JPH04356805A - 増幅器 - Google Patents
増幅器Info
- Publication number
- JPH04356805A JPH04356805A JP3130173A JP13017391A JPH04356805A JP H04356805 A JPH04356805 A JP H04356805A JP 3130173 A JP3130173 A JP 3130173A JP 13017391 A JP13017391 A JP 13017391A JP H04356805 A JPH04356805 A JP H04356805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mesfet
- gate
- source
- schottky
- amplitude
- Prior art date
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- Withdrawn
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ショットキゲート電界
効果トランジスタ（以下ＭＥＳＦＥＴと称す）を用いた
増幅器の改良に関する。
効果トランジスタ（以下ＭＥＳＦＥＴと称す）を用いた
増幅器の改良に関する。
【０００２】ＭＥＳＦＥＴは雑音が少ないので、ＧａＡ
ｓ等のＭＥＳＦＥＴが光受信部の前置増幅器等によく用
いられている。
ｓ等のＭＥＳＦＥＴが光受信部の前置増幅器等によく用
いられている。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例の増幅器の回路図であり、
ＱはＭＥＳＦＥＴ、Ｒ１〜Ｒ４は抵抗を示し、該増幅器
はソース接地型の増幅器となっている。
ＱはＭＥＳＦＥＴ、Ｒ１〜Ｒ４は抵抗を示し、該増幅器
はソース接地型の増幅器となっている。
【０００４】図３のＭＥＳＦＥＴＱのソース電位は例え
ば１Ｖで、ゲートの電位は例えば０．５Ｖになるよう抵
抗Ｒ１〜Ｒ４にて調整し、ゲートの電位をソースの電位
より低くなるようにして増幅器を構成している。
ば１Ｖで、ゲートの電位は例えば０．５Ｖになるよう抵
抗Ｒ１〜Ｒ４にて調整し、ゲートの電位をソースの電位
より低くなるようにして増幅器を構成している。
【０００５】入力信号がＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲートに入
力すると、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑにて増幅され、ドレインと
負電圧−Ｖ間の電圧が出力される。この場合、ＭＥＳＦ
ＥＴ，Ｑのショットキ電圧を例えば０．４Ｖとすると、
図３に示す入力信号の振幅Ｖ Ｍ が０．４Ｖ＋（１−
０．５）Ｖ＝０．９Ｖの値より大きくなり所謂ショット
キ障壁を越えるとゲートからソースに電流が流れＭＥＳ
ＦＥＴ，Ｑが劣化するので、通常は入力信号の振幅を、
ショットキ障壁を越えない、この場合は０．９Ｖ以下に
なるようにしている。
力すると、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑにて増幅され、ドレインと
負電圧−Ｖ間の電圧が出力される。この場合、ＭＥＳＦ
ＥＴ，Ｑのショットキ電圧を例えば０．４Ｖとすると、
図３に示す入力信号の振幅Ｖ Ｍ が０．４Ｖ＋（１−
０．５）Ｖ＝０．９Ｖの値より大きくなり所謂ショット
キ障壁を越えるとゲートからソースに電流が流れＭＥＳ
ＦＥＴ，Ｑが劣化するので、通常は入力信号の振幅を、
ショットキ障壁を越えない、この場合は０．９Ｖ以下に
なるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、何らか
の原因で入力信号の振幅がショットキ障壁を越えるよう
になると、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲートよりソースに電流
が流れＭＥＳＦＥＴを劣化させる問題点がある。
の原因で入力信号の振幅がショットキ障壁を越えるよう
になると、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲートよりソースに電流
が流れＭＥＳＦＥＴを劣化させる問題点がある。
【０００７】本発明は、入力信号の振幅がショットキ障
壁を越えるようになってもＭＥＳＦＥＴを劣化させない
増幅器の提供を目的としている。
壁を越えるようになってもＭＥＳＦＥＴを劣化させない
増幅器の提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理回路
図である。図１に示す如く、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲート
電位をソース電位より低くした増幅器において、該ＭＥ
ＳＦＥＴ，Ｑのゲートとソース間に、該ＭＥＳＦＥＴ，
Ｑのショットキ電圧より低い電圧でオンするショットキ
接触型ダイオードＤを接続する。
図である。図１に示す如く、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲート
電位をソース電位より低くした増幅器において、該ＭＥ
ＳＦＥＴ，Ｑのゲートとソース間に、該ＭＥＳＦＥＴ，
Ｑのショットキ電圧より低い電圧でオンするショットキ
接触型ダイオードＤを接続する。
【０００９】
【作用】本発明によれば、入力信号の振幅がＭＥＳＦＥ
Ｔ，Ｑのショットキ障壁を越える少し前の振幅迄大きく
なると、ショットキ接触型ダイオードＤがオンするので
、入力信号の振幅がより大きくなっても、ＭＥＳＦＥＴ
，Ｑのゲート，ソース間の振幅はこれ以上大きくならず
、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲートからソースに電流が流れな
いので、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑは劣化をしなくなる。
Ｔ，Ｑのショットキ障壁を越える少し前の振幅迄大きく
なると、ショットキ接触型ダイオードＤがオンするので
、入力信号の振幅がより大きくなっても、ＭＥＳＦＥＴ
，Ｑのゲート，ソース間の振幅はこれ以上大きくならず
、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑのゲートからソースに電流が流れな
いので、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑは劣化をしなくなる。
【００１０】
【実施例】図２は本発明の実施例の光受信部の前置増幅
器の回路図であり、Ｑ１はＭＥＳＦＥＴ、Ｄ１はショッ
トキ接触型ダイオード、Ｑ２，Ｑ３はＦＥＴ、Ｒ５は抵
抗、Ｒｆは負帰還抵抗、Ｄ２〜Ｄ５はレベルシフトダイ
オードで、ダイオードＤ２，Ｄ３でゲート電位がソース
電位より低くし、ダイオードＤ２，Ｄ３で電位を低くし
た分ダイオードＤ４，Ｄ５でＦＥＴＱ２のソース電位を
上げている。
器の回路図であり、Ｑ１はＭＥＳＦＥＴ、Ｄ１はショッ
トキ接触型ダイオード、Ｑ２，Ｑ３はＦＥＴ、Ｒ５は抵
抗、Ｒｆは負帰還抵抗、Ｄ２〜Ｄ５はレベルシフトダイ
オードで、ダイオードＤ２，Ｄ３でゲート電位がソース
電位より低くし、ダイオードＤ２，Ｄ３で電位を低くし
た分ダイオードＤ４，Ｄ５でＦＥＴＱ２のソース電位を
上げている。
【００１１】又ＦＥＴＱ３は電流源であり、ＦＥＴＱ２
はソースホロワー型バッフアを構成している。又ＰＤは
ホトダイオードを示す。
はソースホロワー型バッフアを構成している。又ＰＤは
ホトダイオードを示す。
【００１２】光送信部より送られてきた光信号は，ホト
ダイオードＰＤにて電流信号に変換され、ＭＥＳＦＥＴ
，Ｑ１のゲートに入力し、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ１にて電圧
に変換されＦＥＴＱ２のゲートに入力し、出力はソース
側より出力される。
ダイオードＰＤにて電流信号に変換され、ＭＥＳＦＥＴ
，Ｑ１のゲートに入力し、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ１にて電圧
に変換されＦＥＴＱ２のゲートに入力し、出力はソース
側より出力される。
【００１３】この場合、光送信部に用いられているＬＤ
やＬＥＤの障害で過大直流光を発生させると、ホトダイ
オードＰＤの出力電流が大きくなり、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ
１のゲートの電流が増加しゲートの電位が上昇する。
やＬＥＤの障害で過大直流光を発生させると、ホトダイ
オードＰＤの出力電流が大きくなり、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ
１のゲートの電流が増加しゲートの電位が上昇する。
【００１４】しかし、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ１のショットキ
障壁を越える少し前の電位になると、ショットキ接触型
ダイオードＤ１がオンするので、入力電流がこれ以上大
きくなっても、ゲートの電位はこれ以上上がらず、ＭＥ
ＳＦＥＴ，Ｑ１のゲートからソースに電流が流れないの
で、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ１は劣化をしなくなる。
障壁を越える少し前の電位になると、ショットキ接触型
ダイオードＤ１がオンするので、入力電流がこれ以上大
きくなっても、ゲートの電位はこれ以上上がらず、ＭＥ
ＳＦＥＴ，Ｑ１のゲートからソースに電流が流れないの
で、ＭＥＳＦＥＴ，Ｑ１は劣化をしなくなる。
【００１５】尚ショットキ接触型ダイオードのゲート長
は６μ程度で、ＭＥＳＦＥＴのゲート長より６倍程度長
いので、電流が流れても寿命は殆ど短くならない。又Ｍ
ＥＳＦＥＴの集積回路のテップ上に、ショットキ接触型
ダイオードを実現させるとすると、活性層の厚さと共に
不純物の濃度を制御することで実現出来る。
は６μ程度で、ＭＥＳＦＥＴのゲート長より６倍程度長
いので、電流が流れても寿命は殆ど短くならない。又Ｍ
ＥＳＦＥＴの集積回路のテップ上に、ショットキ接触型
ダイオードを実現させるとすると、活性層の厚さと共に
不純物の濃度を制御することで実現出来る。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明せる如く本発明によれば
、入力信号の振幅が、ＭＥＳＦＥＴのショットキ障壁を
越えるように大きくなっても、ショットキ障壁を越える
前の電圧にてショットキ接触型ダイオードがオンとなる
ので、ＭＥＳＦＥＴのゲート，ソース間には電流は流れ
ずＭＥＳＦＥＴを劣化させない効果がある。
、入力信号の振幅が、ＭＥＳＦＥＴのショットキ障壁を
越えるように大きくなっても、ショットキ障壁を越える
前の電圧にてショットキ接触型ダイオードがオンとなる
ので、ＭＥＳＦＥＴのゲート，ソース間には電流は流れ
ずＭＥＳＦＥＴを劣化させない効果がある。
【図１】は本発明の原理回路図、
【図２】は本発明の実施例の光受信部の前置増幅器の回
路図、
路図、
【図３】は従来例の増幅器の回路図である。
Ｑ，Ｑ１はショットキゲート電界効果トランジスタ、Ｑ
２，Ｑ３は電界効果トランジスタ、 Ｄ，Ｄ１はショットキ接触型ダイオード、Ｄ２〜Ｄ５は
ダイオード、 ＰＤはホトダイオード、 Ｒ１〜Ｒ５は抵抗、 Ｒｆは負帰還抵抗を示す。
２，Ｑ３は電界効果トランジスタ、 Ｄ，Ｄ１はショットキ接触型ダイオード、Ｄ２〜Ｄ５は
ダイオード、 ＰＤはホトダイオード、 Ｒ１〜Ｒ５は抵抗、 Ｒｆは負帰還抵抗を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 ショットキゲート電界効果トランジス
タ（Ｑ）のゲート電位をソース電位より低くした増幅器
において、該ショットキゲート電界効果トランジスタ（
Ｑ）のゲートとソース間に、該ショットキゲート電界効
果トランジスタ（Ｑ）のショットキ電圧より低い電圧で
オンするショットキ接触型ダイオード（Ｄ）を接続した
ことを特徴とする増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130173A JPH04356805A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130173A JPH04356805A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356805A true JPH04356805A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15027786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3130173A Withdrawn JPH04356805A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04356805A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08237041A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| WO2003009466A1 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Nec Corporation | Circuit de preamplification |
| JP2013065941A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 受光回路 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP3130173A patent/JPH04356805A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08237041A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| WO2003009466A1 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Nec Corporation | Circuit de preamplification |
| EP1427100A1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-06-09 | NEC Corporation | Preamplification circuit |
| EP1427100A4 (en) * | 2001-07-16 | 2004-10-20 | Nec Corp | pre-amplification |
| US7126412B2 (en) | 2001-07-16 | 2006-10-24 | Nec Corporation | Preamplification circuit |
| JP2013065941A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 受光回路 |
| US8884208B2 (en) | 2011-09-15 | 2014-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving circuit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |