JPH04358858A - イオンフロー静電記録ヘッド - Google Patents

イオンフロー静電記録ヘッド

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JPH04358858A
JPH04358858A JP13443491A JP13443491A JPH04358858A JP H04358858 A JPH04358858 A JP H04358858A JP 13443491 A JP13443491 A JP 13443491A JP 13443491 A JP13443491 A JP 13443491A JP H04358858 A JPH04358858 A JP H04358858A
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JP
Japan
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electrode
electrodes
dielectric layer
recording head
electrostatic recording
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JP13443491A
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Bunji Akimoto
文二 秋元
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Olympus Corp
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Olympus Optical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えば静電記録装置で使
用されるイオンフロー静電記録ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、例えば静電印刷等において、高
電流密度のイオンを発生させ、これを抽出して選択的に
被帯電部材に付与して、この被帯電部材を画像状に帯電
させる静電記録装置が知られている。
【0003】図2および図3はこの静電記録装置に用い
られるイオンフロー静電記録ヘッド1の要部の概略構成
を示すもので、2はイオン発生部、3はイオン流制御部
である。また、イオン発生部2にはイオン発生用の複数
の第1電極4…と複数の第2電極5…とが設けられてお
り、これらの第1電極4…と第2電極5…との間には誘
電体からなる誘電体層6が配設されている。
【0004】なお、静電記録ヘッド1には絶縁基板7が
設けられており、この絶縁基板7上に一方向に延びる複
数の第1電極4…が略平行に並設されている。また、誘
電体層6は絶縁基板7における第1電極4…の配設面側
に設けられている。
【0005】さらに、複数の第2電極5…は誘電体層6
における絶縁基板7とは反対側の面に第1電極4…と交
差する方向に並設させた状態で接着剤10によって固着
されており、第1電極4…と第2電極5…とによってマ
トリックスが構成されている。そして、第2電極5…に
はこのマトリックスと対応する部位にそれぞれ開口部5
a…が形成されている。
【0006】また、イオン流制御部3には第2電極5…
に対して第1電極4…とは反対側に配置された帯状の第
3電極8が設けられている。この第3電極8には第1電
極4…と第2電極5…とのマトリックスと対応する部位
にイオン流通過用の開口部8a…が形成されている。
【0007】さらに、第2電極5…と第3電極8との間
には絶縁体層9が配設されている。この絶縁体層9には
第2電極5…および第3電極8の各開口部5a…、8a
…と対応する部位にイオン流通過用の開口部9a…が形
成されている。そして、第2電極5…、絶縁体層9およ
び第3電極8の各開口部5a…、9a…、8a…によっ
てイオン流通過口11…が形成されている。
【0008】また、イオンフロー静電記録ヘッド1の動
作時には印字信号にもとづいて第1電極4…と第2電極
5…との間のマトリックスが適宜選択され、選択された
マトリックス部分に対応する第1電極4…と第2電極5
…との間に交流電圧が印加される。これにより、選択さ
れたマトリックス部分に対応する第2電極5…の開口部
5a…内の近傍部位に正負イオンが発生する。このとき
、第2電極5…と第3電極8との間にはバイアス電圧が
印加され、その極性によって決まるイオンのみが第2電
極5…の開口部5a…内の近傍部位に発生したイオンか
ら抽出される。
【0009】ここで、抽出されたイオンは絶縁体層9の
開口部9aおよび第3電極8の開口部8a…を通過し、
図示しない誘電体ドラムを局部的に帯電させる。したが
って、第1電極4…および第2電極5…の選択的駆動に
より、誘電体ドラム上にドットを形成することができる
【0010】ところで、イオンフロー静電記録ヘッド1
の誘電体層6を形成する誘電物質はイオン発生のために
印加される高電圧でも絶縁破壊しないことが要求される
。また、イオンの発生を効率よく行なわせるために、絶
縁破壊に耐える十分な厚さを必要とするとともに、誘電
率の高いものが要求される。
【0011】例えば、特表昭57−501348 号公
報ではこの誘電体層6を形成する誘電物質としてマイカ
が用いられ、有機ポリシロキサン系の粘着剤により、第
1電極4…に固着させている。ここで用いられるマイカ
は、シート状で厚さは非常に薄いものとなっている。
【0012】また、近年では例えば、特開平2−153
760号公報のように誘電体層6としてマイカの代わり
にシリコーン変性ポリエステル−アルキド樹脂といった
有機高分子材料に酸化チタンの微粉末を分散させてペー
スト状にした誘電物質をフレキシブル基板上に塗布し、
加熱硬化する方法も提唱されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
表昭57−501348 号公報のように誘電物質とし
て用いられているマイカの厚さは例えば20μm以下程
度であり、非常に薄いので、割れ易い問題がある。その
ため、静電記録ヘッド1の製造作業の途中でこのマイカ
が破損するおそれがあるので、静電記録ヘッド1の製造
作業中の製品の歩留まりが悪い問題がある。
【0014】また、静電記録ヘッド1の製造作業中にマ
イカを第1電極4…に貼りつける面倒な作業工程が必要
となるので、静電記録ヘッド1の製造作業が難しくなる
問題があった。
【0015】さらに、マイカは天然物であるため、均一
で安定な品質を得にくいうえ、任意の形状の材料を得る
ことは非常に困難なので、コスト高になり、イオンフロ
ー静電記録ヘッド1の安定供給とコスト面で大きな問題
がある。
【0016】また、特開平2−153760号公報のよ
うにシリコーン変性ポリエステル−アルキド樹脂といっ
た有機高分子材料に酸化チタンの微粉末を分散させてペ
ースト状にした誘電物質ペーストを第1電極4…上に直
接塗布し、硬化させる方法を採用した場合には誘電物質
ペーストの乾燥、硬化がそれぞれ100℃で1時間程度
、150℃で5時間程度といった高温長時間の条件で行
われる。
【0017】しかしながら、このような高温長時間の加
熱処理を行なった場合には使用する部材の変形がおきた
り、膨張収縮差によって積層された絶縁基板7、第1電
極4…、誘電体層6の積層体がそったり、硬化した誘電
体層6にひび割れが起きる等の問題があるので、均一に
イオンを発生できない部分が存在したり、漏電現象が起
きてしまうおそれがある。そのため、イオンフロー静電
記録ヘッド1の動作時に高精細な画像が得られないとい
う問題が生じる。
【0018】本発明は上記事情に着目してなされたもの
で、その目的は、高温長時間の熱処理を必要とせずに誘
電体層を硬化し、比誘電率を高くすることができ、マイ
カと同程度の高精細な画像形成が可能で安価なイオンフ
ロー静電記録ヘッドを提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基板上に同
方向に略直線状に延設され、略平行に並設された複数の
第1電極と、これらの第1電極の延設方向と異なる方向
に延設され、前記第1電極とともにマトリクスを構成し
、かつこのマトリクスと対応する部位に開口部が形成さ
れた複数の第2電極と、前記第2電極に対応して前記第
1電極とは反対側に配置され、前記マトリクスと対応す
る部位に開口部が形成された第3電極と、前記第1電極
と第2電極との間に配設された誘電体層と、前記第2電
極と第3電極との間に配設された絶縁体とを有し、前記
絶縁体における前記マトリクスと対応する部位に開口部
が形成されたイオンフロー静電記録ヘッドにおいて、エ
ポキシ系樹脂にセラミック粉末を分散して調製された誘
電体ペーストが前記第1電極および前記第1電極のパタ
ーン間の前記絶縁基板上に塗布され、加熱硬化されて形
成された前記誘電体層を設けたものである。
【0020】
【作用】上記構成によれば比較的低温状態で硬化するエ
ポキシ系樹脂にセラミック粉末を分散して調製された誘
電体ペーストを第1電極の表面および第1電極のパター
ン間の絶縁基板上に塗布し、加熱硬化させて誘電体層を
形成することにより、比較的低温の熱処理で誘電体層の
成形作業を行なわせることができる。そのため、誘電体
層の成形作業時に従来のような高温処理によって積層体
が変形したり、或いは熱膨張差によって絶縁基板、第1
電極、誘電体層の積層体の反りが発生したり、硬化した
誘電体層にひび割れが起きたりすることを防止すること
ができる。さらに、誘電体層を形成する誘電体ペースト
をエポキシ系樹脂にセラミック粉末を分散して調製する
ことにより、硬化収縮等により、密度を増大させて誘電
体層の比誘電率を高めるようにしたものである。
【0021】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例を図1(A)〜
(C)を参照して説明する。なお、図1(A)〜(C)
中で、図2および図3と同一部分には同一の符号を付し
てその説明を省略する。
【0022】すなわち、この実施例はエポキシ系樹脂に
セラミック粉末を分散して調製された誘電体ペースト2
1を第1電極4…および第1電極4…のパターン間の絶
縁基板7上に塗布し、加熱硬化させてイオンフロー静電
記録ヘッド1の誘電体層6を形成させたものである。こ
の場合、イオンフロー静電記録ヘッド1の絶縁基板7は
図1(A)に示すように例えば厚さ125μm程度のガ
ラス−エポキシFRP板(ガラス繊維強化プラスチック
板)によって形成されている。
【0023】そして、イオンフロー静電記録ヘッド1の
製造時にはこの絶縁基板7の表面に例えば厚さ18μm
程度の銅箔が貼着され、この絶縁基板7上の銅箔にエッ
チング加工でパターニングされ、第1電極4…が形成さ
れる。
【0024】この第1電極4…上および第1電極4…の
パターン間の絶縁基板7上に次の方法で誘電体層6が形
成される。この誘電体層6の形成時にはまず、例えば日
本チバガイギー社製のアラルダイトCY221R(商品
名)を主剤とし、例えば日本チバガイギー社製のアラル
ダイトHY951R(商品名)を硬化剤としたエポキシ
系樹脂を、主剤100,硬化剤10の割合で、乳鉢およ
び乳棒を内蔵した電動式混練機により混練しながら、例
えば酸化チタンとチタン酸バリウムの重合比1〜3:8
の混合粉体等のセラミック粉末を徐々に加えて混合し、
混合粉体の含有比73.4wt.%の誘電体ペースト2
1を作成する。
【0025】さらに、減圧脱泡装置によりこの誘電体ペ
ースト21に振動を加えながら脱泡を行う。また、ここ
で加えた混合粉体は例えばシランカップリング剤の3〜
5wt.%のエタノール溶液中で混合し、乾燥させたも
のである。
【0026】次に、誘電体ペースト21を第1電極4…
上および第1電極4…のパターン間の絶縁基板7上にス
クリーン印刷する。そして、このスクリーン印刷後、例
えば60℃程度の比較的低温の加熱温度で3時間程度こ
の誘電体ペースト21を加熱硬化させ、図1(A)に示
すように第1電極4…上に厚さ33μm程度の誘電体層
6を形成させる。
【0027】さらに、誘電体層6の形成後、予め例えば
厚さ30μm程度のステンレス箔をエッチング等でパタ
ーニングしておいた第2電極5…を図1(B)に示すよ
うに誘電体層6の上に接着剤22を介して接着する。こ
の接着剤22は例えばシリコーン系接着剤である。
【0028】なお、この接着剤22の塗布作業時には例
えばトルエンで4倍に希釈した接着剤22を誘電体層6
および絶縁基板7上にスプレーまたはディッピングで塗
布する。さらに、接着剤22を塗布したのち、例えば7
0℃程度の加熱温度でこの接着剤22を5分間程度加熱
し、接着剤22中の溶剤成分を揮発・乾燥させた状態で
、第2電極5…を接着する。
【0029】次に、誘電体層6および絶縁基板7上と第
2電極5…との間に挟まれた接着剤22を例えば130
℃の熱板上で約10分間程度、8kg/cm2 程度の
荷重下で加熱硬化させる。この場合、絶縁基板7、第2
電極5…およびその開口部5a…内の接着剤22上を例
えばシランカップリング剤で処理しておく。
【0030】さらに、絶縁基板7、第2電極5…および
その開口部5a…内の接着剤22上をフィルム状の絶縁
体23で真空ラミネートすることにより、図1(C)に
示すように絶縁体層9が形成される。この絶縁体層9の
形成後、この絶縁体層9に通常の感光性フィルムと同様
に、露光・現像等のフォトエッチング処理を施すことに
より、第2電極5…の開口部5a…と対応する位置に開
口部9a…が形成される。
【0031】また、絶縁体層9の開口部9a…の形成後
、この絶縁体層9の上に第3電極8が接合される。この
場合、第3電極8にはイオン流通過用の開口部8a…が
予め形成されている。そして、絶縁体層9の上に第3電
極8を接合させる接合作業時には絶縁体層9の開口部9
a…と第3電極8の開口部8a…とを位置合わせした状
態で第3電極8を絶縁体層9上に重ね合わせることによ
り、イオンフロー静電記録ヘッド1が製造される。この
場合、第3電極8と絶縁体層9とは例えば粘着剤や両面
テープで貼り合わせる他、第3電極8上から片面テープ
で絶縁体層9へ貼り付けても良い。
【0032】そこで、上記構成のものにあってはイオン
フロー静電記録ヘッド1の製造作業時には比較的低温状
態で硬化するエポキシ系樹脂にセラミック粉末を分散し
て調製された誘電体ペースト21を第1電極4…の表面
および第1電極4…のパターン間の絶縁基板7上に塗布
し、加熱硬化させて誘電体層6を形成するようにしたの
で、比較的低温短時間の熱処理で誘電体層6の成形作業
を行なわせることができる。そのため、誘電体層6の成
形作業時に従来のような長時間の高温処理を不要とする
ことができ、長時間の高温処理によって絶縁基板7、第
1電極4…、誘電体層6の積層体24が変形したり、或
いは熱膨張差によって積層体24の反りが発生したり、
硬化した誘電体層6にひび割れが起きることを防止でき
るので、イオンフロー静電記録ヘッド1を精度よく製造
することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【0033】また、本実施例で誘電体層6の成形に用い
たエポキシ樹脂は耐電解腐食性や電気特性に優れるので
、イオンフロー静電記録ヘッド1の性能を高め、長寿命
化を図ることができる。
【0034】さらに、エポキシ系樹脂に酸化チタンとチ
タン酸バリウムの混合粉体等のセラミック粉末を分散し
て調製した誘電体ペースト21によって誘電体層6を形
成したので、硬化収縮等により、密度を増大させて誘電
体層6の比誘電率を例えば20程度に高めることができ
る。そのため、天然物のマイカに比べて誘電体層6の靭
性を高く、かつ誘電率を高くすることができるので、誘
電体層6の厚さを厚く設定して絶縁破壊に強く、加工に
耐える強度的に強い誘電体層6を得ることができる。
【0035】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。本実施例では例えばエポキシテクノロジー社製の
エポキシ系樹脂エポテック301−2R(商品名)を主
剤100、硬化剤35の割合で電動式混練機により混練
しながら、例えば酸化チタンとチタン酸バリウムの重合
比1〜3:8の混合粉体等のセラミック粉末を徐々に加
えて混合し、混合粉体の含有比73.4wt.%の誘電
体ペースト21を作成し、この誘電体ペースト21を第
1電極4…上および第1電極4…のパターン間の絶縁基
板7上にスクリーン印刷して誘電体層6の誘電体ペース
ト21を形成したものである。なお、この場合の誘電体
ペースト21の加熱硬化条件は、80℃で2時間程度と
なる。他は、第1の実施例と同様の工程で、イオンフロ
ー静電記録ヘッド1が製造される。
【0036】このようにして製造されたイオンフロー静
電記録ヘッド1は第1の実施例と同様に、誘電体ペース
ト21にエポキシ系樹脂を用いているので、イオンフロ
ー静電記録ヘッド1の製造過程中の加熱処理を、比較的
低温短時間で行なうことができる。そのため、イオンフ
ロー静電記録ヘッド1の誘電体層6の成形作業時に従来
のような長時間の高温処理を不要とすることができ、長
時間の高温処理によって絶縁基板7、第1電極4…、誘
電体層6の積層体24が変形したり、或いは熱膨張差に
よって積層体24の反りが発生したり、硬化した誘電体
層6にひび割れが起きることを防止できるので、イオン
フロー静電記録ヘッド1を精度よく製造することができ
、歩留まりの向上を図ることができる。
【0037】なお、この発明は上記実施例に限定される
ものではない。例えば、上記実施例では誘電体ペースト
のエポキシ系樹脂に混合されるセラミック粉末として酸
化チタンとチタン酸バリウムの重合比1〜3:8の混合
粉体を示したが、このセラミック粉末はPZT,Al2
 O3 ,SiO2,ZrO2 ,MgO等であっても
よい。 さらに、その他この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変形実施できることは勿論である。
【0038】
【発明の効果】本発明によれば比較的低温状態で硬化す
るエポキシ系樹脂にセラミック粉末を分散して調製され
た誘電体ペーストを第1電極の表面および第1電極のパ
ターン間の絶縁基板上に塗布し、加熱硬化させて誘電体
層を形成したので、誘電体層の成形工程における加熱処
理を比較的低温短時間で行なうことができ、熱変形や、
熱膨張差によって絶縁基板、第1電極、誘電体層の積層
体の反りが発生したり、硬化した誘電体層にひび割れが
起きたりすることを防止することができるとともに、比
誘電率を高くしてマイカと同程度の高精細な画像形成が
可能なイオンフロー静電記録ヘッドを安価に製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】  この発明の第1の実施例のイオンフロー静
電記録ヘッドの製造工程を説明するもので、(A)は誘
電体層形成工程を説明するための縦断面図、(B)は第
2電極の固着工程を説明するための縦断面図、(C)は
イオンフロー静電記録ヘッド全体の縦断面図。
【図2】  イオンフロー静電記録ヘッドの断面斜視図
【図3】  イオンフロー静電記録ヘッドの要部の概略
構成を示す縦断面図。
【符号の説明】
4…第1電極,5…第2電極,5a、8a、9a…開口
部,6…誘電体層,7…絶縁基板,8…第3電極,9…
絶縁体,11…イオン流通過口,21…誘電体ペースト

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  絶縁基板上に同方向に略直線状に延設
    され、略平行に並設された複数の第1電極と、これらの
    第1電極の延設方向と異なる方向に延設され、前記第1
    電極とともにマトリクスを構成し、かつこのマトリクス
    と対応する部位に開口部が形成された複数の第2電極と
    、前記第2電極に対応して前記第1電極とは反対側に配
    置され、前記マトリクスと対応する部位に開口部が形成
    された第3電極と、前記第1電極と第2電極との間に配
    設された誘電体層と、前記第2電極と第3電極との間に
    配設された絶縁体とを有し、前記絶縁体における前記マ
    トリクスと対応する部位に開口部が形成されたイオンフ
    ロー静電記録ヘッドにおいて、エポキシ系樹脂にセラミ
    ック粉末を分散して調製された誘電体ペーストが前記第
    1電極および前記第1電極のパターン間の前記絶縁基板
    上に塗布され、加熱硬化されて形成された前記誘電体層
    を設けたことを特徴とするイオンフロー静電記録ヘッド
JP13443491A 1991-06-05 1991-06-05 イオンフロー静電記録ヘッド Withdrawn JPH04358858A (ja)

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Effective date: 19980903