JPH04359932A - 加速プラズマ又はイオンによる表面改質 - Google Patents
加速プラズマ又はイオンによる表面改質Info
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- 238000012986 modification Methods 0.000 title abstract description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 title abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 97
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 27
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 15
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 229920006126 semicrystalline polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 48
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 146
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 14
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 13
- 229920006378 biaxially oriented polypropylene Polymers 0.000 description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010963 304 stainless steel Substances 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 1
- 229910021543 Nickel dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910000589 SAE 304 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002505 iron Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006284 nylon film Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 210000003720 plasmablast Anatomy 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M thallium(i) bromide Chemical compound [Tl]Br PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006345 thermoplastic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/267—Marking of plastic artifacts, e.g. with laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0866—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation
- B29C2035/0872—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation using ion-radiation, e.g. alpha-rays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/90—Ion implanted
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ若しくはイオン
のパルス、又はプラズマ若しくはイオンの走査ビームを
対象物の表面層に投射して、化学的、結晶形態的又は物
理的に表面層を改質することに関する。
のパルス、又はプラズマ若しくはイオンの走査ビームを
対象物の表面層に投射して、化学的、結晶形態的又は物
理的に表面層を改質することに関する。
【0002】
【従来の技術】電磁投波器(EML)と称される大型金
属質量加速器の考えは1800年代の後半には証明され
ており、そして二つの電流のループ間の反撥を利用して
いた。この種の発射装置は、今日でも基礎物理の電磁反
撥現象を説明するために、依然として用いられている。
属質量加速器の考えは1800年代の後半には証明され
ており、そして二つの電流のループ間の反撥を利用して
いた。この種の発射装置は、今日でも基礎物理の電磁反
撥現象を説明するために、依然として用いられている。
【0003】ガンとしてのこのEMLの利用は、19世
紀の終りから20世紀の初めにかけてみられ、多くのコ
イルを巻いたソレノイド型加速器及び積層鉄発射体から
成り立っていた。この方法による大型ソリッド発射ガン
を製造しようとする多くの試みは、その発生の困難性及
び必要とする大量の電力のスイッチの点から、失敗に終
っていた。
紀の終りから20世紀の初めにかけてみられ、多くのコ
イルを巻いたソレノイド型加速器及び積層鉄発射体から
成り立っていた。この方法による大型ソリッド発射ガン
を製造しようとする多くの試みは、その発生の困難性及
び必要とする大量の電力のスイッチの点から、失敗に終
っていた。
【0004】発射体を加速するために使用される他の公
知のEMLは、レールガンである。この装置は、滑り導
体を有する二つの平行した導通レールから成っている。 発射体はレールに対して垂直に接触して設置される。電
流は滑走導体を通して一方のレールから流し、次いで第
二のレールに通して電磁場を発生させて、滑り導体に作
用して押しそしてレールに沿ってそれを加速する。
知のEMLは、レールガンである。この装置は、滑り導
体を有する二つの平行した導通レールから成っている。 発射体はレールに対して垂直に接触して設置される。電
流は滑走導体を通して一方のレールから流し、次いで第
二のレールに通して電磁場を発生させて、滑り導体に作
用して押しそしてレールに沿ってそれを加速する。
【0005】この装置は、高電流を必要とし、金属と金
属との接触が不確実でありそして過激なアークとなるの
で、滑り導体の問題が生ずる。レールガンに関する次の
発展は、プラズマの使用であった。これは滑り金属の接
触を不必要とし、そして発射体を推進した。現代のレー
ルガンの研究は、主としてこの分野におかれている。
属との接触が不確実でありそして過激なアークとなるの
で、滑り導体の問題が生ずる。レールガンに関する次の
発展は、プラズマの使用であった。これは滑り金属の接
触を不必要とし、そして発射体を推進した。現代のレー
ルガンの研究は、主としてこの分野におかれている。
【0006】レールガンの比較的最近の改良として、同
軸プラズマガンがある。高エネルギーの放電を利用する
同軸電極は、1960年代の初期から存在していた。こ
のような装置は通常減圧の状態で操作され、プラズマを
発生するための作用物質として、静電ガス予備充填(s
tatic gas pre fill)又はパフガス
を使用する。例えば蓄電器内にあるエネルギーは電極に
接続してガスを分解し、この結果のローレンス力(Lo
rentz force )によって、ガンを加速する
高度のイオン化プラズマを形成する。
軸プラズマガンがある。高エネルギーの放電を利用する
同軸電極は、1960年代の初期から存在していた。こ
のような装置は通常減圧の状態で操作され、プラズマを
発生するための作用物質として、静電ガス予備充填(s
tatic gas pre fill)又はパフガス
を使用する。例えば蓄電器内にあるエネルギーは電極に
接続してガスを分解し、この結果のローレンス力(Lo
rentz force )によって、ガンを加速する
高度のイオン化プラズマを形成する。
【0007】このような電磁プラズマ加速器は、主とし
て二つの適用、すなわち反撥作用と核融合ということか
ら、1960年は強力に発展した。この種の最終目標は
高速度パルスのプラズマを効率よく発生させることであ
る。静電ガス予備充填の方式は、プラズマの焦点を高密
度化し、そして融合の適用に有用である。パフガスの方
式は、直接のプラズマの強打を形成し、そして宇宙船の
姿勢制御ロケットの適用に有用である。この分野では、
高電力スイッチの新たな応用並びにX−線、イオン及び
電子の線源として発展を続けている。
て二つの適用、すなわち反撥作用と核融合ということか
ら、1960年は強力に発展した。この種の最終目標は
高速度パルスのプラズマを効率よく発生させることであ
る。静電ガス予備充填の方式は、プラズマの焦点を高密
度化し、そして融合の適用に有用である。パフガスの方
式は、直接のプラズマの強打を形成し、そして宇宙船の
姿勢制御ロケットの適用に有用である。この分野では、
高電力スイッチの新たな応用並びにX−線、イオン及び
電子の線源として発展を続けている。
【0008】フギアス氏等の“同軸プラズマガンによる
AISI304ステンレス鋼の窒素の注入”(応用物理
誌、第64巻(5)、9月号第2648頁、1988年
)において、イオン注入として同軸プラズマガンの如き
が記載され、そして得られた注入ステンレス鋼は処理し
ないものと比べて耐摩耗性を有するとしている。
AISI304ステンレス鋼の窒素の注入”(応用物理
誌、第64巻(5)、9月号第2648頁、1988年
)において、イオン注入として同軸プラズマガンの如き
が記載され、そして得られた注入ステンレス鋼は処理し
ないものと比べて耐摩耗性を有するとしている。
【0009】スコロゥスキー氏の“反応性パルスプラズ
マによる結晶化に関するウルツ型窒化硼素の沈着”(結
晶成長誌、第46巻、第136頁、1979年)におい
て、同軸プラズマ発生器を使用して窒化硼素の薄い層の
結晶化に関する科学的研究が報告されている。
マによる結晶化に関するウルツ型窒化硼素の沈着”(結
晶成長誌、第46巻、第136頁、1979年)におい
て、同軸プラズマ発生器を使用して窒化硼素の薄い層の
結晶化に関する科学的研究が報告されている。
【0010】イオン注入は或る期間、金属、重合体及び
塗膜の如き物質の表面特性を改質するために用いられて
きた。直接のイオンビームの使用による接着性の改善、
繊維の生成、摩耗性又は引掻性の改良、及び光透過性の
増大について、報告されている。下に置かれた半結晶質
重合体を溶融して接着性を改善することに関し、イオン
沈着法は今日まで使用されていない。イオン注入は重合
体を溶融することなくして、架橋又は品質の低下を来た
す。
塗膜の如き物質の表面特性を改質するために用いられて
きた。直接のイオンビームの使用による接着性の改善、
繊維の生成、摩耗性又は引掻性の改良、及び光透過性の
増大について、報告されている。下に置かれた半結晶質
重合体を溶融して接着性を改善することに関し、イオン
沈着法は今日まで使用されていない。イオン注入は重合
体を溶融することなくして、架橋又は品質の低下を来た
す。
【0011】別個の表面層の改質方法も良く知られてい
る。例えばE−ビーム、コロナ及びプラズマ処理は、塗
膜の表面層への接着性の改善、表面層の腐蝕処理及び表
面層の化学的性質の改善に利用される。このような方法
は、イオン注入法と同様に、連続的又は長いパルス幅の
いづれかであって、この低エネルギー束は低熱伝達率と
なり、そして本発明における例としての表面層改質には
適切でない。
る。例えばE−ビーム、コロナ及びプラズマ処理は、塗
膜の表面層への接着性の改善、表面層の腐蝕処理及び表
面層の化学的性質の改善に利用される。このような方法
は、イオン注入法と同様に、連続的又は長いパルス幅の
いづれかであって、この低エネルギー束は低熱伝達率と
なり、そして本発明における例としての表面層改質には
適切でない。
【0012】この処理の殆んどは、かなり概略的に重合
体の表面層に影響を与え、そして生じる熱変性は重合体
の本体において生じ、それはその表面層においてではな
い。本発明方法は、短パルス幅、高い流れ及び高強度な
ので物質の薄い表面部分を処理し、物質の本体の物理的
又は化学的性質には影響を与えないので、表面層改質を
行う初期の方法よりずっと優れている。
体の表面層に影響を与え、そして生じる熱変性は重合体
の本体において生じ、それはその表面層においてではな
い。本発明方法は、短パルス幅、高い流れ及び高強度な
ので物質の薄い表面部分を処理し、物質の本体の物理的
又は化学的性質には影響を与えないので、表面層改質を
行う初期の方法よりずっと優れている。
【0013】米国特許第4,822,451号(オウダ
ーキルク等)には、例えばエクサイマーレーザーの如き
高エネルギーパルスを照射して、所定の重合体の表面部
分を準非晶質にする半結晶質重合体の表面層改質の方法
が開示されている。この方法は本質的にはエネルギー伝
達のみを教示する(最大粒子マス(mass)はe−ビ
ーム照射である)。
ーキルク等)には、例えばエクサイマーレーザーの如き
高エネルギーパルスを照射して、所定の重合体の表面部
分を準非晶質にする半結晶質重合体の表面層改質の方法
が開示されている。この方法は本質的にはエネルギー伝
達のみを教示する(最大粒子マス(mass)はe−ビ
ーム照射である)。
【0014】ギュライ氏等の“パルスイオン注入の比較
”(核装置及びその物理的研究、B37/38、第27
5〜279頁、1989年)には、物質のドーピング及
びアニールに関するパルスイオンの効果の実験的探究が
開示されている。金属セラミックス及び有機物質はパル
スイオンの標的と考えられている。一般に少なくとも1
000度数のパルスが使用され、そしてこの研究では主
として硼素イオンが使用された。この研究では一般論と
して有機物の表面層について記載されているが、主とし
て金属面及び半導体面について行われている。
”(核装置及びその物理的研究、B37/38、第27
5〜279頁、1989年)には、物質のドーピング及
びアニールに関するパルスイオンの効果の実験的探究が
開示されている。金属セラミックス及び有機物質はパル
スイオンの標的と考えられている。一般に少なくとも1
000度数のパルスが使用され、そしてこの研究では主
として硼素イオンが使用された。この研究では一般論と
して有機物の表面層について記載されているが、主とし
て金属面及び半導体面について行われている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明は高強度のプラ
ズマ若しくは高流量のイオンを含むプラズマ若しくはイ
オンのパルス、又はプラズマ若しくはイオンの走査ビー
ムに関する方法であって、気体、液体若しくは固体源か
ら発生するプラズマを利用して、荷電又は中性粒子を物
体の薄い表面層に衝撃し、該表面層の化学的、結晶形態
的、位相的性質又は密度を変えることに関する。
ズマ若しくは高流量のイオンを含むプラズマ若しくはイ
オンのパルス、又はプラズマ若しくはイオンの走査ビー
ムに関する方法であって、気体、液体若しくは固体源か
ら発生するプラズマを利用して、荷電又は中性粒子を物
体の薄い表面層に衝撃し、該表面層の化学的、結晶形態
的、位相的性質又は密度を変えることに関する。
【0016】この表面層改質方法は、重合体の薄い層又
は支持体上の塗膜を急速に加熱する手段を提供するもの
であって、パルスイオン源又はパルスプラズマ源を利用
する。このような線源は同軸プラズマガンとされるもの
で、この種の方法において今日まで使用されたことがな
い新規なものである。本発明の他の面は、このような方
法によって得られた種々の表面層改質物に関し、またこ
のようなパルスによる表面層の融蝕する方法に関する。
は支持体上の塗膜を急速に加熱する手段を提供するもの
であって、パルスイオン源又はパルスプラズマ源を利用
する。このような線源は同軸プラズマガンとされるもの
で、この種の方法において今日まで使用されたことがな
い新規なものである。本発明の他の面は、このような方
法によって得られた種々の表面層改質物に関し、またこ
のようなパルスによる表面層の融蝕する方法に関する。
【0017】
【課題を解決するための手段】プラズマ若しくは高エネ
ルギーイオンのパルス、又は直接のビーム(例えば走査
ビーム)は、種々の利点を伴って表面層部分に投射する
ことができる。パルスは種々の表面層を融蝕若しくは腐
蝕し、又は表面層に書き入れることに使用することがで
きる。このパルスは、特に有機物の表面層、より好まし
くは有機合成重合体の表面層の化学的又は物理的性質を
変えるために使用される。パルスは半結晶質重合体の結
晶状態を変え、また或る種の重合体では、架橋剤の存在
がなくても表面層の或る部分では架橋する。本発明は、
これ等に関し、またパルスの投射による効果についても
、明らかにする。
ルギーイオンのパルス、又は直接のビーム(例えば走査
ビーム)は、種々の利点を伴って表面層部分に投射する
ことができる。パルスは種々の表面層を融蝕若しくは腐
蝕し、又は表面層に書き入れることに使用することがで
きる。このパルスは、特に有機物の表面層、より好まし
くは有機合成重合体の表面層の化学的又は物理的性質を
変えるために使用される。パルスは半結晶質重合体の結
晶状態を変え、また或る種の重合体では、架橋剤の存在
がなくても表面層の或る部分では架橋する。本発明は、
これ等に関し、またパルスの投射による効果についても
、明らかにする。
【0018】米国特許第4,879,176号(オーダ
キルク等)には、特殊な薄い準非晶質の表面層に関して
記載され、また米国特許第4,822,451号(オー
ダキルク等)には、このような表面層を製造する方法が
記載されている。この準非晶質表面層は、十分な強さと
エネルギー密度の照射であって、非常に短時間に重合体
の表面層のみを急速に加熱して形成される。ここでの方
法は準非晶質部分の形成に効果を有する質量移動(ma
ss transfer )及びエネルギー移動の同時
の使用について教示も、示唆もされていない。
キルク等)には、特殊な薄い準非晶質の表面層に関して
記載され、また米国特許第4,822,451号(オー
ダキルク等)には、このような表面層を製造する方法が
記載されている。この準非晶質表面層は、十分な強さと
エネルギー密度の照射であって、非常に短時間に重合体
の表面層のみを急速に加熱して形成される。ここでの方
法は準非晶質部分の形成に効果を有する質量移動(ma
ss transfer )及びエネルギー移動の同時
の使用について教示も、示唆もされていない。
【0019】本発明は表面部分を処理しそして変性する
方法に関し、また(半結晶質の適当な表面上に)準非晶
質表面層を形成し、更に支持体上の被膜物質と同様に重
合体にその表面層の改質を行う方法に関する。本願方法
はプラズマ又はイオン投射装置を用いるもので、特に好
ましいのは気体、液体又は固体源から発生する加速プラ
ズマ源としての同軸プラズマガン(例えばレールガン)
である。
方法に関し、また(半結晶質の適当な表面上に)準非晶
質表面層を形成し、更に支持体上の被膜物質と同様に重
合体にその表面層の改質を行う方法に関する。本願方法
はプラズマ又はイオン投射装置を用いるもので、特に好
ましいのは気体、液体又は固体源から発生する加速プラ
ズマ源としての同軸プラズマガン(例えばレールガン)
である。
【0020】本発明の方法は、適当な抑制のもとに、重
合体(又は重合体の表面層の物質)を腐蝕し、重合体の
表面層を溶融し、前述したように重合体の準非晶質表面
層を製造し、或る種の重合体(例えば、特にポリエチレ
ンテレフタレート及び弗素化ポリエステル)の表面層の
架橋、重合体の表面層に化学的性質を付与又は改変し、
重合体の表面層の密着性を改善し、そして重合体の塗布
した被膜層又は表面層を腐蝕するために用いることがで
きる。
合体(又は重合体の表面層の物質)を腐蝕し、重合体の
表面層を溶融し、前述したように重合体の準非晶質表面
層を製造し、或る種の重合体(例えば、特にポリエチレ
ンテレフタレート及び弗素化ポリエステル)の表面層の
架橋、重合体の表面層に化学的性質を付与又は改変し、
重合体の表面層の密着性を改善し、そして重合体の塗布
した被膜層又は表面層を腐蝕するために用いることがで
きる。
【0021】また種々の支持体の有機分散塗膜や無機結
晶性塗膜を焼結したり、また無機質塗膜をアニールする
ために用いることもできる。この方法は目標とする表面
層に少なくとも1個(例えば水素原子1個)の分子量を
有するプラズマの投射が必要である。
晶性塗膜を焼結したり、また無機質塗膜をアニールする
ために用いることもできる。この方法は目標とする表面
層に少なくとも1個(例えば水素原子1個)の分子量を
有するプラズマの投射が必要である。
【0022】本発明の処理を行うに際し、エネルギー源
について二つの必要な条件がある。両者は高い強度(単
位面積当り高いパワー)及び高エネルギー密度が必要で
ある。大変短かい時間での薄い表面層に生じた実質的熱
量は、パルスである短かい増分(increment)
が表面層に留まることを確実にするために必要な要件で
ある。この要件により、表面層にエネルギーを集中する
ことの効果がある。
について二つの必要な条件がある。両者は高い強度(単
位面積当り高いパワー)及び高エネルギー密度が必要で
ある。大変短かい時間での薄い表面層に生じた実質的熱
量は、パルスである短かい増分(increment)
が表面層に留まることを確実にするために必要な要件で
ある。この要件により、表面層にエネルギーを集中する
ことの効果がある。
【0023】薄い処理層から本体への熱拡散は、エネル
ギー濃度を減少させ、そしてこの方法の効力を減少させ
ることになる。それ故に、処理の間わずかに少ない熱が
本体に消散することが必要である。大量の熱が本体に移
行すると、本願方法は機能しなくなるので、表面層の処
理の間、本体に熱がより大量に移行する程、本願方法は
より効率が小さくなる。このような理由から、火炎処理
、低又は中程度のイオン注入、通常の紫外線、コロナ処
理、スパッタ及び蒸着処理等の如き非パルス又は長パル
ス幅のエネルギー源は使用できない。
ギー濃度を減少させ、そしてこの方法の効力を減少させ
ることになる。それ故に、処理の間わずかに少ない熱が
本体に消散することが必要である。大量の熱が本体に移
行すると、本願方法は機能しなくなるので、表面層の処
理の間、本体に熱がより大量に移行する程、本願方法は
より効率が小さくなる。このような理由から、火炎処理
、低又は中程度のイオン注入、通常の紫外線、コロナ処
理、スパッタ及び蒸着処理等の如き非パルス又は長パル
ス幅のエネルギー源は使用できない。
【0024】イオン又はプラズマの高エネルギーパルス
は、磁気又は静電加速器のいづれかによって、生成する
ことができる。この種のもののうち、次に示す装置が表
面層熱改質の線源として使用することができる。 静電加速器 イオンビーム加速器 磁気的に絶縁されたイオンダイオード。 磁気加速器 同軸プラズマガン(レールガン) 磁気利用のプラズマ衝撃発生器。
は、磁気又は静電加速器のいづれかによって、生成する
ことができる。この種のもののうち、次に示す装置が表
面層熱改質の線源として使用することができる。 静電加速器 イオンビーム加速器 磁気的に絶縁されたイオンダイオード。 磁気加速器 同軸プラズマガン(レールガン) 磁気利用のプラズマ衝撃発生器。
【0025】イオンビーム加速器
イオンビーム加速器はプラズマイオン源、静電加速グリ
ッド及びプレート、並びにビーム焦点及び走査光学から
成立っている。静電加速器は通常低又は中程度のイオン
ビームを発生するのに使用され、それ故一般には熱表面
改質には有用でない。イオンビームの適用は、一般には
イオン注入及びドーピングの如き強力な方法、及びアニ
ールの如き中程度の方法に使用される。
ッド及びプレート、並びにビーム焦点及び走査光学から
成立っている。静電加速器は通常低又は中程度のイオン
ビームを発生するのに使用され、それ故一般には熱表面
改質には有用でない。イオンビームの適用は、一般には
イオン注入及びドーピングの如き強力な方法、及びアニ
ールの如き中程度の方法に使用される。
【0026】イオンビームの強度は、焦点を合すか又は
イオンのバンチングによって増加することができる。こ
の科学技術は核融合に対して発展した。高強度のビーム
は、本発明において開示している如き技術分野において
は今日まで公然とは決して使用されることがなかった。
イオンのバンチングによって増加することができる。こ
の科学技術は核融合に対して発展した。高強度のビーム
は、本発明において開示している如き技術分野において
は今日まで公然とは決して使用されることがなかった。
【0027】高強度のパルス又は急速な走査イオンビー
ムは、非晶質化、非金属化及び融蝕による腐蝕のために
使用することができる。少なくとも10,000W/c
m2 は、半結晶質重合体の1ミクロメータの非晶質化
に必要である。塗膜又は重合体の融蝕による腐蝕は、そ
の約10倍の出力密度(例えば105 W/cm2 以
上)が必要である。高強度イオンビームは、本発明にお
いて記載した条件を適用して、重合体又は重合体の塗膜
にマスクを用いず画像を形成するために使用することが
できる。
ムは、非晶質化、非金属化及び融蝕による腐蝕のために
使用することができる。少なくとも10,000W/c
m2 は、半結晶質重合体の1ミクロメータの非晶質化
に必要である。塗膜又は重合体の融蝕による腐蝕は、そ
の約10倍の出力密度(例えば105 W/cm2 以
上)が必要である。高強度イオンビームは、本発明にお
いて記載した条件を適用して、重合体又は重合体の塗膜
にマスクを用いず画像を形成するために使用することが
できる。
【0028】磁気的に絶縁されたイオンダイオード50
−500,000keV のイオンエネルギーである5
0−1000ナノセカンドのイオンビームを生成する装
置が良く改善されている。これは多分最善の同軸プラズ
マガンの代換物である。
−500,000keV のイオンエネルギーである5
0−1000ナノセカンドのイオンビームを生成する装
置が良く改善されている。これは多分最善の同軸プラズ
マガンの代換物である。
【0029】イオンダイオードは2個の電極物で、プレ
ート及びグリッドから成っている。プラズマは電極間の
空間で生成され、そしてイオンはグリッドに与えた高電
圧陽電荷のパルスによって引き出され、加速される。イ
オンに移行するエネルギー量を増加させるため、磁場は
電子が捕捉されるプレートの近くに置かれる。
ート及びグリッドから成っている。プラズマは電極間の
空間で生成され、そしてイオンはグリッドに与えた高電
圧陽電荷のパルスによって引き出され、加速される。イ
オンに移行するエネルギー量を増加させるため、磁場は
電子が捕捉されるプレートの近くに置かれる。
【0030】融蝕沈着にイオンダイオードを使用するこ
とは公知の事実である(グライ共著、物理的研究におけ
る核装置及び方法における、“パルスイオン注入の比較
”、B37/38、第275−279頁、1989年参
照)。しかしながら、重合体フィルム又は重合体フィル
ム上の塗膜にイオンダイオードを使用して適用すること
は、今日まで知られていない。
とは公知の事実である(グライ共著、物理的研究におけ
る核装置及び方法における、“パルスイオン注入の比較
”、B37/38、第275−279頁、1989年参
照)。しかしながら、重合体フィルム又は重合体フィル
ム上の塗膜にイオンダイオードを使用して適用すること
は、今日まで知られていない。
【0031】電磁駆動による衝撃チューブこの種のもの
は、同軸プラズマガン、レールガンを含み、またプラズ
マ衝撃波を発生するために通常使用される種々の装置も
、これに含まれる。この種の装置すべてにおける駆動機
構は、電極からの電流の流れによって生じた磁場とプラ
ズマとの間の相互反撥である。
は、同軸プラズマガン、レールガンを含み、またプラズ
マ衝撃波を発生するために通常使用される種々の装置も
、これに含まれる。この種の装置すべてにおける駆動機
構は、電極からの電流の流れによって生じた磁場とプラ
ズマとの間の相互反撥である。
【0032】本発明において使用される装置は、一般に
T−チューブ、円錐衝撃チューブ及び磁気的に駆動され
る表面層荷電装置として知られているものである。同軸
プラズマガンと同様、これらの加速器はプラズマを駆動
して非常に高速度にする。これらの装置で使用される機
構は、本発明における同軸プラズマガンの動作と同じで
ある。
T−チューブ、円錐衝撃チューブ及び磁気的に駆動され
る表面層荷電装置として知られているものである。同軸
プラズマガンと同様、これらの加速器はプラズマを駆動
して非常に高速度にする。これらの装置で使用される機
構は、本発明における同軸プラズマガンの動作と同じで
ある。
【0033】同軸プラズマガン
同軸プラズマガン及びレールガンは次に示す文献に記載
され良く知られている。実験物理、第9巻、第1章、1
970年アカデミック社。電磁駆動による衝撃チューブ
について記載されている。“同軸プラズマガンによるA
ISI304ステンレス鋼の窒素の注入”フォーゲス等
、応用物理誌、第64(5)巻、第2648−2651
頁、1988年9月1日。鉄鋼の硬度の改良に関するイ
オン注入について論証している。
され良く知られている。実験物理、第9巻、第1章、1
970年アカデミック社。電磁駆動による衝撃チューブ
について記載されている。“同軸プラズマガンによるA
ISI304ステンレス鋼の窒素の注入”フォーゲス等
、応用物理誌、第64(5)巻、第2648−2651
頁、1988年9月1日。鉄鋼の硬度の改良に関するイ
オン注入について論証している。
【0034】“反応性パルスプラズマ結晶化によるウル
ツ型BN層の沈着”ソコロスキー著、結晶成長誌、第4
6巻、第136−138頁(1979)、線源として電
極を使用し、支持体上のダイヤモンド、BN及びAl2
O3 の薄い結晶性被膜の成長に関する一連の報告に
ついてであり、ガス層の化学又は支持体上の薄い被膜の
改質にも関連している。
ツ型BN層の沈着”ソコロスキー著、結晶成長誌、第4
6巻、第136−138頁(1979)、線源として電
極を使用し、支持体上のダイヤモンド、BN及びAl2
O3 の薄い結晶性被膜の成長に関する一連の報告に
ついてであり、ガス層の化学又は支持体上の薄い被膜の
改質にも関連している。
【0035】イオンダイオード
“パルスイオン注入の比較”(上述した)には、パルス
イオン注入、半導体アニール及びドーピング、有機レジ
スト硬化及び導電性重合体の製造に関して記載されてい
る。レジスト硬化及び導電性の増大を含むこの方法は、
詳細には説明されていない。本発明に一番近い分野であ
るレジスト硬化は、数百回のパルスを必要とし、従って
本発明における架橋より、大変異なる状態となる。
イオン注入、半導体アニール及びドーピング、有機レジ
スト硬化及び導電性重合体の製造に関して記載されてい
る。レジスト硬化及び導電性の増大を含むこの方法は、
詳細には説明されていない。本発明に一番近い分野であ
るレジスト硬化は、数百回のパルスを必要とし、従って
本発明における架橋より、大変異なる状態となる。
【0036】“強力パルスイオンビームによる硫化亜鉛
の薄いフィルムの製法及びその特性”(シモトリ等著、
応用物理誌第63(3)巻、第968−970頁、19
88年2月1日)には、パルスイオンで硫化亜鉛標的を
融蝕して硫化亜鉛フィルムの融蝕沈着することが記載さ
れている。ここでは同軸ガンによる説明はない。同軸ガ
ンによる沈着は、より早く行われ、そして費用もより安
い。
の薄いフィルムの製法及びその特性”(シモトリ等著、
応用物理誌第63(3)巻、第968−970頁、19
88年2月1日)には、パルスイオンで硫化亜鉛標的を
融蝕して硫化亜鉛フィルムの融蝕沈着することが記載さ
れている。ここでは同軸ガンによる説明はない。同軸ガ
ンによる沈着は、より早く行われ、そして費用もより安
い。
【0037】同軸プラズマガンは本発明において選択で
きる装置であり、本願方法において必要とする短かいパ
ルス幅、高強度、高エネルギー密度を生成することがで
きる。所定の表面層を急速に熱励起するための効果ある
プラズマのパルス幅は、10ナノセカンドから1ミリセ
カンド又は100ミクロセカンドのいづれかの範囲であ
る。
きる装置であり、本願方法において必要とする短かいパ
ルス幅、高強度、高エネルギー密度を生成することがで
きる。所定の表面層を急速に熱励起するための効果ある
プラズマのパルス幅は、10ナノセカンドから1ミリセ
カンド又は100ミクロセカンドのいづれかの範囲であ
る。
【0038】本願方法において、処理すべき表面層を事
前に加熱しておくと、効果が増大する。プラズマ源の強
度は、1000ワット/cm2 以上、より好ましくは
100,000ワット/cm2 以上である。プラズマ
のエネルギー密度は、ガンと処理すべき物質との間の距
離を大きくすることができる。ガンの吐出エネルギーを
減少させて得たより低度のエネルギー密度は、1mJ/
cm2 から1,000J/cm2 の範囲でなくては
ならない。
前に加熱しておくと、効果が増大する。プラズマ源の強
度は、1000ワット/cm2 以上、より好ましくは
100,000ワット/cm2 以上である。プラズマ
のエネルギー密度は、ガンと処理すべき物質との間の距
離を大きくすることができる。ガンの吐出エネルギーを
減少させて得たより低度のエネルギー密度は、1mJ/
cm2 から1,000J/cm2 の範囲でなくては
ならない。
【0039】効果あるパルスは、走査による焦点ビーム
によって発生することができる。所定の面積上のビーム
の滞溜時間を調整することによって、本発明において必
要とするパルス流量とビームの効果が同じになる。繰り
返してのパルスは、その面積上の繰り返し走査により、
発生させても良い。多くの場合、1から5度数のパルス
で効果が十分であるが、1から10度数、又は1から2
0度数のパルスも別途の場合には必要となり、また融蝕
においては、1から500度数、又は1から1000度
数のパルスも必要となる。
によって発生することができる。所定の面積上のビーム
の滞溜時間を調整することによって、本発明において必
要とするパルス流量とビームの効果が同じになる。繰り
返してのパルスは、その面積上の繰り返し走査により、
発生させても良い。多くの場合、1から5度数のパルス
で効果が十分であるが、1から10度数、又は1から2
0度数のパルスも別途の場合には必要となり、また融蝕
においては、1から500度数、又は1から1000度
数のパルスも必要となる。
【0040】本発明の実施において有利に用いられる同
軸プラズマパフガンは、電気的及び機械的設計が通常の
ものであって、フォーギス等の“同軸プラズマガンによ
るAISI304ステンレス鋼の窒素注入”(応用物理
誌第64(5)巻9月号第2648頁、1988年)に
記載されているものと類似のものである。ガン自体は直
径1インチ(2.5センチ)の銅の棒から成り、1/1
6インチ(0.159センチ)の壁厚の銅管で、2イン
チ(5.1センチ)の中央部に存在する。
軸プラズマパフガンは、電気的及び機械的設計が通常の
ものであって、フォーギス等の“同軸プラズマガンによ
るAISI304ステンレス鋼の窒素注入”(応用物理
誌第64(5)巻9月号第2648頁、1988年)に
記載されているものと類似のものである。ガン自体は直
径1インチ(2.5センチ)の銅の棒から成り、1/1
6インチ(0.159センチ)の壁厚の銅管で、2イン
チ(5.1センチ)の中央部に存在する。
【0041】二つの電極は6インチ(15.24センチ
)の同じ長さのものである。ガンは高電圧スイッチ及び
加速器として作用する。自動燃料インゼクターから電気
的に発生するガスのパルスによって、まず始まる。この
ガスは、20から300psiの間の背圧にバルブを調
整し、そして0.2と10msの間のパルス幅に調整す
る。低いコンデンサー電圧では、より長いパルス幅が初
期の放電には必要である。
)の同じ長さのものである。ガンは高電圧スイッチ及び
加速器として作用する。自動燃料インゼクターから電気
的に発生するガスのパルスによって、まず始まる。この
ガスは、20から300psiの間の背圧にバルブを調
整し、そして0.2と10msの間のパルス幅に調整す
る。低いコンデンサー電圧では、より長いパルス幅が初
期の放電には必要である。
【0042】ガンは、1mトル(mTorr)以下、好
ましくは2×10−4トルの背圧において操作される。 一般にパルスの装置は0.8バー以下、0.4バー以下
、しばしば0.05バー以下で操作される。ガスパルス
は、外側の電極を支持しているフランジの後のPTFE
デスクによって放射状に分配され、ガンの二又の二つの
電極の間でギャプを埋め、電極の間の高場でイオン化さ
れ、そしてコンデンサーに放電し始まる。
ましくは2×10−4トルの背圧において操作される。 一般にパルスの装置は0.8バー以下、0.4バー以下
、しばしば0.05バー以下で操作される。ガスパルス
は、外側の電極を支持しているフランジの後のPTFE
デスクによって放射状に分配され、ガンの二又の二つの
電極の間でギャプを埋め、電極の間の高場でイオン化さ
れ、そしてコンデンサーに放電し始まる。
【0043】コンデンサーから電極及びプラズマを通し
ての電流の流れは、電磁的に同軸電極によって形成され
ているバレルを通ってプラズマを加速する。名目上1マ
イクロ秒間、500から1000Jのエネルギーである
プラズマパルスを、約100,000m/sの速度でガ
ンから発射し、ガウスの放射状エネルギー輪郭に近い約
30°の円錐形に拡散し、そして目的とする物質の表面
層に照射する。
ての電流の流れは、電磁的に同軸電極によって形成され
ているバレルを通ってプラズマを加速する。名目上1マ
イクロ秒間、500から1000Jのエネルギーである
プラズマパルスを、約100,000m/sの速度でガ
ンから発射し、ガウスの放射状エネルギー輪郭に近い約
30°の円錐形に拡散し、そして目的とする物質の表面
層に照射する。
【0044】プラズマはエネルギーを表面層に移行し、
表面層の温度を急速に上昇させ、そしてその強度とエネ
ルギー密度の度合に応じて効力を及ぼす。このプラズマ
は固体、液体又は気体物質からのもので、上述したよう
にプラズマ放電するのに使用される物質によって、不活
性であるか又は化学的に活性であるかとなる。加速され
たプラズマが物質に衝突すると、表面層は同時に数マイ
クロ秒間高温(10000K以上)及び高圧(10気圧
以上)になる。この方法は、照射した表面層に対し特殊
な構造と化学的変化をもたらす。
表面層の温度を急速に上昇させ、そしてその強度とエネ
ルギー密度の度合に応じて効力を及ぼす。このプラズマ
は固体、液体又は気体物質からのもので、上述したよう
にプラズマ放電するのに使用される物質によって、不活
性であるか又は化学的に活性であるかとなる。加速され
たプラズマが物質に衝突すると、表面層は同時に数マイ
クロ秒間高温(10000K以上)及び高圧(10気圧
以上)になる。この方法は、照射した表面層に対し特殊
な構造と化学的変化をもたらす。
【0045】本発明方法における同軸プラズマガンの通
常の適用は、10−2トル以下の圧力での真空が操作上
必要である。コンデンサーが電気的にスイッチされ、又
はトリガーされる場合には、600トル(約0.8バー
)の圧力が適用される。
常の適用は、10−2トル以下の圧力での真空が操作上
必要である。コンデンサーが電気的にスイッチされ、又
はトリガーされる場合には、600トル(約0.8バー
)の圧力が適用される。
【0046】重合体表面層を処理するための同軸プラズ
マガンの使用は、使用する重合体の特性、衝突させるプ
ラズマのエネルギー、プラズマの化学的反応性及び他の
物理的又は化学的処理条件の如き処理のパラメータに基
づいて、種々の効力を与える。条件は所望する処理に応
じて調整する。例えば、比較的多量のプラズマパルスの
エネルギーを用い、重合体の表面層を選択的にマスクし
て、腐蝕することができる。
マガンの使用は、使用する重合体の特性、衝突させるプ
ラズマのエネルギー、プラズマの化学的反応性及び他の
物理的又は化学的処理条件の如き処理のパラメータに基
づいて、種々の効力を与える。条件は所望する処理に応
じて調整する。例えば、比較的多量のプラズマパルスの
エネルギーを用い、重合体の表面層を選択的にマスクし
て、腐蝕することができる。
【0047】レーザエネルギーは表面の厚い層を溶融し
、そして重合体を流動性にする。またレーザエネルギー
は準非晶質の薄い層を形成する。条件次第によっては、
重合体表面層を架橋し、又は化学的性質を表面層に付与
する。
、そして重合体を流動性にする。またレーザエネルギー
は準非晶質の薄い層を形成する。条件次第によっては、
重合体表面層を架橋し、又は化学的性質を表面層に付与
する。
【0048】重合体の腐蝕は、多層回路板の製造、映像
、軽量フィルム面上に特徴を付与し、また重合体表面層
の下塗の如き種々の適用に有用である。乾式腐蝕は、高
い縦横比と分解能が高く、また化学的腐蝕の技術に比べ
環境問題に少ない影響でこれらのものを製造することが
できるので、この技術はこれらの適用に好ましい。更に
化学的方法は重合体が異なると、また別途の化学的方法
を用いることになる。
、軽量フィルム面上に特徴を付与し、また重合体表面層
の下塗の如き種々の適用に有用である。乾式腐蝕は、高
い縦横比と分解能が高く、また化学的腐蝕の技術に比べ
環境問題に少ない影響でこれらのものを製造することが
できるので、この技術はこれらの適用に好ましい。更に
化学的方法は重合体が異なると、また別途の化学的方法
を用いることになる。
【0049】乾式腐蝕法は重合体に対し化学的にずっと
敏感でなく、そして広範囲の重合体に適用することがで
きる。以前において、特に大量の重合体を腐蝕する場合
には、処理のスピードの面から乾式腐蝕法にはもっとも
大きな限界が今日まで存在している。本発明方法は、乾
式腐蝕の可能性及び高スピード処理という両者の要件を
必要とする工業的腐蝕法の条件を満足している。10−
4m以下(10−4m以下の厚さの線)分解能を有する
明瞭な像が容易に得られる。
敏感でなく、そして広範囲の重合体に適用することがで
きる。以前において、特に大量の重合体を腐蝕する場合
には、処理のスピードの面から乾式腐蝕法にはもっとも
大きな限界が今日まで存在している。本発明方法は、乾
式腐蝕の可能性及び高スピード処理という両者の要件を
必要とする工業的腐蝕法の条件を満足している。10−
4m以下(10−4m以下の厚さの線)分解能を有する
明瞭な像が容易に得られる。
【0050】本発明による急速の熱処理は、半結晶質重
合体の塗膜接着性を二つの機構によって改良されること
が新たに見い出された。第1に結晶化度が変って、塗膜
が表面層に拡散する。この効果は実質的には重合体内に
おいて5%程度の結晶化度である。第2の機構は、配向
について最も顕著であると考えられ、ポリエチレンテレ
フタレート(PET)及び二軸配向されたポリプロピレ
ン(BOPP)の如き高度に結晶化された重合体に顕著
である。
合体の塗膜接着性を二つの機構によって改良されること
が新たに見い出された。第1に結晶化度が変って、塗膜
が表面層に拡散する。この効果は実質的には重合体内に
おいて5%程度の結晶化度である。第2の機構は、配向
について最も顕著であると考えられ、ポリエチレンテレ
フタレート(PET)及び二軸配向されたポリプロピレ
ン(BOPP)の如き高度に結晶化された重合体に顕著
である。
【0051】非晶質表面は配向した半結晶質重合体より
堅いので、このような場合での密着性の効果は高い。非
晶質重合体の耐破壊性は、5から20倍の密着性が増加
する。ここでは機構について二つの重要な特徴がある。 ■塗布を行う前又は後で半結晶質重合体が非晶質化する
ことができ、そして■密着性の改善のための大抵の表面
層の改質とは異なって、第2の機構は時々部分的に熱処
理によって可逆して戻ることである。
堅いので、このような場合での密着性の効果は高い。非
晶質重合体の耐破壊性は、5から20倍の密着性が増加
する。ここでは機構について二つの重要な特徴がある。 ■塗布を行う前又は後で半結晶質重合体が非晶質化する
ことができ、そして■密着性の改善のための大抵の表面
層の改質とは異なって、第2の機構は時々部分的に熱処
理によって可逆して戻ることである。
【0052】本発明方法は、また必要ならば選択的に塗
膜を腐蝕するために用いることができる。かくして重合
体上の金属塗膜は、接触マスク又は非接触マスクのいづ
れかを使用し、所望の映像又は印刷部分を残して腐蝕す
ることができる。
膜を腐蝕するために用いることができる。かくして重合
体上の金属塗膜は、接触マスク又は非接触マスクのいづ
れかを使用し、所望の映像又は印刷部分を残して腐蝕す
ることができる。
【0053】同軸加速プラズマガンは、また支持体上の
塗膜を処理するために使用することができる。所望のパ
ラメータを選定して重合体、金属、無機物質又はセラミ
ックスの支持体上の有機分散塗膜の焼結、無機塗膜の結
晶化又は無機塗膜のアニールを行うことは可能である。
塗膜を処理するために使用することができる。所望のパ
ラメータを選定して重合体、金属、無機物質又はセラミ
ックスの支持体上の有機分散塗膜の焼結、無機塗膜の結
晶化又は無機塗膜のアニールを行うことは可能である。
【0054】本発明方法は、従って表面層を改質するた
めの多才の且つ有用な手段とすることが理解される。衝
撃するプラズマの短かいパルス、高強度及び高流量の性
質のものであるので、重合体本体の下部の部分の物質に
は影響を与えることなく、熱は重合体本体に拡散するよ
りも早く表面層に伝達される。
めの多才の且つ有用な手段とすることが理解される。衝
撃するプラズマの短かいパルス、高強度及び高流量の性
質のものであるので、重合体本体の下部の部分の物質に
は影響を与えることなく、熱は重合体本体に拡散するよ
りも早く表面層に伝達される。
【0055】本発明は、この有用な方法の範囲において
採用される。より有用な方法の一つは、重合体(又は別
個の表面層)上の金属の画像の形成である。画像は、装
飾又は機能としての図案(例えば回路)であっても良い
。一つの方法は、キャリヤー層を含む表面層又はその上
の金属若しくは無機酸化物層の仕上塗に対する画像に、
イオン又はプラズマのパルスを使用することが含まれる
。
採用される。より有用な方法の一つは、重合体(又は別
個の表面層)上の金属の画像の形成である。画像は、装
飾又は機能としての図案(例えば回路)であっても良い
。一つの方法は、キャリヤー層を含む表面層又はその上
の金属若しくは無機酸化物層の仕上塗に対する画像に、
イオン又はプラズマのパルスを使用することが含まれる
。
【0056】仕上塗層に、所定のエネルギー吸収物質(
例えばインク、顔料を含ませた重合体、グラファイト等
)の画像を形成する。この表面層を十分な強度のイオン
又はプラズマでパルスして、エネルギー吸収物質の存在
していない部分の金属又は無機酸化物を腐蝕(又は融蝕
)する。エネルギー吸収物質及び下部層の金属又は無機
酸化物の両者が完全に腐蝕させるような強い又は長い時
間、イオン又はプラズマをパルスするものでは決してな
い。処理される表面層はフィルム、シート、織物、粒子
又は嵩物品の形品である。
例えばインク、顔料を含ませた重合体、グラファイト等
)の画像を形成する。この表面層を十分な強度のイオン
又はプラズマでパルスして、エネルギー吸収物質の存在
していない部分の金属又は無機酸化物を腐蝕(又は融蝕
)する。エネルギー吸収物質及び下部層の金属又は無機
酸化物の両者が完全に腐蝕させるような強い又は長い時
間、イオン又はプラズマをパルスするものでは決してな
い。処理される表面層はフィルム、シート、織物、粒子
又は嵩物品の形品である。
【0057】パルスされたイオン又はパルスされたプラ
ズマによって腐蝕又は融蝕される表面層は、種々の別個
の物質、有機及び無機の両者を含んでいても良い。有機
物質は、天然又は合成の重合体物質の如き固体有機物で
も良い。セラミックス(例えば、SiO2 ,TiO2
等)、ガラス、金属、複合物、層物質(例えば金属を
塗布した重合体、金属を塗布したセラミックス、重合体
を塗布したセラミックス等)又はこれらの同効物の如き
無機物質は、本発明において使用することができる。
ズマによって腐蝕又は融蝕される表面層は、種々の別個
の物質、有機及び無機の両者を含んでいても良い。有機
物質は、天然又は合成の重合体物質の如き固体有機物で
も良い。セラミックス(例えば、SiO2 ,TiO2
等)、ガラス、金属、複合物、層物質(例えば金属を
塗布した重合体、金属を塗布したセラミックス、重合体
を塗布したセラミックス等)又はこれらの同効物の如き
無機物質は、本発明において使用することができる。
【0058】本発明において使用される重合体は、無機
及び有機いづれの重合体が含まれる。有機重合体物質と
して、例えばポリエステル(例えば、ポリエチレンテレ
フタレート)、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ポリオレフィン、ポリエポキシド、ポリシロキサ
ン、ポリエーテル、ポリエーテルイミド、ポリスルホン
、ポリウレタン、ポリビニル樹脂(例えば、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール)、
弗化及び/又は塩化重合体(例えば、ポリテトラフルオ
ロエチレン)、ポリビニルアセタール及び他のフィルム
形成重合体であって、天然並びに合成重合体が含まれる
。無機重合体には、ガラス及びセラミックスの如き物質
が含まれる。特段に述べない限り、重合体とは有機及び
無機の両者の重合体を含む。
及び有機いづれの重合体が含まれる。有機重合体物質と
して、例えばポリエステル(例えば、ポリエチレンテレ
フタレート)、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ポリオレフィン、ポリエポキシド、ポリシロキサ
ン、ポリエーテル、ポリエーテルイミド、ポリスルホン
、ポリウレタン、ポリビニル樹脂(例えば、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール)、
弗化及び/又は塩化重合体(例えば、ポリテトラフルオ
ロエチレン)、ポリビニルアセタール及び他のフィルム
形成重合体であって、天然並びに合成重合体が含まれる
。無機重合体には、ガラス及びセラミックスの如き物質
が含まれる。特段に述べない限り、重合体とは有機及び
無機の両者の重合体を含む。
【0059】支持体(キャリヤー層)が半結晶質重合体
(又は半結晶質特性を示すポリイミド)である場合、同
様な生成物が異なった方法で得られる。半結晶質重合体
支持体(又はポリイミド)は金属又は無機酸化物の層で
被覆されていても良い。被膜は蒸着、スパッター、液体
塗装等の如き方法によって行われ、そして一般には1か
ら500nm. の被膜の厚さである。塗布層(金属又
は無機酸化物)の映像分布に応じイオン又はプラズマを
パルス化する。
(又は半結晶質特性を示すポリイミド)である場合、同
様な生成物が異なった方法で得られる。半結晶質重合体
支持体(又はポリイミド)は金属又は無機酸化物の層で
被覆されていても良い。被膜は蒸着、スパッター、液体
塗装等の如き方法によって行われ、そして一般には1か
ら500nm. の被膜の厚さである。塗布層(金属又
は無機酸化物)の映像分布に応じイオン又はプラズマを
パルス化する。
【0060】パルスのエネルギー及び照射時間は塗布面
を十分に融蝕する必要はない。好ましくは、すべて融蝕
しないのが良い。しかしながら、エネルギー及び時間は
、塗膜のパルスを与えた面の下の重合体が準非晶質状態
に変るには十分でなくてはならない(準非晶質重合体の
定義及び性質について、米国特許第4,872,451
号、同第4,868,006号、同第4,879,17
6号及び同第4,902,378号参照)。
を十分に融蝕する必要はない。好ましくは、すべて融蝕
しないのが良い。しかしながら、エネルギー及び時間は
、塗膜のパルスを与えた面の下の重合体が準非晶質状態
に変るには十分でなくてはならない(準非晶質重合体の
定義及び性質について、米国特許第4,872,451
号、同第4,868,006号、同第4,879,17
6号及び同第4,902,378号参照)。
【0061】塗膜の下の面が準非晶性になることは、準
非晶質でなかったとされる面に関し、塗膜の密着強度が
変ったことを意味する。接着面の弱いところ(パルスを
与えない場所)は、支持体から選択的にはがれることに
なる。一般に、本発明の照射流量の範囲内では、パルス
イオン又はプラズマの効果は、その表面層の密着性を増
加することである。
非晶質でなかったとされる面に関し、塗膜の密着強度が
変ったことを意味する。接着面の弱いところ(パルスを
与えない場所)は、支持体から選択的にはがれることに
なる。一般に、本発明の照射流量の範囲内では、パルス
イオン又はプラズマの効果は、その表面層の密着性を増
加することである。
【0062】剥離方法も、また半結晶質又はポリイミド
物質(好ましくはフィルム、シート又は平面物質)の表
面層の画像部分を最初のパルス(イオン又はプラズマ)
によって行うことができる。このことは、半結晶質物質
であるパルスの照射された面は半非晶質になり、そして
このことはポリイミドについても同様なことが生ずる。 金属又は無機酸化物層が次いで表面層に沈着する(好ま
しくは蒸着又はスパッターの如き原子又は分子沈着の方
法による)。
物質(好ましくはフィルム、シート又は平面物質)の表
面層の画像部分を最初のパルス(イオン又はプラズマ)
によって行うことができる。このことは、半結晶質物質
であるパルスの照射された面は半非晶質になり、そして
このことはポリイミドについても同様なことが生ずる。 金属又は無機酸化物層が次いで表面層に沈着する(好ま
しくは蒸着又はスパッターの如き原子又は分子沈着の方
法による)。
【0063】再度、沈着した物質は、より強力に準非晶
質面に接着する。この相対的の結合力は、2.0度の小
さいファクター又は12.0若しくはそれ以上の大きい
ファクターで変る。パルスされない部分に沈着された物
質は、より簡単に表面層からはがれる(粘着テープを塗
膜面に適用して使用して試みた)。このことは、パルス
を付与した部分に相応して、表面の被膜のパターンが残
る。
質面に接着する。この相対的の結合力は、2.0度の小
さいファクター又は12.0若しくはそれ以上の大きい
ファクターで変る。パルスされない部分に沈着された物
質は、より簡単に表面層からはがれる(粘着テープを塗
膜面に適用して使用して試みた)。このことは、パルス
を付与した部分に相応して、表面の被膜のパターンが残
る。
【0064】この方法により最終物品に区別できる指紋
が残るので、最終物品を形成するのにどの種類の方法を
用いたか確認できる。半結晶質又はポリイミドのキャリ
ヤー層の塗膜部分(金属又は金属酸化物)を融蝕するた
めに、パルスイオン又はプラズマを使用した場合、準非
晶質部分が塗膜の無い部分に見い出されるが、しかし塗
膜が画像として残っている部分にはない。このような状
態は、物品が生成された直後に存在する。もし物品を再
三に渡って加熱したり又はアニールしたりすると、準非
晶質部分は半結晶質状態に変る。
が残るので、最終物品を形成するのにどの種類の方法を
用いたか確認できる。半結晶質又はポリイミドのキャリ
ヤー層の塗膜部分(金属又は金属酸化物)を融蝕するた
めに、パルスイオン又はプラズマを使用した場合、準非
晶質部分が塗膜の無い部分に見い出されるが、しかし塗
膜が画像として残っている部分にはない。このような状
態は、物品が生成された直後に存在する。もし物品を再
三に渡って加熱したり又はアニールしたりすると、準非
晶質部分は半結晶質状態に変る。
【0065】塗膜を形成前又は後に、半結晶質表面層を
画像に則してパルスして物品を形成し、そしてパルスを
行わない部分の塗膜をはがすと、塗膜の下部面は準非晶
質の部分であるが、しかし塗膜の存在しない部分はそう
ではない。再度、半非晶質部分を加熱又はアニールによ
って半結晶質物質に変えることができる。
画像に則してパルスして物品を形成し、そしてパルスを
行わない部分の塗膜をはがすと、塗膜の下部面は準非晶
質の部分であるが、しかし塗膜の存在しない部分はそう
ではない。再度、半非晶質部分を加熱又はアニールによ
って半結晶質物質に変えることができる。
【0066】一般に、本発明の抑制した流量内でのパル
スイオン及びプラズマの効果は、ポリエステル(例えば
、ポリエチレンテレフタレート)について特異の効果を
有する。半非晶質部分の形成に加えて、パルスイオン及
びプラズマは重合体の表面層に架橋部分を形成する。 架橋反応は100nm以下の深さ、通常は5から50n
mのわずかの深さで、100から1000nmの深さに
まで延びて準非晶質部分を伴い生じている。ポリエステ
ル物質に対するこの表面部分の特徴は特異であって、そ
して耐磨耗性の改善されたものを提供する。
スイオン及びプラズマの効果は、ポリエステル(例えば
、ポリエチレンテレフタレート)について特異の効果を
有する。半非晶質部分の形成に加えて、パルスイオン及
びプラズマは重合体の表面層に架橋部分を形成する。 架橋反応は100nm以下の深さ、通常は5から50n
mのわずかの深さで、100から1000nmの深さに
まで延びて準非晶質部分を伴い生じている。ポリエステ
ル物質に対するこの表面部分の特徴は特異であって、そ
して耐磨耗性の改善されたものを提供する。
【0067】
【実施例】ここでの大部分の例は、試料を固定しパック
のための加速同軸プラズマガンを使用したものを例示す
る。しかしながら、例62で示すように処理のために連
続して長尺物を動かし目標部分を通して加速プラズマパ
ルスを使用することは、当業者において容易に考えられ
うる。加速同軸プラズマガンは、繰返してパルスするよ
うな態様で操作されようが、また一方処理する試料を段
階的に又は連続してプラズマパルスを流路に通す。
のための加速同軸プラズマガンを使用したものを例示す
る。しかしながら、例62で示すように処理のために連
続して長尺物を動かし目標部分を通して加速プラズマパ
ルスを使用することは、当業者において容易に考えられ
うる。加速同軸プラズマガンは、繰返してパルスするよ
うな態様で操作されようが、また一方処理する試料を段
階的に又は連続してプラズマパルスを流路に通す。
【0068】この設備でのタイミングは、1度数又は多
数のパルスを受理する試料の面積によって変化する。4
00フィート/分(130m/分)又はこれ以上の処理
速度は、一秒間にわずか10度数の割合でプラズマをパ
ルスすることによって得ることができる。幅広について
は、大型のガン又は複数のガンを平行して使用し処理す
ることもできる。
数のパルスを受理する試料の面積によって変化する。4
00フィート/分(130m/分)又はこれ以上の処理
速度は、一秒間にわずか10度数の割合でプラズマをパ
ルスすることによって得ることができる。幅広について
は、大型のガン又は複数のガンを平行して使用し処理す
ることもできる。
【0069】次に示す試験方法は、別段特に述べない限
り、全部の例について適用される。 プラズマ出力容量 ジェンテックED−550バイロ電気熱量計の前面は、
レーザー刃を使用した0.23cm2 の開口がマスク
されている。この出力計は、プラズマの流路の中央線上
、ガンのノズルから76cmの所に設置される。
り、全部の例について適用される。 プラズマ出力容量 ジェンテックED−550バイロ電気熱量計の前面は、
レーザー刃を使用した0.23cm2 の開口がマスク
されている。この出力計は、プラズマの流路の中央線上
、ガンのノズルから76cmの所に設置される。
【0070】プラズマ100uFコンデンサーのエネル
ギーは荷電圧によって変る。平均して10度数以上のパ
ルスのエネルギー容量は、5,5.5,6,6.5及び
7kVのコンデンサー電圧において、それぞれ0.55
,0.67,0.78,0.90及び1.02J/cm
2 である。この検量線のカーブは、試料を処理するの
に照射するプラズマエネルギーの計算に使用される。 フィルムの厚さ 厚さの測定は小野ソーキ社(日本)のモデルEG−22
5を用いて行った。
ギーは荷電圧によって変る。平均して10度数以上のパ
ルスのエネルギー容量は、5,5.5,6,6.5及び
7kVのコンデンサー電圧において、それぞれ0.55
,0.67,0.78,0.90及び1.02J/cm
2 である。この検量線のカーブは、試料を処理するの
に照射するプラズマエネルギーの計算に使用される。 フィルムの厚さ 厚さの測定は小野ソーキ社(日本)のモデルEG−22
5を用いて行った。
【0071】重合体腐蝕の実施例
例1 2から4mm幅の開口を有する3ミル(0.0
76mm)の厚さのステンレス鋼のステンシルを、7×
17cmで54マイクロメータの厚さの磨いたポリテト
ラフルオロエチレン(PTFE)と重ねて設置した。こ
のフィルムを1.1J/cm2 /パルスのエネルギー
密度でプラズマの500度数のパルス(一秒間に0.2
パルス)にステンシルを通して照射した。PTFEの2
5±4ミクロンメータがステンシルの開口部分に相応し
て腐蝕された。このことは、PTFEがパルスプラズマ
によってレリーフ構造を形成して腐蝕することができる
と示している。
76mm)の厚さのステンレス鋼のステンシルを、7×
17cmで54マイクロメータの厚さの磨いたポリテト
ラフルオロエチレン(PTFE)と重ねて設置した。こ
のフィルムを1.1J/cm2 /パルスのエネルギー
密度でプラズマの500度数のパルス(一秒間に0.2
パルス)にステンシルを通して照射した。PTFEの2
5±4ミクロンメータがステンシルの開口部分に相応し
て腐蝕された。このことは、PTFEがパルスプラズマ
によってレリーフ構造を形成して腐蝕することができる
と示している。
【0072】例2 プラズマパルスの度数を関数とし
ての腐蝕の割合の直線性はPTFEにおいて測定される
。 例1に記載されたと同じプラズマ条件及び重合体フィル
ムを使用して、3枚の7.5×40cm四方のフィルム
をパルスの度数を増加して照射した。腐蝕された深さは
、100,250及び500度数のパルスに対して、そ
れぞれ6,14及び27マイクロメータであると測定さ
れた。この結果から、腐蝕の割合は一度数のパルスにつ
いて54nmと一定していた。
ての腐蝕の割合の直線性はPTFEにおいて測定される
。 例1に記載されたと同じプラズマ条件及び重合体フィル
ムを使用して、3枚の7.5×40cm四方のフィルム
をパルスの度数を増加して照射した。腐蝕された深さは
、100,250及び500度数のパルスに対して、そ
れぞれ6,14及び27マイクロメータであると測定さ
れた。この結果から、腐蝕の割合は一度数のパルスにつ
いて54nmと一定していた。
【0073】例3 腐蝕の割合をプラズマエネルギー
の関係として測定した。例2に記載されたと同じ試料及
び条件を用いたが、わずかに500度数パルスを用いそ
してプラズマエネルギーを変化させた。0.7,0.9
3及び1.1J/cm2 における腐蝕の割合は、一度
数のパルスについて、それぞれ22,40及び60ナノ
メータである。従って腐蝕割合は、高エネルギ密度にお
いては調和しない。
の関係として測定した。例2に記載されたと同じ試料及
び条件を用いたが、わずかに500度数パルスを用いそ
してプラズマエネルギーを変化させた。0.7,0.9
3及び1.1J/cm2 における腐蝕の割合は、一度
数のパルスについて、それぞれ22,40及び60ナノ
メータである。従って腐蝕割合は、高エネルギ密度にお
いては調和しない。
【0074】例4 例1に記載されたと同じ重合体フ
ィルム及びプラズマ条件を用いて、PTFEにプラズマ
で腐蝕して穴を設けた。PTFE試料に導電性層として
50nmの銅を蒸着した。直径5ミル(0.13mm)
の穴を有する商品名アーチャー276−1577番(レ
ジスト画)をフィルムに重ね、そしてこの複合体を10
00度数のプラズマパルスに照射した。この画像面を溶
剤で取り除いた。5ミル(0.13mm)の直径の穴は
、プラズマを照射した部分のフィルムに形成された。穴
の壁は腐蝕方法によるのみで、スムーズで別途の構成物
は存在しないように見える。
ィルム及びプラズマ条件を用いて、PTFEにプラズマ
で腐蝕して穴を設けた。PTFE試料に導電性層として
50nmの銅を蒸着した。直径5ミル(0.13mm)
の穴を有する商品名アーチャー276−1577番(レ
ジスト画)をフィルムに重ね、そしてこの複合体を10
00度数のプラズマパルスに照射した。この画像面を溶
剤で取り除いた。5ミル(0.13mm)の直径の穴は
、プラズマを照射した部分のフィルムに形成された。穴
の壁は腐蝕方法によるのみで、スムーズで別途の構成物
は存在しないように見える。
【0075】例5 1/2インチ(1.27cm)幅
の3M社の92モデルのポリイミドテープを試料として
、ポリイミド面に例1に記載したと同じ条件で加速プラ
ズマパルスを照射した。この方法によって、ポリイミド
の全体の厚さが元来46ミクロンメータであったがその
うちの10ミクロンメータが腐蝕された。このポリイミ
ドは、炭素の境界層でゆるく被われていた。このことは
、加速プラズマが効果的にポリアミドを腐蝕してレリー
フ構造体を形成するか、又は薄いフィルムの内部にでき
ることを示している。
の3M社の92モデルのポリイミドテープを試料として
、ポリイミド面に例1に記載したと同じ条件で加速プラ
ズマパルスを照射した。この方法によって、ポリイミド
の全体の厚さが元来46ミクロンメータであったがその
うちの10ミクロンメータが腐蝕された。このポリイミ
ドは、炭素の境界層でゆるく被われていた。このことは
、加速プラズマが効果的にポリアミドを腐蝕してレリー
フ構造体を形成するか、又は薄いフィルムの内部にでき
ることを示している。
【0076】重合体溶融の実施例
例6 アクゾ社のポリアミド6IDである110マイ
クロメータの厚さの多孔のナイロンフィルム試料(平均
0.1ミクロンの孔径を有する)に、1.37J/cm
2 /パルスのエネルギー密度のアルゴンプラズマの1
度数のパルスを照射した。SEM顕微鏡写真によると、
フィルムの多孔表面層は、部分的に1ミクロンの深さに
密閉されていることが明らかであった。例7 米国特
許第4,726,989号に従って製造した平均孔径が
0.1ミクロン以下であって、127マイクロメータの
厚さの無配向多孔ポリプロピレンフィルムの試料に、1
.37J/cm2 /パルスのエネルギー密度のアルゴ
ンプラズマの1度数のパルスを照射した。SEM顕微鏡
写真によると、フィルムの多孔表面層は0.75から1
.0ミクロンの深さで密閉されていることが明らかであ
った。
クロメータの厚さの多孔のナイロンフィルム試料(平均
0.1ミクロンの孔径を有する)に、1.37J/cm
2 /パルスのエネルギー密度のアルゴンプラズマの1
度数のパルスを照射した。SEM顕微鏡写真によると、
フィルムの多孔表面層は、部分的に1ミクロンの深さに
密閉されていることが明らかであった。例7 米国特
許第4,726,989号に従って製造した平均孔径が
0.1ミクロン以下であって、127マイクロメータの
厚さの無配向多孔ポリプロピレンフィルムの試料に、1
.37J/cm2 /パルスのエネルギー密度のアルゴ
ンプラズマの1度数のパルスを照射した。SEM顕微鏡
写真によると、フィルムの多孔表面層は0.75から1
.0ミクロンの深さで密閉されていることが明らかであ
った。
【0077】例8 米国特許第4,539,256号
に従って製造した平均孔径が0.1ミクロン以下であっ
て、125マイクロメータの厚さの無配向多孔ポリエチ
レンフィルムの試料を、1.37J/cm2 /パルス
のエネルギー密度のアルゴンプラズマの1度数のパルス
に照射した。SEM顕微鏡によると、フィルムの多孔表
面層は1.5ミクロンの深さで密閉されていることが明
らかであった。
に従って製造した平均孔径が0.1ミクロン以下であっ
て、125マイクロメータの厚さの無配向多孔ポリエチ
レンフィルムの試料を、1.37J/cm2 /パルス
のエネルギー密度のアルゴンプラズマの1度数のパルス
に照射した。SEM顕微鏡によると、フィルムの多孔表
面層は1.5ミクロンの深さで密閉されていることが明
らかであった。
【0078】準非晶質表面層の形成の実施例例9 3
M社の滑り止め剤を含む4ミル(0.102mm)の厚
さの二軸配向したPETを、0.16J/cm2 /パ
ルスのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマの1度数
のパルスに照射した。300〜1000nmの波長範囲
のパーキンエルマー社のランブタ9分光光度計を使用し
て(積算球状光学計)、未処理のPETフィルムと同様
、このフィルムの反射能を測定した。この測定によると
、最外層の準非晶質物質であるPETが加速プラズマ照
射により反射能が相当程度減少していることが明らかで
あった。
M社の滑り止め剤を含む4ミル(0.102mm)の厚
さの二軸配向したPETを、0.16J/cm2 /パ
ルスのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマの1度数
のパルスに照射した。300〜1000nmの波長範囲
のパーキンエルマー社のランブタ9分光光度計を使用し
て(積算球状光学計)、未処理のPETフィルムと同様
、このフィルムの反射能を測定した。この測定によると
、最外層の準非晶質物質であるPETが加速プラズマ照
射により反射能が相当程度減少していることが明らかで
あった。
【0079】例10 例9において使用された4ミル
(0.102mm)の厚さの二軸配向PETフィルムを
、0.55J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加
速ヘリウムプラズマの1度数のパルスに照射した。この
試料の反射能は、300〜1000nmの範囲において
干渉じまが表われた。この干渉じまの広さから判断して
、加速プラズマ照射によって生成した非晶質層の厚さは
、800〜900nmと推定される。
(0.102mm)の厚さの二軸配向PETフィルムを
、0.55J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加
速ヘリウムプラズマの1度数のパルスに照射した。この
試料の反射能は、300〜1000nmの範囲において
干渉じまが表われた。この干渉じまの広さから判断して
、加速プラズマ照射によって生成した非晶質層の厚さは
、800〜900nmと推定される。
【0080】この加速プラズマ処理されたPETを、6
250〜7692nmの波長範囲において、ATR分光
光度計(45度の入射角でのKRS−5反射要素)によ
って観察した。7463nmにおけるPETの結晶質吸
収バンドのピーク吸光度の減少から測定して、加速プラ
ズマ照射によって生じた非晶質層の厚さは835nmと
計算された。非晶質フィルムの厚さの両者の計算からし
て、加速プラズマ処理によって得られた非晶質層の屈折
率は1.55とされる。
250〜7692nmの波長範囲において、ATR分光
光度計(45度の入射角でのKRS−5反射要素)によ
って観察した。7463nmにおけるPETの結晶質吸
収バンドのピーク吸光度の減少から測定して、加速プラ
ズマ照射によって生じた非晶質層の厚さは835nmと
計算された。非晶質フィルムの厚さの両者の計算からし
て、加速プラズマ処理によって得られた非晶質層の屈折
率は1.55とされる。
【0081】例11 3M社の樹脂番号ER6620
0から押出注型したPETをO−クロロフェノールに溶
かし、そして100nmのe−ビームの蒸発金によって
金属化した75mm直径のみがいたシリコンウェファー
の上で回転塗布した。この注型PETフィルムを、17
5℃で2時間真空において熱的に処理して結晶化した。 結晶化後、このフィルムは71nmの厚さであった。次
に、このPETフィルムを0.42J/cm2 /パル
スのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマで1度数の
パルスに照射した。赤外吸収スペクトルによるこのフィ
ルムの画像の深さは、33nmの上部層がこの照射によ
り非晶化された。この赤外線による深さの測定は米国特
許第4,822,451号(オウダーキルク等)に記載
されている。
0から押出注型したPETをO−クロロフェノールに溶
かし、そして100nmのe−ビームの蒸発金によって
金属化した75mm直径のみがいたシリコンウェファー
の上で回転塗布した。この注型PETフィルムを、17
5℃で2時間真空において熱的に処理して結晶化した。 結晶化後、このフィルムは71nmの厚さであった。次
に、このPETフィルムを0.42J/cm2 /パル
スのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマで1度数の
パルスに照射した。赤外吸収スペクトルによるこのフィ
ルムの画像の深さは、33nmの上部層がこの照射によ
り非晶化された。この赤外線による深さの測定は米国特
許第4,822,451号(オウダーキルク等)に記載
されている。
【0082】この加速プラズマ処理によるPETの薄い
フィルムの試料は、次いでクロロホルムの蒸気にさらし
、そして赤外線反射吸収スペクトル(米国特許第4,8
22,451号に記載されている)によって試験した。 この赤外線スペクトルによる13175nmにおける吸
収バンドによると、PETフィルムの表面層の加速プラ
ズマによる非晶質層にトラップされたクロロホルムの存
在が認められる。室温においてクロロホルムは徐々に処
理したPETから拡散していくが、赤外線スペクトルに
よると、最初の照射から1140時間後でも、フィルム
の中に27%のクロロホルムが残っていることがわかる
。このことは処理されたフィルムがバリヤー特性を有す
ることを明らかにしている。
フィルムの試料は、次いでクロロホルムの蒸気にさらし
、そして赤外線反射吸収スペクトル(米国特許第4,8
22,451号に記載されている)によって試験した。 この赤外線スペクトルによる13175nmにおける吸
収バンドによると、PETフィルムの表面層の加速プラ
ズマによる非晶質層にトラップされたクロロホルムの存
在が認められる。室温においてクロロホルムは徐々に処
理したPETから拡散していくが、赤外線スペクトルに
よると、最初の照射から1140時間後でも、フィルム
の中に27%のクロロホルムが残っていることがわかる
。このことは処理されたフィルムがバリヤー特性を有す
ることを明らかにしている。
【0083】例12 3M社のPETフィルム番号O
R478400をO−クロロフェノールに溶解し、そし
て75mmの直径のみがいたシリコンウェファーの上で
回転塗布し、非晶質PET試料を製造した。次にこの試
料をステンレス鋼のひな型を通して、2.0のJ/cm
2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマ
パルスを1度数照射した。
R478400をO−クロロフェノールに溶解し、そし
て75mmの直径のみがいたシリコンウェファーの上で
回転塗布し、非晶質PET試料を製造した。次にこの試
料をステンレス鋼のひな型を通して、2.0のJ/cm
2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマ
パルスを1度数照射した。
【0084】この処理した部分を現像すると、暗青色の
ひな型と同じ画像となった。この試料を次いで塩化メチ
レンに浸して非晶質PETを溶解し、そしてひな型画像
を明瞭にすると、加速プラズマパルスが非晶質PETを
架橋構造に変換し、溶剤に不溶にしたことを確証した。
ひな型と同じ画像となった。この試料を次いで塩化メチ
レンに浸して非晶質PETを溶解し、そしてひな型画像
を明瞭にすると、加速プラズマパルスが非晶質PETを
架橋構造に変換し、溶剤に不溶にしたことを確証した。
【0085】改善された塗布密着性の実施例例13
例9で用いた4ミル(0.102mm)の厚さの二軸配
向したPETフィルムを、0.42J/cm2 /パル
スのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマの1度数に
照射した。この処理したフィルムを次に80nmの厚さ
の銀フィルムを電子線で蒸発して金属化した。金属化P
ETの未処理部分及び加速プラズマ処理の部分について
種々の180°の剥離試験を行って、金属化前の密着性
についてのPETの加速プラズマ非晶質化の効果を調べ
た。
例9で用いた4ミル(0.102mm)の厚さの二軸配
向したPETフィルムを、0.42J/cm2 /パル
スのエネルギー密度の加速アルゴンプラズマの1度数に
照射した。この処理したフィルムを次に80nmの厚さ
の銀フィルムを電子線で蒸発して金属化した。金属化P
ETの未処理部分及び加速プラズマ処理の部分について
種々の180°の剥離試験を行って、金属化前の密着性
についてのPETの加速プラズマ非晶質化の効果を調べ
た。
【0086】この剥離試験は、インスツルメンター社の
モデルSP101Aのスリップ/ピール試験機を使用し
、1インチ幅(2.54cm)の商品名カプトンテープ
のストリップを金属化フィルム試料に接着して、6イン
チ/分(13.2cm/分)の剥離割合で行った。この
測定に使用したテープは、熱可塑性ポリアミド接着剤(
商品名、ユニオンキンプユニレッズ2645)で塗布し
たものである。
モデルSP101Aのスリップ/ピール試験機を使用し
、1インチ幅(2.54cm)の商品名カプトンテープ
のストリップを金属化フィルム試料に接着して、6イン
チ/分(13.2cm/分)の剥離割合で行った。この
測定に使用したテープは、熱可塑性ポリアミド接着剤(
商品名、ユニオンキンプユニレッズ2645)で塗布し
たものである。
【0087】金属化PETへテープを接着するに際し、
試料を5−10秒間70−90℃の範囲の温度に保持し
た。未処理PETから銀を取り除くのに要する平均剥離
力は、70g/インチ(27.6g/cm)である。加
速プラズマ処理を行った部分の試験では、その測定した
平均剥離力は602g/インチ(237g/cm)であ
る。 更に、ここで用いた試験では、加速プラズマ処理を行っ
た部分から、金属を取り除くことはできなかった。この
ことは、加速プラズマによる表面層の非晶質PETフィ
ルムの存在により、銀フィルムの密着性は少なくとも8
.6倍に増加することを示している。
試料を5−10秒間70−90℃の範囲の温度に保持し
た。未処理PETから銀を取り除くのに要する平均剥離
力は、70g/インチ(27.6g/cm)である。加
速プラズマ処理を行った部分の試験では、その測定した
平均剥離力は602g/インチ(237g/cm)であ
る。 更に、ここで用いた試験では、加速プラズマ処理を行っ
た部分から、金属を取り除くことはできなかった。この
ことは、加速プラズマによる表面層の非晶質PETフィ
ルムの存在により、銀フィルムの密着性は少なくとも8
.6倍に増加することを示している。
【0088】例14 5ミル(0.127mm)の厚
さのポリテトラフルオロエチレンフィルムを、0.15
J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴン
プラズマパルスに1度数照射した。次いで80nmの厚
さのアルミニウムを電子線によって、この重合体フィル
ムに蒸着した。10ミル(0.254mm)の厚さのア
ルミニウムのストリップに転着されている3M社の商品
番号966DS4感圧接着剤から、1インチ幅(2.5
4cm)の金属化重合体ストリップを剥離して、金属化
前のアルミニウム密着性についての加速プラズマ照射の
効果を調べた。
さのポリテトラフルオロエチレンフィルムを、0.15
J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴン
プラズマパルスに1度数照射した。次いで80nmの厚
さのアルミニウムを電子線によって、この重合体フィル
ムに蒸着した。10ミル(0.254mm)の厚さのア
ルミニウムのストリップに転着されている3M社の商品
番号966DS4感圧接着剤から、1インチ幅(2.5
4cm)の金属化重合体ストリップを剥離して、金属化
前のアルミニウム密着性についての加速プラズマ照射の
効果を調べた。
【0089】フィルムの未処理部分からアルミニウムを
取り除くのに必要な平均剥離力は、412g/インチ(
162g/cm)である。加速プラズマ処理による部分
は、平均剥離力が911g/インチ(162g/cm)
に増加し、そしてアルミニウムはテフロンからわずかに
不完全に取り除かれ、アルミニウムの密着性は少なくと
も2.2倍に増加したことを示している。
取り除くのに必要な平均剥離力は、412g/インチ(
162g/cm)である。加速プラズマ処理による部分
は、平均剥離力が911g/インチ(162g/cm)
に増加し、そしてアルミニウムはテフロンからわずかに
不完全に取り除かれ、アルミニウムの密着性は少なくと
も2.2倍に増加したことを示している。
【0090】例15 トレア社の商品番号TX−20
0−2−Cの2ミリ(0.051mm)の厚さの二軸配
向のポリプロピレンフィルム(BOPP)を、0.42
J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴン
プラズマパルスの1度数に照射した。次に80nmの厚
さのアルミニウムフィルムを電子線によって処理し、重
合体フィルムに蒸着した。例14におけると同様にして
、金属化前のアルミニウムの密着性について、加熱プラ
ズマ照射の効果を調べた。
0−2−Cの2ミリ(0.051mm)の厚さの二軸配
向のポリプロピレンフィルム(BOPP)を、0.42
J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴン
プラズマパルスの1度数に照射した。次に80nmの厚
さのアルミニウムフィルムを電子線によって処理し、重
合体フィルムに蒸着した。例14におけると同様にして
、金属化前のアルミニウムの密着性について、加熱プラ
ズマ照射の効果を調べた。
【0091】Al/BOPPの未処理部分では、アルミ
ニウムを取り除くのに要する平均剥離力は641g/イ
ンチ(252g/cm)である。処理した部分では、平
均剥離力1621g/インチ(638g/cm)に増加
した。再度、加速プラズマ処理した部分での剥離試験で
は、アルミニウムはわずかに不完全に取り除かれ、アル
ミニウムの密着性は少なくとも2.5倍に増加したこと
を示している。
ニウムを取り除くのに要する平均剥離力は641g/イ
ンチ(252g/cm)である。処理した部分では、平
均剥離力1621g/インチ(638g/cm)に増加
した。再度、加速プラズマ処理した部分での剥離試験で
は、アルミニウムはわずかに不完全に取り除かれ、アル
ミニウムの密着性は少なくとも2.5倍に増加したこと
を示している。
【0092】例16 4ミル(0.1mm)の厚さの
二軸配向PETを、0.55J/cm2 /パルスのエ
ネルギー密度の加速ヘリウムプラズマパルスの1度数に
照射した。次いで100nmの厚さのアルミニウムフィ
ルムを電子線で処理し、処理及び未処理PETフィルム
に蒸着した。例13で行った如くして、金属化前のアル
ミニウム密着性に関する加速プラズマ照射の効果につい
て調べた。
二軸配向PETを、0.55J/cm2 /パルスのエ
ネルギー密度の加速ヘリウムプラズマパルスの1度数に
照射した。次いで100nmの厚さのアルミニウムフィ
ルムを電子線で処理し、処理及び未処理PETフィルム
に蒸着した。例13で行った如くして、金属化前のアル
ミニウム密着性に関する加速プラズマ照射の効果につい
て調べた。
【0093】未処理部分については、重合体からアルミ
ニウムを取り除くのに要する平均剥離力は37g/イン
チ(14.6g/cm)である。加速プラズマ処理した
部分については、平均剥離力は132g/インチ(52
g/cm)に増加し、そして重合体からアルミニウムは
取り除くことができず、PETの加速プラズマ処理では
少なくとも3.6倍アルミニウムの密着性が増加したこ
とを示している。
ニウムを取り除くのに要する平均剥離力は37g/イン
チ(14.6g/cm)である。加速プラズマ処理した
部分については、平均剥離力は132g/インチ(52
g/cm)に増加し、そして重合体からアルミニウムは
取り除くことができず、PETの加速プラズマ処理では
少なくとも3.6倍アルミニウムの密着性が増加したこ
とを示している。
【0094】例17−21 100nmの厚さのアル
ミニウムを電子線で蒸発して、2ミル(0.051mm
)の厚さのBOPPを金属化した。このアルミニウム金
属化BOPPを、次いでプラズマエネルギーの所定範囲
において、加速アルゴンプラズマパルスに照射した。例
14に記載したようにして、アルミニウムの密着性に関
し加速プラズマ処理の効果を調べた。この結果を次の表
1に示す。
ミニウムを電子線で蒸発して、2ミル(0.051mm
)の厚さのBOPPを金属化した。このアルミニウム金
属化BOPPを、次いでプラズマエネルギーの所定範囲
において、加速アルゴンプラズマパルスに照射した。例
14に記載したようにして、アルミニウムの密着性に関
し加速プラズマ処理の効果を調べた。この結果を次の表
1に示す。
【0095】
【表1】
【0096】0.3J/cm2 のエネルギー密度に等
しいか、又はこれ以上のプラズマパルスに照射したすべ
ての試料については、ここで用いた試験ではBOPPか
らアルミニウムを取り除くことはできず、この剥離力は
実際の場合の限度よりわずかに低い程度である。
しいか、又はこれ以上のプラズマパルスに照射したすべ
ての試料については、ここで用いた試験ではBOPPか
らアルミニウムを取り除くことはできず、この剥離力は
実際の場合の限度よりわずかに低い程度である。
【0097】例22 2ミル(0.102mm)の厚
さのポリテトラフルオロエチレンフィルムを、0.08
5J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴ
ンプラズマのパルス2度数に照射した。加速プラズマ処
理した表面層の感圧接着剤に関する効果を、180°の
剥離試験を行って評価した。3M社の商品番号622の
高粘着剤テープの1インチ幅(2.54cm)のストリ
ップを、フィルムの処理及び未処理部分から剥離した。 処理した試料は2221g/インチ(874g/cm)
の平均剥離力を有していたが、一方未処理の試料は21
3g/インチ(89g/cm)の平均剥離力であって、
密着性について10倍の増加の相違が認められた。
さのポリテトラフルオロエチレンフィルムを、0.08
5J/cm2 /パルスのエネルギー密度の加速アルゴ
ンプラズマのパルス2度数に照射した。加速プラズマ処
理した表面層の感圧接着剤に関する効果を、180°の
剥離試験を行って評価した。3M社の商品番号622の
高粘着剤テープの1インチ幅(2.54cm)のストリ
ップを、フィルムの処理及び未処理部分から剥離した。 処理した試料は2221g/インチ(874g/cm)
の平均剥離力を有していたが、一方未処理の試料は21
3g/インチ(89g/cm)の平均剥離力であって、
密着性について10倍の増加の相違が認められた。
【0098】塗膜の腐蝕の応用の実施例非金属酸化物及
び金属の薄い被膜を有する種々の重合体の表面層を、加
速プラズマパルスに照射して処理した。 プラズマパルスを、79センチメータ離れた下部に置い
た目標物に照射した。試料の表面層に入射するエネルギ
ー密度は、パルスについて73から980mJ/cm2
の間で変化し、パルスからパルスの再生能は±12%
であった。ここでの方法は0.15ミリトール(mto
rr)又はそれ以下の圧力において、気体としてヘリウ
ム(90psi)を使用して操作した。
び金属の薄い被膜を有する種々の重合体の表面層を、加
速プラズマパルスに照射して処理した。 プラズマパルスを、79センチメータ離れた下部に置い
た目標物に照射した。試料の表面層に入射するエネルギ
ー密度は、パルスについて73から980mJ/cm2
の間で変化し、パルスからパルスの再生能は±12%
であった。ここでの方法は0.15ミリトール(mto
rr)又はそれ以下の圧力において、気体としてヘリウ
ム(90psi)を使用して操作した。
【0099】下部層の支持体に過度の傷を残さないよう
にして、域値と等しいか又はそれ以上のエネルギー流束
のプラズマパルスを試料に照射し、薄い被膜の除去を観
察した。この域値は、支持体の形態と同様に塗膜の材料
及び厚さによって変化する。
にして、域値と等しいか又はそれ以上のエネルギー流束
のプラズマパルスを試料に照射し、薄い被膜の除去を観
察した。この域値は、支持体の形態と同様に塗膜の材料
及び厚さによって変化する。
【0100】薄い被膜の選択的除去は、ステンシルを用
いるが如き非接触するか、又は試料の表面層に被膜を接
触して、プラズマパルスをマスクすることによって、行
うことができる。すべての試料は、その中央部をフェル
トチップのマーカー線を垂直に引いて(約1/16イン
チ(1.59mm)の幅)マスクした。
いるが如き非接触するか、又は試料の表面層に被膜を接
触して、プラズマパルスをマスクすることによって、行
うことができる。すべての試料は、その中央部をフェル
トチップのマーカー線を垂直に引いて(約1/16イン
チ(1.59mm)の幅)マスクした。
【0101】画像に対する加速プラズマパルスの効果は
、被膜を選択的に除去して、線の分解能を測定して調べ
た。分解能は試料に引かれたマーカー線に接して残った
被膜の境界に関連して定義される。この境界の幅は、4
50倍の光学顕微鏡を使用し、2.75ミクロンの分割
十字線を測定する。ここでの全試料は、最高のエネルギ
ーで処理したものは最良の分解能を示した。この分解能
の測定は、インクによる線が完全には明瞭でないので、
より低い値での限界で行った。
、被膜を選択的に除去して、線の分解能を測定して調べ
た。分解能は試料に引かれたマーカー線に接して残った
被膜の境界に関連して定義される。この境界の幅は、4
50倍の光学顕微鏡を使用し、2.75ミクロンの分割
十字線を測定する。ここでの全試料は、最高のエネルギ
ーで処理したものは最良の分解能を示した。この分解能
の測定は、インクによる線が完全には明瞭でないので、
より低い値での限界で行った。
【0102】例23−27 4ミル(0.102cm
)の厚さの二軸配向PETフィルム(3M社)に、銅の
フィルムを電子線により蒸着し、それぞれ38,76,
114,190及び380nmの厚さをその上に設けた
。各銅の厚さの試料に、各エネルギー密度(73,17
2,325,450,570,640,820,930
及び980mJ/cm2 )の加速ヘリウムプラズマパ
ルスを1度数照射した。
)の厚さの二軸配向PETフィルム(3M社)に、銅の
フィルムを電子線により蒸着し、それぞれ38,76,
114,190及び380nmの厚さをその上に設けた
。各銅の厚さの試料に、各エネルギー密度(73,17
2,325,450,570,640,820,930
及び980mJ/cm2 )の加速ヘリウムプラズマパ
ルスを1度数照射した。
【0103】最初の三つの薄い銅フィルムについては、
325mJ/cm2 のエネルギー密度で、そして19
0及び380nmのフィルムについては、640mJ/
cm2 のエネルギー密度で、銅の除去の域値を測定し
た。最高のエネルギー密度である980mJ/cm2
において、38nmの銅フィルムについては41ミクロ
ン、380nmのフィルムについては127ミクロンと
いう、最高の画像が観察された。これらの結果について
、表2に示す。
325mJ/cm2 のエネルギー密度で、そして19
0及び380nmのフィルムについては、640mJ/
cm2 のエネルギー密度で、銅の除去の域値を測定し
た。最高のエネルギー密度である980mJ/cm2
において、38nmの銅フィルムについては41ミクロ
ン、380nmのフィルムについては127ミクロンと
いう、最高の画像が観察された。これらの結果について
、表2に示す。
【0104】
【表2】
【0105】この実験観察によると、加速パルスのプラ
ズマ処理による金属腐蝕の機構は、支持体とその薄いフ
ィルム層との間の部分的な離層(delaminati
on)の結果であることを示している。それ故に、種々
の重合体フィルムでの銅の腐蝕は、銅に対する異なる密
着性であることが知られる。この支持体は、通常蒸着又
はスパッター塗布された商品としての重合体の範囲のも
のが含まれる。
ズマ処理による金属腐蝕の機構は、支持体とその薄いフ
ィルム層との間の部分的な離層(delaminati
on)の結果であることを示している。それ故に、種々
の重合体フィルムでの銅の腐蝕は、銅に対する異なる密
着性であることが知られる。この支持体は、通常蒸着又
はスパッター塗布された商品としての重合体の範囲のも
のが含まれる。
【0106】例28−32 例16におけると同様に
、2ミル(0.051mm)の厚さの二軸配向ポリプロ
ピレンフィルム(BOPP)に銅フィルムを電子線で蒸
着して同じ厚さにし、そして例23から27におけると
同様に処理した。密着性の比較から定量的に予想して、
銅はPETよりBOPPにおいて、より低いエネルギー
密度で腐蝕される。すべての試料は、同等の銅の厚さで
は、より低い域値を示し、そして改良された分解能値を
示す。この結果を表3に示す。
、2ミル(0.051mm)の厚さの二軸配向ポリプロ
ピレンフィルム(BOPP)に銅フィルムを電子線で蒸
着して同じ厚さにし、そして例23から27におけると
同様に処理した。密着性の比較から定量的に予想して、
銅はPETよりBOPPにおいて、より低いエネルギー
密度で腐蝕される。すべての試料は、同等の銅の厚さで
は、より低い域値を示し、そして改良された分解能値を
示す。この結果を表3に示す。
【0107】
【表3】
【0108】コンソリデート サーモプラスチック社
からの商品番号SF−30の2ミル(0.054mm)
の厚さの低密度ポリエチレン(LDPE)に銅の被膜を
電子線によって蒸着した。この試料は例23−27にお
けると同じように同じ厚さの被膜であって、そして同様
に処理を行った。
からの商品番号SF−30の2ミル(0.054mm)
の厚さの低密度ポリエチレン(LDPE)に銅の被膜を
電子線によって蒸着した。この試料は例23−27にお
けると同じように同じ厚さの被膜であって、そして同様
に処理を行った。
【0109】ここでは金属腐蝕に対し明らかに高い域値
であるにもかかわらず、例28−32(銅/BOPP)
のものと類似の画像分解能値を示した。測定した域値は
、PETにおける銅のものと比較されえよう。この域値
より大きいエネルギー密度で最高値の分解能が得られ、
そしてこれらの例では、その密度が980mJ/cm2
においてである。表4において、銅の厚さと関連して
測定値を示す。
であるにもかかわらず、例28−32(銅/BOPP)
のものと類似の画像分解能値を示した。測定した域値は
、PETにおける銅のものと比較されえよう。この域値
より大きいエネルギー密度で最高値の分解能が得られ、
そしてこれらの例では、その密度が980mJ/cm2
においてである。表4において、銅の厚さと関連して
測定値を示す。
【0110】
【表4】
【0111】例38−42 前述した例と関連して金
属/重合体の高密着性を含め、また熱硬化性支持体の腐
蝕を明らかにするため、銅を蒸着したポリイミドフィル
ムを処理した。例23−27と同様にして、銅フィルム
を電子線で蒸発させ、これを2ミル(0.054mm)
の厚さのPIフィルム(ピロメリット酸二無水物/オキ
シジアニリン)に蒸着した。予想されるように、銅/P
Iは画像に関して一番むずかしい。必要とされるエネル
ギー密度の域値は、他のものと比べ殆ど二倍である。
属/重合体の高密着性を含め、また熱硬化性支持体の腐
蝕を明らかにするため、銅を蒸着したポリイミドフィル
ムを処理した。例23−27と同様にして、銅フィルム
を電子線で蒸発させ、これを2ミル(0.054mm)
の厚さのPIフィルム(ピロメリット酸二無水物/オキ
シジアニリン)に蒸着した。予想されるように、銅/P
Iは画像に関して一番むずかしい。必要とされるエネル
ギー密度の域値は、他のものと比べ殆ど二倍である。
【0112】この最大分解能は、この域値より大きいエ
ネルギー密度において得られ、そしてこれらの例として
その密度が980mJ/cm2 においてである。更に
、100ミクロン以下の規格での画像形成は、114n
mの厚さまでである。これらの結果を表5に示す。
ネルギー密度において得られ、そしてこれらの例として
その密度が980mJ/cm2 においてである。更に
、100ミクロン以下の規格での画像形成は、114n
mの厚さまでである。これらの結果を表5に示す。
【0113】
【表5】
【0114】例43−47 銀、アルミニウム、ニッ
ケル、クロム及び二酸化珪素を電子線で蒸発し、3M社
の4ミル(0.102mm)の厚さの二軸配向PETの
上に、80nmの厚さでこれを蒸着した。この試料を例
23−27に記載されているようにして処理した。この
ことは、フィルムの形態によって異なる効果を定量的に
みることである。80nmの厚さは、金属腐蝕に必要と
される典型的な深さとして選定した。ここでの試料は、
例24と比較することができる。
ケル、クロム及び二酸化珪素を電子線で蒸発し、3M社
の4ミル(0.102mm)の厚さの二軸配向PETの
上に、80nmの厚さでこれを蒸着した。この試料を例
23−27に記載されているようにして処理した。この
ことは、フィルムの形態によって異なる効果を定量的に
みることである。80nmの厚さは、金属腐蝕に必要と
される典型的な深さとして選定した。ここでの試料は、
例24と比較することができる。
【0115】無機の二酸化珪素はPETに対して最も低
い密着性を有すると想定され、そして画像形成には最も
簡単とされた。最もむずかしい系はクロム/PETであ
って、実験した他のすべてのものより殆ど3倍のエネル
ギー域値を要し、そして一番低い金属の分解能を示した
。一番高い分解能はこれよりずっと大きいエネルギー密
度においてであって、そしてこれらの実験では980m
J/cm2 においてである。これら5つの系すべてに
ついての結果を表6に要約する。
い密着性を有すると想定され、そして画像形成には最も
簡単とされた。最もむずかしい系はクロム/PETであ
って、実験した他のすべてのものより殆ど3倍のエネル
ギー域値を要し、そして一番低い金属の分解能を示した
。一番高い分解能はこれよりずっと大きいエネルギー密
度においてであって、そしてこれらの実験では980m
J/cm2 においてである。これら5つの系すべてに
ついての結果を表6に要約する。
【0116】
【表6】
【0117】例48 65−70nmの厚さの銀フィ
ルムを電子線で処理し、3M社の7ミル(0.18mm
)の厚さのPETフィルムにこれを蒸着した。この銀フ
ィルムをカバナ社のカブキュア2−プロセス紫外線硬化
黒インクで印刷し、中央から中央の幅が10ミル(0.
254mm)の30本の綱状細線の模様を得た。このも
のを1.4J/cm2 のエネルギー密度の加速アルゴ
ンプラズマパルスの1度数で照射した。
ルムを電子線で処理し、3M社の7ミル(0.18mm
)の厚さのPETフィルムにこれを蒸着した。この銀フ
ィルムをカバナ社のカブキュア2−プロセス紫外線硬化
黒インクで印刷し、中央から中央の幅が10ミル(0.
254mm)の30本の綱状細線の模様を得た。このも
のを1.4J/cm2 のエネルギー密度の加速アルゴ
ンプラズマパルスの1度数で照射した。
【0118】未処理の試料は、レイトン社のLEIモデ
ル1010により測定すると、4.4mhos/squ
areの導電率を有し、そしてパーキンエルマー社のラ
ンブダ9分光光度計により測定すると、550nmの波
長において1%以下の透過率を有した。画像は1.5m
hos/squareの導電率を示すが、しかし透過率
は52%である。
ル1010により測定すると、4.4mhos/squ
areの導電率を有し、そしてパーキンエルマー社のラ
ンブダ9分光光度計により測定すると、550nmの波
長において1%以下の透過率を有した。画像は1.5m
hos/squareの導電率を示すが、しかし透過率
は52%である。
【0119】例49 アルミニウムのフィルムを電子
線によって蒸発し、3M社の1.6ミル(0.041m
m)の厚さの二軸配向ポリプロピレン(BOPP)の上
に、30−35nmの厚さに蒸着した。このアルミニウ
ムフィルムを、1インチについて125本の線(49ラ
イン/cm)の50%スクリンパターンを用い、商品名
カブキュア2−プロセス紫外線硬化青インクで印刷した
。この試料を900mJ/cm2 のエネルギー密度の
ものを用いた以外、例48と同様にして処理した。中間
調の画像を再生するため、マスクをしていない部分の金
属をプラズマパルスの照射によって、取り除いた。
線によって蒸発し、3M社の1.6ミル(0.041m
m)の厚さの二軸配向ポリプロピレン(BOPP)の上
に、30−35nmの厚さに蒸着した。このアルミニウ
ムフィルムを、1インチについて125本の線(49ラ
イン/cm)の50%スクリンパターンを用い、商品名
カブキュア2−プロセス紫外線硬化青インクで印刷した
。この試料を900mJ/cm2 のエネルギー密度の
ものを用いた以外、例48と同様にして処理した。中間
調の画像を再生するため、マスクをしていない部分の金
属をプラズマパルスの照射によって、取り除いた。
【0120】例50 50−100nmの厚さのアル
ミニウムを電子線によって蒸発し、3ミル(0.076
mm)の不織布支持体(3M社のサシーンリボン)に蒸
着した。このアルミニウムフィルムを、最低0.25m
mの幅の線及び直径のドットを有するパターンを用い、
溶剤を基本にしたインクで印刷した。この試料を3.3
J/cm2 のエネルギー密度の加速ヘリウムプラズマ
パルスの一度数に照射した。この処理は、インクで印刷
されていないアルミニウム被膜を選択的に取り除いて、
印刷画像を再生することである。
ミニウムを電子線によって蒸発し、3ミル(0.076
mm)の不織布支持体(3M社のサシーンリボン)に蒸
着した。このアルミニウムフィルムを、最低0.25m
mの幅の線及び直径のドットを有するパターンを用い、
溶剤を基本にしたインクで印刷した。この試料を3.3
J/cm2 のエネルギー密度の加速ヘリウムプラズマ
パルスの一度数に照射した。この処理は、インクで印刷
されていないアルミニウム被膜を選択的に取り除いて、
印刷画像を再生することである。
【0121】例51−59 前述したように、試料を
マスクし、プラズマによって被膜を選択的に取り除くこ
とができる。すでに述べたすべての実施例は、表面層の
塗膜を利用している。ステンシルの影を利用して試料を
マスクすることもできる。例23において示したように
、PETの上に38nmの銅を沈着させて得た試料を、
次に4−5mmの距離を置き、1cmの高さで2.54
cmの幅の開口を通して、1度数のヘリウムプラズマパ
ルスで処理した。各エネルギー密度で処理した金属化さ
れていない部分の状態を表7に示す。
マスクし、プラズマによって被膜を選択的に取り除くこ
とができる。すでに述べたすべての実施例は、表面層の
塗膜を利用している。ステンシルの影を利用して試料を
マスクすることもできる。例23において示したように
、PETの上に38nmの銅を沈着させて得た試料を、
次に4−5mmの距離を置き、1cmの高さで2.54
cmの幅の開口を通して、1度数のヘリウムプラズマパ
ルスで処理した。各エネルギー密度で処理した金属化さ
れていない部分の状態を表7に示す。
【0122】
【表7】
※ ここでの試料は正方形に近い(他はすべて丸い)
。
。
【0123】例60 30−35nmの厚さのアルミ
ニウムを電子線で処理して、3M社の1.6ミルの厚さ
の二軸配向ポリプロピレン(BOPP)に蒸着した。こ
のアルミニウム面を、カブキュア2−プロセス紫外線硬
化緑色インクを使用して、5ミル(0.127mm)幅
の線(番号3)の画像を形成した。この印刷した金属フ
ィルムを、次いで100nmのアルミニウムで更に蒸着
した。
ニウムを電子線で処理して、3M社の1.6ミルの厚さ
の二軸配向ポリプロピレン(BOPP)に蒸着した。こ
のアルミニウム面を、カブキュア2−プロセス紫外線硬
化緑色インクを使用して、5ミル(0.127mm)幅
の線(番号3)の画像を形成した。この印刷した金属フ
ィルムを、次いで100nmのアルミニウムで更に蒸着
した。
【0124】この試料に520mJ/cm2 のエネル
ギー密度で1度数の加速ヘリウムプラズマパルスを照射
した。インクで印刷した部分には、アルミニウムが残っ
ていた。金属化した表面部分に沈着したアルミニウム膜
を、下部層の重合体支持体を含めて腐蝕を行った。表面
層の密着性の相違に基づいて、加速プラズマ処理によっ
て被膜を選択的に取り除くことができることが明らかに
なった。
ギー密度で1度数の加速ヘリウムプラズマパルスを照射
した。インクで印刷した部分には、アルミニウムが残っ
ていた。金属化した表面部分に沈着したアルミニウム膜
を、下部層の重合体支持体を含めて腐蝕を行った。表面
層の密着性の相違に基づいて、加速プラズマ処理によっ
て被膜を選択的に取り除くことができることが明らかに
なった。
【0125】例61 3M社の1.2ミル(0.03
mm)の厚さのBOPPを、GPI社のサンキュア5番
紫外線硬化青インクで印刷し、6ミルの空間のある円か
ら成る画像を形成した。インク面を100nmのアルミ
ニウムを用い電子線で蒸着した。この金属化フィルムを
、0.12J/cm2 のエネルギー密度の1度数のア
ルゴンプラズマパルスに照射した。
mm)の厚さのBOPPを、GPI社のサンキュア5番
紫外線硬化青インクで印刷し、6ミルの空間のある円か
ら成る画像を形成した。インク面を100nmのアルミ
ニウムを用い電子線で蒸着した。この金属化フィルムを
、0.12J/cm2 のエネルギー密度の1度数のア
ルゴンプラズマパルスに照射した。
【0126】この処理により、インクの印刷されていな
い部分のBOPPからアルミニウムが選択的に取り除か
れた。試料をマスクしてプラズマを遮断するよりは、む
しろ試料の非金属化部分にエネルギー域値を変えて、加
速プラズマによって塗布被膜を選択的に取り除くことが
できることが明らかになった。
い部分のBOPPからアルミニウムが選択的に取り除か
れた。試料をマスクしてプラズマを遮断するよりは、む
しろ試料の非金属化部分にエネルギー域値を変えて、加
速プラズマによって塗布被膜を選択的に取り除くことが
できることが明らかになった。
【0127】例62 30−35nmのアルミニウム
フィルムを電子線で処理して、3M社の1.6ミル(0
.041mm)の厚さのBOPPである6インチ幅の連
続したロールに蒸着した。この金属化フィルムを、カブ
キュア2−プロセス紫外線硬化黄色インクを使用して印
刷し、0.07から4mmの幅の多数の線から成る画像
を形成した。この試料であるロールを、真空状態である
ウェブ処理装置に送入した。
フィルムを電子線で処理して、3M社の1.6ミル(0
.041mm)の厚さのBOPPである6インチ幅の連
続したロールに蒸着した。この金属化フィルムを、カブ
キュア2−プロセス紫外線硬化黄色インクを使用して印
刷し、0.07から4mmの幅の多数の線から成る画像
を形成した。この試料であるロールを、真空状態である
ウェブ処理装置に送入した。
【0128】この系での伝動ロールをパーカ社の210
0シリーズの計算機に接続して制御し、ガンから36c
mの距離において、6.25フィート/分(190cm
/分)の一定割合でウェブを操作した。同軸プラズマガ
ンは1.9秒/パルスの繰返しパルスによって操作され
、そして0.3cm以下の重なりの6.3cmの高さと
16.4cmの幅の開口を通して試料を処理した。各パ
ルスは、0.8J/cm2 のエネルギー密度である。
0シリーズの計算機に接続して制御し、ガンから36c
mの距離において、6.25フィート/分(190cm
/分)の一定割合でウェブを操作した。同軸プラズマガ
ンは1.9秒/パルスの繰返しパルスによって操作され
、そして0.3cm以下の重なりの6.3cmの高さと
16.4cmの幅の開口を通して試料を処理した。各パ
ルスは、0.8J/cm2 のエネルギー密度である。
【0129】加速プラズマパルスに照射した6メートル
の長さの物質は、ウェブ全体を通して印刷画像が形成さ
れており、従って連続方法にも同軸プラズマガンが使用
できることを証明している。この方法では、半結晶質で
あるかどうかに係わらず、いかなる重合体の面にもその
適用が有用である。ポリイミド支持体は、特にこの方法
で使用するのが好ましい。
の長さの物質は、ウェブ全体を通して印刷画像が形成さ
れており、従って連続方法にも同軸プラズマガンが使用
できることを証明している。この方法では、半結晶質で
あるかどうかに係わらず、いかなる重合体の面にもその
適用が有用である。ポリイミド支持体は、特にこの方法
で使用するのが好ましい。
【0130】例63 500から1000Aの銀被膜
を有する65ミクロンの平均直径を有するガラスビーズ
を、標準的な湿式銀メッキ方法によって製造した。この
ビーズの層を、3M社のシッピングメート標識接着剤で
、PETフィルム面に接着した。このビーズ層を、次に
4.08J/cm2 のエネルギー密度の1度数の加速
アルゴンプラズマパルスに照射した。ビーズの上半分の
銀は腐蝕されて取り除かれて、大変良好な逆反射鏡を生
成した。
を有する65ミクロンの平均直径を有するガラスビーズ
を、標準的な湿式銀メッキ方法によって製造した。この
ビーズの層を、3M社のシッピングメート標識接着剤で
、PETフィルム面に接着した。このビーズ層を、次に
4.08J/cm2 のエネルギー密度の1度数の加速
アルゴンプラズマパルスに照射した。ビーズの上半分の
銀は腐蝕されて取り除かれて、大変良好な逆反射鏡を生
成した。
【0131】有機分散体の焼結の実施例例64 弗素
化エチレンプロピレン分散液(デュポン社FEP120
)の被膜を、4ミル(0.102mm)の厚さの二軸配
向PETフィルムの面に設け、そして0.32J/cm
2 /パルスのエネルギー密度の1度数の加速ヘリウム
プラズマパルスに照射した。テフロンフィルムの未処理
及び加速プラズマ処理部分のSEM観察によると、加速
プラズマはテフロン粒子(約100−150nmの直径
)を焼結して、滑らかで連続したフィルム(例えば、加
速プラズマ照射後は個々の粒子が検出できない)になる
ことが明らかである。
化エチレンプロピレン分散液(デュポン社FEP120
)の被膜を、4ミル(0.102mm)の厚さの二軸配
向PETフィルムの面に設け、そして0.32J/cm
2 /パルスのエネルギー密度の1度数の加速ヘリウム
プラズマパルスに照射した。テフロンフィルムの未処理
及び加速プラズマ処理部分のSEM観察によると、加速
プラズマはテフロン粒子(約100−150nmの直径
)を焼結して、滑らかで連続したフィルム(例えば、加
速プラズマ照射後は個々の粒子が検出できない)になる
ことが明らかである。
Claims (19)
- 【請求項1】 イオン若しくはプラズマのパルス又は
走査ビームを重合体表面層に、0.8バール以下の圧力
に於いて10−3から103 J/cm2 の流れで1
0ナノセカンドから1ミリセカンドの効果的パルス時間
投射して、重合体表面層を改質する方法。 - 【請求項2】 該圧力が0.4バール以下である請求
項1記載の方法。 - 【請求項3】 該圧力が0.05バール以下である請
求項1記載の方法。 - 【請求項4】 少なくとも該表面層の一部分が融蝕さ
れる程度に該パルスの流れ及び度数を十分に高くする請
求項1記載の方法。 - 【請求項5】 少なくとも該表面層の一部分が融蝕さ
れる程度に該パルスの流れ及び度数を十分に高く、且つ
該パルス時間が10ナノセカンド及び100ミクロセカ
ンドの間である請求項3記載の方法。 - 【請求項6】 該表面層は有機半結晶質重合体を含み
、そして該パルスの流れ及び度数が少なくとも該表面の
一部分を準非晶状態に変える請求項1,3又は5記載の
方法。 - 【請求項7】 該表面層はポリエチレンテレフタレー
ト又はポリテトラフルオロエチレンから成る群から選ば
れた重合体を含み、そして該パルスが該重合体の架橋を
行う請求項1,3、又は5記載の方法。 - 【請求項8】 該イオン又はプラズマはマスクを通し
て投射させる請求項1,3又は5記載の方法。 - 【請求項9】 該パルスによって0.1から10マイ
クログラム/cm2 の該イオン又はプラズマの0.1
から10マイクログラム/cm2 の物質が該表面層に
沈着させる請求項1,2又は4記載の方法。 - 【請求項10】 イオン又はプラズマのパルスを該重
合体表面層に投射して金属層を該重合体表面に沈着させ
る請求項1,3又は5記載の方法。 - 【請求項11】 イオン又はプラズマのパルスを該重
合体表面層に投射して金属層を該重合体表面層に沈着さ
せる請求項7記載の方法。 - 【請求項12】 本質的に有機重合体、ガラス、セラ
ミックス及び金属から成る群から選ばれた表面層を改質
する方法において、1から20度数の効果的パルス若し
くはビームとしてのイオン又はプラズマを該表面層に0
.8バールの気圧において1mJ/cm2 から103
J/cm2 の流れで10ナノセカンドから1ミリセ
カンドの効果的パルス時間投射することを含む方法。 - 【請求項13】 該表面層はガラスを含み、そして該
ガラスは該イオン又はプラズマによって腐蝕又は融蝕さ
れている請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 該重合体表面層は該イオン又はプラ
ズマを投射して連続気泡フォームの上にスキン層を形成
して含む請求項1,3又は5記載の方法。 - 【請求項15】 該イオンは同軸プラズマ加速器によ
って投射される請求項1,3又は5記載の方法。 - 【請求項16】 該イオンはイオンダイオードによっ
て投射される請求項1,3又は5記載の方法。 - 【請求項17】 該イオンは同軸プラズマ加速器によ
って投射される請求項7記載の方法。 - 【請求項18】 該イオンはイオンダイオードによっ
て投射される請求項7記載の方法。 - 【請求項19】 該重合体は有機合成重合体を含み、
そして該処理後該重合体表面層は他の物質に結合してい
る請求項15記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/665,692 US5389195A (en) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | Surface modification by accelerated plasma or ions |
US665692 | 1991-03-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04359932A true JPH04359932A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=24671180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4049451A Pending JPH04359932A (ja) | 1991-03-07 | 1992-03-06 | 加速プラズマ又はイオンによる表面改質 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5389195A (ja) |
EP (1) | EP0502633B1 (ja) |
JP (1) | JPH04359932A (ja) |
KR (1) | KR920017791A (ja) |
DE (1) | DE69209706T2 (ja) |
ES (1) | ES2085562T3 (ja) |
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---|---|
EP0502633B1 (en) | 1996-04-10 |
US5389195A (en) | 1995-02-14 |
EP0502633A2 (en) | 1992-09-09 |
DE69209706T2 (de) | 1996-11-28 |
DE69209706D1 (de) | 1996-05-15 |
KR920017791A (ko) | 1992-10-21 |
EP0502633A3 (en) | 1993-04-07 |
ES2085562T3 (es) | 1996-06-01 |
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