JPH04369208A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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Publication number
JPH04369208A
JPH04369208A JP3145726A JP14572691A JPH04369208A JP H04369208 A JPH04369208 A JP H04369208A JP 3145726 A JP3145726 A JP 3145726A JP 14572691 A JP14572691 A JP 14572691A JP H04369208 A JPH04369208 A JP H04369208A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
mask
aperture diaphragm
shape
circuit pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP3145726A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruo Miyamoto
照雄 宮本
Yasuto Nai
名井 康人
Toshie Uchiyama
内山 淑恵
Toshinori Yagi
俊憲 八木
Nobuyuki Zumoto
信行 頭本
Toshimasa Tomota
友田 利正
Kazuya Kamon
和也 加門
Masaaki Tanaka
正明 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3145726A priority Critical patent/JPH04369208A/ja
Publication of JPH04369208A publication Critical patent/JPH04369208A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、投影露光装置に関し
、特に、LSIの製造工程に使用される投影露光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、大規模集積回路(LSI)の製造
に用いられるものとして、投影露光装置が知られている
。これらは、たとえば、特開昭61−91662号公報
に開示されている。
【0003】図9は、この従来の開示された投影露光装
置の光学系の構成を示した概略図である。
【0004】図9を参照して、従来の投影露光装置は、
光源であるランプ1と、ランプ1から発した光を反射す
るための楕円反射鏡2と、楕円反射鏡2によって反射さ
れた光をさらに反射するためのコールドミラー11と、
コールドミラー11によって反射された光が入射するイ
ンプットレンズ4と、インプットレンズ4を通過した光
が入射するフィルタ10と、フィルタ10を通過した光
が入射するオプチカルインテグレータ5と、オプチカル
インテグレータ5を通過した光が入射するアウトプット
レンズ6と、アウトプットレンズ6を通過した光を反射
するためのコールドミラー12と、コールドミラー12
によって反射された光が入射するコリメーションレンズ
7と、コリメーションレンズ7を通過した光が照射され
、回路パターンが形成されたマスク8と、マスク8を通
過した光が入射され、マスク8のパターンの像をウェハ
15上に投影するための投影光学系14とを備えている
。投影光学系14は、レンズ、ミラーまたはそれらの組
合わせによって構成されている。投影光学系14には、
開口絞り16が設けられている。オプチカルインテグレ
ータ5と、アウトプットレンズ6との間には、特殊開口
絞り100が設けられている。
【0005】上記ランプ1、楕円反射鏡2、インプット
レンズ4、オプチカルインテグレータ5、アウトプット
レンズ6、コリメーションレンズ7、フィルタ10、コ
ールドミラー11,12は、ランプハウス13内に収納
されている。
【0006】インプットレンズ4は、オプチカルインテ
グレータ5を通る光線のケラレを低減し集光効率を高め
る役割を果たす。また、オプチカルインテグレータ5は
、多数の棒状レンズを束ねたものであり、フライアイレ
ンズとも呼ばれている。フィルタ10は、光学系が収差
補正されている波長の光だけを通すために設けられたも
のである。コールドミラー11、12は、光路を曲げて
装置の高さを低くする役割を果たす。さらに、コールド
ミラー11、12は、長波長光熱線を透過してランプハ
ウス13の冷却可能部分に吸収させる働きをも有してい
る。
【0007】図10は、図9に示した従来の投影露光装
置に用いられる特殊開口絞りを示す平面図である。
【0008】図10を参照して、特殊開口絞り100は
、光を透過する透過領域101と、光を遮光する遮光領
域102とから構成されている。この特殊開口絞り10
0は、円形の透過領域101の中心部に、円形の遮光領
域102を有している。
【0009】次に、図9および図10を参照して、動作
について説明する。まず、楕円反射鏡2の第1焦点に設
置されたランプ1から光を発生させる。ランプ1から発
生された光は楕円反射鏡2によって反射される。楕円反
射鏡2によって反射された光はさらにコールドミラー1
1によって反射される。これによって、ランプ1により
発生された光の光束は、第2焦点3付近に一旦集められ
る。
【0010】第2焦点3とほぼ焦点位置を共有するイン
プットレンズ4により、光束をほぼ平行にする。この平
行光束に直された光が、オプチカルインテグレータ5に
入射される。オプチカルインテグレータ5を通過するこ
とによって、光の照射均一性が向上される。オプチカル
インテグレータ5を出た光は、アウトプットレンズ6、
コールドミラー12を経て、コリメーションレンズ7に
よって集光される。この集光された光が、回路パターン
が形成されたマスク8上に重畳して当たるように照射さ
れる。なお、オプチカルインテグレータ5に入射された
光線は、場所による強度分布を有する。しかし、オプチ
カルインテグレータ5の各要素レンズから出る光はほぼ
等しく重畳されているので、マスク8上では照射強度が
ほぼ均一になる。
【0011】オプチカルインテグレータ5から出た光は
、特殊開口絞り100によって、リング状の照明系に形
成される。このリング状照明系によって、マスク8には
斜めから光が入射される。このリング状照明系による斜
め照射を用いると、光源の波長および投影光学系の開口
数を変化させることなく、従来の円形開口に比べて高解
像度および深い焦点深度が得られる。すなわち、従来の
円形開口では、解像度を低くする成分である入射角度の
小さい光の量が多くなる。これに対して、リング状照明
系では、入射角の小さい光の成分は減少し、解像度を高
くする成分である入射角の大きい成分が増加する。これ
によって、リング状照明系を用いた場合には解像度が高
くなり、これに伴なって、焦点深度も深くなる。リング
状照明系を用いた斜め照明では、照射光の入射角が大き
いほど解像度および焦点深度が向上する。
【0012】マスク8に照射された光は、投影光学系1
4に入射される。投影光学系14によって、マスク8の
パターンの像は、ウェハ15上のレジスト(図示せず)
に投影露光転写される。なお、投影光学系14内に設け
られた開口絞り16によって、開口数が決定される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
投影露光装置では、リング状照明系を形成する特殊開口
絞り100を用いることによって、解像度を低くさせる
成分である入射角の小さい成分を減少させていた。これ
により、解像度および焦点深度を向上させていた。
【0014】しかしながら、このようなリング状照明系
では、マスクのパターン形状によっては、あまり解像度
および焦点深度の向上を図ることができないという問題
点があった。すなわち、一般にマスク8のパターンは、
縦線、横線、傾き45゜の線および四角形のホールパタ
ーンの組合わせによって形成されている。このようなパ
ターンに、従来のリング状の照明を照射する場合には、
円形のホールパターンに対しては著しいいい効果を奏す
るが、縦線や横線に対しては解像度および焦点深度の向
上という効果は少なかった。つまり、縦線や横線を有す
るパターン形状にリング状の照明を照射する場合には、
入射角の小さい成分の減少量は少なかった。この結果、
従来のリング状照明系では解像度および焦点深度をあま
り向上させることはできなかった。
【0015】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、従来よりもさらに解像度および
焦点深度を向上させることが可能な投影露光装置を提供
することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】この発明における投影露
光装置は、光源と、光源から発した光を回路パターンが
形成されたマスク上に照射するための集光レンズ系と、
マスクを通過した光をウェハ表面に集光させるための投
影光学系と、光源と集光レンズ系との間に設けられ、光
源から発した光を成形するための透過領域および透過領
域内の中央部に光源から発した光を遮光するように形成
された遮光領域とを有する開口絞りとを備えた投影露光
装置であって開口絞りのうち、少なくとも遮光領域が、
マスクの回路パターン形状に沿った形状線を有すること
を特徴とする。
【0017】
【作用】この発明にかかる投影露光装置では、開口絞り
のうち少なくとも遮光領域がマスクの回路パターン形状
に沿った形状線を有するように形成されるので、従来の
リング状照明系の開口絞りを用いた場合に比べて、マス
クを照射する光のうち入射角の小さい成分が減少される
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面基づいて説明す
る。
【0019】図1は、本発明の第1の実施例による投影
露光装置の光学系の構成を示した概略図である。
【0020】図1を参照して、本実施例の投影露光装置
は、光源であるランプ1と、ランプ1から発せられた光
を反射するための楕円反射鏡2と、楕円反射鏡2によっ
て反射された光を反射するためのコールドミラー11と
、コールドミラー11によって反射された光が入射する
インプットレンズ4と、インプットレンズ4を通過した
光が入射するフィルタ10と、フィルタ10を通過した
光が入射されるオプチカルインテグレータ5と、オプチ
カルインテグレータ5を通過した光を所定の照射形状に
成形するための特殊開口絞り20と、特殊開口絞り20
を通過した光が入射されるアウトプットレンズ6と、ア
ウトプットレンズ6を通過した光を反射するためのコー
ルドミラー12と、コールドミラー12によって反射さ
れた光が入射されるコリメーションレンズ7とを備えて
いる。上記ランプ1、楕円反射鏡2、インプットレンズ
4、オプチカルインテグレータ5、アウトプットレンズ
6、コリメーションレンズ7、フィルタ10およびコー
ルドミラー11,12は、ランプハウス13内に収納さ
れている。
【0021】本実施例の投影露光装置は、さらに、コリ
メーションレンズ7を通過した光が重畳して照射され、
回路パターンが形成されたマスク8と、マスク8を通過
した光が入射され、マスク8のパターンの像をウェハ1
0上のレジストに投影露光するための投影光学系14と
を備えている。投影光学系14は、その中に開口数を決
定する開口絞り16が設けられている。また、投影光学
系14は、レンズ、ミラーまたはそれらの組合わせによ
って構成されている。なお、インプットレンズ4、オプ
チカルインテグレータ5、フィルタ10およびコールド
ミラー11、12の役割は従来と同様である。
【0022】図2は、図1に示した第1の実施例で用い
られた特殊開口絞りを示した部分拡大図である。
【0023】図2を参照して、本実施例の特殊開口絞り
20は、光を透過する透過領域21と、光を遮光する遮
光領域22とから構成されている。そして、遮光領域2
2は正方形の形状を有しており、透過領域21は円形の
形状を有している。
【0024】図3は、図2に示した特殊開口絞りの使用
態様を説明するための概略図である。図4は、従来の投
影露光装置で用いられていた特殊開口絞りの使用態様を
説明するための概略図である。
【0025】図1〜図4を参照して、次に本実施例の投
影露光装置の動作について説明する。まず、基本的な動
作は、図9に示した従来の投影露光装置と同様である。
【0026】ここで、図3を参照して、オプチカルイン
テグレータ5からマスク8までを抜粋したものが示され
ている。矢印51bは、マスク8のパターンを構成する
縦線、横線の方向を示している。
【0027】マスク8は、矢印51bが示す方向と、特
殊開口絞り20を構成する正方形の遮光領域22の縦横
の辺とがそれぞれ平行になるように設置する。このよう
に構成することによって、特殊開口絞り20を透過した
光線50bは、図3に示すように、アウトプットレンズ
6、コールドミラー12およびコリメーションレンズ7
を介してマスク8に照射される。
【0028】ここで、図3に示した本実施例の特殊開口
絞りを用いた投影露光装置と、図4に示した従来の特殊
開口絞りを用いた投影露光装置とを比較する。図4に示
した従来の特殊開口絞り100では、領域40は光を透
過する透過領域101に属する。したがって、オプチカ
ルインテグレータ5からの光は領域40を通過する。こ
の領域40を通過した光線50aは、図4に示すように
、アウトプットレンズ6、コールドミラー12およびコ
リメイションレンズ7を介してマスク8に照射される。 ここで、図4に示した光線50aと図3に示した光線5
0bとを比較すると、光線50bの方がマスク8に入射
する入射角が小さいことがわかる。すなわち、図3に示
した第1の実施例では、正方形の遮光領域22を有する
特殊開口絞り20を用いることにより、マスク8への光
の入射角の小さい成分の量を図4に示した特殊開口絞り
100に比べて減少させることができる。この結果、図
3に示した本実施例の投影露光装置では、従来の比べて
斜め照射の効果が大きくなる。これにより、従来に比べ
て解像度および焦点深度を向上させることができる。
【0029】図5は、本発明の第2の実施例による特殊
開口絞りを示した平面図である。図5を参照して、この
第2の実施例の特殊開口絞り60は、透過領域61によ
って囲まれた遮光領域62の形状が正八角形になるよう
に形成されている。この正八角形の遮光領域62は、マ
スクパターンに傾き45゜の線が含まれている場合に有
効である。
【0030】図6は、図5に示した特殊開口絞りの使用
態様を説明するための概略図である。図6を参照して、
この第2の実施例の特殊開口絞り60を用いる場合には
、光線50cのような透過光線が発生する。この光線5
0cは、アウトプットレンズ6、コールドミラー12お
よびアウトプットレンズ7を介してマスク8に照射され
る。マスク8には、矢印51cに示すように、傾き45
゜の形状線を有するマスクパターンが形成されている。 この傾き45゜の形状を有するマスクパターンに、光線
50cが入射する場合にも、従来のリング状照明系に比
べてマスク8への入射角の小さい光の成分を減少させる
ことができる。なお、この第2の実施例の正八角形の遮
光領域62を有する特殊開口絞り60では、図2に示し
た正方形の遮光領域22を有する特殊開口絞り20に比
べると、入射角度の小さい成分の量を減少させる効果は
少ない。
【0031】図7は、本発明の第3の実施例による特殊
開口絞りを示した平面図である。図7を参照して、この
第3の実施例では、特殊開口絞り70は、正方形の透過
領域71と、透過領域71によって囲まれた正方形の遮
光領域72とを備えている。
【0032】図8は、本発明の第4の実施例による特殊
開口絞りを示した平面図である。図8を参照して、この
第4の実施例の特殊開口絞り80は、正八角形の透過領
域81と、透過領域81によって囲まれた正八角形の遮
光領域82とを備えている。
【0033】上記第1〜第4の実施例に示したように、
本発明ではマスク8に形成される回路パターンの形状に
よって、その形状に適合した種々の形状を有する特殊開
口絞りを形成する。これにより、従来のリング状照明系
を用いた場合に比べて、マスク8への照射光のうち、入
射角度の小さい成分がより減少される。この結果、斜め
照射の効果が大きくなり、従来より解像度および焦点深
度を向上させることができる。
【0034】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、開口
絞りのうち少なくとも遮光領域を回路パターン形状に沿
った形状線を有するように形成することにより、従来の
リング状照明系の開口絞りを用いた場合に比べてマスク
を照射する光のうち入射角の小さい成分が減少されるの
で、従来よりもさらに解像度および焦点深度を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による投影露光装置の光
学系の構成を示した概略図である。
【図2】図1に示した第1の実施例で用いられた特殊開
口絞りを示した部分拡大図である。
【図3】図2の示した特殊開口絞りの使用態様を説明す
るための概略図である。
【図4】従来の投影露光装置で用いられていた特殊開口
絞りの使用態様を説明するための概略図である。
【図5】本発明の第2の実施例による特殊開口絞りを示
した平面図である。
【図6】図5に示した特殊開口絞りの使用態様を説明す
るための概略図である。
【図7】本発明の第3の実施例による特殊開口絞りを示
した平面図である。
【図8】本発明の第4の実施例による特殊開口絞りを示
した平面図である。
【図9】従来の開示された投影露光装置の光学系の構成
を示した概略図である。
【図10】図9に示した従来の投影露光装置に用いられ
る特殊開口絞りを示す平面図である。
【符号の説明】
1:ランプ 2:楕円反射鏡 3:楕円反射鏡の第2焦点 4:インプットレンズ 5:オプチカルインテグレータ 6:アウトプットレンズ 7:コリメーションレンズ 8:マスク 10:フィルタ 11:コールドミラー 12:コールドミラー 13:ランプハウス 14:投影光学系 15:ウェハ 16:開口絞り 20:特殊開口絞り 21:透過領域 22:遮光領域 60:特殊開口絞り 70:特殊開口絞り 80:特殊開口絞り なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  光源と、前記光源から発した光を、回
    路パターンが形成されたマスク上に照射するための集光
    レンズ系と、前記マスクを通過した光をウェハ表面に集
    光させるための投影光学系と、前記光源と前記集光レン
    ズ系との間に設けられ、前記光源から発した光を成形す
    るための透過領域と、前記透過領域内の中央部に前記光
    源から発した光を遮光するように形成された遮光領域と
    を有する開口絞りとを備えた投影露光装置であって、前
    記開口絞りのうち、少なくとも前記遮光領域が、前記マ
    スクの回路パターン形状に沿った形状線を有することを
    特徴とする、投影露光装置。
JP3145726A 1991-06-18 1991-06-18 投影露光装置 Pending JPH04369208A (ja)

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JP3145726A JPH04369208A (ja) 1991-06-18 1991-06-18 投影露光装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06325998A (ja) * 1993-05-14 1994-11-25 Nec Corp 投影露光方法および装置
JPH0786142A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Nec Corp 投影露光装置
CN103473771A (zh) * 2013-09-05 2013-12-25 上海理工大学 一种摄相机标定方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06325998A (ja) * 1993-05-14 1994-11-25 Nec Corp 投影露光方法および装置
JPH0786142A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Nec Corp 投影露光装置
US5452053A (en) * 1993-09-16 1995-09-19 Nec Corporation Wafer stepper
CN103473771A (zh) * 2013-09-05 2013-12-25 上海理工大学 一种摄相机标定方法

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