｓｉ２１との間での電気容量が大きく、高速変
調が不可能であるという欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、単純
なＳｉヒートシンクにおいては、リード線が長くなって
高速変調が困難であるという欠点があり、マイクロスト
リップにおいては、搭載する素子の放熱が悪いという欠
点があり、また、多電極ＤＦＢレーザアレイのヒートシ
ンクにおいては、配線パターンとｎ型Ｓｉとの間の容量
が大きくなって高速変調が不可能であるという欠点があ
った。
なＳｉヒートシンクにおいては、リード線が長くなって
高速変調が困難であるという欠点があり、マイクロスト
リップにおいては、搭載する素子の放熱が悪いという欠
点があり、また、多電極ＤＦＢレーザアレイのヒートシ
ンクにおいては、配線パターンとｎ型Ｓｉとの間の容量
が大きくなって高速変調が不可能であるという欠点があ
った。
【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の欠点をな
くし、半導体光素子または半導体電子素子の高速変調、
高周波出力を可能にし、かつ放熱が良好な半導体用ヒー
トシンクを提供することにある。
くし、半導体光素子または半導体電子素子の高速変調、
高周波出力を可能にし、かつ放熱が良好な半導体用ヒー
トシンクを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次の３つの特徴点を入れて半導体用ヒート
シンクを構成したものである。
成するため、次の３つの特徴点を入れて半導体用ヒート
シンクを構成したものである。
【０００８】第１の特徴点は、熱伝導率が良く、電気的
に絶縁性のある材料上に、マイクロストリップを配線形
成したことである。ここで、熱伝導率が良く、電気的に
絶縁性のある材料としては、絶縁性ＢＮ、絶縁性Ｓｉ、
絶縁性ＩｎＰ、絶縁性ＧａＡｓ、絶縁性ＳｉＣ、Ａｌ２
Ｏ３、ＢｅＯ等があげられる。
に絶縁性のある材料上に、マイクロストリップを配線形
成したことである。ここで、熱伝導率が良く、電気的に
絶縁性のある材料としては、絶縁性ＢＮ、絶縁性Ｓｉ、
絶縁性ＩｎＰ、絶縁性ＧａＡｓ、絶縁性ＳｉＣ、Ａｌ２
Ｏ３、ＢｅＯ等があげられる。
【０００９】第２の特徴点は、半導体素子の入力インピ
ーダンスまたは出力インピーダンスとインピーダンス整
合をとるためのインピーダンス整合用抵抗を付加したこ
とである。このインピーダンス整合用抵抗は、抵抗が個
別部品のハイブリッド構造になっているか、あるいは、
薄膜抵抗、または拡散技術、イオン注入技術等で作成さ
れた半導電層抵抗としてヒートシンクと一体化したモノ
リシック構造になっているものである。
ーダンスまたは出力インピーダンスとインピーダンス整
合をとるためのインピーダンス整合用抵抗を付加したこ
とである。このインピーダンス整合用抵抗は、抵抗が個
別部品のハイブリッド構造になっているか、あるいは、
薄膜抵抗、または拡散技術、イオン注入技術等で作成さ
れた半導電層抵抗としてヒートシンクと一体化したモノ
リシック構造になっているものである。
【００１０】第３の特徴点は、マイクロストリップと上
記インピーダンス整合用抵抗との結合部から、マイクロ
ストリップ上のマイクロ波の波長の１／２に相当する長
さだけ離れたところで、マイクロストリップが開放にな
っているか、あるいは、マイクロ波の波長の１／４に相
当する長さだけ離れたところで、マイクロストリップが
短絡終端されていることである。
記インピーダンス整合用抵抗との結合部から、マイクロ
ストリップ上のマイクロ波の波長の１／２に相当する長
さだけ離れたところで、マイクロストリップが開放にな
っているか、あるいは、マイクロ波の波長の１／４に相
当する長さだけ離れたところで、マイクロストリップが
短絡終端されていることである。
【００１１】
【作用】上記構成のうち、第１の特徴点の構成により、
半導体素子の放熱が良くなり、この面での従来技術の欠
点は解消される。
半導体素子の放熱が良くなり、この面での従来技術の欠
点は解消される。
【００１２】また、第２、第３の特徴点の構成により、
半導体素子の入力または出力の高周波特性が著しく改善
され、半導体光素子または半導体電子素子の高速変調、
高周波出力が可能になる。
半導体素子の入力または出力の高周波特性が著しく改善
され、半導体光素子または半導体電子素子の高速変調、
高周波出力が可能になる。
【００１３】なお、本発明は、半導体素子以外でも、放
熱と高速変調、高周波出力が必要な他の素子にも応用す
ることができる。
熱と高速変調、高周波出力が必要な他の素子にも応用す
ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面により説明する
。
。
【００１５】図１は本発明の第１の実施例の半導体用ヒ
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、インピー
ダンス整合用の薄膜抵抗を付加した例である。図１にお
いて、３１は絶縁性シリコン、３２は帯状導体、３３は
導体板、３４はインピーダンス整合用薄膜抵抗、３５は
素子マウント用電極、３６は多電極ＤＦＢレーザ、３７
は銅ステム、３８はリード線、３９は同軸ケーブル心線
、４０は同軸ケーブルである。
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、インピー
ダンス整合用の薄膜抵抗を付加した例である。図１にお
いて、３１は絶縁性シリコン、３２は帯状導体、３３は
導体板、３４はインピーダンス整合用薄膜抵抗、３５は
素子マウント用電極、３６は多電極ＤＦＢレーザ、３７
は銅ステム、３８はリード線、３９は同軸ケーブル心線
、４０は同軸ケーブルである。
【００１６】ここで、マイクロストリップの特性抵抗に
ついて述べる。マイクロストリップの特性抵抗Ｒｃは、
ａをマイクロストリップの幅、ｂを誘電体（本実施例で
は絶縁性シリコン）の厚さ、εｒを比誘電率とすると、
次式で表わせる。
ついて述べる。マイクロストリップの特性抵抗Ｒｃは、
ａをマイクロストリップの幅、ｂを誘電体（本実施例で
は絶縁性シリコン）の厚さ、εｒを比誘電率とすると、
次式で表わせる。
【００１７】
【数１】
【００１８】従って、ａ、ｂが共に５０μｍのとき、マ
イクロストリップの特性抵抗Ｒｃは４９．２〔Ω〕にな
る。
イクロストリップの特性抵抗Ｒｃは４９．２〔Ω〕にな
る。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例の半導体用ヒ
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、インピー
ダンス整合用抵抗とマイクロストリップの開放終端とを
有する例である。図２において、４１は絶縁性ＢＮであ
り、４２は整合用抵抗とマイクロストリップの開放終端
との間の長さを示す。その他の符号は、図１と同一部分
を示す。本実施例において、符号４２の示す長さは、使
用するマイクロ波の波長の１／２に相当する長さにしな
ければならない。例えば、マイクロ波が１００ＧＨｚの
場合、その長さは約２００μｍとなる。本実施例では、
マイクロストリップの開放終端からλ／２（λ：マイク
ロ波の波長）に相当する長さのところに負荷抵抗がある
ことが特徴となっている。なお、マイクロストリップと
同軸ケーブルの結合点についても同様な考慮がなされな
ければならないが、図では省略してある。
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、インピー
ダンス整合用抵抗とマイクロストリップの開放終端とを
有する例である。図２において、４１は絶縁性ＢＮであ
り、４２は整合用抵抗とマイクロストリップの開放終端
との間の長さを示す。その他の符号は、図１と同一部分
を示す。本実施例において、符号４２の示す長さは、使
用するマイクロ波の波長の１／２に相当する長さにしな
ければならない。例えば、マイクロ波が１００ＧＨｚの
場合、その長さは約２００μｍとなる。本実施例では、
マイクロストリップの開放終端からλ／２（λ：マイク
ロ波の波長）に相当する長さのところに負荷抵抗がある
ことが特徴となっている。なお、マイクロストリップと
同軸ケーブルの結合点についても同様な考慮がなされな
ければならないが、図では省略してある。
【００２０】図３は本発明の第３の実施例の半導体用ヒ
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、インピー
ダンス整合用抵抗とマイクロストリップの短絡終端とを
有する例である。図３において、４３は整合用抵抗とマ
イクロストリップの短絡終端との間の長さを示し、これ
は使用するマイクロ波の波長の１／４に相当する長さに
しなければならない。なお、図中、４４は高速半導体レ
ーザ、４５はマイクロストリップの短絡終端であり、そ
の他の符号は、図１と同一部分を示す。本実施例では、
マイクロストリップの短絡終端からλ／４に相当する長
さのところに負荷抵抗があることが特徴になっている。
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、インピー
ダンス整合用抵抗とマイクロストリップの短絡終端とを
有する例である。図３において、４３は整合用抵抗とマ
イクロストリップの短絡終端との間の長さを示し、これ
は使用するマイクロ波の波長の１／４に相当する長さに
しなければならない。なお、図中、４４は高速半導体レ
ーザ、４５はマイクロストリップの短絡終端であり、そ
の他の符号は、図１と同一部分を示す。本実施例では、
マイクロストリップの短絡終端からλ／４に相当する長
さのところに負荷抵抗があることが特徴になっている。
【００２１】図４は本発明の第４の実施例の半導体用ヒ
ートシンクを示す部分断面図である。本実施例は、マイ
クロストリップをＯＳＭコネクタに接続した例である。 図４において、５１はＯＳＭコネクタ、５２はコネクタ
心線を示し、その他の符号は図１と同一部分を示す。
ートシンクを示す部分断面図である。本実施例は、マイ
クロストリップをＯＳＭコネクタに接続した例である。 図４において、５１はＯＳＭコネクタ、５２はコネクタ
心線を示し、その他の符号は図１と同一部分を示す。
【００２２】図５は本発明の第５の実施例の半導体用ヒ
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、逆バイア
ス光変調器に適用した場合を示したものである。図５に
おいて、６１は逆バイアス光変調器、６２はそのエピタ
キシャル結晶側電極、６３は基板側電極であり、その他
の符号は図１と同一部分を示す。本実施例では、光変調
器が逆バイアス素子であり入力抵抗が大きいため、駆動
用の帯状導体３２を、インピーダンス整合用薄膜抵抗３
４を介して素子マウント用電極３５のアース側に接続し
ている点が特徴となっている。
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、逆バイア
ス光変調器に適用した場合を示したものである。図５に
おいて、６１は逆バイアス光変調器、６２はそのエピタ
キシャル結晶側電極、６３は基板側電極であり、その他
の符号は図１と同一部分を示す。本実施例では、光変調
器が逆バイアス素子であり入力抵抗が大きいため、駆動
用の帯状導体３２を、インピーダンス整合用薄膜抵抗３
４を介して素子マウント用電極３５のアース側に接続し
ている点が特徴となっている。
【００２３】図６は本発明第６の実施例の半導体用ヒー
トシンクを示す斜視図である。本実施例は、半導体レー
ザアレイに適用した場合を示したものである。図６にお
いて、７１は半導体レーザアレイであり、その他の符号
は図１と同一部分を示す。本実施例の場合、個々のマイ
クロストリップの間の間隔をマイクロストリップの幅（
図中ａで示す）の２倍以上にすれば、相互インダクタン
スは無視できるほど小さくなることが知られており、そ
のように形成することにより高周波特性を改善すること
ができる。
トシンクを示す斜視図である。本実施例は、半導体レー
ザアレイに適用した場合を示したものである。図６にお
いて、７１は半導体レーザアレイであり、その他の符号
は図１と同一部分を示す。本実施例の場合、個々のマイ
クロストリップの間の間隔をマイクロストリップの幅（
図中ａで示す）の２倍以上にすれば、相互インダクタン
スは無視できるほど小さくなることが知られており、そ
のように形成することにより高周波特性を改善すること
ができる。
【００２４】図７は本発明の第７の実施例の半導体用ヒ
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、ＬＤ−Ｐ
Ｄ素子の駆動用ＩＣ上に高速ＬＤ−ＰＤ素子を実装した
例を示したものである。図７において、７２はレーザ駆
動用回路、７３は出力制御用回路、８１は高速ＬＤ−Ｐ
Ｄ素子である。
ートシンクを示す斜視図である。本実施例は、ＬＤ−Ｐ
Ｄ素子の駆動用ＩＣ上に高速ＬＤ−ＰＤ素子を実装した
例を示したものである。図７において、７２はレーザ駆
動用回路、７３は出力制御用回路、８１は高速ＬＤ−Ｐ
Ｄ素子である。
【００２５】以上述べた実施例において、半導体素子の
ヒートシンク上にマイクロストリップを形成し、入出力
のインピーダンス整合のための抵抗を付加したことによ
って、半導体素子の高速変調あるいは出力の高周波化が
可能になる。
ヒートシンク上にマイクロストリップを形成し、入出力
のインピーダンス整合のための抵抗を付加したことによ
って、半導体素子の高速変調あるいは出力の高周波化が
可能になる。
【００２６】なお、以上の実施例は、すべて半導体素子
用のヒートシンクについて説明したが、本発明は、半導
体素子以外でも、高速変調または高周波出力が必要でか
つ放熱が必要な他の素子にも応用できることは言うまで
もない。
用のヒートシンクについて説明したが、本発明は、半導
体素子以外でも、高速変調または高周波出力が必要でか
つ放熱が必要な他の素子にも応用できることは言うまで
もない。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体光素子または半
導体電子素子の高速変調、出力の高周波化が可能になり
、かつ半導体素子の放熱が改善されるという効果がある
。
導体電子素子の高速変調、出力の高周波化が可能になり
、かつ半導体素子の放熱が改善されるという効果がある
。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体用ヒートシンク
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】第２の実施例の半導体用ヒートシンクの斜視図
である。
である。
【図３】第３の実施例の半導体用ヒートシンクの斜視図
である。
である。
【図４】第４の実施例の半導体用ヒートシンクの部分断
面図である。
面図である。
【図５】第５の実施例の半導体用ヒートシンクの斜視図
である。
である。
【図６】第６の実施例の半導体用ヒートシンクの斜視図
である。
である。
【図７】第７の実施例の半導体用ヒートシンクの斜視図
である。
である。
【図８】従来の半導体レーザ用ヒートシンクの例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図９】従来のマイクロストリップの例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】従来の多電極ＤＦＢレーザアレイ用ヒートシ
ンクの例を示す平面図である。
ンクの例を示す平面図である。
３１…絶縁性シリコン ３２…帯状
導体３３…導体板
３４…インピーダンス整合用薄膜抵抗 ３５…素子マウント用電極 ３６…多電極Ｄ
ＦＢレーザ ３７…銅ステム ３８
…リード線３９…同軸ケーブル心線 ４
０…同軸ケーブル４１…絶縁性ＢＮ ４２…整合用抵抗とマイクロストリップの開放終端との
間の長さ ４３…整合用抵抗とマイクロストリップの短絡終端との
間の長さ ４４…高速半導体レーザ ４５…マイク
ロストリップの短絡終端 ５１…ＯＳＭコネクタ ５２…コネ
クタ心線６１…逆バイアス光変調器 ６２…
エピタキシャル結晶側電極 ６３…基板側電極 ７１…
半導体レーザアレイ ７２…レーザ駆動用回路 ７３…出力制
御用回路８１…高速ＬＤ−ＰＤ素子
導体３３…導体板
３４…インピーダンス整合用薄膜抵抗 ３５…素子マウント用電極 ３６…多電極Ｄ
ＦＢレーザ ３７…銅ステム ３８
…リード線３９…同軸ケーブル心線 ４
０…同軸ケーブル４１…絶縁性ＢＮ ４２…整合用抵抗とマイクロストリップの開放終端との
間の長さ ４３…整合用抵抗とマイクロストリップの短絡終端との
間の長さ ４４…高速半導体レーザ ４５…マイク
ロストリップの短絡終端 ５１…ＯＳＭコネクタ ５２…コネ
クタ心線６１…逆バイアス光変調器 ６２…
エピタキシャル結晶側電極 ６３…基板側電極 ７１…
半導体レーザアレイ ７２…レーザ駆動用回路 ７３…出力制
御用回路８１…高速ＬＤ−ＰＤ素子
Claims (5)
- 【請求項１】熱伝導率が良く、電気的に絶縁性のある材
料上に、マイクロストリップを配線形成してあることを
特徴とする半導体用ヒートシンク。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体用ヒートシンクに
おいて、半導体素子の入力インピーダンスまたは出力イ
ンピーダンスとインピーダンス整合をとるためのインピ
ーダンス整合用抵抗を付加したことを特徴とする半導体
用ヒートシンク。 - 【請求項３】請求項２に記載の半導体用ヒートシンクに
おいて、インピーダンス整合用抵抗が、薄膜抵抗または
半導電層抵抗であることを特徴とする半導体用ヒートシ
ンク。 - 【請求項４】請求項２または３に記載の半導体用ヒート
シンクにおいて、マイクロストリップとインピーダンス
整合用抵抗との結合部から、マイクロストリップ上のマ
イクロ波の波長の１／２に相当する長さだけ離れたとこ
ろで、マイクロストリップが開放になっていることを特
徴とする半導体用ヒートシンク。 - 【請求項５】請求項２または３に記載の半導体用ヒート
シンクにおいて、マイクロストリップとインピーダンス
整合用抵抗との結合部から、マイクロストリップ上のマ
イクロ波の波長の１／４に相当する長さだけ離れたとこ
ろで、マイクロストリップが短絡終端されていることを
特徴とする半導体用ヒートシンク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3151528A JPH04373155A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 半導体用ヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3151528A JPH04373155A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 半導体用ヒートシンク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04373155A true JPH04373155A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15520487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3151528A Pending JPH04373155A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 半導体用ヒートシンク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04373155A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961372A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
| EP0987802A2 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-22 | Nec Corporation | Optical communication module |
| JP2004185040A (ja) * | 2000-10-03 | 2004-07-02 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| US7411288B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP3151528A patent/JPH04373155A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961372A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
| EP0987802A2 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-22 | Nec Corporation | Optical communication module |
| EP0987802A3 (en) * | 1998-09-14 | 2001-05-09 | Nec Corporation | Optical communication module |
| US6318906B1 (en) | 1998-09-14 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Optical communication module |
| JP2004185040A (ja) * | 2000-10-03 | 2004-07-02 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| US7411288B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| US7576423B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| US7659613B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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