JPH04351103A - マイクロ波共振器 - Google Patents
マイクロ波共振器Info
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- JPH04351103A JPH04351103A JP3153970A JP15397091A JPH04351103A JP H04351103 A JPH04351103 A JP H04351103A JP 3153970 A JP3153970 A JP 3153970A JP 15397091 A JP15397091 A JP 15397091A JP H04351103 A JPH04351103 A JP H04351103A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/082—Microstripline resonators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/866—Wave transmission line, network, waveguide, or microwave storage device
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波共振器に関
する。より詳細には、本発明は、複合酸化物超電導体薄
膜により形成された導体線路を含むマイクロ波共振器の
新規な構成に関する。 【０００２】 【従来の技術】数十ｃｍから数ｍｍまでの波長を有し、
マイクロ波あるいはミリ波等と呼ばれる電磁波は、理論
的には電磁波スペクトルの一部の範囲に過ぎないが、工
学的にはこれを取り扱うための独特の手法やデバイスが
開発されていることから、特に独立して検討される場合
が多い。 【０００３】一方、［Ｌａ，Ｂａ］２ＣｕＯ４ が３０
Ｋで超電導状態を示すことが、ベドノーツ、ミューラー
等によって１９８６年に報告されて以来、１９８７年に
はチュー等によって９０Ｋ台の超電導臨界温度Ｔｃ を
有するＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ が報告され、更に、１９８
８年には前田等によって１００ Ｋ以上の臨界温度を示
す所謂Ｂｉ系の複合酸化物系超電導材料が報告された。 これらの一連の複合酸化物系超電導材料は、廉価な液体
窒素による冷却で超電導現象を実現することができるの
で、超電導技術の実用的な応用の可能性が俄に検討され
るようになった。 【０００４】超電導特有の現象が有利に作用するという
点ではマイクロ波デバイスも例外ではない。即ち、例え
ばストリップ線路では、周波数の平方根に比例して、導
体の抵抗による減衰定数が増大する。また、周波数の増
大に比例して誘電体損も増加するが、近年のストリップ
線路では、誘電体材料の改良により、特に１０ＧＨｚ以
下の領域では、ストリップ線路の損失は専ら導体層の抵
抗に起因するものが大部分を占めている。従って、スト
リップ線路における導体層の抵抗を低減することはマイ
クロ波線路の性能を著しく向上させることになる。 【０００５】また、ストリップ線路は、単純な伝送路と
しての用途の他に、適切なパターニングを行うことによ
ってインダクタンス素子、フィルタ、共振器、遅延線等
のマイクロ波デバイスを構成することができる。従って
、ストリップ線路の改良はそのままこれらのマイクロ波
デバイスの特性改善につながる。そこで、導体線路を酸
化物超電導体により形成した種々のマイクロ波デバイス
が提案されている。 【０００６】図４は、上述のような酸化物超電導体を使
用したマイクロ波共振器の構成例を示す図である。 【０００７】図４（ａ） に示すように、このマイクロ
波共振器は、後述する所定のパターンの酸化物超電導体
薄膜で形成された超電導導体線路１０を搭載した第１基
板２０と、やはり酸化物超電導体薄膜により形成された
超電導接地導体３０を全面に搭載した第２基板４０とを
、パッケージ５０ａ内に重ねて収容した後、カバー５０
ｂおよび５０ｃによってパッケージ５０ａを封止して構
成されている。 【０００８】このマイクロ波共振器では、第１基板２０
と第２基板４０との寸法が互いに異なっており、これに
対応してパッケージ５０ａの内面に段差５１が形成され
ている。 又、第２基板４０は第１基板２０よりも寸法が大きくな
っている。従って、第２基板４０上に搭載された超電導
接地導体３０は、その周縁部でパッケージ５０ａの段差
５１と接触している。 【０００９】尚、図示されていないが、実際には、導体
線路１０に対してマイクロ波を導入するためのリード線
等がパッケージ５０ａまたはカバー５０ｂを貫通して設
けられている。 【００１０】図４（ｂ） は、図４（ａ） に示したマ
イクロ波共振器において使用している第１基板２０上に
形成された超電導導体線路１０のパターンを示す図であ
る。 【００１１】同図に示すように、第１基板２０上には、
共振器となる直径１２ｍｍの円形の超電導導体線路１１
と、この超電導導体線路１１に対してマイクロ波を導入
あるいは導出するための１対の超電導導体線路１２、１
３とが形成されている。これらの超電導導体線路１１、
１２、１３および第２基板４０上の超電導接地導体３０
は、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物等の酸化物超電導
体薄膜により形成することができる。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】上述のような構成のマ
イクロ波共振器は、その超電導導体線路１１の特性によ
り特定の共振周波数ｆ０ を有し、マイクロ波通信器の
局部発振器の周波数制御等に用いることができる。 【００１３】しかしながら、実際に酸化物超電導体を使
用して作製されたマイクロ波共振器の共振周波数ｆ０
は、必ずしも設計仕様通りにはならないという問題があ
る。即ち、この種のマイクロ波共振器では、酸化物超電
導体薄膜の僅かな特性の変化や組立時の僅かな誤差が相
互に影響し合って不可避に特性にばらつきが生じる。 【００１４】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、上記のような特性のばらつきを補正するため
に特性を容易に調整することができる新規なマイクロ波
共振器を提供することをその目的としている。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明に従うと、酸化物
超電導体薄膜で形成された超電導導体線路および超電導
接地導体により構成された所定の形状の共振導体を含む
マイクロ波共振器において、更に、該共振導体を加熱す
ることができるように、該超電導導体線路および該超電
導接地導体の近傍に配置された温度調節可能なヒータを
備えることを特徴とするマイクロ波共振器が提供される
。 【００１６】 【作用】本発明に係るマイクロ波共振器は、その共振周
波数ｆ０ を変化させることができる機能を有しており
、更に、その共振周波数ｆ０ の変化を電気的に制御で
きるように構成されていることをその主要な特徴として
いる。 【００１７】酸化物超電導体は、従来の金属超電導体と
は異なる独特の特性を有することが知られている。本発
明に係るマイクロ波共振器は、そのような特性のひとつ
を利用している。 【００１８】即ち、酸化物超電導体は、既に超電導体と
なっている臨界温度以下の温度領域においても、温度の
変化に対応して超電導電子密度ｎｓ と常伝導電子密度
ｎｎ との比が変化する。このため、超電導体に対する
磁場侵入長λが温度変化と連動して変化するので、酸化
物超電導体を使用して構成されたマイクロ波共振器では
、臨界温度以下の温度範囲においても共振周波数に温度
特性が生じる。 【００１９】そこで、本発明に係るマイクロ波共振器で
は、その共振導体の近傍に電気制御が可能なヒータを配
置し、それによってマイクロ波共振器の温度を精密に制
御して共振周波数ｆ０ を任意に設定できるように構成
している。 【００２０】また換言すれば、本発明に係るマイクロ波
共振器は、ヒータに供給する電力を調整することによっ
て、共振周波数ｆ０ を電気的に調整することができる
。 【００２１】尚、このマイクロ波共振器における超電導
導体層および超電導接地導体層は、Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ
系等の複合酸化物薄膜により形成することができる。ま
た、その成膜方法としては、スパッタリング法、レーザ
蒸着法等を例示することができる。 【００２２】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。 【００２３】 【実施例】図１は、本発明に係るマイクロ波共振器の具
体的な構成例を示す図である。なお、図４（ａ） に示
した従来のマイクロ波共振器と共通の構成要素には共通
の参照番号を付している。 【００２４】同図に示すように、このマイクロ波共振器
は、図４（ａ） に示した従来のマイクロ波共振器と基
本的に同じ構成のマイクロ波共振器に、更に、ヒータ６
０を付加して構成されている。 【００２５】ここで、ヒータ６０は、パッケージ５０ａ
のカバー５０ｃの下面に抵抗体を装着することにより構
成されており、一対の給電用端子６０ａ、６０ｂを備え
ている。 【００２６】以上のように構成されたマイクロ波共振器
は、超電導導体線路１０および超電導接地導体３０が超
電導体となるように冷却して使用されるが、ヒータ６０
に通電することにより、臨界温度近傍での精密な温度制
御が可能である。 【００２７】尚、本実施例ではパッケージ５０ａのカバ
ー５０ｃ下面にヒータ６０を装着したが、ヒータをパッ
ケージ５０ａの内側、即ち、カバー５０ｃの上面やカバ
ー５０ｂの下面等に装着しても全く問題はない。 【００２８】〔作製例〕図２に示した構造のマイクロ波
共振器を実際に作製した。 【００２９】図２に示す超電導マイクロ波共振器は、基
本的には図１に示したものに類似した構成となっている
が、更に、第２の超電導接地導体３０ａとなる超電導薄
膜を搭載した第３の基板４０ａを備えている。この第３
の基板４０ａ自体は、誘電体により形成されており、超
電導導体線路１０上に積層してパッケージ５０ａ内に収
容されている。 【００３０】第１基板２０としては、１辺が１８ｍｍの
正方形で厚さが１ｍｍのＭｇＯ基板を使用し、導体線路
１０は、厚さ５０００ÅのＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物薄
膜により形成した。 【００３１】また、共振器となる超電導導体線路１０は
、直径１２ｍｍの円形の超電導導体線路１１とし、１対
の超電導導体線路１２、１３は、幅 ０．４ｍｍ、長さ
２．０ ｍｍとした。尚、各導波路１２、１３と共振器
１１との間隔は、最も近いところで１．０ ｍｍとした
。 【００３２】一方、第２基板４０および第３基板４０ａ
としては、それぞれ１辺が２０ｍｍまたは１８ｍｍの正
方形で厚さが１ｍｍのＭｇＯ基板を使用し、厚さ５００
０ÅのＹ−Ｂａ−Ｃｕの複合酸化物薄膜により接地導体
３０、３０ａを形成した。 【００３３】以上のような３枚の基板２０、４０、４０
ａを、真鍮製のパッケージ５０ａに収容し、やはり真鍮
製のカバー５０ｂ、５０ｃによってパッケージ５０ａを
封止した。また、第３基板４０ａは、バネ７０により超
電導導体線路１０上に密着させた。 【００３４】更に、カバー５０ｃの下面に、ＳｉＯ２
の絶縁層を介して、ニクロムの厚膜をヒータ６０として
形成し、電極用にＮｉをコーティングした上で、ヒータ
６０に対する給電用端子６０ａ、６０ｂをはんだ付けし
た。 【００３５】以上のように作製した超電導マイクロ波共
振器の透過電力の周波数特性をネットワークアナライザ
によって測定した。 【００３６】まず、マイクロ波共振器に装着したヒータ
６０は動作させずに、共振器をクライオスタットに収容
して、共振周波数の温度特性を測定した。測定結果を図
３に示す。 【００３７】次に、液体窒素により冷却しながらヒータ
６０を操作することにより、７７Ｋ、７９Ｋ、８１Ｋの
それぞれの温度で測定したところ、下記の表１に示すよ
うに、温度の上昇と共に共振周波数が低下していること
が判った。 【００３８】 【表１】 【００３９】 【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマイ
クロ波共振器は、その共振周波数ｆ０ を容易に調整す
ることができるように構成されている。又、この共振周
波数ｆ０ の調整は、共振器の外部から電気的に行うこ
とができるので、実装後にも容易に調整できるだけでは
なく、共振器として稼働中の調整さえ可能である。 【００４０】従って、例えば、マイクロ波通信機の局部
発振器等に極めて有利に使用することができる。
する。より詳細には、本発明は、複合酸化物超電導体薄
膜により形成された導体線路を含むマイクロ波共振器の
新規な構成に関する。 【０００２】 【従来の技術】数十ｃｍから数ｍｍまでの波長を有し、
マイクロ波あるいはミリ波等と呼ばれる電磁波は、理論
的には電磁波スペクトルの一部の範囲に過ぎないが、工
学的にはこれを取り扱うための独特の手法やデバイスが
開発されていることから、特に独立して検討される場合
が多い。 【０００３】一方、［Ｌａ，Ｂａ］２ＣｕＯ４ が３０
Ｋで超電導状態を示すことが、ベドノーツ、ミューラー
等によって１９８６年に報告されて以来、１９８７年に
はチュー等によって９０Ｋ台の超電導臨界温度Ｔｃ を
有するＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ が報告され、更に、１９８
８年には前田等によって１００ Ｋ以上の臨界温度を示
す所謂Ｂｉ系の複合酸化物系超電導材料が報告された。 これらの一連の複合酸化物系超電導材料は、廉価な液体
窒素による冷却で超電導現象を実現することができるの
で、超電導技術の実用的な応用の可能性が俄に検討され
るようになった。 【０００４】超電導特有の現象が有利に作用するという
点ではマイクロ波デバイスも例外ではない。即ち、例え
ばストリップ線路では、周波数の平方根に比例して、導
体の抵抗による減衰定数が増大する。また、周波数の増
大に比例して誘電体損も増加するが、近年のストリップ
線路では、誘電体材料の改良により、特に１０ＧＨｚ以
下の領域では、ストリップ線路の損失は専ら導体層の抵
抗に起因するものが大部分を占めている。従って、スト
リップ線路における導体層の抵抗を低減することはマイ
クロ波線路の性能を著しく向上させることになる。 【０００５】また、ストリップ線路は、単純な伝送路と
しての用途の他に、適切なパターニングを行うことによ
ってインダクタンス素子、フィルタ、共振器、遅延線等
のマイクロ波デバイスを構成することができる。従って
、ストリップ線路の改良はそのままこれらのマイクロ波
デバイスの特性改善につながる。そこで、導体線路を酸
化物超電導体により形成した種々のマイクロ波デバイス
が提案されている。 【０００６】図４は、上述のような酸化物超電導体を使
用したマイクロ波共振器の構成例を示す図である。 【０００７】図４（ａ） に示すように、このマイクロ
波共振器は、後述する所定のパターンの酸化物超電導体
薄膜で形成された超電導導体線路１０を搭載した第１基
板２０と、やはり酸化物超電導体薄膜により形成された
超電導接地導体３０を全面に搭載した第２基板４０とを
、パッケージ５０ａ内に重ねて収容した後、カバー５０
ｂおよび５０ｃによってパッケージ５０ａを封止して構
成されている。 【０００８】このマイクロ波共振器では、第１基板２０
と第２基板４０との寸法が互いに異なっており、これに
対応してパッケージ５０ａの内面に段差５１が形成され
ている。 又、第２基板４０は第１基板２０よりも寸法が大きくな
っている。従って、第２基板４０上に搭載された超電導
接地導体３０は、その周縁部でパッケージ５０ａの段差
５１と接触している。 【０００９】尚、図示されていないが、実際には、導体
線路１０に対してマイクロ波を導入するためのリード線
等がパッケージ５０ａまたはカバー５０ｂを貫通して設
けられている。 【００１０】図４（ｂ） は、図４（ａ） に示したマ
イクロ波共振器において使用している第１基板２０上に
形成された超電導導体線路１０のパターンを示す図であ
る。 【００１１】同図に示すように、第１基板２０上には、
共振器となる直径１２ｍｍの円形の超電導導体線路１１
と、この超電導導体線路１１に対してマイクロ波を導入
あるいは導出するための１対の超電導導体線路１２、１
３とが形成されている。これらの超電導導体線路１１、
１２、１３および第２基板４０上の超電導接地導体３０
は、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物等の酸化物超電導
体薄膜により形成することができる。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】上述のような構成のマ
イクロ波共振器は、その超電導導体線路１１の特性によ
り特定の共振周波数ｆ０ を有し、マイクロ波通信器の
局部発振器の周波数制御等に用いることができる。 【００１３】しかしながら、実際に酸化物超電導体を使
用して作製されたマイクロ波共振器の共振周波数ｆ０
は、必ずしも設計仕様通りにはならないという問題があ
る。即ち、この種のマイクロ波共振器では、酸化物超電
導体薄膜の僅かな特性の変化や組立時の僅かな誤差が相
互に影響し合って不可避に特性にばらつきが生じる。 【００１４】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、上記のような特性のばらつきを補正するため
に特性を容易に調整することができる新規なマイクロ波
共振器を提供することをその目的としている。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明に従うと、酸化物
超電導体薄膜で形成された超電導導体線路および超電導
接地導体により構成された所定の形状の共振導体を含む
マイクロ波共振器において、更に、該共振導体を加熱す
ることができるように、該超電導導体線路および該超電
導接地導体の近傍に配置された温度調節可能なヒータを
備えることを特徴とするマイクロ波共振器が提供される
。 【００１６】 【作用】本発明に係るマイクロ波共振器は、その共振周
波数ｆ０ を変化させることができる機能を有しており
、更に、その共振周波数ｆ０ の変化を電気的に制御で
きるように構成されていることをその主要な特徴として
いる。 【００１７】酸化物超電導体は、従来の金属超電導体と
は異なる独特の特性を有することが知られている。本発
明に係るマイクロ波共振器は、そのような特性のひとつ
を利用している。 【００１８】即ち、酸化物超電導体は、既に超電導体と
なっている臨界温度以下の温度領域においても、温度の
変化に対応して超電導電子密度ｎｓ と常伝導電子密度
ｎｎ との比が変化する。このため、超電導体に対する
磁場侵入長λが温度変化と連動して変化するので、酸化
物超電導体を使用して構成されたマイクロ波共振器では
、臨界温度以下の温度範囲においても共振周波数に温度
特性が生じる。 【００１９】そこで、本発明に係るマイクロ波共振器で
は、その共振導体の近傍に電気制御が可能なヒータを配
置し、それによってマイクロ波共振器の温度を精密に制
御して共振周波数ｆ０ を任意に設定できるように構成
している。 【００２０】また換言すれば、本発明に係るマイクロ波
共振器は、ヒータに供給する電力を調整することによっ
て、共振周波数ｆ０ を電気的に調整することができる
。 【００２１】尚、このマイクロ波共振器における超電導
導体層および超電導接地導体層は、Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ
系等の複合酸化物薄膜により形成することができる。ま
た、その成膜方法としては、スパッタリング法、レーザ
蒸着法等を例示することができる。 【００２２】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。 【００２３】 【実施例】図１は、本発明に係るマイクロ波共振器の具
体的な構成例を示す図である。なお、図４（ａ） に示
した従来のマイクロ波共振器と共通の構成要素には共通
の参照番号を付している。 【００２４】同図に示すように、このマイクロ波共振器
は、図４（ａ） に示した従来のマイクロ波共振器と基
本的に同じ構成のマイクロ波共振器に、更に、ヒータ６
０を付加して構成されている。 【００２５】ここで、ヒータ６０は、パッケージ５０ａ
のカバー５０ｃの下面に抵抗体を装着することにより構
成されており、一対の給電用端子６０ａ、６０ｂを備え
ている。 【００２６】以上のように構成されたマイクロ波共振器
は、超電導導体線路１０および超電導接地導体３０が超
電導体となるように冷却して使用されるが、ヒータ６０
に通電することにより、臨界温度近傍での精密な温度制
御が可能である。 【００２７】尚、本実施例ではパッケージ５０ａのカバ
ー５０ｃ下面にヒータ６０を装着したが、ヒータをパッ
ケージ５０ａの内側、即ち、カバー５０ｃの上面やカバ
ー５０ｂの下面等に装着しても全く問題はない。 【００２８】〔作製例〕図２に示した構造のマイクロ波
共振器を実際に作製した。 【００２９】図２に示す超電導マイクロ波共振器は、基
本的には図１に示したものに類似した構成となっている
が、更に、第２の超電導接地導体３０ａとなる超電導薄
膜を搭載した第３の基板４０ａを備えている。この第３
の基板４０ａ自体は、誘電体により形成されており、超
電導導体線路１０上に積層してパッケージ５０ａ内に収
容されている。 【００３０】第１基板２０としては、１辺が１８ｍｍの
正方形で厚さが１ｍｍのＭｇＯ基板を使用し、導体線路
１０は、厚さ５０００ÅのＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物薄
膜により形成した。 【００３１】また、共振器となる超電導導体線路１０は
、直径１２ｍｍの円形の超電導導体線路１１とし、１対
の超電導導体線路１２、１３は、幅 ０．４ｍｍ、長さ
２．０ ｍｍとした。尚、各導波路１２、１３と共振器
１１との間隔は、最も近いところで１．０ ｍｍとした
。 【００３２】一方、第２基板４０および第３基板４０ａ
としては、それぞれ１辺が２０ｍｍまたは１８ｍｍの正
方形で厚さが１ｍｍのＭｇＯ基板を使用し、厚さ５００
０ÅのＹ−Ｂａ−Ｃｕの複合酸化物薄膜により接地導体
３０、３０ａを形成した。 【００３３】以上のような３枚の基板２０、４０、４０
ａを、真鍮製のパッケージ５０ａに収容し、やはり真鍮
製のカバー５０ｂ、５０ｃによってパッケージ５０ａを
封止した。また、第３基板４０ａは、バネ７０により超
電導導体線路１０上に密着させた。 【００３４】更に、カバー５０ｃの下面に、ＳｉＯ２
の絶縁層を介して、ニクロムの厚膜をヒータ６０として
形成し、電極用にＮｉをコーティングした上で、ヒータ
６０に対する給電用端子６０ａ、６０ｂをはんだ付けし
た。 【００３５】以上のように作製した超電導マイクロ波共
振器の透過電力の周波数特性をネットワークアナライザ
によって測定した。 【００３６】まず、マイクロ波共振器に装着したヒータ
６０は動作させずに、共振器をクライオスタットに収容
して、共振周波数の温度特性を測定した。測定結果を図
３に示す。 【００３７】次に、液体窒素により冷却しながらヒータ
６０を操作することにより、７７Ｋ、７９Ｋ、８１Ｋの
それぞれの温度で測定したところ、下記の表１に示すよ
うに、温度の上昇と共に共振周波数が低下していること
が判った。 【００３８】 【表１】 【００３９】 【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマイ
クロ波共振器は、その共振周波数ｆ０ を容易に調整す
ることができるように構成されている。又、この共振周
波数ｆ０ の調整は、共振器の外部から電気的に行うこ
とができるので、実装後にも容易に調整できるだけでは
なく、共振器として稼働中の調整さえ可能である。 【００４０】従って、例えば、マイクロ波通信機の局部
発振器等に極めて有利に使用することができる。
【図１】本発明に係るマイクロ波共振器の具体的な構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】本発明に従って作製した超電導マイクロ波共振
器の具体的な構成例を示す図である。
器の具体的な構成例を示す図である。
【図３】図２に示した構成の超電導マイクロ波共振器の
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
【図４】酸化物超電導体薄膜を使用した従来のマイクロ
波共振器の典型的な構成を示す図である。
波共振器の典型的な構成を示す図である。
１０ 超電導導体線路、
２０ 第１基板、
３０ 超電導接地導体、
４０ 第２基板、
５０ａ パッケージ、
６０ ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】酸化物超電導体薄膜で形成された超電導導
体線路および超電導接地導体により構成された所定の形
状の共振導体を含むマイクロ波共振器において、更に、
該共振導体を加熱することができるように、該超電導導
体線路および該超電導接地導体の近傍に配置された温度
調節可能なヒータを備えることを特徴とするマイクロ波
共振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153970A JPH04351103A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | マイクロ波共振器 |
| CA002069978A CA2069978C (en) | 1991-05-29 | 1992-05-29 | Microwave resonator of compound oxide superconductor material |
| DE69212903T DE69212903T2 (de) | 1991-05-29 | 1992-05-29 | Mikrowellenresonator aus supraleitendem oxydischem Verbundmaterial |
| EP92109090A EP0516145B1 (en) | 1991-05-29 | 1992-05-29 | Microwave resonator of compound oxide superconductor material |
| US07/890,136 US5397769A (en) | 1991-05-29 | 1992-05-29 | Microwave resonator of compound oxide superconductor material having a temperature adjustable heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153970A JPH04351103A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | マイクロ波共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04351103A true JPH04351103A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=15574060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3153970A Withdrawn JPH04351103A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | マイクロ波共振器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5397769A (ja) |
| EP (1) | EP0516145B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04351103A (ja) |
| CA (1) | CA2069978C (ja) |
| DE (1) | DE69212903T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5273861B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-08-28 | 太陽誘電株式会社 | 通信モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR926642A (fr) * | 1946-03-28 | 1947-10-07 | Philips Nv | Appareil électrique à un ou plusieurs circuits oscillants |
| GB2098394B (en) * | 1981-05-13 | 1985-02-06 | Marconi Instruments Ltd | Frequency sources-crystal containers |
| JPS6489206A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Shimadzu Corp | Connector insulating material |
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| JPH02101801A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | バンドリジェクションフィルタ |
| JPH0468909A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-04 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Ｓａｗフィルタ装置 |
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1991
- 1991-05-29 JP JP3153970A patent/JPH04351103A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-05-29 CA CA002069978A patent/CA2069978C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-29 DE DE69212903T patent/DE69212903T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-29 EP EP92109090A patent/EP0516145B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-29 US US07/890,136 patent/US5397769A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2069978C (en) | 1996-07-23 |
| DE69212903T2 (de) | 1997-01-16 |
| EP0516145A1 (en) | 1992-12-02 |
| CA2069978A1 (en) | 1992-11-30 |
| EP0516145B1 (en) | 1996-08-21 |
| DE69212903D1 (de) | 1996-09-26 |
| US5397769A (en) | 1995-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |