JPH02101801A - バンドリジェクションフィルタ - Google Patents
バンドリジェクションフィルタInfo
- Publication number
- JPH02101801A JPH02101801A JP63255094A JP25509488A JPH02101801A JP H02101801 A JPH02101801 A JP H02101801A JP 63255094 A JP63255094 A JP 63255094A JP 25509488 A JP25509488 A JP 25509488A JP H02101801 A JPH02101801 A JP H02101801A
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- Japan
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- thin film
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- rejection filter
- band rejection
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
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- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波ＩＣ等に用いるマイクロ波帯のバ
ンドリジェクションフィルタに関するものである。
ンドリジェクションフィルタに関するものである。
第３図は従来のマイクロ波ＩＣ基板に形成された分布定
数型バンドリジェクションフィルタの平面図、第４図は
同じく側面図である。図中（１）は誘電体基板、（２）
は基板裏面に取付けた金属板キャリアのグラウンドプレ
ーン、（３）は金属薄膜にて形成かれた中心周波数ｔａ
ｇのバンドリジェクションフィルタのパターン、 （５
１はバンドリジェクションフィルタの入力ボート、 （
６）は同じくバンドリジェクションフィルタの出力ポー
トである。
数型バンドリジェクションフィルタの平面図、第４図は
同じく側面図である。図中（１）は誘電体基板、（２）
は基板裏面に取付けた金属板キャリアのグラウンドプレ
ーン、（３）は金属薄膜にて形成かれた中心周波数ｔａ
ｇのバンドリジェクションフィルタのパターン、 （５
１はバンドリジェクションフィルタの入力ボート、 （
６）は同じくバンドリジェクションフィルタの出力ポー
トである。
次に動作について説明する。バンドリジェクションフィ
ルタのパターン（３）は図に示した通り入力ポート（５
） 、出力ポート（６）の間の主ａｔ路に並列スタブが
付随しており、とのスタブの組合せにより共振回路が形
成され、フィルタの遮断周波数ｆ０雪が決定される。こ
の結果バンドリジェクションフィルタ（３）は２図５に
実線−で示した様な周波数特性を持ち、入力ポート（５
）より入力された信号のうち。
ルタのパターン（３）は図に示した通り入力ポート（５
） 、出力ポート（６）の間の主ａｔ路に並列スタブが
付随しており、とのスタブの組合せにより共振回路が形
成され、フィルタの遮断周波数ｆ０雪が決定される。こ
の結果バンドリジェクションフィルタ（３）は２図５に
実線−で示した様な周波数特性を持ち、入力ポート（５
）より入力された信号のうち。
例”えば必要な周波数ｆＯＬの信号は、そのまま出力ポ
ート（６）に現れ、不要な周波数ｆａｔの信号はバンド
リジエクシ旨ンフィルタ（３）により抑圧され、殆ど出
力ポート（６）には現れない。
ート（６）に現れ、不要な周波数ｆａｔの信号はバンド
リジエクシ旨ンフィルタ（３）により抑圧され、殆ど出
力ポート（６）には現れない。
従来のマイクロ波ＩＣによる分布定数バンドパスフィル
タは２以上の様に構成されているので。
タは２以上の様に構成されているので。
−度スタブの長さや位置を決定してしまうとＡｕリボン
をボンディングする等、８１械的にパターンを変更しな
い限秒遮断周波数ｆＣ２を変更する事ができないなどの
課題があった。
をボンディングする等、８１械的にパターンを変更しな
い限秒遮断周波数ｆＣ２を変更する事ができないなどの
課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされｔ
コものでｌ気的に高速で遮断周波数を切り換えることが
可能なマイクロ波帯のバンドリジェクションフィルタを
得る事を目的とする。
コものでｌ気的に高速で遮断周波数を切り換えることが
可能なマイクロ波帯のバンドリジェクションフィルタを
得る事を目的とする。
この発明によるバンドリジェクションフィルタは、誘電
体基板上に超伝導体薄膜により形成された遮断周波数ｆ
０□の分布定数バンドリジェクションフィルタのパター
ンと、さらにその超伝導薄膜パターンの上に金属＊Ｘ＊
にて形成された遮断周波数ｆｃｌｆｆｉの分布定数バン
ドリジエクシ目りフィルタと、誘電体基板の裏面に取り
付けた金属板キャリアのグラウンドプレーンとによって
構成されるマイクロ波ＩＣにおいて、超伝導薄膜に磁界
を印加する磁界印加装置と、磁界印加装置を制御する磁
界印加制御装置を備えたものである。
体基板上に超伝導体薄膜により形成された遮断周波数ｆ
０□の分布定数バンドリジェクションフィルタのパター
ンと、さらにその超伝導薄膜パターンの上に金属＊Ｘ＊
にて形成された遮断周波数ｆｃｌｆｆｉの分布定数バン
ドリジエクシ目りフィルタと、誘電体基板の裏面に取り
付けた金属板キャリアのグラウンドプレーンとによって
構成されるマイクロ波ＩＣにおいて、超伝導薄膜に磁界
を印加する磁界印加装置と、磁界印加装置を制御する磁
界印加制御装置を備えたものである。
この発明におけるバンドリジェクションフィルタは２通
常は超伝導体のバンドリジェクションフィルタパターン
により遮断周波数がｆｏｌとなるが。
常は超伝導体のバンドリジェクションフィルタパターン
により遮断周波数がｆｏｌとなるが。
磁界印加制御装置並びに磁界印加装置を動作させ。
超伝導薄膜に臨界磁場よりも大きい磁界を印加すること
により超伝導がこわれ誘電体となり、その結果、金属薄
膜にて形成されたパターンのみによるバンドリジェクシ
ョンフィルタとなり遮断周波数がｆＱ、となる。こうし
て磁界を切り換える事によりバンドリジェクションフィ
ルタの遮断周波数を切り換える事ができろ。
により超伝導がこわれ誘電体となり、その結果、金属薄
膜にて形成されたパターンのみによるバンドリジェクシ
ョンフィルタとなり遮断周波数がｆＱ、となる。こうし
て磁界を切り換える事によりバンドリジェクションフィ
ルタの遮断周波数を切り換える事ができろ。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明によるバンドリジェクションフィルタの
平面図、第２図は同じく側面図であり。
平面図、第２図は同じく側面図であり。
図中（１）はｒ！Ａ電体基板、（２）は金属板キャリア
によるグラウンドプレーン、（３）は金ｉ薄膜によって
形成された遮断周波数ｒａｔのバンドリジェクションフ
ィルタのパターン、（４）は超伝導体Ｒ膜によって形成
された遮断周波数ｆ。、のバンドリジェクションフィル
タのパターン、 （５１はバンドリジェクションフィル
タの入カポ−１−、（６１は同じく出力ポート。
によるグラウンドプレーン、（３）は金ｉ薄膜によって
形成された遮断周波数ｒａｔのバンドリジェクションフ
ィルタのパターン、（４）は超伝導体Ｒ膜によって形成
された遮断周波数ｆ。、のバンドリジェクションフィル
タのパターン、 （５１はバンドリジェクションフィル
タの入カポ−１−、（６１は同じく出力ポート。
（７）は磁界印加装置、（８）は磁界印加制御装置であ
る。
る。
次に動作について説明する。本発明のバンドパスフィル
タにおいては超伝導体のパターン（４）は金属薄膜のパ
ターン（３）を完全にカバーしているために磁界を印加
しない通常の状態では超伝導体パターン（４）によって
バンドパスフィルタ全体の特性が決まり、その結果、遮
断周波数は図５の破線（９）で示すようにｆｏｌとなる
。一方、磁界印加装置（７）と磁界印加制御装置（８）
を用いて超伝導体パターン（４）に臨界磁場を上回る磁
界を印加した場合、超伝導状態が破壊され、超伝導体パ
ターン（４）は同じ厚さの誘電体の薄膜と等価になる。
タにおいては超伝導体のパターン（４）は金属薄膜のパ
ターン（３）を完全にカバーしているために磁界を印加
しない通常の状態では超伝導体パターン（４）によって
バンドパスフィルタ全体の特性が決まり、その結果、遮
断周波数は図５の破線（９）で示すようにｆｏｌとなる
。一方、磁界印加装置（７）と磁界印加制御装置（８）
を用いて超伝導体パターン（４）に臨界磁場を上回る磁
界を印加した場合、超伝導状態が破壊され、超伝導体パ
ターン（４）は同じ厚さの誘電体の薄膜と等価になる。
この薄膜は薄いため線路インピーダンスに対する影響は
殆ど無視しても良い。その結果、基板表面に金属薄膜パ
ターン（３）のみが存在している場合と等価となり、バ
ンドリジェクションフィルタの遮断周波数は図５で実線
にて示した様ｆｅ１１となる。
殆ど無視しても良い。その結果、基板表面に金属薄膜パ
ターン（３）のみが存在している場合と等価となり、バ
ンドリジェクションフィルタの遮断周波数は図５で実線
にて示した様ｆｅ１１となる。
以上のように、この発明によれば遮断周波数の異なる２
種のバンドリジェクションフィルタの超伝導薄膜パター
ンと金属薄膜パターンを重ねて基板上に構成したために
、磁界を印加することによって電気的にマイクロ波帯に
おける中心周波数を切り換えることが可能となる。この
ため２例えば受信機システム等において過大入力阻止用
に遮断周波数を別の周波数に切り換えたい場合などに。
種のバンドリジェクションフィルタの超伝導薄膜パター
ンと金属薄膜パターンを重ねて基板上に構成したために
、磁界を印加することによって電気的にマイクロ波帯に
おける中心周波数を切り換えることが可能となる。この
ため２例えば受信機システム等において過大入力阻止用
に遮断周波数を別の周波数に切り換えたい場合などに。
バンドリジェクションフィルタの遮断周波数を自由に切
り換える事ができる等の効果がある。
り換える事ができる等の効果がある。
第１図は本発明によるバンドリジェクションフィルタの
平面図、第２図は同じく側面図、第３図は従来のバンド
リジェクションフィルタの平面図。 第４図は同じく側面図、第５図はバンドリジェクション
フィルタの周波数特性を表す説明図である。 図中（１）は誘電体基板、（２）は金属板キャリアによ
るグラウンドブレーン、（３）は遮断周波数ｆａｔの金
属薄膜パターン、（４）は遮断周波数ｒｅ、の超伝導体
の薄膜によるパターン、（５）はバンドリジェクション
フィルタの入力ボート、（６）は同じく出力ポート。 （７）は磁界印加装置、（８）は磁界印加制御装置、（
９）は迫断周Ｗ 数がｆＯ，のバンドリジェクションフ
ィルタの周波数特性、ａＯ）は同じく遮断周波数がｆ、
Ｒのバンドリジェクションフィルタの周波数ｆ、！バン
ドパスフィルタの周波数特性である。 なお２図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。
平面図、第２図は同じく側面図、第３図は従来のバンド
リジェクションフィルタの平面図。 第４図は同じく側面図、第５図はバンドリジェクション
フィルタの周波数特性を表す説明図である。 図中（１）は誘電体基板、（２）は金属板キャリアによ
るグラウンドブレーン、（３）は遮断周波数ｆａｔの金
属薄膜パターン、（４）は遮断周波数ｒｅ、の超伝導体
の薄膜によるパターン、（５）はバンドリジェクション
フィルタの入力ボート、（６）は同じく出力ポート。 （７）は磁界印加装置、（８）は磁界印加制御装置、（
９）は迫断周Ｗ 数がｆＯ，のバンドリジェクションフ
ィルタの周波数特性、ａＯ）は同じく遮断周波数がｆ、
Ｒのバンドリジェクションフィルタの周波数ｆ、！バン
ドパスフィルタの周波数特性である。 なお２図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。
Claims (1)
- 誘電体基板と，その表面に超伝導薄膜により形成され
た遮断周波数ｆ＿Ｃ＿１分布定数バンドリジェクション
フィルタのパターンと，さらにその超伝導薄膜パターン
の上に金属薄膜にて形成された遮断周波数ｆ＿Ｃ＿２の
分布定数バンドリジェクションフィルタのパターンと，
誘電体基板の裏面に取り付けられた金属板キャリアのグ
ラウンドプレーンとによって構成されるマイクロ波ＩＣ
において超伝導体薄膜に磁界を印加する磁界印加装置と
，磁界印加装置を制御する磁界印加制御装置を備えたこ
とを特徴とするバンドリジェクションフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255094A JPH02101801A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | バンドリジェクションフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255094A JPH02101801A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | バンドリジェクションフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101801A true JPH02101801A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17274034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255094A Pending JPH02101801A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | バンドリジェクションフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101801A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993000720A1 (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Superconductor Technologies Inc. | Active superconductive devices |
| US5397769A (en) * | 1991-05-29 | 1995-03-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microwave resonator of compound oxide superconductor material having a temperature adjustable heater |
| US5484765A (en) * | 1994-02-04 | 1996-01-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Ferrite/superconductor microwave device |
| EP0714150A1 (de) * | 1994-11-22 | 1996-05-29 | Robert Bosch Gmbh | Supraleiterbandfilter |
| WO2000004602A1 (en) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A switchable low-pass filter |
| WO2000004603A1 (en) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A switchable inductor |
| WO2001008250A1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Tunable high temperature superconductor resonator and filter |
| FR2840733A1 (fr) * | 2002-06-10 | 2003-12-12 | Wintici | Filtre a resonateur supraconducteur ayant une frequence de resonance reglable |
| JP2014036331A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Toshiba Corp | アンテナ装置 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255094A patent/JPH02101801A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397769A (en) * | 1991-05-29 | 1995-03-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microwave resonator of compound oxide superconductor material having a temperature adjustable heater |
| WO1993000720A1 (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Superconductor Technologies Inc. | Active superconductive devices |
| US5328893A (en) * | 1991-06-24 | 1994-07-12 | Superconductor Technologies, Inc. | Superconducting devices having a variable conductivity device for introducing energy loss |
| US5484765A (en) * | 1994-02-04 | 1996-01-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Ferrite/superconductor microwave device |
| EP0714150A1 (de) * | 1994-11-22 | 1996-05-29 | Robert Bosch Gmbh | Supraleiterbandfilter |
| US5770546A (en) * | 1994-11-22 | 1998-06-23 | Robert Bosch Gmbh | Superconductor bandpass filter having parameters changed by a variable magnetic penetration depth |
| WO2000004602A1 (en) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A switchable low-pass filter |
| WO2000004603A1 (en) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A switchable inductor |
| WO2001008250A1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Tunable high temperature superconductor resonator and filter |
| FR2840733A1 (fr) * | 2002-06-10 | 2003-12-12 | Wintici | Filtre a resonateur supraconducteur ayant une frequence de resonance reglable |
| WO2003105271A1 (fr) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | Wintici Sa | Filtre a resonateur supraconducteur ayant une frequence de resonance reglable |
| JP2014036331A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Toshiba Corp | アンテナ装置 |
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