JPH0435072A - 導電性酸化物材料 - Google Patents
導電性酸化物材料Info
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- JPH0435072A JPH0435072A JP2143102A JP14310290A JPH0435072A JP H0435072 A JPH0435072 A JP H0435072A JP 2143102 A JP2143102 A JP 2143102A JP 14310290 A JP14310290 A JP 14310290A JP H0435072 A JPH0435072 A JP H0435072A
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-
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 回路の配線等に用いられる導電性酸化物材
料に関する。
料に関する。
従来の技術
１９８６年に ヘ’ｌ＝’ツルア（Ｂｅｄｎｏｒｚ）と
ミゴーラー（Ｍｕｌｌ−ｅｒ） により銅を含む酸化
物が３０に以上で超伝導を示すことが発見されて以来、
基礎および応用を考えた研究か活発に行われている。
現在発見されている酸化物超伝導体のうぢ臨界温度の高
いもの（１５に以−に）はペロブスカイト型構造を基本
とした層状構造のものである。希土’３Ａ アルカリ
土類 銅および酸素から成るペロブスカイト型構造を基
本とした部分をＴ１、Ｐｂ、Ｂｉ等の層か周期的に仕切
っている。
ミゴーラー（Ｍｕｌｌ−ｅｒ） により銅を含む酸化
物が３０に以上で超伝導を示すことが発見されて以来、
基礎および応用を考えた研究か活発に行われている。
現在発見されている酸化物超伝導体のうぢ臨界温度の高
いもの（１５に以−に）はペロブスカイト型構造を基本
とした層状構造のものである。希土’３Ａ アルカリ
土類 銅および酸素から成るペロブスカイト型構造を基
本とした部分をＴ１、Ｐｂ、Ｂｉ等の層か周期的に仕切
っている。
酸化物超伝導体のテバイス応用を考える上で、超伝導薄
膜と常伝導薄膜または絶縁体薄膜とのエピタキシャル積
層技術は必要不可欠である。 そのためには組成や結晶
構造が類似しており互いの馴染みが良好な材料を選択し
なけれはならない。酸化物超伝導体と類似の結晶構造を
もつ導電性材料として（よ Ｌａ２ＳｒＣｕ２０ｅ、Ｂ
ｉ２５ｒ２（Ｌｎ、Ｃａ）Ｃｕ２０ｙなど超伝導材料の
組成を基本としたものがある力丈 デバイスの構成に応
じて適当な電気抵抗率が手軽に制御できるものか望まし
い。
膜と常伝導薄膜または絶縁体薄膜とのエピタキシャル積
層技術は必要不可欠である。 そのためには組成や結晶
構造が類似しており互いの馴染みが良好な材料を選択し
なけれはならない。酸化物超伝導体と類似の結晶構造を
もつ導電性材料として（よ Ｌａ２ＳｒＣｕ２０ｅ、Ｂ
ｉ２５ｒ２（Ｌｎ、Ｃａ）Ｃｕ２０ｙなど超伝導材料の
組成を基本としたものがある力丈 デバイスの構成に応
じて適当な電気抵抗率が手軽に制御できるものか望まし
い。
発明が解決しようとする課題
酸化物超伝導体と類イ以の結晶構造をもつ導電性材料と
してＬａ２ＳｒＣｕ２０ｅ、Ｂｉ２５ｒ２（Ｌｎ、 Ｃ
ａ）Ｃｕ２０．など超伝導材料の組成を基本としたもの
かある力丈これらの材料はその副成分として超伝導とな
る部分を含みやすいうえ、電気抵抗率が微妙な組成のず
れにより大幅に変わったり、作製条件を変えても任意の
電気抵抗率を選べなかったり、電気抵抗率を手軽に制御
できないという課題を有してい九本発明は上記従来の課
題を解決するもので、電気抵抗率を広範囲にわたって選
択でき、かつ酸化物超伝導体と類似の結晶構造を有する
導電性酸化この目的を達成するために本発明の導電性酸
化物材料（友 組成として少なくともＰｂ、Ｌｎ（但し
ＬＤ（よ ＰｒＸＮｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、Ｇｄのうち−
っ以上の元素、Ａ（但しＡ（ヱ Ｌａ、 Ｓｒのうぢ−
っ以上の元素）、Ｃｕおよび酸素から成り、２９．１ｎ
ｍ周期の層状構造を有している。
してＬａ２ＳｒＣｕ２０ｅ、Ｂｉ２５ｒ２（Ｌｎ、 Ｃ
ａ）Ｃｕ２０．など超伝導材料の組成を基本としたもの
かある力丈これらの材料はその副成分として超伝導とな
る部分を含みやすいうえ、電気抵抗率が微妙な組成のず
れにより大幅に変わったり、作製条件を変えても任意の
電気抵抗率を選べなかったり、電気抵抗率を手軽に制御
できないという課題を有してい九本発明は上記従来の課
題を解決するもので、電気抵抗率を広範囲にわたって選
択でき、かつ酸化物超伝導体と類似の結晶構造を有する
導電性酸化この目的を達成するために本発明の導電性酸
化物材料（友 組成として少なくともＰｂ、Ｌｎ（但し
ＬＤ（よ ＰｒＸＮｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、Ｇｄのうち−
っ以上の元素、Ａ（但しＡ（ヱ Ｌａ、 Ｓｒのうぢ−
っ以上の元素）、Ｃｕおよび酸素から成り、２９．１ｎ
ｍ周期の層状構造を有している。
作用
この構成によって、酸化物超伝導体と類似の結晶構造を
有し かつ電気抵抗率を手軽に制御できる導電性酸化物
材料が得られた 実施例 以下本発明の一実施例について説明する。
有し かつ電気抵抗率を手軽に制御できる導電性酸化物
材料が得られた 実施例 以下本発明の一実施例について説明する。
実施例１
純度９９％以上のＰｂＯ，ＰｒｅＯ＋＋、ＣｅＯ２，５
ｒＣＣｈ、ＣｕＯの各粉末を秤量し 振動ミルにて直径
２ｍｍのＺｒＣｈボールを用いエタノールを分散媒とし
て１時間粉砕混合しｔ＝ ７Ｎ合終了後、分散媒を含
む全量を乾燥機中で１２０℃で乾燥させへ 得られた粉
末を８００℃で５時皿 空気中で仮焼した９気 振動ミ
ルにて前述と同様の方法で３０分間粉砕し１２０℃で乾
燥さぜμ この粉末の０．６ｇ を１８ ｍｍｘ４ｍｍ
の金型中で６００ ｋｇ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形
し總 これにより得られた成形体を、電気炉にて空気中
で９４０℃で５時間焼成Ｌ−冷却しに昇降温速度はいず
れも ３００℃／ｈとし池 得られたセラミックスにつ
いて、Ｘ線回折および透過型電子顕微鏡で結晶構造を、
直流四端子法で電気抵抗率を調べｔら 配合組成でＰｂ： （Ｐｒ十Ｃｅ）： （Ｓｒ＋Ｌ
ａ）： Ｃｕが（０，５〜１．８） ： ２．０： ２
．０： （２，０〜３．４）で２９．１ｎｍ周期層状の
結晶構造を主相とするセラミックスか得られμ Ｐｒ、
Ｃａ、 ＳｒＯ比を変えることにより電気抵抗率が制
御でき九 第１図は配合組成Ｐｂ： （Ｐｒ＋Ｃｅ）
： （Ｓｒ＋Ｌａ）： Ｃｕ を １．０： ２
．０：２．０： ２．６とｊ、ＳＰｒ、 Ｃｅ、Ｓｒ、
Ｌａの組成を変化させた場合の２９．１ ｎｍ周期構造
の相安定領域および電気抵抗率（室温）の特性図である
。同図に示すように５０〜５０００Ω・Ｃｍの電気抵抗
率を組成により任意に制御できる。また電気抵抗率の温
度依存性（１５〜３００Ｋ ）を調べたところ半導体的
な挙動を示し通 また熱処理に刻しても特性は安定して
おり、酸素や窒素中で６５０℃以下の熱処理であれは電
気抵抗率の変化は±２０％以内であっ島 実施例２ 純度９９％以上のＰｂＯ，Ｓｍ２Ｏ３、ＣｅＯ２，５ｒ
ＣＯｓ、ＣｕＯの各粉末を秤量し 実施例１と同様にし
て焼結体を得た 配合組成でＰｂ： （Ｓｍ＋Ｃｅ） ： （Ｓｒ＋
Ｌａ） ： Ｃｕが（０，５〜１．８） ： ２．
０： ２．０： （２，０〜３．４）で２９．１ｎｍ
周期層状の結晶構造を主相とするセラミックスが得られ
ｊ； Ｐｒ、Ｃｃ−Ｓｒの比を変えることにより電気
抵抗率が制御できた 第２図は配合組成Ｐｂ（Ｓｍ十Ｃ
ｅ） ： （Ｓｒ＋Ｌａ） ： Ｃｕ を １．０
： ２．０：２．０： ２．６とＬＳｍ、 Ｃｅ、
Ｓｒ、 Ｌａの組成を変化させた場合の２９．］ｎ
ｍ周ｎｍ周期和安定領域および電気抵抗率（室温）の特
性図である。同図に示すように ２００〜６００００Ω
・Ｃｍの電気抵抗率を組成により任意に制御できる。電
気抵抗率の温度依存性（１５〜３００Ｋ ）を調べたと
ころ半導体的な挙動を示し島また熱処理に対しても特性
は安定しており、酸素や窒素中で６５０℃以下の熱処理
であれば電気抵抗率の変化は±２０％以内であった 発明の効果 以上のように本発明の導電性酸化物材料（よ 組成とし
て少なくともＰｂ、Ｌｎ（但しＬｎ ｉ；Ｌ Ｐｒ、
Ｎｄ。
ｒＣＣｈ、ＣｕＯの各粉末を秤量し 振動ミルにて直径
２ｍｍのＺｒＣｈボールを用いエタノールを分散媒とし
て１時間粉砕混合しｔ＝ ７Ｎ合終了後、分散媒を含
む全量を乾燥機中で１２０℃で乾燥させへ 得られた粉
末を８００℃で５時皿 空気中で仮焼した９気 振動ミ
ルにて前述と同様の方法で３０分間粉砕し１２０℃で乾
燥さぜμ この粉末の０．６ｇ を１８ ｍｍｘ４ｍｍ
の金型中で６００ ｋｇ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形
し總 これにより得られた成形体を、電気炉にて空気中
で９４０℃で５時間焼成Ｌ−冷却しに昇降温速度はいず
れも ３００℃／ｈとし池 得られたセラミックスにつ
いて、Ｘ線回折および透過型電子顕微鏡で結晶構造を、
直流四端子法で電気抵抗率を調べｔら 配合組成でＰｂ： （Ｐｒ十Ｃｅ）： （Ｓｒ＋Ｌ
ａ）： Ｃｕが（０，５〜１．８） ： ２．０： ２
．０： （２，０〜３．４）で２９．１ｎｍ周期層状の
結晶構造を主相とするセラミックスか得られμ Ｐｒ、
Ｃａ、 ＳｒＯ比を変えることにより電気抵抗率が制
御でき九 第１図は配合組成Ｐｂ： （Ｐｒ＋Ｃｅ）
： （Ｓｒ＋Ｌａ）： Ｃｕ を １．０： ２
．０：２．０： ２．６とｊ、ＳＰｒ、 Ｃｅ、Ｓｒ、
Ｌａの組成を変化させた場合の２９．１ ｎｍ周期構造
の相安定領域および電気抵抗率（室温）の特性図である
。同図に示すように５０〜５０００Ω・Ｃｍの電気抵抗
率を組成により任意に制御できる。また電気抵抗率の温
度依存性（１５〜３００Ｋ ）を調べたところ半導体的
な挙動を示し通 また熱処理に刻しても特性は安定して
おり、酸素や窒素中で６５０℃以下の熱処理であれは電
気抵抗率の変化は±２０％以内であっ島 実施例２ 純度９９％以上のＰｂＯ，Ｓｍ２Ｏ３、ＣｅＯ２，５ｒ
ＣＯｓ、ＣｕＯの各粉末を秤量し 実施例１と同様にし
て焼結体を得た 配合組成でＰｂ： （Ｓｍ＋Ｃｅ） ： （Ｓｒ＋
Ｌａ） ： Ｃｕが（０，５〜１．８） ： ２．
０： ２．０： （２，０〜３．４）で２９．１ｎｍ
周期層状の結晶構造を主相とするセラミックスが得られ
ｊ； Ｐｒ、Ｃｃ−Ｓｒの比を変えることにより電気
抵抗率が制御できた 第２図は配合組成Ｐｂ（Ｓｍ十Ｃ
ｅ） ： （Ｓｒ＋Ｌａ） ： Ｃｕ を １．０
： ２．０：２．０： ２．６とＬＳｍ、 Ｃｅ、
Ｓｒ、 Ｌａの組成を変化させた場合の２９．］ｎ
ｍ周ｎｍ周期和安定領域および電気抵抗率（室温）の特
性図である。同図に示すように ２００〜６００００Ω
・Ｃｍの電気抵抗率を組成により任意に制御できる。電
気抵抗率の温度依存性（１５〜３００Ｋ ）を調べたと
ころ半導体的な挙動を示し島また熱処理に対しても特性
は安定しており、酸素や窒素中で６５０℃以下の熱処理
であれば電気抵抗率の変化は±２０％以内であった 発明の効果 以上のように本発明の導電性酸化物材料（よ 組成とし
て少なくともＰｂ、Ｌｎ（但しＬｎ ｉ；Ｌ Ｐｒ、
Ｎｄ。
Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｇｄのうち一つ以−にの元素）、
Ａ（但しＡＩｔ Ｌａ、 Ｓｒのうち一つ以上の元
素）、Ｃｕおよび酸素から成り、２９．］ｎｍ周期の層
状構造を有しているものであり、高い臨界温度を有する
酸化物超伝導体と類似の結晶構造を有し かつ組成によ
り電気抵抗率を容易に制御できるものである。そのため
、酸化物超伝導材料のデバイス応用の際に使用する導電
性材料としては極めて有用な材料である。
Ａ（但しＡＩｔ Ｌａ、 Ｓｒのうち一つ以上の元
素）、Ｃｕおよび酸素から成り、２９．］ｎｍ周期の層
状構造を有しているものであり、高い臨界温度を有する
酸化物超伝導体と類似の結晶構造を有し かつ組成によ
り電気抵抗率を容易に制御できるものである。そのため
、酸化物超伝導材料のデバイス応用の際に使用する導電
性材料としては極めて有用な材料である。
第１図は 配合組成Ｐｂ： （Ｐｒ十Ｃｅ） ：
（Ｓｒ＋ Ｌａ）・Ｃｕを１．０： ２．０： ２．０
： ２．６と１．、 Ｐｒ、 Ｃａ、 Ｓｒ。 Ｌａの組成を変化させた場合の２９．１ｎｍ周期構造の
相安定領域および電気抵抗率（室温）の特性は第２図（
戴 配合組成Ｐｂ： （Ｓｍ＋ Ｃｅ） ： （Ｓ
ｒ十Ｌａ）：Ｃｕを１．０： ２．０： ２．０： ２
．６とｌ、、Ｓｍ、 Ｃｅ、、 Ｓｒ。 Ｌａの組成を変化させた場合の２９．１ｎｍ周期構造の
相安定領域および電気抵抗率（室温）の特性図である。
（Ｓｒ＋ Ｌａ）・Ｃｕを１．０： ２．０： ２．０
： ２．６と１．、 Ｐｒ、 Ｃａ、 Ｓｒ。 Ｌａの組成を変化させた場合の２９．１ｎｍ周期構造の
相安定領域および電気抵抗率（室温）の特性は第２図（
戴 配合組成Ｐｂ： （Ｓｍ＋ Ｃｅ） ： （Ｓ
ｒ十Ｌａ）：Ｃｕを１．０： ２．０： ２．０： ２
．６とｌ、、Ｓｍ、 Ｃｅ、、 Ｓｒ。 Ｌａの組成を変化させた場合の２９．１ｎｍ周期構造の
相安定領域および電気抵抗率（室温）の特性図である。
Claims (1)
- 組成として少なくとも、鉛（Ｐｂ）、元素Ｌｎ（但し
Ｌｎは、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄのうち一つ以上
の元素）、元素Ａ（但しＡは、Ｌａ、Ｓｒのうち一つ以
上の元素）、銅（Ｃｕ）および酸素から成り、２９．１
ｎｍ周期の層状構造を有する導電性酸化物材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143102A JPH0435072A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 導電性酸化物材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143102A JPH0435072A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 導電性酸化物材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435072A true JPH0435072A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15330957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143102A Pending JPH0435072A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 導電性酸化物材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6517324B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-02-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Control valve for variable displacement type compressor |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2143102A patent/JPH0435072A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS=1990 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6517324B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-02-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Control valve for variable displacement type compressor |
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