JP2003347444A - High frequency power amplifier - Google Patents

High frequency power amplifier

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JP2003347444A
JP2003347444A JP2002156372A JP2002156372A JP2003347444A JP 2003347444 A JP2003347444 A JP 2003347444A JP 2002156372 A JP2002156372 A JP 2002156372A JP 2002156372 A JP2002156372 A JP 2002156372A JP 2003347444 A JP2003347444 A JP 2003347444A
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JP
Japan
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metal
power amplifier
frequency power
metal base
hole
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Pending
Application number
JP2002156372A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichiro Matsuzaki
賢一郎 松崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15158Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
    • H01L2924/15159Side view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency power amplifier exhibiting high stability. <P>SOLUTION: In packaging of the high frequency power amplifier, the claw 15 of a metallic base 13 engages with the hole 17 of a metallic cover 11 and a recess 18 having a through hole 19 is provided at a specified position of the sidewall material 16 of the metallic cover 11. The metallic cover 11 and the metallic base 13 are bonded through that through hole 19 by reflow soldering. The metallic base 13 is provided with a stretching part which is bonded to a specified part of a circuit board by reflow soldering. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電力増幅器
に関し、より詳細には、高い安定性を有する高周波電力
増幅器に関する。
The present invention relates to a high frequency power amplifier, and more particularly, to a high stability high frequency power amplifier.

【0002】[0002]

【従来の技術】移動体通信網における携帯電話の基地局
等に用いられる高周波電力増幅器には、移動体通信装置
としての携帯電話から発信されてきた微弱な信号を増幅
して出力するための機能が求められる。このような高周
波電力増幅器の周波数帯は0.8〜2.1GHzであ
り、従来型モジュールの大部分は複数の増幅デバイスと
受動デバイスとを集積化したいわゆるハイブリッド型の
ICとして構成され、図5および図6に示すようなパッ
ケージ内に収納されている。
2. Description of the Related Art A high-frequency power amplifier used for a base station of a mobile phone in a mobile communication network has a function of amplifying and outputting a weak signal transmitted from a mobile phone as a mobile communication device. Is required. The frequency band of such a high-frequency power amplifier is 0.8 to 2.1 GHz, and most of the conventional modules are configured as so-called hybrid ICs in which a plurality of amplifying devices and passive devices are integrated. And housed in a package as shown in FIG.

【0003】図5は、従来の高周波電力増幅器の金属製
ベースと金属製蓋体との接続構造の一例を示す断面図
で、高周波電力増幅器501の金属製ベース502は、
金属製蓋体503の側板部503aと略平行に延びる接
続片502aを複数(少なくとも3体)有している。な
お、この図では一体の接続片502aのみが図示されて
いる。これらの接続片502aの各々には、「たたき出
し加工」等により、外方に突出する突起503bが形成
されている。また、金属製蓋体503の側板部503a
には、各接続片502aの突起502bと対向するよう
に接続孔503bが形成されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a connection structure between a metal base and a metal lid of a conventional high-frequency power amplifier.
It has a plurality (at least three) of connection pieces 502a extending substantially parallel to the side plate portion 503a of the metal lid 503. In this figure, only the integral connection piece 502a is shown. Each of the connecting pieces 502a is formed with a projection 503b that protrudes outward by "striking processing" or the like. Also, the side plate portion 503a of the metal lid 503
Are formed with connection holes 503b so as to face the projections 502b of the connection pieces 502a.

【0004】金属製蓋体503を金属製ベース502に
固定するに際しては、金属製蓋体503を金属製ベース
502の上方に被せるとともに、各接続片502aの突
起502bを側板部503aの接続孔503bに嵌め込
む。これにより、金属製ベース502と金属製蓋体50
3とが互いに固定されると同時に電気的に接続されるこ
ととなる。
When fixing the metal cover 503 to the metal base 502, the metal cover 503 is placed over the metal base 502, and the projections 502b of the connection pieces 502a are connected to the connection holes 503b of the side plate portion 503a. Fit into Thus, the metal base 502 and the metal lid 50 are
3 are electrically connected at the same time as they are fixed to each other.

【0005】図6は、従来の高周波電力増幅器の金属製
ベースと金属製蓋体との接続構造の他の例を示す断面図
で、高周波電力増幅器601の金属製ベース602は、
その底側の側部の複数箇所(少なくとも3箇所)に凹部
602aを有している。また、金属製蓋体603の側板
部603aには、「折り曲げ加工」等により、内方に突
出する支持片603bが金属製ベース602の各凹部6
02aと対向するように複数形成されている。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another example of a connection structure between a metal base and a metal lid of a conventional high-frequency power amplifier. The metal base 602 of the high-frequency power amplifier 601 is
A plurality of (at least three) recesses 602a are provided on the bottom side. In addition, a supporting piece 603b projecting inwardly by a “bending process” or the like is provided on the side plate portion 603a of the metal lid body 603 in each of the recesses 6 of the metal base 602.
A plurality is formed so as to oppose 02a.

【0006】金属製蓋体603を金属製ベース602に
固定するに際しては、金属製蓋体603を金属製ベース
602の上方に被せるとともに、金属製ベース602の
各凹部602aと蓋体603の各支持片602bとを互
いに係合させる。これにより、金属製ベース602と金
属製蓋体603とが互いに機械的に固定されると同時に
電気的に接続されることとなる。
When the metal cover 603 is fixed to the metal base 602, the metal cover 603 is placed over the metal base 602, and each recess 602a of the metal base 602 and each support of the cover 603 are fixed. The pieces 602b are engaged with each other. Thus, the metal base 602 and the metal lid 603 are mechanically fixed to each other and simultaneously electrically connected.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5や
図6に示されているような高周波電力増幅器の構造で
は、突起と接続孔あるいは凹部と支持片の接触面積がパ
ッケージの加工精度に依存し、パッケージの加工精度が
低い場合には、例えば、金属製蓋体の電位が増大した
り、あるいは、金属製ベースと金属製蓋体との間の電気
的接触が不安定となって金属製蓋体の接地が不充分にな
ったりするという問題があった。
However, in the structure of the high-frequency power amplifier as shown in FIGS. 5 and 6, the contact area between the projection and the connection hole or between the depression and the support piece depends on the processing accuracy of the package. If the processing accuracy of the package is low, for example, the potential of the metal lid increases, or the electrical contact between the metal base and the metal lid becomes unstable, and the metal lid There was a problem that the body was insufficiently grounded.

【0008】高周波電力増幅器の金属製蓋体の接地が不
充分となると、電力増幅器の出力信号が金属製蓋体を経
由して入力端子へと回り込み、高周波電力増幅器の出力
における発振やスプリアスが発生してしまう。この現象
は、高周波電力増幅器へ入力される高周波信号の周波数
が高くなるほど顕著となり、周波数が2GHzを超える
帯域において特に顕著である。
When the grounding of the metal lid of the high-frequency power amplifier becomes insufficient, the output signal of the power amplifier goes around to the input terminal via the metal lid, and oscillation and spurious at the output of the high-frequency power amplifier occur. Resulting in. This phenomenon becomes more conspicuous as the frequency of the high-frequency signal input to the high-frequency power amplifier increases, and is particularly conspicuous in a band whose frequency exceeds 2 GHz.

【0009】また、パッケージの加工精度が低い場合に
は金属製ベースと金属製蓋体との機械的固定が不完全と
なるため、パッケージ内部に収納されているモジュール
が外部からの振動等の影響を受けやすくなって電気的接
触が不完全となったり、極端な場合には自己発振が生じ
てしまうという問題もあった。特に、携帯電話の普及に
つれて1台の基地局からの信号出力が大きくなると高周
波電力増幅器内部の増幅デバイスに流れる電流が増大す
るため、このような金属製ベースと金属製蓋体との不安
定な機械的固定が高周波電力増幅器の安定な動作を損な
う結果ともなってしまう。
Further, when the processing accuracy of the package is low, the mechanical fixing between the metal base and the metal lid is incomplete, so that the module housed in the package is affected by external vibrations and the like. There is also a problem that the electrical contact becomes incomplete and electrical contact becomes incomplete, and in extreme cases, self-oscillation occurs. In particular, if the signal output from one base station increases with the spread of mobile phones, the current flowing through the amplifying device inside the high-frequency power amplifier increases, so that such a metal base and the metal lid are unstable. Mechanical locking also results in impaired stable operation of the high frequency power amplifier.

【0010】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、高い安定性を有す
る高周波電力増幅器を提供することにある。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a high-frequency power amplifier having high stability.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項1に記載の発明は、接地さ
れた金属製ベースと、高周波回路素子が実装され当該金
属製ベースに接地されて搭載される回路基板と、当該回
路基板を覆うように前記金属製ベースに固定される金属
製蓋体とを備える高周波電力増幅器であって、前記金属
製ベースの縁の一部には係合手段を有する側面部を備
え、前記金属製蓋体の側面部の一部には孔部が設けられ
ており、前記係合手段が前記孔部に係合するとともに、
前記金属製蓋体と前記金属製ベースとがリフロー半田に
より接着固定されていることを特徴とする。
According to the present invention, in order to achieve the above object, the invention according to claim 1 comprises a grounded metal base and a metal base on which a high-frequency circuit element is mounted. A high frequency power amplifier comprising a circuit board mounted to be grounded and a metal lid fixed to the metal base so as to cover the circuit board, wherein a part of an edge of the metal base is provided. Has a side surface portion having an engaging means, a hole is provided in a part of the side surface portion of the metal lid, and the engaging means engages with the hole,
The metal lid and the metal base are bonded and fixed by reflow soldering.

【0012】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の高周波電力増幅器において、前記金属製蓋体の
側面部の所定の箇所には貫通孔を有する凹部が設けられ
ており、当該凹部を設けた前記金属製蓋体の側面部内側
と前記金属製ベースの側面部とがリフロー半田により接
着固定されていることを特徴とする。
The invention described in claim 2 is the first invention.
In the high-frequency power amplifier described in the above, a concave portion having a through hole is provided at a predetermined position on the side surface portion of the metal lid, and the inside of the side surface portion of the metal lid body provided with the concave portion and the metal It is characterized in that the side surface of the base made of a resin is bonded and fixed by reflow soldering.

【0013】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
または2に記載の高周波電力増幅器において、前記係合
手段はおこし加工された爪であり、当該爪と前記孔部と
の係合部がリフロー半田により接着固定されていること
を特徴とする。
The invention described in claim 3 is the first invention.
3. The high-frequency power amplifier according to claim 2, wherein the engaging means is a claw processed, and an engaging portion between the claw and the hole is adhered and fixed by reflow soldering.

【0014】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
乃至3のいずれかに記載の高周波電力増幅器において、
前記金属製蓋体は張出部を備え、当該張出部と前記回路
基板の所定部位とがリフロー半田により接着固定されて
いることを特徴とする。
The invention described in claim 4 is the first invention.
4. The high-frequency power amplifier according to any one of to
The metal cover has an overhang portion, and the overhang portion and a predetermined portion of the circuit board are bonded and fixed by reflow soldering.

【0015】また、請求項5に記載の発明は、請求項1
乃至4の何れかに記載の高周波電力増幅器において、前
記金属製蓋体は、AuメッキまたはNiメッキされてい
ることを特徴とする。
The invention described in claim 5 is the first invention.
5. The high-frequency power amplifier according to any one of items 1 to 4, wherein the metal lid is plated with Au or Ni.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明の高周波電力増幅器のパッ
ケージングの様子を説明するための図で、この高周波電
力増幅器は、金属製蓋体11と基板12と金属製ベース
13とで構成されている。
FIG. 1 is a diagram for explaining the packaging of the high-frequency power amplifier of the present invention. This high-frequency power amplifier is composed of a metal lid 11, a substrate 12, and a metal base 13. I have.

【0018】基板12は、その材質としてPCBやセラ
ミック等が用いられ、その金属製ベース13側の面は全
面が接地面とされ、さらに、増幅デバイス等を搭載する
ための開口部14が所定の数だけ設けられている。ま
た、基板12の縁の一部の領域には、エッジクリップ型
のリードピン20が複数本設けられ、外部装置との電気
的接続を可能としている。なお、この基板12をいわゆ
る多層基板とし、その中間層に増幅デバイス等の配線を
パターニングするようにしてもよい。
The substrate 12 is made of a material such as PCB or ceramic, and the entire surface on the metal base 13 side is a ground plane. Further, an opening 14 for mounting an amplification device or the like is provided with a predetermined area. A number is provided. A plurality of edge clip-type lead pins 20 are provided in a part of the edge of the substrate 12 to enable electrical connection with an external device. Note that the substrate 12 may be a so-called multilayer substrate, and wiring of an amplification device or the like may be patterned in an intermediate layer.

【0019】金属製ベース13には側面部位14a、1
4bが設けられており、金属製蓋体11の対応する位置
には孔17を有する側壁材16が設けられており、この
孔17と金属製ベース13の爪15とが係合するように
なっている。また、金属製蓋体11の側壁材16の中央
部付近には、貫通孔19を有する凹部18が設けられて
いる。
The metal base 13 has side portions 14a, 1
4b is provided, and a side wall member 16 having a hole 17 is provided at a position corresponding to the metal lid 11, so that the hole 17 and the claw 15 of the metal base 13 are engaged with each other. ing. A recess 18 having a through hole 19 is provided near the center of the side wall member 16 of the metal lid 11.

【0020】本発明の高周波電力増幅器における金属製
蓋体11と金属製ベース13との機械的な固定は、金属
製蓋体11の孔17とこれに対応する金属製ベース13
の爪15との嵌め合わせに加え、金属製ベース13の側
面部位14aに対応する図示されていない孔と貫通孔1
9の双方の開口部を介して金属製蓋体11が金属製ベー
ス13に半田付けされる。
In the high-frequency power amplifier according to the present invention, the metal cover 11 and the metal base 13 are mechanically fixed to each other by the hole 17 of the metal cover 11 and the corresponding metal base 13.
In addition to the fitting with the claw 15, a hole (not shown) corresponding to the side surface portion 14 a of the metal base 13 and the through hole 1 are formed.
The metal lid 11 is soldered to the metal base 13 through both openings 9.

【0021】以下に、金属製ベースと金属製蓋体の構造
をより詳細に説明する。
Hereinafter, the structures of the metal base and the metal lid will be described in more detail.

【0022】図2は、図1に示した金属製ベースの構造
を詳細に説明するための図で、図2(a)は金属製ベー
スの上面図、図2(b)は金属製ベースの側面図、そし
て、図2(c)は金属製ベースと金属製蓋体との嵌め合
わせの様子を示している。
FIG. 2 is a view for explaining in detail the structure of the metal base shown in FIG. 1. FIG. 2 (a) is a top view of the metal base, and FIG. 2 (b) is a view of the metal base. FIG. 2C shows a side view and a state in which a metal base and a metal lid are fitted together.

【0023】この金属製ベース21は、金属製蓋体との
半田付けが可能なように、例えば、銅、鉄、コバール、
ステンレスなどの金属からなり、この図に示した例で
は、0.7mm厚の銅基板を加工してその表面に5μm
のNiがメッキされている。この金属製ベース21に
は、増幅デバイス等をモジュール化した基板が搭載さ
れ、この基板裏面に設けられた接地パターンと金属製ベ
ース21とが電気的に接続されるようになっている。
The metal base 21 is made of, for example, copper, iron, Kovar, or the like so that it can be soldered to a metal lid.
It is made of a metal such as stainless steel. In the example shown in FIG.
Ni is plated. A substrate on which an amplification device or the like is modularized is mounted on the metal base 21, and a ground pattern provided on the back surface of the substrate and the metal base 21 are electrically connected.

【0024】金属製ベース21の長手方向の縁の各々に
は、金属製ベース21の一部が折曲加工された側面部位
22a、22bが設けられ、これらの側面部位22a、
22bの各々の所定の位置には「おこし加工」された
0.9mm角程度の爪23a、23b、23cが設けら
れている。これらの爪23a、23b、23cの各々
は、図2(c)に示すように、金属製蓋体25に設けら
れた1mm角程度の方形の孔26に嵌め合わされて、金
属製蓋体25と金属製ベース21とが機械的に固定され
る。しかし、金属製ベース21の爪23と金属製蓋体2
5の孔26との間には、これらの嵌め合わせの余裕を確
保するために0.1mm程度の隙間が設けられているた
め、爪23と孔26との嵌め合わせのみでは金属製ベー
ス21と金属製蓋体とを機械的に固定するには不充分で
ある。
At each of the longitudinal edges of the metal base 21, there are provided side portions 22a and 22b in which a part of the metal base 21 is bent, and these side portions 22a and 22b are provided.
Each of the predetermined positions of 22b is provided with a claw 23a, 23b, 23c of about 0.9 mm square which has been “leashed”. Each of these claws 23a, 23b and 23c is fitted into a square hole 26 of about 1 mm square provided in the metal lid 25 as shown in FIG. The metal base 21 is mechanically fixed. However, the claws 23 of the metal base 21 and the metal lid 2
5 is provided with a gap of about 0.1 mm in order to secure a margin for the fitting, so that the fitting between the claw 23 and the hole 26 alone makes the metal base 21 It is insufficient for mechanically fixing the metal lid.

【0025】また、金属製ベース21の短手方向の縁の
各々には、この高周波電力増幅器を図示しない基板に機
械的に接続するためのネジ用の切り込み24a〜dが2
つずつ設けられている。
In each of the short edges of the metal base 21, there are provided two notches 24a to 24d for mechanically connecting the high-frequency power amplifier to a substrate (not shown).
Are provided one by one.

【0026】図3は、図1に示した金属製蓋体の構造を
詳細に説明するための図で、図3(a)は上面図、図3
(b)は一方の側面図、そして、図3(c)は他方の側
面図である。
FIG. 3 is a view for explaining in detail the structure of the metal lid shown in FIG. 1. FIG. 3 (a) is a top view and FIG.
(B) is one side view, and FIG. 3 (c) is the other side view.

【0027】この金属製蓋体31は、1枚の金属板を切
り欠いてこれを折曲加工して整形され、この図の例で
は、金属製蓋体31は厚みが0.25mmの洋白(Cu
/Ni/Znの合金)もしくはステンレス製で、その表
面には5μm程度のNiメッキ若しくはAuメッキが施
されている。また、側壁材32が設けられていない側面
からは、基板の端部に取り付けられたエッジクリップ型
のリードピンを金属製蓋体31の外へと突き出すことが
可能となっている。
The metal cover 31 is formed by cutting out a single metal plate and bending the metal plate. In the example shown in the figure, the metal cover 31 has a nickel white plate having a thickness of 0.25 mm. (Cu
/ Ni / Zn alloy) or stainless steel, the surface of which is plated with Ni or Au of about 5 μm. Further, from the side surface where the side wall member 32 is not provided, it is possible to protrude the edge clip type lead pin attached to the end of the substrate to the outside of the metal lid 31.

【0028】この側壁材32の金属製ベースの側面部位
に対応する位置には孔33が設けられており、この孔3
3と金属製ベースの爪とが係合するようになっている。
また、孔を2つ有する側壁材32aの中央部付近には、
0.1mm程度の深さで内部に陥没した3.5mm径程
度の凹部34が設けられ、この凹部34のほぼ中央には
1.7mm径の貫通孔35が開けられている。凹部34
と貫通孔35の中心は一致しておらず、凹部34の中心
は貫通孔35の中心よりも下方に位置している。この貫
通孔35の開口部、および、孔を1つ有する側壁材32
bに設けられた孔33cの開口部の双方が金属製ベース
に半田付けされ、金属製蓋体31と金属製ベースとが確
実に固定される。
A hole 33 is provided at a position of the side wall member 32 corresponding to the side surface portion of the metal base.
3 and a metal base claw engage with each other.
In addition, near the center of the side wall member 32a having two holes,
A concave portion 34 having a diameter of about 3.5 mm and having a depth of about 0.1 mm is provided therein, and a through hole 35 having a diameter of 1.7 mm is formed substantially at the center of the concave portion 34. Recess 34
And the center of the through hole 35 does not coincide, and the center of the concave portion 34 is located below the center of the through hole 35. The opening of the through hole 35 and the side wall member 32 having one hole
Both the openings of the holes 33c provided in b are soldered to the metal base, so that the metal lid 31 and the metal base are securely fixed.

【0029】凹部34は0.1mm程度の陥没を有して
いるので、凹部34の内側とこれに対応する金属製ベー
スの側面部位の外側との隙間は0.1mm以下程度とな
る。従って、この凹部34に設けられた貫通孔35を介
して半田リフローすると、半田はこの0.1mm以下程
度の隙間に染み込んでゆき良好な半田固定が可能とな
る。
Since the recess 34 has a depression of about 0.1 mm, the gap between the inside of the recess 34 and the corresponding outside of the side surface of the metal base is about 0.1 mm or less. Therefore, when the solder is reflowed through the through hole 35 provided in the concave portion 34, the solder penetrates into the gap of about 0.1 mm or less, and good solder fixation becomes possible.

【0030】これに対して、凹部34を設けることなく
単に貫通孔35のみを介して半田リフローしても、半田
は両部材の間には容易には染み渡らず半田接着性を高め
ることは困難である。さらに、凹部34の中心が貫通孔
35の中心よりも下方に位置しているため、半田接着は
金属製ベースの基底部に近い箇所で行われることとな
り、より安定した固定が担保されることとなる。
On the other hand, even if the solder is reflowed only through the through hole 35 without providing the recess 34, the solder does not easily permeate between the two members, and it is difficult to enhance the solder adhesiveness. It is. Further, since the center of the concave portion 34 is located below the center of the through hole 35, the solder bonding is performed at a position close to the base of the metal base, so that more stable fixing is ensured. Become.

【0031】孔を1つ有する側壁材32bに設けられた
孔33cの開口部からも半田リフローがなされる。この
孔33cは、、金属製ベースの爪と係合する1mm×
1.6mm程度の矩形であるため、金属製ベースと接触
している箇所は必ず存在する。従って、この孔33cの
内部にペースト半田を盛り付けてリフローすることで金
属製ベースとの接触箇所を中心とする充分に狭い隙間に
渡って半田付けがなされる。
The solder reflow is also performed from the opening of the hole 33c provided in the side wall member 32b having one hole. This hole 33c has a size of 1 mm ×
Since it is a rectangle of about 1.6 mm, there is always a place in contact with the metal base. Therefore, soldering is performed over a sufficiently narrow gap centered on the contact portion with the metal base by applying the paste solder inside the hole 33c and performing reflow.

【0032】上述したパッケージング方法では、金属製
蓋体を金属製ベースに半田固定することで電気的シール
ド性と機械的な固定を高めることとしたが、このような
パッケージング方法に加え、金属製蓋体の一部を基板の
一部に直接半田接着することで固定してもよい。
In the above-described packaging method, the electric shielding property and the mechanical fixing are improved by fixing the metal lid to the metal base by soldering. A part of the lid body may be directly fixed to a part of the substrate by soldering.

【0033】図4は、このようなパッケージング方法を
採る場合の金属製蓋体の構造を説明するための図で、図
4(a)は上面図、図4(b)は図4(a)のA−A´
の断面図である。金属製蓋体41と金属製ベース43と
は、上述した方法と同様に半田接着により固定されてい
るが、この金属製蓋体41の両側面には突起状の張出部
42a、42bが設けられており、これらの張出部42
a、42bを図示しない基板上のシールド配線に直接半
田リフローする。
FIGS. 4A and 4B are views for explaining the structure of the metal lid when such a packaging method is adopted. FIG. 4A is a top view, and FIG. A) AA '
FIG. The metal lid 41 and the metal base 43 are fixed by soldering in the same manner as in the above-described method, but projecting projections 42a and 42b are provided on both side surfaces of the metal lid 41. These overhangs 42
a and 42b are solder reflowed directly to the shield wiring on the substrate (not shown).

【0034】このようなパッケージング方法によれば、
電気的シールド性と固定安定性をさらに高めることが可
能となり、高周波電力増幅器のさらなる安定動作を担保
することができる。なお、この方法では、張出部42
a、42bが高周波電力増幅器を機械的に保持するわけ
ではないので、張出部42a、42bの大きさは半田リ
フローが可能で、かつ、電気的接続が担保される程度で
充分である。
According to such a packaging method,
It becomes possible to further improve the electric shielding property and the fixed stability, and it is possible to ensure a further stable operation of the high-frequency power amplifier. In this method, the overhang portion 42
Since the a and 42b do not mechanically hold the high-frequency power amplifier, the size of the overhang portions 42a and 42b is sufficient to allow solder reflow and ensure electrical connection.

【0035】以下に、上述した本発明の高周波電力増幅
器の製造プロセスについて説明する。
Hereinafter, the manufacturing process of the above-described high-frequency power amplifier of the present invention will be described.

【0036】先ず、受動部品(インダクタンスL、容量
C、抵抗R等のチップ部品)を搭載した回路基板の裏面
にペースト半田を塗布して金属製ベース上に載置し、半
田リフローして固定する。なお、回路基板には予めエッ
ジクリップ型のリードピンを接続しておく。
First, paste solder is applied to the back surface of a circuit board on which passive components (chip components such as inductance L, capacitance C, and resistance R) are mounted, placed on a metal base, and fixed by reflow soldering. . Note that an edge clip type lead pin is connected to the circuit board in advance.

【0037】次に、回路基板に設けられたトランジスタ
搭載用の孔よりも僅かに小さなヒートスプレッダの上
に、ミニモールドされた数mm角のトランジスタを半田
リフローにより搭載する。ここで、このヒートスプレッ
ダは、熱および電気の良導体で、かつ、半田リフローが
可能な材料であることが肝要であり、例えば、銅にNi
やAuをメッキしたものが用いられる。
Next, on a heat spreader slightly smaller than the transistor mounting hole provided on the circuit board, a mini-molded transistor of several mm square is mounted by solder reflow. Here, it is important that the heat spreader be a good conductor of heat and electricity and a material capable of reflow soldering.
Or plated with Au.

【0038】また、ヒートスプレッダの厚みは回路基板
とほぼ等しく設定される。これにより、ヒートスプレッ
ダ上面と回路基板上面の高さが一致し、ヒートスプレッ
ダ組立体(ヒートスプレッダ上にミニモールドトランジ
スタを搭載したもの)を金属製ベース上のミニモールド
パッケージ底面から伸び出しているリードピンに接続し
て搭載する際に過度の応力を及ぼすことが回避される。
The thickness of the heat spreader is set substantially equal to the thickness of the circuit board. As a result, the upper surface of the heat spreader and the upper surface of the circuit board are aligned, and the heat spreader assembly (with the mini-mold transistor mounted on the heat spreader) is connected to the lead pins extending from the bottom of the mini-mold package on the metal base. Excessive stress during mounting is avoided.

【0039】これに続いて、ヒートスプレッダ組立体の
裏面にペースト半田を塗布した後に金属製ベース上の回
路基板の所定の孔の中にセットし、これをリフローして
固定する。この固定と同時に、ミニモールド組立体のリ
ードピンも回路基板上の配線パターンに半田付けする。
Subsequently, after paste solder is applied to the back surface of the heat spreader assembly, it is set in a predetermined hole of a circuit board on a metal base, and is reflowed and fixed. Simultaneously with this fixing, the lead pins of the mini-mold assembly are also soldered to the wiring pattern on the circuit board.

【0040】最後に、金属製蓋体と金属製ベースとを係
合した後に、既に説明した方法で接着固定する。なお、
この際のリフローは、内部に搭載したデバイスや既に行
った半田付けに影響を与えないように、200℃前後の
比較的低温で実行する。
Finally, after the metal cover and the metal base are engaged, they are bonded and fixed by the method already described. In addition,
The reflow at this time is performed at a relatively low temperature of about 200 ° C. so as not to affect devices mounted inside or soldering already performed.

【0041】なお、この例ではトランジスタとしてミニ
モールドパッケージされたものを用いたが、1GHzを
超えるような周波数帯ではミニモールドパッケージの有
する電気的な寄生素子分が影響して良好な特性を維持で
きない場合が生じ得る。そのような場合には、ベアチッ
プ形状の半導体素子を用い、これを直接ヒートスプレッ
ダ上に搭載することとしてもよい。
In this example, a transistor in a mini-mold package is used as a transistor. However, in a frequency band exceeding 1 GHz, good characteristics cannot be maintained due to the influence of an electric parasitic element of the mini-mold package. Cases can arise. In such a case, a bare chip-shaped semiconductor element may be used and may be directly mounted on the heat spreader.

【0042】この場合には、ヒートスプレッダの厚みは
回路基板の厚みよりもベアチップの厚さ分だけ薄くして
ベアチップの上面と回路基板の上面の高さとが一致する
ようにする。こうすることで、回路基板の配線パターン
とベアチップ内の電極パッドとを電気的に接続するワイ
ヤリングのワイヤ長を最短とすることができる。
In this case, the thickness of the heat spreader is made thinner than the thickness of the circuit board by the thickness of the bare chip so that the upper surface of the bare chip and the upper face of the circuit board match. By doing so, it is possible to minimize the wire length of the wiring that electrically connects the wiring pattern of the circuit board and the electrode pads in the bare chip.

【0043】また、ベアチップはヒートスプレッダ上に
ダイボンディングし、この組立体を回路基板の所定の孔
の中に半田リフローして搭載してワイヤリングを行い、
さらに、ベアチップおよびその周辺をポッティング樹脂
により保護する。これにより、ベアチップを効果的に外
気から保護することができる。
Further, the bare chip is die-bonded on a heat spreader, and the assembly is soldered in a predetermined hole of a circuit board by reflow soldering, and wiring is performed.
Further, the bare chip and its periphery are protected by a potting resin. Thereby, the bare chip can be effectively protected from the outside air.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
周波電力増幅器のパッケージングにおいて、金属製ベー
スの爪と金属製蓋体の孔とを係合させるとともに、金属
製蓋体の側面部の所定の箇所に貫通孔を有する凹部を設
け、この貫通孔を介して金属製蓋体と金属製ベースとを
リフロー半田により接着固定することとしたので、高い
安定性を有する高周波電力増幅器を提供することが可能
となる。
As described above, according to the present invention, in the packaging of a high-frequency power amplifier, the claws of the metal base are engaged with the holes of the metal cover, and the side surfaces of the metal cover are formed. Since a concave portion having a through hole is provided at a predetermined position of the portion, and the metal lid and the metal base are bonded and fixed by reflow soldering through the through hole, a high-stability high-frequency power amplifier is provided. Can be provided.

【0045】また、金属製蓋体に張出部を設け、この張
出部と回路基板の所定部位とをリフロー半田により接着
固定することとしたので、さらに高い安定性を有する高
周波電力増幅器を提供することが可能となる。
Also, since the overhang is provided on the metal cover and the overhang is fixed to the predetermined portion of the circuit board by reflow soldering, a high-frequency power amplifier having higher stability is provided. It is possible to do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の高周波電力増幅器のパッケージングの
様子を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a state of packaging of a high-frequency power amplifier according to the present invention.

【図2】本発明の高周波電力増幅器を構成する金属製ベ
ースの構造を詳細に説明するための図で、(a)は上面
図、(b)は側面図、そして、(c)は金属製ベースと
金属製蓋体との嵌め合わせの様子を示している。
FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining in detail a structure of a metal base constituting the high-frequency power amplifier of the present invention, wherein FIG. 2A is a top view, FIG. 2B is a side view, and FIG. The state of fitting of a base and a metal lid is shown.

【図3】本発明の高周波電力増幅器を構成する金属製蓋
体の構造を詳細に説明するための図で、(a)は上面
図、(b)は一方の側面図、そして、(c)は他方の側
面図である。
3A and 3B are diagrams for explaining in detail the structure of a metal lid constituting the high-frequency power amplifier of the present invention, wherein FIG. 3A is a top view, FIG. 3B is one side view, and FIG. Is a side view of the other.

【図4】金属製蓋体を基板に直接半田固定する場合の金
属製蓋体の構造を説明するための図で、(a)は上面
図、(b)は(a)のA−A´の断面図である。
4A and 4B are diagrams for explaining the structure of the metal lid when the metal lid is directly fixed to the substrate by soldering, wherein FIG. 4A is a top view and FIG. 4B is AA ′ of FIG. FIG.

【図5】従来の高周波電力増幅器の金属製ベースと金属
製蓋体との接続構造の一例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a connection structure between a metal base and a metal lid of a conventional high-frequency power amplifier.

【図6】従来の高周波電力増幅器の金属製ベースと金属
製蓋体との接続構造の他の例を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another example of a connection structure between a metal base and a metal lid of a conventional high-frequency power amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、25、31、41 金属製蓋体 12 基板 13、21、43 金属製ベース 14 開口部 14a、14b 側面部位 15 爪 16、32 側壁材 17、26、33 孔 18、34 凹部 19、35 貫通孔 20 リードピン 22a、22b 側面部位 23a、23b、23c 爪 24a、24b、24c、24d 切り込み 42a、42b 張出部 11, 25, 31, 41 Metal lid 12 Substrate 13,21,43 Metal base 14 Opening 14a, 14b side part 15 claws 16, 32 Side wall material 17, 26, 33 holes 18, 34 recess 19, 35 Through hole 20 Lead pin 22a, 22b side part 23a, 23b, 23c claws 24a, 24b, 24c, 24d Notch 42a, 42b overhang

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Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 接地された金属製ベースと、高周波回路
素子が実装され当該金属製ベースに接地されて搭載され
る回路基板と、当該回路基板を覆うように前記金属製ベ
ースに固定される金属製蓋体とを備える高周波電力増幅
器であって、 前記金属製ベースの縁の一部には係合手段を有する側面
部を備え、 前記金属製蓋体の側面部の一部には孔部が設けられてお
り、 前記係合手段が前記孔部に係合するとともに、前記金属
製蓋体と前記金属製ベースとがリフロー半田により接着
固定されていることを特徴とする高周波電力増幅器。
1. A grounded metal base, a circuit board on which a high-frequency circuit element is mounted and grounded and mounted on the metal base, and a metal fixed to the metal base so as to cover the circuit board. A high frequency power amplifier comprising: a lid; and a side surface having an engagement means at a part of an edge of the metal base, and a hole at a part of the side surface of the metal lid. A high-frequency power amplifier, wherein the engaging means engages with the hole, and the metal lid and the metal base are bonded and fixed by reflow soldering.
【請求項2】 前記金属製蓋体の側面部の所定の箇所に
は貫通孔を有する凹部が設けられており、当該凹部を設
けた前記金属製蓋体の側面部内側と前記金属製ベースの
側面部とがリフロー半田により接着固定されていること
を特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。
2. A concave portion having a through hole is provided at a predetermined position on a side surface portion of the metal lid, and the inside of the side surface of the metal lid provided with the concave portion and the metal base are provided. 2. The high-frequency power amplifier according to claim 1, wherein the side surfaces are bonded and fixed by reflow soldering.
【請求項3】 前記係合手段はおこし加工された爪であ
り、当該爪と前記孔部との係合部がリフロー半田により
接着固定されていることを特徴とする請求項1または2
に記載の高周波電力増幅器。
3. The method according to claim 1, wherein the engaging means is a claw processed and the engaging portion between the claw and the hole is fixed by reflow soldering.
3. The high-frequency power amplifier according to 1.
【請求項4】 前記金属製蓋体は張出部を備え、当該張
出部と前記回路基板の所定部位とがリフロー半田により
接着固定されていることを特徴とする請求項1乃至3の
いずれかに記載の高周波電力増幅器。
4. The metal cover according to claim 1, further comprising an overhang portion, wherein the overhang portion and a predetermined portion of the circuit board are adhered and fixed by reflow soldering. A high-frequency power amplifier according to any one of the above.
【請求項5】 前記金属製蓋体は、AuメッキまたはN
iメッキされていることを特徴とする請求項1乃至4の
何れかに記載の高周波電力増幅器。
5. The metal lid is made of Au plating or N
The high-frequency power amplifier according to any one of claims 1 to 4, wherein the high-frequency power amplifier is i-plated.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013541185A (en) * 2010-08-23 2013-11-07 ローデ ウント シュヴァルツ ゲーエムベーハー ウント コンパニ カーゲー Box-type housing and manufacturing method thereof
JP2016072493A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 新光電気工業株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of the same

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