JPH04271160A - Microwave integrated circuit module - Google Patents

Microwave integrated circuit module

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JPH04271160A
JPH04271160A JP774891A JP774891A JPH04271160A JP H04271160 A JPH04271160 A JP H04271160A JP 774891 A JP774891 A JP 774891A JP 774891 A JP774891 A JP 774891A JP H04271160 A JPH04271160 A JP H04271160A
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JP
Japan
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input
chip
output
module
lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP774891A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Mori
哲郎 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04271160A publication Critical patent/JPH04271160A/en
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Abstract

PURPOSE:To shorten an assembly time of a semiconductor chip and to improve microwave characteristics by coupling a chip carrier having input, output lead electrodes to a lead frame. CONSTITUTION:A chip carrier 10 has an input lead electrode 11 and an output lead electrode 12 formed with input matching circuit and output matching circuit patterns. Many carriers 10 are coupled to a lead frame 15. After a GaAsFET chip 4 is bonded, the electrodes 11, 12 and a ground lead electrode 13 are cut, and soldered to an MIC module. Accordingly, in an assembly of the chip 4, assembly is performed on the carrier 10 integral with the frame 15, and hence rapid and accurate automatic die bonding and wire bonding can be performed.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯で動作す
るマイクロ波集積回路モジュ−ルに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave integrated circuit module that operates in the microwave band.

【0002】0002

【従来の技術】図3は従来のマイクロ波帯で動作するマ
イクロ波集積回路(以下、MICと称す)モジュ−ルの
上蓋を除いた平面図である。この図において、1は金属
で構成したモジュ−ルケ−ス本体、2は金属またはセラ
ミックのモジュ−ルフレ−ム、3はモジュ−ルの内部と
外部を電気的に接続するセラミック端子基板であり、4
はガリウム砒素電界効果トランジスタ(以下、GaAs
FETと称す)チップ、5はこのGaAsFETチップ
4をダイボンドするための金属ブロック、6および7は
セラミック基板に導体パタ−ンが形成されている入力整
合回路基板および出力整合回路基板、8は金属の電極リ
−ド端子、9はボンディングワイヤである。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a plan view of a conventional microwave integrated circuit (hereinafter referred to as MIC) module that operates in the microwave band, with the top removed. In this figure, 1 is a module case body made of metal, 2 is a metal or ceramic module frame, and 3 is a ceramic terminal board that electrically connects the inside and outside of the module. 4
is a gallium arsenide field effect transistor (hereinafter referred to as GaAs
5 is a metal block for die-bonding the GaAsFET chip 4, 6 and 7 are an input matching circuit board and an output matching circuit board each having a conductor pattern formed on a ceramic substrate, and 8 is a metal block. The electrode lead terminal 9 is a bonding wire.

【0003】図3のMICモジュ−ルにおいては、モジ
ュ−ルケ−ス本体1上にGaAsFETチップ4と入力
整合回路基板6,出力整合回路基板7およびセラミック
端子基板3とがボンディングワイヤ9によってそれぞれ
接続されている。したがって、電極リ−ド端子8より入
力したマイクロ波信号は、入力および出力整合回路基板
6,7により入出力整合されているため、効率よくGa
AsFETチップ4で増幅される。
In the MIC module shown in FIG. 3, a GaAsFET chip 4, an input matching circuit board 6, an output matching circuit board 7, and a ceramic terminal board 3 are connected to each other by bonding wires 9 on a module case body 1. has been done. Therefore, the microwave signal inputted from the electrode lead terminal 8 is input/output matched by the input and output matching circuit boards 6, 7, so that Ga
It is amplified by the AsFET chip 4.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】従来のMICモジュ−
ルは以上のように構成されているので、MICモジュ−
ルをアセンブリする場合、まず入力,出力整合回路基板
6,7、金属ブロック5およびGaAsFETチップ4
をダイボンドシタ後、各々の基板をボンディングワイヤ
9でワイヤボンディングする必要があった。つまり、比
較的大きな入力,出力整合回路基板(5mm×10mm
)6,7と小さなGaAsFETチップ(0.5mm×
0.5mm)4を、小さなモジュ−ル上にダイボンドお
よびワイヤボンドするのでアセンブリ工程が複雑になり
、アセンブリ時間が長くかかるという問題点があった。 また、入力および出力整合回路基板6,7はセラミック
基板上に整合回路を導体印刷したものを用いているので
、セラミックの誘電体損失や導体印刷回路の導体損失に
より、MICモジュ−ルのマイクロ波特性も劣化すると
いう問題点があった。
[Problem to be solved by the invention] Conventional MIC module
Since the module is configured as described above, the MIC module
When assembling the module, first the input and output matching circuit boards 6, 7, the metal block 5 and the GaAsFET chip 4 are assembled.
After die bonding, it was necessary to wire bond each board with bonding wire 9. In other words, a relatively large input/output matching circuit board (5 mm x 10 mm)
)6,7 and a small GaAsFET chip (0.5mm x
Since the 0.5 mm) 4 is die-bonded and wire-bonded onto a small module, the assembly process is complicated and the assembly time is long. In addition, since the input and output matching circuit boards 6 and 7 are made of a ceramic substrate with a matching circuit printed on a conductor, the MIC module's microwave There was a problem that the characteristics also deteriorated.

【0005】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、アセンブリが簡単でマイクロ波
特性の良好なMICモジュ−ルを得ることを目的とする
The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain a MIC module that is easy to assemble and has good microwave characteristics.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係るMICモジ
ュ−ルは、入力,出力リ−ド電極自体を入力整合回路お
よび出力整合回路に構成し、これらの入力,出力リ−ド
電極をチップキャリアに接続しておき、このチップキャ
リアに半導体チップを取付けたものである。
[Means for Solving the Problems] The MIC module according to the present invention configures the input and output lead electrodes themselves into an input matching circuit and an output matching circuit, and connects these input and output lead electrodes to a chip. It is connected to a carrier, and a semiconductor chip is attached to this chip carrier.

【0007】[0007]

【作用】本発明におけるMICモジュ−ルにおいては、
入力,出力リ−ド電極を備えたチップキャリアをリ−ド
フレ−ムに連結して形成することにより、半導体チップ
のダイボンドおよびワイヤボンド等のアセンブリはモジ
ュ−ルケ−ス内ではなく、リ−ドフレ−ムに連結した状
態で行えるため、アセンブリ時間が短くなるとともに、
誘電体損失や、導体損失が少なくなり、マイクロ波特性
が向上する。
[Operation] In the MIC module of the present invention,
By connecting a chip carrier with input and output lead electrodes to a lead frame, assemblies such as die bonding and wire bonding of semiconductor chips can be performed on the lead frame rather than inside the module case. - Since it can be done while connected to the system, assembly time is shortened and
Dielectric loss and conductor loss are reduced, and microwave characteristics are improved.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図1は本発明の一実施例を示すもので、MICモジ
ュ−ルの上蓋を除いた平面図である。この図で、図3と
同一符号はは同一部分を示し、10はセラミックのチッ
プキャリアで、入力整合回路および出力整合回路パタ−
ンが形成されている金属のリ−ド電極となっている入力
リ−ド電極11および出力リ−ド電極12を備えている
。13は前記GaAsFETチップ4のソ−スがボンデ
ィングワイヤ9によりボンディングされている接地リ−
ド電極、14はこの接地リ−ド電極13をモジュ−ルケ
−ス本体1に接地させるための金属ブロックである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows one embodiment of the present invention, and is a plan view of a MIC module with the top cover removed. In this figure, the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same parts, 10 is a ceramic chip carrier, and the input matching circuit and output matching circuit pattern are
It has an input lead electrode 11 and an output lead electrode 12, which are metal lead electrodes on which a ring is formed. Reference numeral 13 denotes a ground lead to which the source of the GaAsFET chip 4 is bonded with the bonding wire 9.
A lead electrode 14 is a metal block for grounding the ground lead electrode 13 to the module case body 1.

【0009】チップキャリア10は、図2に示されるよ
うに、リ−ドフレ−ム15に多数連結された状態になっ
ており、GaAsFETチップ4をボンディングした後
、入力,出力リ−ド電極11,12および接地リ−ド電
極13を、例えば各々一点鎖線で示す位置で切断し、M
ICモジュ−ルにはんだ付けを行う。
As shown in FIG. 2, the chip carrier 10 is connected to a number of lead frames 15, and after bonding the GaAsFET chips 4, input and output lead electrodes 11, 12 and the ground lead electrode 13 are cut, for example, at the positions shown by the dashed lines, and the M
Solder the IC module.

【0010】本発明のMICモジュ−ルにおいては、チ
ップキャリア10上にGaAsFETチップ4がボンデ
ィングされ、GaAsFETチップ4には入力整合回路
パタ−ンおよび出力整合回路パタ−ンとなっている入力
リ−ド電極11および出力リ−ド電極12が接続されて
いる。したがって、従来と同様、電極リ−ド端子8より
入力されたマイクロ波信号は、GaAsFETチップ4
で効率よく増幅される。
In the MIC module of the present invention, a GaAsFET chip 4 is bonded onto a chip carrier 10, and the GaAsFET chip 4 has an input lead that is an input matching circuit pattern and an output matching circuit pattern. A lead electrode 11 and an output lead electrode 12 are connected. Therefore, as in the conventional case, the microwave signal input from the electrode lead terminal 8 is transmitted to the GaAsFET chip 4.
is efficiently amplified.

【0011】本発明のMICモジュ−ルにおいては、入
出力整合回路付チップキャリアを用いているので、従来
のモジュ−ルで問題となっていたアセンブリおよびマイ
クロ波特性に関する欠点が改善されている。つまり、最
もアセンブリ時間の長いGaAsFETチップ4のアセ
ンブリにおいては、モジュ−ルケ−ス内でアセンブリす
るのではなく、図2のようにリ−ドフレ−ム15と一体
となっているチップキャリア10上でアセンブリを実施
するので、高速で正確な自動ダイボンドおよびワイヤボ
ンドが可能となる。また、本発明の入力および出力整合
回路は、セラミック基板上に導体印刷したものでなく、
空間中におかれた金属の入力リ−ドおよび出力リ−ドで
構成されているので、セラミックの誘電体損失や導体損
失が少なく、マイクロ波特性の良好なMICモジュ−ル
が得られるという効果がある。さらに、高価なセラミッ
ク整合回路を用いていないので、廉価なモジュ−ルが構
成できるという利点もある。
[0011] Since the MIC module of the present invention uses a chip carrier with an input/output matching circuit, the drawbacks related to assembly and microwave characteristics that were problems of conventional modules are improved. . In other words, when assembling the GaAsFET chip 4, which requires the longest assembly time, it is not assembled within the module case, but rather on the chip carrier 10 that is integrated with the lead frame 15 as shown in FIG. The assembly process allows for fast and accurate automatic die and wire bonding. Furthermore, the input and output matching circuit of the present invention is not one in which conductors are printed on a ceramic substrate;
Since it is composed of metal input and output leads placed in a space, it is said that the MIC module has low ceramic dielectric loss and conductor loss, and has good microwave characteristics. effective. Furthermore, since no expensive ceramic matching circuit is used, there is the advantage that an inexpensive module can be constructed.

【0012】なお、上記実施例ではマイクロ波半導体素
子としてGaAsFETチップを、マイクロ波集積回路
として増幅回路の場合を示したが、マイクロ波半導体素
子がシリコンバイポ−ラトランジスタであっても、マイ
クロ波集積回路として発振回路やミキサ回路等であって
もよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
In the above embodiment, a GaAsFET chip is used as the microwave semiconductor device, and an amplifier circuit is used as the microwave integrated circuit. However, even if the microwave semiconductor device is a silicon bipolar transistor, the microwave integrated circuit The circuit may be an oscillation circuit, a mixer circuit, or the like, and the same effects as in the above embodiments can be achieved.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、入力,
出力リ−ド電極が入力,出力整合回路となっており、こ
の入力,出力リ−ド電極が接続されたチップキャリアを
用いてマイクロ波集積回路モジュ−ルを構成したので、
簡単なアセンブリでマイクロ波特性の良好な、かつ廉価
なモジュ−ルが得られるという効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention provides input,
The output lead electrodes serve as input and output matching circuits, and a microwave integrated circuit module is constructed using a chip carrier to which these input and output lead electrodes are connected.
The advantage is that a module with good microwave characteristics and low cost can be obtained with a simple assembly.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例によるマイクロ波集積回路モ
ジュ−ルの上蓋を除いた平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a microwave integrated circuit module according to an embodiment of the present invention, with the top cover removed.

【図2】本発明のモジュ−ルに用いられているフレ−ム
状態のチップキャリアの平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a chip carrier in a frame state used in the module of the present invention.

【図3】従来のマイクロ波集積回路モジュ−ルの上蓋を
除いた平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a conventional microwave integrated circuit module with the top cover removed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    モジュ−ルケ−ス本体 2    モジュ−ルフレ−ム 3    セラミック端子基板 4    GaAsFETチップ 8    電極リ−ド端子 9    ボンディングワイヤ 10  チップキャリア 11  入力リ−ド電極 12  出力リ−ド電極 13  接地リ−ド電極 14  金属ブロック 15  リ−ドフレ−ム 1 Module case body 2 Module frame 3 Ceramic terminal board 4 GaAsFET chip 8 Electrode lead terminal 9 Bonding wire 10 Chip carrier 11 Input lead electrode 12 Output lead electrode 13 Ground lead electrode 14 Metal block 15 Lead frame

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  マイクロ波信号を入力,出力する電極
リ−ド端子と、この電極リ−ド端子と接続され、入力お
よび出力整合回路のパタ−ンがそれぞれ形成された入力
,出力リ−ド電極を備えたチップキャリアと、このチッ
プキャリアにダイボンドされ、前記入力,出力リ−ド電
極と所要のワイヤボンディングが施された半導体チップ
とを有することを特徴とするマイクロ波集積回路モジュ
−ル。
[Claim 1] Electrode lead terminals for inputting and outputting microwave signals, and input and output leads connected to the electrode lead terminals and formed with patterns of input and output matching circuits, respectively. 1. A microwave integrated circuit module comprising: a chip carrier provided with electrodes; and a semiconductor chip die-bonded to the chip carrier and subjected to necessary wire bonding to the input and output lead electrodes.
JP774891A 1991-01-25 1991-01-25 Microwave integrated circuit module Pending JPH04271160A (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01273404A (en) * 1988-04-26 1989-11-01 Mitsubishi Electric Corp High frequency semiconductor device
JPH02114551A (en) * 1988-10-24 1990-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd High-frequency semiconductor device

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