JPH04356429A - 置換芳香族化合物の酸化方法 - Google Patents
置換芳香族化合物の酸化方法Info
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- JPH04356429A JPH04356429A JP3156052A JP15605291A JPH04356429A JP H04356429 A JPH04356429 A JP H04356429A JP 3156052 A JP3156052 A JP 3156052A JP 15605291 A JP15605291 A JP 15605291A JP H04356429 A JPH04356429 A JP H04356429A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は置換芳香族化合物の酸化
方法に関するものであり、例えば有機化学工業に有用な
フェノール類、キノン類を製造する方法に関する。
方法に関するものであり、例えば有機化学工業に有用な
フェノール類、キノン類を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】芳香族化合物の酸化生成物であるフェノ
ール類及びキノン類の合成において、芳香核を酸化する
ことによりこれらを一段反応で得ることは、芳香環の炭
素原子が反応性に乏しいために酸化されにくく、更に強
い酸化条件下では、側鎖の酸化、二量化、芳香環の開裂
などが起こるため困難であることが知られている。
ール類及びキノン類の合成において、芳香核を酸化する
ことによりこれらを一段反応で得ることは、芳香環の炭
素原子が反応性に乏しいために酸化されにくく、更に強
い酸化条件下では、側鎖の酸化、二量化、芳香環の開裂
などが起こるため困難であることが知られている。
【0003】芳香族化合物を直接酸化して、フェノール
類やキノン類を合成しようとする例としては、ルイス酸
の存在下で芳香族化合物を有機過酸化物と反応させる方
法(Bull.Chem.Soc.Jpn.,43,p
293(1970))や結晶性チタノシリケートの存在
下で芳香族化合物を過酸化水素と反応させる方法(St
ud.Surf.Sci.Catal.37,p413
)などが知られている。また、酢酸溶液中で酢酸第1銅
を触媒として酸素によりベンゼンを酸化してフェノール
を得る方法なども提案されている(米国特許第3718
629号)。しかしながら、これらの方法では過酸や過
酸化物など高価な原料を使用しなければならないこと、
得られる酸化物についてその選択率が90%程度と低い
こと、あるいは触媒活性が低すぎたり反応が実質的に触
媒成分の量論反応であり、反応の長期連続化が実現でき
ないなどの問題があった。
類やキノン類を合成しようとする例としては、ルイス酸
の存在下で芳香族化合物を有機過酸化物と反応させる方
法(Bull.Chem.Soc.Jpn.,43,p
293(1970))や結晶性チタノシリケートの存在
下で芳香族化合物を過酸化水素と反応させる方法(St
ud.Surf.Sci.Catal.37,p413
)などが知られている。また、酢酸溶液中で酢酸第1銅
を触媒として酸素によりベンゼンを酸化してフェノール
を得る方法なども提案されている(米国特許第3718
629号)。しかしながら、これらの方法では過酸や過
酸化物など高価な原料を使用しなければならないこと、
得られる酸化物についてその選択率が90%程度と低い
こと、あるいは触媒活性が低すぎたり反応が実質的に触
媒成分の量論反応であり、反応の長期連続化が実現でき
ないなどの問題があった。
【0004】そこで、これらの問題に対して、パラジウ
ム担持シリカを触媒として酸素及び水素存在下、芳香族
化合物と反応する芳香族化合物の連続的な直接酸化方法
が提案されている(Catal.Lett.,4(2)
139(1990))。しかしながら、上述の方法では
、例えばフェノール類の酸化ができないなど、芳香族化
合物の置換基によってはその酸化反応を生じないという
問題があった。
ム担持シリカを触媒として酸素及び水素存在下、芳香族
化合物と反応する芳香族化合物の連続的な直接酸化方法
が提案されている(Catal.Lett.,4(2)
139(1990))。しかしながら、上述の方法では
、例えばフェノール類の酸化ができないなど、芳香族化
合物の置換基によってはその酸化反応を生じないという
問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の従来技
術に鑑みなされたものであって、その目的は、安価な原
料から高選択的に且つ連続的に置換芳香族化合物を酸化
する方法を提供することにある。
術に鑑みなされたものであって、その目的は、安価な原
料から高選択的に且つ連続的に置換芳香族化合物を酸化
する方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、周期律表における
第VIII族金属と結晶性チタノシリケートよりなる触
媒を用いることにより、置換芳香族化合物の酸化反応を
高選択的に且つ連続的に行なうことができることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討した結果、周期律表における
第VIII族金属と結晶性チタノシリケートよりなる触
媒を用いることにより、置換芳香族化合物の酸化反応を
高選択的に且つ連続的に行なうことができることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
【0007】即ち本発明は、周期律表における第VII
I族金属と結晶性チタノシリケートよりなる触媒を用い
て、置換芳香族化合物と水素及び酸素を含むガスとの反
応を行うことを特徴とする置換芳香族化合物の酸化方法
である。
I族金属と結晶性チタノシリケートよりなる触媒を用い
て、置換芳香族化合物と水素及び酸素を含むガスとの反
応を行うことを特徴とする置換芳香族化合物の酸化方法
である。
【0008】以下に本発明の方法について具体的に説明
する。
する。
【0009】本発明の方法においては、周期律表におけ
る第VIII族金属と結晶性チタノシリケートよりなる
触媒を使用する。ここでいうチタノシリケートとは、「
シリカライト」(結晶性のSiO2によってゼオライト
形構造体で、E.M.Flanigenらにより開示さ
れている。(Nature,vol271,p512(
1978))の結晶格子を形成するケイ素の一部を主と
してチタンで置換することにより得られるものを意味す
る。
る第VIII族金属と結晶性チタノシリケートよりなる
触媒を使用する。ここでいうチタノシリケートとは、「
シリカライト」(結晶性のSiO2によってゼオライト
形構造体で、E.M.Flanigenらにより開示さ
れている。(Nature,vol271,p512(
1978))の結晶格子を形成するケイ素の一部を主と
してチタンで置換することにより得られるものを意味す
る。
【0010】このチタノシリケートはどのような方法に
よって合成されたものでもよく、この合成例としては特
開昭56−96720号公報などに開示されている。ま
た、チタノシリケートに含まれるチタンの量は、シリカ
/チタニア比(モル比)として、定義することができ、
本発明において用いられるチタノシリケートのシリカ/
チタニア比は5〜200程度である。チタノシリケート
に含まれる成分はチタニア、シリカに限定されるもので
はなく、ホウ素、アルミニウム、リン、バナジウム、ク
ロム、マンガン、鉄、ガリウム、ジルコニウム等の元素
を一種以上含んでいてもさしつかえない。
よって合成されたものでもよく、この合成例としては特
開昭56−96720号公報などに開示されている。ま
た、チタノシリケートに含まれるチタンの量は、シリカ
/チタニア比(モル比)として、定義することができ、
本発明において用いられるチタノシリケートのシリカ/
チタニア比は5〜200程度である。チタノシリケート
に含まれる成分はチタニア、シリカに限定されるもので
はなく、ホウ素、アルミニウム、リン、バナジウム、ク
ロム、マンガン、鉄、ガリウム、ジルコニウム等の元素
を一種以上含んでいてもさしつかえない。
【0011】本発明においてチタノシリケートは、その
まま使用してもよく、成型して使用してもよい。成型し
て使用する場合には、一般にバインダーを用いるが、バ
インダーの種類に特に制限はなく、例えばシリカ、アル
ミナ等が用いられる。
まま使用してもよく、成型して使用してもよい。成型し
て使用する場合には、一般にバインダーを用いるが、バ
インダーの種類に特に制限はなく、例えばシリカ、アル
ミナ等が用いられる。
【0012】本発明の方法においては、周期律表におけ
る第VIII族金属と上述した結晶性チタノシリケート
よりなる触媒を用いるが、前記第VIII族金属には、
特に制限はなく、いずれの第VIII族金属を用いても
よい。代表的には、パラジウム、白金、イリジウム、ロ
ジウム、ルテニウムなどが使用できるが、このうち特に
パラジウムを用いることが好ましい。
る第VIII族金属と上述した結晶性チタノシリケート
よりなる触媒を用いるが、前記第VIII族金属には、
特に制限はなく、いずれの第VIII族金属を用いても
よい。代表的には、パラジウム、白金、イリジウム、ロ
ジウム、ルテニウムなどが使用できるが、このうち特に
パラジウムを用いることが好ましい。
【0013】第VIII族金属は結晶性チタノシリケー
トに担持して用いても、シリカ、アルミナ、活性炭等に
担持したのち、チタノシリケートと混合して用いてもよ
い。第VIII族金属を担持して用いる場合、担持する
原料に特に制限はないが、例えばパラジウムの場合には
、塩化パラジウム(II)、塩化テトラアンミンパラジ
ウム(II)、酢酸パラジウム(II)などを用いるこ
とができる。更にこれらの金属をチタノシリケートに担
持する方法に特に制限はないが、含浸法等が用いられる
。
トに担持して用いても、シリカ、アルミナ、活性炭等に
担持したのち、チタノシリケートと混合して用いてもよ
い。第VIII族金属を担持して用いる場合、担持する
原料に特に制限はないが、例えばパラジウムの場合には
、塩化パラジウム(II)、塩化テトラアンミンパラジ
ウム(II)、酢酸パラジウム(II)などを用いるこ
とができる。更にこれらの金属をチタノシリケートに担
持する方法に特に制限はないが、含浸法等が用いられる
。
【0014】本発明において周期律表における第VII
I族金属のチタノシリケートに対する含有量は、金属原
子として、0.1〜5重量%とすることが好ましい。 0.1%未満では効果が少なくなるおそれがあり、逆に
5%を越えると、経済的見地から不利である。
I族金属のチタノシリケートに対する含有量は、金属原
子として、0.1〜5重量%とすることが好ましい。 0.1%未満では効果が少なくなるおそれがあり、逆に
5%を越えると、経済的見地から不利である。
【0015】更に含浸法等の方法で周期律表における第
VIII族金属をチタノシリケートに担持する場合には
、必要に応じてこれらを焼成及び/または還元して触媒
として用いることができる。このように焼成する際には
、不活性ガスあるいは酸素含有ガス流通下で行なうこと
ができ、また焼成温度、時間に特に制限はないが、例え
ば100〜700℃で30分〜24時間程度焼成すれば
よい。
VIII族金属をチタノシリケートに担持する場合には
、必要に応じてこれらを焼成及び/または還元して触媒
として用いることができる。このように焼成する際には
、不活性ガスあるいは酸素含有ガス流通下で行なうこと
ができ、また焼成温度、時間に特に制限はないが、例え
ば100〜700℃で30分〜24時間程度焼成すれば
よい。
【0016】以上のようにして得られた触媒は、そのま
ま使用してもよく、シリカ、アルミナ等の希釈剤を添加
して反応に用いてもよい。更に反応に使用する前に、水
素含有ガスの気流下で還元して用いることもできる。
ま使用してもよく、シリカ、アルミナ等の希釈剤を添加
して反応に用いてもよい。更に反応に使用する前に、水
素含有ガスの気流下で還元して用いることもできる。
【0017】本発明の方法においては、置換基がアルキ
ル基、水酸基、ニトロ基等である単環式置換芳香族化合
物を反応原料として用いられ、具体的には、トルエン、
エチルベンゼン、スチレン等のアルキルベンゼン類、フ
ェノール、カテコール、レゾルシン、クレゾール等のフ
ェノール類、ニトロベンゼン等を挙げることができる。 また、反応を行う際には、必要に応じて溶媒を使用
してもよい。溶媒としては、炭素数6以下のアルコール
、水、ケトン、グリコール、カルボン酸等の極性溶媒が
好ましく用いられる。
ル基、水酸基、ニトロ基等である単環式置換芳香族化合
物を反応原料として用いられ、具体的には、トルエン、
エチルベンゼン、スチレン等のアルキルベンゼン類、フ
ェノール、カテコール、レゾルシン、クレゾール等のフ
ェノール類、ニトロベンゼン等を挙げることができる。 また、反応を行う際には、必要に応じて溶媒を使用
してもよい。溶媒としては、炭素数6以下のアルコール
、水、ケトン、グリコール、カルボン酸等の極性溶媒が
好ましく用いられる。
【0018】更に反応方法は、連続流通式、半回分式あ
るいは回分式のいずれでも採用することができ、反応温
度は0〜150℃、特に反応効率の点から10〜100
℃とすることが好ましい。なお、溶媒を使用する際、反
応温度が溶媒の沸点を越える場合には、加圧して反応を
行なうことができ、この反応圧力に特に制限はないが、
通常常圧〜100気圧程度の範囲で行なわれる。
るいは回分式のいずれでも採用することができ、反応温
度は0〜150℃、特に反応効率の点から10〜100
℃とすることが好ましい。なお、溶媒を使用する際、反
応温度が溶媒の沸点を越える場合には、加圧して反応を
行なうことができ、この反応圧力に特に制限はないが、
通常常圧〜100気圧程度の範囲で行なわれる。
【0019】本発明の方法においては、反応原料の一成
分として酸素が用いられるが、この酸素源としては空気
等の酸素含有ガスを用いることも可能である。
分として酸素が用いられるが、この酸素源としては空気
等の酸素含有ガスを用いることも可能である。
【0020】また、供給するガス中の各原料の含有量に
特に制限はないが、安全性の面から各原料の含有量は、
爆発範囲の範囲外であることが好ましく、例えば、H2
を2〜60容量%、O2を5〜30容量%含み、窒素等
の不活性ガスで希釈したガスなどが用いられる。
特に制限はないが、安全性の面から各原料の含有量は、
爆発範囲の範囲外であることが好ましく、例えば、H2
を2〜60容量%、O2を5〜30容量%含み、窒素等
の不活性ガスで希釈したガスなどが用いられる。
【0021】反応において用いられる触媒の量は、第V
III族金属/チタン比(モル比)が0.001〜10
、チタン/置換芳香族化合物比(モル比)が0.000
001〜0.1とすることが好ましい。
III族金属/チタン比(モル比)が0.001〜10
、チタン/置換芳香族化合物比(モル比)が0.000
001〜0.1とすることが好ましい。
【0022】また、用いるガスの接触時間は、ガス中の
H2,O2の含有量により異なるが前述したガスであれ
ば、ガス空間速度(1時間当たりに供給したガスの全体
積/単位触媒体積;以下、GHSVと略称する。)で、
1000〜40000hr−1(20℃)程度の範囲で
行なわれる。また、置換芳香族化合物を連続的に供給し
て反応を行なう場合には、化合物の接触時間は、重量空
間速度(1時間当たりに供給した芳香族化合物の重量/
単位触媒重量;以下、WHSVと略称する)で、0.1
〜10hr−1程度の範囲で行なわれる。
H2,O2の含有量により異なるが前述したガスであれ
ば、ガス空間速度(1時間当たりに供給したガスの全体
積/単位触媒体積;以下、GHSVと略称する。)で、
1000〜40000hr−1(20℃)程度の範囲で
行なわれる。また、置換芳香族化合物を連続的に供給し
て反応を行なう場合には、化合物の接触時間は、重量空
間速度(1時間当たりに供給した芳香族化合物の重量/
単位触媒重量;以下、WHSVと略称する)で、0.1
〜10hr−1程度の範囲で行なわれる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、周期律表における第V
III族金属と結晶性チタノシリケートよりなる触媒を
用いることにより、置換芳香族化合物と水素及び酸素と
の反応において過酸化水素等の高価な原料を用いること
なく、高選択的にフェノール類やキノン類を得ることが
でき、更に、従来使用されていた触媒に比べ触媒寿命が
長いため反応の長期連続化が可能となり、工業的見地か
ら有意義である。
III族金属と結晶性チタノシリケートよりなる触媒を
用いることにより、置換芳香族化合物と水素及び酸素と
の反応において過酸化水素等の高価な原料を用いること
なく、高選択的にフェノール類やキノン類を得ることが
でき、更に、従来使用されていた触媒に比べ触媒寿命が
長いため反応の長期連続化が可能となり、工業的見地か
ら有意義である。
【0024】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いてさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
【0025】実施例1
窒素雰囲気の1000ml三ッ口フラスコにテトラエチ
ルオルトシリケート197.5gとテトラエチルオルト
チタネート41.9gを加えたのち、激しく撹拌しなが
ら25%テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶
液346gを数分で滴下した。2時間後、エタノールを
留去し、水の全量が297gとなるように水を加えた。 これを500mlオートクレーブに移し、自圧下164
℃で50時間加熱し、これにより得られた白色沈殿物を
水洗乾燥したのち、550℃で6時間空気焼成しチタノ
シリケートを調製した。
ルオルトシリケート197.5gとテトラエチルオルト
チタネート41.9gを加えたのち、激しく撹拌しなが
ら25%テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶
液346gを数分で滴下した。2時間後、エタノールを
留去し、水の全量が297gとなるように水を加えた。 これを500mlオートクレーブに移し、自圧下164
℃で50時間加熱し、これにより得られた白色沈殿物を
水洗乾燥したのち、550℃で6時間空気焼成しチタノ
シリケートを調製した。
【0026】調製したチタノシリケートのシリカ/チタ
ニア比は67(ICP発光分析により測定した。)であ
った。
ニア比は67(ICP発光分析により測定した。)であ
った。
【0027】調製したチタノシリケートに塩化テトラア
ンミンパラジウム(II)水溶液をチタノシリケートに
対して、パラジウム原子の重量が0.5重量%になるよ
うに加え、1時間撹拌混合した。蒸発乾固後、150℃
で1時間水素還元し、これを触媒とした。
ンミンパラジウム(II)水溶液をチタノシリケートに
対して、パラジウム原子の重量が0.5重量%になるよ
うに加え、1時間撹拌混合した。蒸発乾固後、150℃
で1時間水素還元し、これを触媒とした。
【0028】次に常圧・液相・半回分式反応装置に上述
の触媒1.0gを入れ、トルエン60mlに懸濁させた
。またH2,O2の供給量をそれぞれ60,20mmo
l/hrとし、これを窒素で希釈し、GHSV=288
0hr−1(20.0℃)で反応を行った。反応温度4
5℃で反応を開始し、反応開始2.5時間後に反応温度
を65℃とした。また、反応生成物は、高速液体クロマ
トグラフにより分析した。その結果トルエン転化の生成
物としてはクレゾールのみであることが確認された。 反応開始4.5時間後までの結果を表1に示す。
の触媒1.0gを入れ、トルエン60mlに懸濁させた
。またH2,O2の供給量をそれぞれ60,20mmo
l/hrとし、これを窒素で希釈し、GHSV=288
0hr−1(20.0℃)で反応を行った。反応温度4
5℃で反応を開始し、反応開始2.5時間後に反応温度
を65℃とした。また、反応生成物は、高速液体クロマ
トグラフにより分析した。その結果トルエン転化の生成
物としてはクレゾールのみであることが確認された。 反応開始4.5時間後までの結果を表1に示す。
【0029】
【表1】
実施例2
置換芳香族化合物をフェノールとした以外は、実施例1
と同様の方法で反応を行なった。反応生成物を、ガスク
ロマトグラフにより分析した結果、フェノール転化の生
成物としては、p−ベンゾキノンのみであることが確認
された。反応開始4.5時間後までの結果を表2に示す
。
と同様の方法で反応を行なった。反応生成物を、ガスク
ロマトグラフにより分析した結果、フェノール転化の生
成物としては、p−ベンゾキノンのみであることが確認
された。反応開始4.5時間後までの結果を表2に示す
。
【0030】
【表2】
比較例1
シリカゲルに塩化テトラアンミンパラジウム(II)水
溶液をシリカゲルに対して、パラジウム原子の重量が0
.5重量%になるように加え、1時間撹拌混合した。 蒸発乾固後、150℃で1時間水素還元し、これを触媒
とした。
溶液をシリカゲルに対して、パラジウム原子の重量が0
.5重量%になるように加え、1時間撹拌混合した。 蒸発乾固後、150℃で1時間水素還元し、これを触媒
とした。
【0031】触媒を前記の方法で調製したパラジウム担
持シリカとして、置換芳香族化合物をフェノールとした
以外は、実施例1と全く同様にして反応を行なった。反
応の結果、ハイドロキノン、ベンゾキノン等の酸化生成
物は全く得られなかった。
持シリカとして、置換芳香族化合物をフェノールとした
以外は、実施例1と全く同様にして反応を行なった。反
応の結果、ハイドロキノン、ベンゾキノン等の酸化生成
物は全く得られなかった。
Claims (1)
- 【請求項1】周期律表における第VIII族金属と結晶
性チタノシリケートよりなる触媒を用いて、単環式置換
芳香族化合物と水素及び酸素を含むガスとの反応を行な
うことを特徴とする置換芳香族化合物の酸化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3156052A JP3010793B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 置換芳香族化合物の酸化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3156052A JP3010793B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 置換芳香族化合物の酸化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04356429A true JPH04356429A (ja) | 1992-12-10 |
JP3010793B2 JP3010793B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=15619265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3156052A Expired - Fee Related JP3010793B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 置換芳香族化合物の酸化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3010793B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0638536A1 (en) * | 1993-08-10 | 1995-02-15 | Tosoh Corporation | Process for producing phenols |
KR100713842B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2007-05-04 | 주식회사 이엘엠 | 신규한 유기 발광 재료 |
JP2019202300A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 三井化学株式会社 | 結晶性多孔質チタノシリケート触媒及びその製造方法、並びに該触媒を用いたp−ベンゾキノン類の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3156052A patent/JP3010793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0638536A1 (en) * | 1993-08-10 | 1995-02-15 | Tosoh Corporation | Process for producing phenols |
EP0885865A1 (en) * | 1993-08-10 | 1998-12-23 | Tosoh Corporation | Process for producing phenols |
KR100713842B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2007-05-04 | 주식회사 이엘엠 | 신규한 유기 발광 재료 |
JP2019202300A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 三井化学株式会社 | 結晶性多孔質チタノシリケート触媒及びその製造方法、並びに該触媒を用いたp−ベンゾキノン類の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3010793B2 (ja) | 2000-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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