JPH04346463A - マイクロ波帯パッケージ - Google Patents

マイクロ波帯パッケージ

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Publication number
JPH04346463A
JPH04346463A JP3119773A JP11977391A JPH04346463A JP H04346463 A JPH04346463 A JP H04346463A JP 3119773 A JP3119773 A JP 3119773A JP 11977391 A JP11977391 A JP 11977391A JP H04346463 A JPH04346463 A JP H04346463A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
substrate
microwave band
planar
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3119773A
Other languages
English (en)
Inventor
Mamiko Nakanishi
真美子 中西
Michihiro Kobiki
小引 通博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3119773A priority Critical patent/JPH04346463A/ja
Publication of JPH04346463A publication Critical patent/JPH04346463A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路を実装
するマイクロ波帯パッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のモノリシックマイクロ波
集積回路を実装するためのマイクロ波帯パッケージの一
例を示す側断面図である。この図において、1は、例え
ばガリウムヒ素(GaAs)などの半導体基板の表面上
にトランジスタ,抵抗,キャパシタ,インダクタなどを
集積化して所定の機能を実現した集積回路(以下ICと
いう)、2はセラミック,プラスチックまたは金属等で
形成された平面基板で、この平面基板2上には、IC1
が実装されている他、例えば金属薄膜−絶縁膜−金属薄
膜をパターニングして形成されたキャパシタ3、金属薄
膜よりなるインダクタ4、伝送線路(図示せず)等で形
成された所定の回路が作製されている。5は金メッキ等
で形成された接地面である。6はスルーホールで、IC
1の接地面とパッケージの接地面5等を連結している。
【0003】図3は、平面基板を積層して形成した従来
のパッケージの一例を示す側断面図で、図2と同一符号
は同一部分を示し、2Aは第1の平面基板、2Bは第2
の平面基板を示し、平面基板2B上にはIC1がAu,
Sn等からなるはんだで実装され、かつキャパシタ3,
インダクタ4,伝送線路等により所定の回路が形成され
ている。そして、電気信号はパッケージ内に入力される
と所定の回路を通過した後、IC1内で所定の作用を受
け所定の回路を通過しパッケージ外へ出力される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波帯パ
ッケージは、以上のように構成されているので、1GH
z以上のマイクロ波帯で動作させる場合には、多層に積
層された各層回路間で回路を伝送する電気信号等が相互
に電磁的に影響して電気的結合を起こし、その結果各層
で独立して設計した所望の設計値が実現しないという問
題点があった。
【0005】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、マイクロ波帯で動作させる場合
の各平面基板の回路間の電気的結合を防止するようにし
たマイクロ波帯パッケージを得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロ波
帯パッケージは、平面基板を多層に積層した各平面基板
のうち、集積回路または所定の回路を形成した平面基板
の集積回路または所定の回路を形成した面と、集積回路
または所定の回路を形成した平面基板の下方および上方
の平面基板の各一面にそれぞれ接地面を形成し、かつこ
れらの接地面間を連結するスルーホールを設けたもので
ある。
【0007】
【作用】本発明においては、パッケージ内部のICを実
装あるいは所定の回路を形成した複数の平面基板の各層
間に接地面を作製した層を設けたことにより、各層上の
回路等による電磁気的影響による結合を防止する多層の
パッケージを得ることが可能となる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図1は本発明の一実施例を示す側断面図である。こ
の図において、図2,図3と同一符号は同一部分を示し
、2Cは第3の平面基板、2Dは第4の平面基板で、第
1の平面基板2A〜第4の平面基板2Dが多層に構成さ
れるとともに、第2の平面基板2BにはIC1が実装さ
れる他、第3の平面基板2Cにはキャパシタ3,第1の
平面基板2Aにはインダクタ4,また、各平面基板2A
〜2Dにはいずれも伝送線路(図示せず)からなる所定
の回路が設けられている。そして、IC1を実装し所定
の回路が形成された第2の平面基板2BのIC1または
所定の回路が形成された面および第2の平面基板2Bの
下方の第1の平面基板2Aの一面および第2の平面基板
2Bの上方の第4の平面基板2Dの一面には接地面5が
形成され、これらの接地面5は相互にスルーホール6で
接続されている。
【0009】高周波などの電気信号は、パッケージ内部
に入力された後、各平面基板2A〜2D上の所定の回路
やIC1等を通過し所定の作用を受けた後、パッケージ
外部へ出力される。パッケージ内部では各平面基板2A
〜2D上の回路が構成され、それぞれ電磁気的な影響を
周囲に及ぼすが、接地面5を設けたことにより、各平面
基板2A〜2D上の回路間の電磁気的影響をシールドし
て電気的結合を防止している。
【0010】なお、上記実施例において、第2の平面基
板2Bの露出された上面にIC1を気密封止するため導
電性キャップ(図示せず)を施すことにより、また、第
3,第4の平面基板2C,2DのIC1側の側面をメタ
ライズすることにより、回路間のカップリングとともに
IC1とのカップリングも防止することができる。さら
に、接地面5は少なくともシールドしたい部分を挟むよ
うに構成すればよく、多層にシールドしてもよいことは
いうまでもない。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平面基板を多層に積層した各平面基板のうち、集積回路
または所定の回路を形成した平面基板の集積回路または
所定の回路を形成した面と、集積回路または所定の回路
を形成した平面基板の下方および上方の平面基板の各一
面にそれぞれ接地面を形成し、かつこれらの接地面間を
連結するスルーホールを設けたので、電気的結合を防止
できる精度のよいマイクロ波帯パッケージが得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す側断面図である。
【図2】従来のパッケージの一例を示す側断面図である
【図3】平面基板を積層して形成した従来のパッケージ
の一例を示す側断面図である。
【符号の説明】
1    IC 2A  第1の平面基板 2B  第2の平面基板 2C  第3の平面基板 2D  第4の平面基板 3    キャパシタ 4    インダクタ 5    接地面 6    スルーホール

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平面基板を多層に積層した各平面基板のう
    ち、集積回路または所定の回路を形成した平面基板の前
    記集積回路または所定の回路を形成した面と、前記集積
    回路または所定の回路を形成した平面基板の下方および
    上方の平面基板の各一面にそれぞれ接地面を形成し、か
    つこれらの接地面間を連結するスルーホールを設けたこ
    とを特徴とするマイクロ波帯パッケージ。
JP3119773A 1991-05-24 1991-05-24 マイクロ波帯パッケージ Pending JPH04346463A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3119773A JPH04346463A (ja) 1991-05-24 1991-05-24 マイクロ波帯パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3119773A JPH04346463A (ja) 1991-05-24 1991-05-24 マイクロ波帯パッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04346463A true JPH04346463A (ja) 1992-12-02

Family

ID=14769857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3119773A Pending JPH04346463A (ja) 1991-05-24 1991-05-24 マイクロ波帯パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04346463A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5760478A (en) * 1996-08-20 1998-06-02 International Business Machines Corporation Clock skew minimization system and method for integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5760478A (en) * 1996-08-20 1998-06-02 International Business Machines Corporation Clock skew minimization system and method for integrated circuits

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