JPH04346501A - Microwave integrated circuit module - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯で動作す
るマイクロ波集積回路モジュールに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave integrated circuit module that operates in the microwave band.
【０００２】0002
【従来の技術】図４は従来のマイクロ波帯で動作するマ
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称す）モジュールの
上ブタを除いた平面図であり、図５は、図４のＢ−Ｂ線
による断面図である。これらの図において、１は金属で
形成した金属ベース、２はモジュールの内部と外部とを
電気的に接続するマイクロストリップラインが形成され
たセラミックの端子基板、３は金属やセラミックからな
るモジュールフレーム、４はマイクロ波半導体素子で、
例えばガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下、Ｇａ
ＡｓＦＥＴと称す）、５はこのＧａＡｓＦＥＴ４をアセ
ンブリするための金属ブロック、６，７，および８はセ
ラミック基板に導体パターンが形成されている入力整合
回路基板，段間整合回路基板，および出力整合回路基板
、９は金属の電極リード、１０はＤＣブロックコンデン
サ、１１はボンディングワイヤである。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a plan view of a conventional microwave integrated circuit (hereinafter referred to as MIC) module that operates in the microwave band, with the top removed. FIG. In these figures, 1 is a metal base made of metal, 2 is a ceramic terminal board on which a microstrip line is formed to electrically connect the inside and outside of the module, 3 is a module frame made of metal or ceramic, 4 is a microwave semiconductor element,
For example, gallium arsenide field effect transistor (hereinafter referred to as Ga
5 is a metal block for assembling this GaAsFET 4, 6, 7, and 8 are an input matching circuit board, an interstage matching circuit board, and an output matching circuit board, each of which has a conductor pattern formed on a ceramic substrate. , 9 is a metal electrode lead, 10 is a DC block capacitor, and 11 is a bonding wire.
【０００３】図４および図５では、ＭＩＣモジュール内
部にＧａＡｓＦＥＴ４と入力整合回路基板６，段間整合
回路基板７，出力整合回路基板８，端子基板２および電
極リード９がボンディングワイヤ１１によって接続され
ている。したがって、電極リード９より入力したマイク
ロ波信号は、ＧａＡｓＦＥＴ４が各整合回路基板６，７
，８によって整合されているので、効率よくモジュール
内で増幅される。4 and 5, a GaAsFET 4, an input matching circuit board 6, an interstage matching circuit board 7, an output matching circuit board 8, a terminal board 2, and an electrode lead 9 are connected by bonding wires 11 inside the MIC module. There is. Therefore, the microwave signal input from the electrode lead 9 is transmitted to each matching circuit board 6, 7 by the GaAsFET 4.
, 8, the signals are efficiently amplified within the module.
【０００４】上記のように構成された従来のＭＩＣモジ
ュールのアセンブリは次のように行われている。まず、
金属ベース１上に、入力整合回路基板６，段間整合回路
基板７，出力整合回路基板８を、また、金属ブロック５
上にＧａＡｓＦＥＴ４を、次に、段間整合回路基板７上
にＤＣブロックコンデンサ１０を半田付けする。さらに
、ＧａＡｓＦＥＴ４，ＤＣブロックコンデンサ１０およ
び各整合回路基板６〜８をワイヤボンディングする。The conventional MIC module constructed as described above is assembled as follows. first,
An input matching circuit board 6, an interstage matching circuit board 7, an output matching circuit board 8 are placed on the metal base 1, and a metal block 5 is also mounted on the metal base 1.
A GaAsFET 4 is soldered thereon, and then a DC block capacitor 10 is soldered onto the interstage matching circuit board 7. Furthermore, the GaAsFET 4, the DC block capacitor 10, and each of the matching circuit boards 6 to 8 are wire-bonded.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のＭ
ＩＣモジュールでは、比較的大きな整合回路基板（５×
１０ｍｍ）と小さなＧａＡｓＦＥＴチップ（０．５×０
．５ｍｍ）やＤＣブロックコンデンサ（０．５×０．５
ｍｍ）を小さなモジュール内部で半田付けやワイヤボン
ディングするので、アセンブリ工程が複雑になり、アセ
ンブリ時間が長くかかるという問題点があった。[Problem to be solved by the invention] As mentioned above, the conventional M
For IC modules, a relatively large matching circuit board (5×
10mm) and a small GaAsFET chip (0.5×0
．． 5mm) or DC block capacitor (0.5x0.5
Since soldering and wire bonding are performed inside the small module, the assembly process is complicated and the assembly time is long.
【０００６】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、アセンブリ工程が簡単にできる
安価なＭＩＣモジュールを得ることを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain an inexpensive MIC module that can be easily assembled.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明におけるＭＩＣモ
ジュールでは、整合回路等のマイクロ波回路が形成され
ているテープ状のプラスチック等の絶縁薄膜に、所要の
マイクロ波部品を接着し、所定のワイヤボンディングを
施した後、この絶縁薄膜を切断してモジュールフレーム
内のセラミック基板上に接着したものである。[Means for Solving the Problems] In the MIC module of the present invention, required microwave components are bonded to an insulating thin film such as a tape-shaped plastic film on which a microwave circuit such as a matching circuit is formed, and a predetermined wire is attached to the MIC module. After bonding, this insulating thin film was cut and bonded onto the ceramic substrate inside the module frame.
【０００８】[0008]
【作用】本発明におけるＭＩＣモジュールでは、整合回
路パターンが形成されている絶縁薄膜上にマイクロ波部
品をアセンブリすることにより、アセンブリ時間が短く
、安価なＭＩＣモジュールが得られる。In the MIC module of the present invention, by assembling microwave components on an insulating thin film on which a matching circuit pattern is formed, an inexpensive MIC module with short assembly time can be obtained.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例を示すＭＩＣモジュールの
上ブタを除いた平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線
による断面図である。これらの図において、図４および
図５と同一符号は同一構成部分を示し、１２はセラミッ
ク基板、１３は耐熱性のある絶縁薄膜、例えばプラスチ
ック薄膜、１４は前記金属ベース１とプラスチック薄膜
１３とを電気的に導通するためのスルーホール、１５は
前記金属ベース１と後述するボンディング部１６とを電
気的に導通するためのスルーホールである。１６はボン
ディング部で、金属薄膜からなり、ＧａＡｓＦＥＴ４等
のマイクロ波部品がアセンブリされる。１７は入力整合
回路、１８は段間整合回路、１９は出力整合回路であり
、これらは図３に示すように、プラスチック薄膜１３上
に接着されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a MIC module showing an embodiment of the present invention with the top removed, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A--A in FIG. 1. In these figures, the same reference numerals as those in FIGS. 4 and 5 indicate the same components, 12 is a ceramic substrate, 13 is a heat-resistant insulating thin film, for example, a plastic thin film, and 14 is the metal base 1 and the plastic thin film 13. A through hole 15 for electrical conduction is a through hole for electrical conduction between the metal base 1 and a bonding portion 16 to be described later. A bonding section 16 is made of a metal thin film, and microwave components such as GaAsFET 4 are assembled therein. 17 is an input matching circuit, 18 is an inter-stage matching circuit, and 19 is an output matching circuit, which are bonded onto the plastic thin film 13 as shown in FIG.
【００１０】なお、金メッキされた銅等の薄い金属薄膜
によるボンディング部１６や各整合回路１７〜１９は、
テープ状になったプラスチック薄膜１３上に耐熱性のあ
る接着樹脂で貼り付けられている。Note that the bonding portion 16 and each matching circuit 17 to 19 are made of a thin metal film such as gold-plated copper.
It is pasted onto a tape-shaped plastic thin film 13 with a heat-resistant adhesive resin.
【００１１】次に、本発明のＭＩＣモジュールのアセン
ブリについて説明する。まず、テープ状となったプラス
チック薄膜１３上に、ＧａＡｓＦＥＴ４，ＤＣブロック
コンデンサ１０，ボンディング部１６，各整合回路１７
〜１９等を接着し、その後、ワイヤボンドを実施する。
次に、テープ状のプラスチック薄膜１３を切断してＭＩ
Ｃモジュールのセラミック基板１２上に接着する。Next, the assembly of the MIC module of the present invention will be explained. First, a GaAsFET 4, a DC block capacitor 10, a bonding part 16, and each matching circuit 17 are placed on a tape-shaped plastic thin film 13.
~19 etc. are adhered, and then wire bonding is performed. Next, the tape-shaped plastic thin film 13 is cut and MI
It is bonded onto the ceramic substrate 12 of the C module.
【００１２】したがって、本発明のＭＩＣモジュールに
おいては、従来のＭＩＣモジュールで問題となっていた
アセンブリ上の問題点が改善されている。つまり、最も
アセンブリ時間の長いＧａＡｓＦＥＴ４のアセンブリに
おいて、モジュールフレーム３内でアセンブリするので
はなく、テープ状になったプラスチック薄膜１３上でア
センブリするので、高速で正確な自動半田付けや自動ワ
イヤボンドが可能となる。また、図４の従来例で説明し
たように、整合回路パターンが形成されている入力整合
回路基板６，段間整合回路基板７および出力整合回路基
板８を金属ベース１に半田付けする必要がないという利
点もある。[0012] Therefore, in the MIC module of the present invention, the assembly problems that occurred with conventional MIC modules have been improved. In other words, in the assembly of GaAsFET4, which takes the longest assembly time, it is not assembled within the module frame 3, but is assembled on the tape-shaped plastic thin film 13, which enables high-speed and accurate automatic soldering and automatic wire bonding. becomes. Further, as explained in the conventional example of FIG. 4, there is no need to solder the input matching circuit board 6, the interstage matching circuit board 7, and the output matching circuit board 8 on which matching circuit patterns are formed to the metal base 1. There is also an advantage.
【００１３】上記のようにして構成されたＭＩＣモジュ
ールは、モジュールフレーム３内において、プラスチッ
ク薄膜１３上にＧａＡｓＦＥＴ４が半田付けされ、この
ＧａＡｓＦＥＴ４には入力整合回路１７，段間整合回路
１８，出力整合回路１９が接続されている。したがって
、従来と同様に電極リード９より入力されたマイクロ波
信号はＧａＡｓＦＥＴ４で効率良く増幅される。In the MIC module constructed as described above, a GaAsFET 4 is soldered onto the plastic thin film 13 within the module frame 3, and the GaAsFET 4 has an input matching circuit 17, an interstage matching circuit 18, and an output matching circuit. 19 are connected. Therefore, the microwave signal inputted from the electrode lead 9 is efficiently amplified by the GaAsFET 4 as in the conventional case.
【００１４】なお、上記実施例では、マイクロ波半導体
素子としてＧａＡｓＦＥＴを、マイクロ波集積回路とし
て増幅回路の場合を示したが、マイクロ波半導体素子が
シリコンバイポーラトランジスタであっても、また、マ
イクロ波集積回路としては発振回路やミキサ回路等であ
っても、上記実施例と同様の効果を奏する。In the above embodiment, a GaAsFET is used as the microwave semiconductor element and an amplifier circuit is used as the microwave integrated circuit. However, even if the microwave semiconductor element is a silicon bipolar transistor, Even if the circuit is an oscillation circuit, a mixer circuit, etc., the same effects as in the above embodiments can be achieved.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波集積回路モジュールによれば、各整合回路が形成され
ている絶縁薄膜にマイクロ波部品をアセンブリしたもの
をモジュールフレーム内のセラミックベースに接着する
ことによって構成されているので、簡単なアセンブリで
安価なマイクロ波集積回路モジュールが得られるという
効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, according to the microwave integrated circuit module of the present invention, an assembly of microwave components on an insulating thin film in which each matching circuit is formed is bonded to a ceramic base in a module frame. Since it is constructed by doing the following, it has the effect that an inexpensive microwave integrated circuit module can be obtained with a simple assembly.
【図１】本発明の一実施例を示すＭＩＣモジュールの平
面図である。FIG. 1 is a plan view of a MIC module showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1;
【図３】本発明のプラスチック薄膜の詳細を示す平面図
である。FIG. 3 is a plan view showing details of the plastic thin film of the present invention.
【図４】従来のＭＩＣモジュールを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a conventional MIC module.
【図５】図４のＢ−Ｂ線による断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4;
１ 金属ベース ２ 端子基板 ３ モジュールフレーム ４ ＧａＡｓＦＥＴ ９ 電極リード １０ ＤＣブロックコンデンサ １１ ボンディングワイヤ １２ セラミックベース １３ プラスチック薄膜 １４ スルーホール １５ スルーホール １６ ボンディング部 １７ 入力整合回路 １８ 段間整合回路 １９ 出力整合回路 1 Metal base 2 Terminal board 3 Module frame 4 GaAsFET 9 Electrode lead 10 DC block capacitor 11 Bonding wire 12 Ceramic base 13 Plastic thin film 14 Through hole 15 Through hole 16 Bonding part 17 Input matching circuit 18 Interstage matching circuit 19 Output matching circuit
Claims (1)
し、このモジュールフレームに入力用と出力用の端子板
が形成され、前記モジュールフレーム内のマイクロ波回
路にマイクロ波部品をアセンブリするマイクロ波集積回
路モジュールにおいて、前記金属ベース上にセラミック
基板を設け、一方、マイクロ波回路を形成した金属薄膜
を設けた絶縁薄膜上に、マイクロ波部品をアセンブリし
、この絶縁薄膜をモジュール内の前記セラミック基板上
に配置したことを特徴とするマイクロ波集積回路モジュ
ール。1. A microwave integrated circuit in which a module frame is formed on a metal base, terminal boards for input and output are formed on the module frame, and microwave components are assembled to a microwave circuit in the module frame. In the module, a ceramic substrate is provided on the metal base, and on the other hand, a microwave component is assembled on an insulating thin film provided with a metal thin film on which a microwave circuit is formed, and this insulating thin film is placed on the ceramic substrate in the module. A microwave integrated circuit module characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119770A JPH04346501A (en) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Microwave integrated circuit module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119770A JPH04346501A (en) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Microwave integrated circuit module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346501A true JPH04346501A (en) | 1992-12-02 |
Family
ID=14769774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119770A Pending JPH04346501A (en) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Microwave integrated circuit module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346501A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014203846A (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | High frequency semiconductor module |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3119770A patent/JPH04346501A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014203846A (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | High frequency semiconductor module |
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