JPH04346315A - 光書き込み型液晶表示素子 - Google Patents
光書き込み型液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH04346315A JPH04346315A JP3118821A JP11882191A JPH04346315A JP H04346315 A JPH04346315 A JP H04346315A JP 3118821 A JP3118821 A JP 3118821A JP 11882191 A JP11882191 A JP 11882191A JP H04346315 A JPH04346315 A JP H04346315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- liquid crystal
- light
- film
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 41
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 28
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 24
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 16
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 16
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 8
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=CC=C1 IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1351—Light-absorbing or blocking layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光書き込み型液晶表示
素子に関する。
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の光書き込み型液晶表示素子
（液晶ライトバルブ）の構成例を示す断面図である。
（液晶ライトバルブ）の構成例を示す断面図である。
【０００３】従来の光書き込み型液晶表示素子において
は、一方のガラス基板１ａ上に設けられた透明電極２ａ
上に非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光
導電体層３ が形成されており、この光導電体層３ 上
に炭素、銀等の金属薄膜をパターン化した光吸収層４
が形成されている。この光吸収層４ 上には二酸化チタ
ン／二酸化ケイ素、硫化亜鉛／フッ化マグネシウム等の
多層膜からなる誘電体ミラー５ が形成されている。こ
の誘電体ミラー５ と他方のガラス基板１ｂ上に設けら
れた透明電極２ｂとの間に配向膜６ａ及び６ｂを介して
液晶７ が封入されている。
は、一方のガラス基板１ａ上に設けられた透明電極２ａ
上に非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光
導電体層３ が形成されており、この光導電体層３ 上
に炭素、銀等の金属薄膜をパターン化した光吸収層４
が形成されている。この光吸収層４ 上には二酸化チタ
ン／二酸化ケイ素、硫化亜鉛／フッ化マグネシウム等の
多層膜からなる誘電体ミラー５ が形成されている。こ
の誘電体ミラー５ と他方のガラス基板１ｂ上に設けら
れた透明電極２ｂとの間に配向膜６ａ及び６ｂを介して
液晶７ が封入されている。
【０００４】誘電体ミラー５ は、液晶表示素子に書き
込まれている画像を読み出すための投影光を反射させて
外部に出射させると共にこの投影光を高い反射率で反射
させて光導電体層３ への入射を防止するために設けら
れている。また、光吸収層４ は、書き込みに用いられ
る光の光導電体層３ への再反射を防止すると共に誘電
体ミラー５ を透過した読み出し用の投影光Ｌ２を遮断
するために設けられている。
込まれている画像を読み出すための投影光を反射させて
外部に出射させると共にこの投影光を高い反射率で反射
させて光導電体層３ への入射を防止するために設けら
れている。また、光吸収層４ は、書き込みに用いられ
る光の光導電体層３ への再反射を防止すると共に誘電
体ミラー５ を透過した読み出し用の投影光Ｌ２を遮断
するために設けられている。
【０００５】即ち、読み出し用の投影光Ｌ２は液晶を透
過して誘電体ミラーで反射され外部に出射される。しか
しながら、誘電体ミラー５ の反射率が９５％程度であ
るため、投影光の約５％が透過してしまうこととなる。 この光が光導電体層３ の全面に入射すると、書き込み
光Ｌ１によって書き込まれていた画像情報が消失されて
しまう。 このような不都合を防止するために、光吸収層４ が誘
電体ミラー５ と光導電体層４ との間に設けられてい
るのである。液晶表示素子に入射する光の強さは通常１
Ｗ程度であり、一方、光導電体層３ として非晶質水素
化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層を用いた場合、この光導
電体層３ は数十μＷ以上の光によって導電率の変化が
現れる。従って、光導電体層３ に入射する光の強さを
、誘電体ミラー５ 及び光吸収層４ によって４〜５桁
低下させる必要がある。
過して誘電体ミラーで反射され外部に出射される。しか
しながら、誘電体ミラー５ の反射率が９５％程度であ
るため、投影光の約５％が透過してしまうこととなる。 この光が光導電体層３ の全面に入射すると、書き込み
光Ｌ１によって書き込まれていた画像情報が消失されて
しまう。 このような不都合を防止するために、光吸収層４ が誘
電体ミラー５ と光導電体層４ との間に設けられてい
るのである。液晶表示素子に入射する光の強さは通常１
Ｗ程度であり、一方、光導電体層３ として非晶質水素
化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層を用いた場合、この光導
電体層３ は数十μＷ以上の光によって導電率の変化が
現れる。従って、光導電体層３ に入射する光の強さを
、誘電体ミラー５ 及び光吸収層４ によって４〜５桁
低下させる必要がある。
【０００６】このための１つの方法として、誘電体ミラ
ー５ の反射率を高めることが考えられるが、このため
には誘電体ミラー５ の積層数を多くする必要がある。 積層数を多くすると、誘電体ミラー５ の層厚が厚くな
るため液晶へ十分な電圧を印加することが難しくなる。
ー５ の反射率を高めることが考えられるが、このため
には誘電体ミラー５ の積層数を多くする必要がある。 積層数を多くすると、誘電体ミラー５ の層厚が厚くな
るため液晶へ十分な電圧を印加することが難しくなる。
【０００７】従って従来は、上述したように光吸収層４
を炭素、銀等の金属薄膜で構成し、この光吸収層によ
って光の強度を４桁以上低下させている。
を炭素、銀等の金属薄膜で構成し、この光吸収層によ
って光の強度を４桁以上低下させている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、光吸収層
として炭素、銀等の金属膜を用いると、導電率が高いた
めこれらをパターン化する等の工夫が必要となる。パタ
ーン化を行う場合、高解像度を得ようとするにはその製
造プロセスが技術的に難しくなる。また、炭素、銀等の
金属膜と非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）との間
の接着性が良くないため、光吸収層と光導電体層との間
に剥離が生じ易い。
として炭素、銀等の金属膜を用いると、導電率が高いた
めこれらをパターン化する等の工夫が必要となる。パタ
ーン化を行う場合、高解像度を得ようとするにはその製
造プロセスが技術的に難しくなる。また、炭素、銀等の
金属膜と非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）との間
の接着性が良くないため、光吸収層と光導電体層との間
に剥離が生じ易い。
【０００９】従って本発明は、パターン化する必要のな
い簡便な製造工程で製造可能でありしかも良好な分解能
を有する光書き込み型液晶表示素子を提供することにあ
る。
い簡便な製造工程で製造可能でありしかも良好な分解能
を有する光書き込み型液晶表示素子を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１の
透明基板と、第１の透明基板上に形成された第１の透明
電極層と、第１の透明電極層上に形成された光導電体層
と、光導電体層上に形成されており有機物に顔料を分散
させてなる膜による光吸収層と、光吸収層上に形成され
た誘電体層と、第２の透明基板と、第２の透明基板上に
形成された第２の透明電極層と、第２の透明電極層及び
誘電体層間に挿入された液晶層とを備えた光書き込み型
液晶表示素子が提供される。
透明基板と、第１の透明基板上に形成された第１の透明
電極層と、第１の透明電極層上に形成された光導電体層
と、光導電体層上に形成されており有機物に顔料を分散
させてなる膜による光吸収層と、光吸収層上に形成され
た誘電体層と、第２の透明基板と、第２の透明基板上に
形成された第２の透明電極層と、第２の透明電極層及び
誘電体層間に挿入された液晶層とを備えた光書き込み型
液晶表示素子が提供される。
【００１１】
【作用】光吸収層として、有機物に顔料（有機顔料、無
機顔料）を分散させて作成した膜を用いることにより、
製造工程が簡便となりかつ解像度の高い光書き込み型液
晶表示素子が得られる。
機顔料）を分散させて作成した膜を用いることにより、
製造工程が簡便となりかつ解像度の高い光書き込み型液
晶表示素子が得られる。
【００１２】
【実施例】以下図面により本発明の実施例を説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例としての光書き
込み型液晶表示素子の断面図を示す。この光書き込み型
液晶表示素子は、特に、光反射スクリーン上に画像を投
影する投射型液晶表示装置、イメージスキャナ用センサ
、及び近赤外−可視光変換素子等に用いて非常に好適で
ある。
込み型液晶表示素子の断面図を示す。この光書き込み型
液晶表示素子は、特に、光反射スクリーン上に画像を投
影する投射型液晶表示装置、イメージスキャナ用センサ
、及び近赤外−可視光変換素子等に用いて非常に好適で
ある。
【００１４】同図に示すように、本発明の第１の透明基
板に対応するガラス基板１１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜１２ａ が積層されている。この透明電極膜１２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板１１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
板に対応するガラス基板１１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜１２ａ が積層されている。この透明電極膜１２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板１１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
【００１５】透明電極膜１２ａ 上には、非晶質水素化
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層１３が積層されている。この光導電体層１３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層１３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層１３が積層されている。この光導電体層１３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層１３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
【００１６】光導電体層１３上には、光吸収層１４が積
層されている。この光吸収層１４は、有機顔料であるカ
ーボンブラックを分散させた有機物をスピナーを用いて
塗布し、露光により光重合させた後、２２０℃で１時間
焼成することによって形成する。この有機物は、アクリ
ル系の樹脂であり、作成した膜の膜厚は約１．５μｍ、
比抵抗１０７ Ω・ｃｍで、可視域での透過率が約０．
３％である。
層されている。この光吸収層１４は、有機顔料であるカ
ーボンブラックを分散させた有機物をスピナーを用いて
塗布し、露光により光重合させた後、２２０℃で１時間
焼成することによって形成する。この有機物は、アクリ
ル系の樹脂であり、作成した膜の膜厚は約１．５μｍ、
比抵抗１０７ Ω・ｃｍで、可視域での透過率が約０．
３％である。
【００１７】図２及び図３に示すように、この種のカー
ボン分散系の膜は、分散しているカーボンの量に応じて
透過率及び比抵抗がそれぞれ変化する。光吸収層として
使用する場合、透過率が０．５％以下、比抵抗１０６
Ω・ｃｍ以上であることが望ましい。なお、本出願人は
このような光吸収層を有する光書き込み型液晶表示素子
について、特願平２−１１３４５３号（平成２年４月２
７日出願）により既に提案している。
ボン分散系の膜は、分散しているカーボンの量に応じて
透過率及び比抵抗がそれぞれ変化する。光吸収層として
使用する場合、透過率が０．５％以下、比抵抗１０６
Ω・ｃｍ以上であることが望ましい。なお、本出願人は
このような光吸収層を有する光書き込み型液晶表示素子
について、特願平２−１１３４５３号（平成２年４月２
７日出願）により既に提案している。
【００１８】顔料として本実施例では有機顔料であるカ
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
【００１９】光吸収層１４上には、平坦化層１５が形成
されている。この平坦化層１５は、ポリイミドの一種で
ある保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）をスピナ
−を用いて塗布し、１００℃で１０分間仮焼きした後、
２２０℃で１時間焼成することによって形成する。平坦
化層１５の膜厚は約１．０μｍである。平坦化層１５と
しては、ポリイミドの他にアクリル系のもの、ポリシロ
キサン等が利用でき、硬化法としては熱硬化の他に光硬
化をも利用できる。なお、本出願人はこのような平坦化
層を有する光書き込み型液晶表示素子について、特願平
２−２５５９８１号（平成２年９月２６日出願）により
既に提案している。
されている。この平坦化層１５は、ポリイミドの一種で
ある保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）をスピナ
−を用いて塗布し、１００℃で１０分間仮焼きした後、
２２０℃で１時間焼成することによって形成する。平坦
化層１５の膜厚は約１．０μｍである。平坦化層１５と
しては、ポリイミドの他にアクリル系のもの、ポリシロ
キサン等が利用でき、硬化法としては熱硬化の他に光硬
化をも利用できる。なお、本出願人はこのような平坦化
層を有する光書き込み型液晶表示素子について、特願平
２−２５５９８１号（平成２年９月２６日出願）により
既に提案している。
【００２０】平坦化層１５上には、誘電体ミラ−による
反射層である誘電体層１６が積層されている。この誘電
体層１６は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層１６は、光吸収層１４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
反射層である誘電体層１６が積層されている。この誘電
体層１６は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層１６は、光吸収層１４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
【００２１】誘電体層１６上には、液晶層１７が積層さ
れている。この液晶層１７としては、散乱型の液晶複合
膜が用いられる。液晶複合膜は、ＵＶ重合性化合物であ
る２官能性アクリレート（ＨＸ−６２０：日本化薬社製
）３０ｗｔ％とネマチック液晶（ＺＬＩ−３２０１−０
００：メルク社製）７０ｗｔ％と少量の重合開始剤（Ｄ
ａｒｏｃｕｒｅｌ１７３：メルク社製）とを混合した均
一溶液を作って濾過し、この濾過溶液を誘電体層１６上
に１０μｍの膜厚でスピナー塗布した後、紫外線露光す
ることによって形成される。
れている。この液晶層１７としては、散乱型の液晶複合
膜が用いられる。液晶複合膜は、ＵＶ重合性化合物であ
る２官能性アクリレート（ＨＸ−６２０：日本化薬社製
）３０ｗｔ％とネマチック液晶（ＺＬＩ−３２０１−０
００：メルク社製）７０ｗｔ％と少量の重合開始剤（Ｄ
ａｒｏｃｕｒｅｌ１７３：メルク社製）とを混合した均
一溶液を作って濾過し、この濾過溶液を誘電体層１６上
に１０μｍの膜厚でスピナー塗布した後、紫外線露光す
ることによって形成される。
【００２２】この液晶層１７上に、透明電極膜１２ｂ
及びガラス基板１１ｂ の積層体が積層されている。こ
の積層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス
基板１１ｂ 上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極
膜１２ｂ を積層して形成されている。透明電極膜１２
ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応しており、ガ
ラス基板１１ｂ 上にスパッタ法で形成されている。
及びガラス基板１１ｂ の積層体が積層されている。こ
の積層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス
基板１１ｂ 上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極
膜１２ｂ を積層して形成されている。透明電極膜１２
ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応しており、ガ
ラス基板１１ｂ 上にスパッタ法で形成されている。
【００２３】ガラス基板１１ａ 及びガラス基板１１ｂ
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜１０ａ 及び１０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜１０ａ 及び１０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
【００２４】透明電極膜１２ａ 及び１２ｂ 間には交
流電源１８から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
流電源１８から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
【００２５】交流電圧が供給されている状態で、ガラス
基板１１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
当った領域では光導電体層１３のインピーダンスが低下
し、供給されている交流電圧が液晶層１７に印加され、
これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光の
当らない領域では光導電体層１３のインピーダンスが変
化せず、液晶層１７の液晶分子は初期配向を維持する。 その結果、入射光に応じた画像が液晶層１７に形成され
ることとなる。
基板１１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
当った領域では光導電体層１３のインピーダンスが低下
し、供給されている交流電圧が液晶層１７に印加され、
これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光の
当らない領域では光導電体層１３のインピーダンスが変
化せず、液晶層１７の液晶分子は初期配向を維持する。 その結果、入射光に応じた画像が液晶層１７に形成され
ることとなる。
【００２６】光吸収層１４として用いたカーボン分散系
の塗料は、本実施例ではアクリル系樹脂を用いているが
、光重合性のものとしてポリイミド、又はポリアミドを
利用することができ、熱重合性のものとしてエポキシ樹
脂、又はメラミン樹脂を利用することができる。
の塗料は、本実施例ではアクリル系樹脂を用いているが
、光重合性のものとしてポリイミド、又はポリアミドを
利用することができ、熱重合性のものとしてエポキシ樹
脂、又はメラミン樹脂を利用することができる。
【００２７】液晶層１７の液晶表示モードとして、ネマ
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した液晶複合膜
の他に、動的散乱モード、又はゲストホストモードを利
用できる。スメクチック液晶を用いる場合はゲストホス
トモードを利用できる。また、基板１１ａ として、オ
プティカルファイバで構成されるファイバプレートを用
いてもよい。
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した液晶複合膜
の他に、動的散乱モード、又はゲストホストモードを利
用できる。スメクチック液晶を用いる場合はゲストホス
トモードを利用できる。また、基板１１ａ として、オ
プティカルファイバで構成されるファイバプレートを用
いてもよい。
【００２８】図４は、図１に示した光書き込み型液晶表
示素子を光変調器として用いた投影型表示装置の一例の
概略構成図である。
示素子を光変調器として用いた投影型表示装置の一例の
概略構成図である。
【００２９】同図において、２０は光書き込み型液晶表
示素子であり、この光書き込み型液晶表示素子２０には
画像があらかじめ形成されている。即ち、上述したよう
に、レーザ光Ｌ１がガラス基板１１ａ （図１）側から
レンズ２１を介して印加されることによって画像形成が
あらかじめ行われている。
示素子であり、この光書き込み型液晶表示素子２０には
画像があらかじめ形成されている。即ち、上述したよう
に、レーザ光Ｌ１がガラス基板１１ａ （図１）側から
レンズ２１を介して印加されることによって画像形成が
あらかじめ行われている。
【００３０】光源２２からの光は、レンズ２３、ミラー
２４、及びレンズ２５を介して液晶表示素子２０のガラ
ス基板１１ｂ （図１）側に入射される。液晶層１７（
図１）の液晶分子が初期配向にある部分では、この入射
光は散乱されレンズ２５へは到達しない。このため、ス
クリーン２７上ではこの部分が暗状態となる。一方、液
晶分子の配向が変化している部分では、液晶層１７（図
１）が透明となるため、入射光は誘電体層１６（図１）
によって反射され、レンズ２５を介して投影レンズ２６
に入射されて拡大され、スクリーン２７へ投影される。 従って、光書き込み型液晶表示素子２０に書き込まれて
いる画像がスクリーン２７へ投影されることとなる。
２４、及びレンズ２５を介して液晶表示素子２０のガラ
ス基板１１ｂ （図１）側に入射される。液晶層１７（
図１）の液晶分子が初期配向にある部分では、この入射
光は散乱されレンズ２５へは到達しない。このため、ス
クリーン２７上ではこの部分が暗状態となる。一方、液
晶分子の配向が変化している部分では、液晶層１７（図
１）が透明となるため、入射光は誘電体層１６（図１）
によって反射され、レンズ２５を介して投影レンズ２６
に入射されて拡大され、スクリーン２７へ投影される。 従って、光書き込み型液晶表示素子２０に書き込まれて
いる画像がスクリーン２７へ投影されることとなる。
【００３１】この図４の投影型表示装置では、後述する
図６の投影型表示装置で用いる偏光ビームスプリッタが
不要のため、スクリーン２７上の像がその分明るくなる
。
図６の投影型表示装置で用いる偏光ビームスプリッタが
不要のため、スクリーン２７上の像がその分明るくなる
。
【００３２】図５は、本発明の他の実施例としての光書
き込み型液晶表示素子の断面図を示す。
き込み型液晶表示素子の断面図を示す。
【００３３】同図に示すように、本発明の第１の透明基
板に対応するガラス基板３１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜３２ａ が積層されている。この透明電極膜３２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板３１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
板に対応するガラス基板３１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜３２ａ が積層されている。この透明電極膜３２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板３１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
【００３４】透明電極膜３２ａ 上には、非晶質水素化
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層３３が積層されている。この光導電体層３３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層３３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層３３が積層されている。この光導電体層３３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層３３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
【００３５】光導電体層３３上には、光吸収層３４が積
層されている。この光吸収層３４は、有機顔料であるカ
ーボンブラックを分散させた有機物をスピナーを用いて
塗布し、露光により光重合させた後、２２０℃で１時間
焼成することによって形成する。この有機物は、アクリ
ル系の樹脂であり、作成した膜の膜厚は約１．５μｍ、
比抵抗１０７ Ω・ｃｍで、可視域での透過率が約０．
３％である。
層されている。この光吸収層３４は、有機顔料であるカ
ーボンブラックを分散させた有機物をスピナーを用いて
塗布し、露光により光重合させた後、２２０℃で１時間
焼成することによって形成する。この有機物は、アクリ
ル系の樹脂であり、作成した膜の膜厚は約１．５μｍ、
比抵抗１０７ Ω・ｃｍで、可視域での透過率が約０．
３％である。
【００３６】図２及び図３に示すように、この種のカー
ボン分散系の膜は、分散しているカーボンの量に応じて
透過率及び比抵抗がそれぞれ変化する。光吸収層として
使用する場合、透過率が０．５％以下、比抵抗１０６
Ω・ｃｍ以上であることが望ましい。
ボン分散系の膜は、分散しているカーボンの量に応じて
透過率及び比抵抗がそれぞれ変化する。光吸収層として
使用する場合、透過率が０．５％以下、比抵抗１０６
Ω・ｃｍ以上であることが望ましい。
【００３７】顔料として本実施例では有機顔料であるカ
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
【００３８】光吸収層３４上には、平坦化層３５が形成
されている。この平坦化層３５は、ポリイミドの一種で
ある保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）をスピナ
−を用いて塗布し、１００℃で１０分間仮焼きした後、
２２０℃で１時間焼成することによって形成する。平坦
化層３５の膜厚は約１．０μｍである。平坦化層３５と
しては、ポリイミドの他にアクリル系のもの、ポリシロ
キサン等が利用でき、硬化法としては熱硬化の他に光硬
化をも利用できる。
されている。この平坦化層３５は、ポリイミドの一種で
ある保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）をスピナ
−を用いて塗布し、１００℃で１０分間仮焼きした後、
２２０℃で１時間焼成することによって形成する。平坦
化層３５の膜厚は約１．０μｍである。平坦化層３５と
しては、ポリイミドの他にアクリル系のもの、ポリシロ
キサン等が利用でき、硬化法としては熱硬化の他に光硬
化をも利用できる。
【００３９】平坦化層３５上には、誘電体ミラ−による
反射層である誘電体層３６が積層されている。この誘電
体層３６は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層３６は、光吸収層３４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
反射層である誘電体層３６が積層されている。この誘電
体層３６は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層３６は、光吸収層３４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
【００４０】誘電体層３６上には、配向膜３７ａ が積
層されている。この配向膜３７ａ は、ポリイミド膜を
スピンコートによって形成した後、ラビングによる分子
配向処理が施されてなる。
層されている。この配向膜３７ａ は、ポリイミド膜を
スピンコートによって形成した後、ラビングによる分子
配向処理が施されてなる。
【００４１】この配向膜３７ａ と、配向膜３７ｂ 、
透明電極膜３２ｂ 及びガラス基板３１ｂ の積層体と
が、二つのスペーサを介して貼合わされる。配向膜３７
ｂ 、透明電極膜３２ｂ 及びガラス基板３１ｂ の積
層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス基板
３１ｂ上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極膜３２
ｂ を積層し、その上に配向膜３７ｂを上述の方法によ
って積層することによって形成されている。透明電極膜
３２ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応してお
り、ガラス基板３１ｂ 上にスパッタ法で形成されてい
る。
透明電極膜３２ｂ 及びガラス基板３１ｂ の積層体と
が、二つのスペーサを介して貼合わされる。配向膜３７
ｂ 、透明電極膜３２ｂ 及びガラス基板３１ｂ の積
層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス基板
３１ｂ上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極膜３２
ｂ を積層し、その上に配向膜３７ｂを上述の方法によ
って積層することによって形成されている。透明電極膜
３２ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応してお
り、ガラス基板３１ｂ 上にスパッタ法で形成されてい
る。
【００４２】配向膜３７ａ 及び３７ｂ 間の空間の厚
みは約６μｍであり、この空間に液晶が注入され封止さ
れて液晶層３８が形成される。液晶としては、カイラル
材料（Ｓ８１１：メルク社製）をフェニルシクロヘキサ
ン系ネマチック液晶に約１０ｗｔ％添加した混合ネマチ
ック液晶が用いられる。なお、本実施例の光書き込み型
液晶表示素子の動作モードとしては、相転移モードが用
いられる。
みは約６μｍであり、この空間に液晶が注入され封止さ
れて液晶層３８が形成される。液晶としては、カイラル
材料（Ｓ８１１：メルク社製）をフェニルシクロヘキサ
ン系ネマチック液晶に約１０ｗｔ％添加した混合ネマチ
ック液晶が用いられる。なお、本実施例の光書き込み型
液晶表示素子の動作モードとしては、相転移モードが用
いられる。
【００４３】ガラス基板３１ａ 及びガラス基板３１ｂ
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜３０ａ 及び３０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜３０ａ 及び３０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
【００４４】透明電極膜３２ａ 及び３２ｂ 間には交
流電源３９から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
流電源３９から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
【００４５】交流電圧が供給されている状態で、ガラス
基板３１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
あたった領域では光導電体層３３のインピーダンスが低
下し、供給されている交流電圧が液晶層３８に印加され
、これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光
のあたらない領域では光導電体層３３のインピーダンス
が変化せず、液晶層３８の液晶分子は初期配向を維持す
る。その結果、入射光に応じた画像が液晶層３８に形成
されることとなる。
基板３１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
あたった領域では光導電体層３３のインピーダンスが低
下し、供給されている交流電圧が液晶層３８に印加され
、これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光
のあたらない領域では光導電体層３３のインピーダンス
が変化せず、液晶層３８の液晶分子は初期配向を維持す
る。その結果、入射光に応じた画像が液晶層３８に形成
されることとなる。
【００４６】光吸収層３４として用いたカーボン分散系
の塗料は、本実施例ではアクリル系樹脂を用いているが
、光重合性のものとしてポリイミド、又はポリアミドを
利用することができ、熱重合性のものとしてエポキシ樹
脂、又はメラミン樹脂を利用することができる。
の塗料は、本実施例ではアクリル系樹脂を用いているが
、光重合性のものとしてポリイミド、又はポリアミドを
利用することができ、熱重合性のものとしてエポキシ樹
脂、又はメラミン樹脂を利用することができる。
【００４７】液晶層３４の液晶表示モードとして、ネマ
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した相転移モー
ドの他に、ツイステッドネマチックモード、電界誘起複
屈折モード、又はハイブリッド電界効果モードを利用で
きる。また液晶としてはこのほかに、強誘電性液晶、反
強誘電性液晶、又はエレクトロクリニック効果を有する
スメクチック液晶も利用できる。
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した相転移モー
ドの他に、ツイステッドネマチックモード、電界誘起複
屈折モード、又はハイブリッド電界効果モードを利用で
きる。また液晶としてはこのほかに、強誘電性液晶、反
強誘電性液晶、又はエレクトロクリニック効果を有する
スメクチック液晶も利用できる。
【００４８】図６は、図５に示した光書き込み型液晶表
示素子を光変調器として用いた投影型表示装置の一例の
概略構成図である。
示素子を光変調器として用いた投影型表示装置の一例の
概略構成図である。
【００４９】同図において、４０は光書き込み型液晶表
示素子であり、この光書き込み型液晶表示素子４０には
画像があらかじめ形成されている。即ち、上述したよう
に、レーザ光Ｌ１がガラス基板３１ａ （図５）側から
レンズ４１を介して印加されることによって画像形成が
あらかじめ行われている。
示素子であり、この光書き込み型液晶表示素子４０には
画像があらかじめ形成されている。即ち、上述したよう
に、レーザ光Ｌ１がガラス基板３１ａ （図５）側から
レンズ４１を介して印加されることによって画像形成が
あらかじめ行われている。
【００５０】光源４２からの光は、レンズ４３、及び偏
光ビームスプリッタ４４を介して液晶表示素子４０のガ
ラス基板３１ｂ （図５）側に入射される。液晶層３８
（図５）の液晶分子が初期配向にある部分では、この入
射光は偏光方向が変化しないため誘電体層３６（図５）
で反射された光は偏光ビームスプリッタ４４を透過しな
い。このため、スクリーン４７上ではこの部分が暗状態
となる。一方、液晶分子の配向が変化している部分を透
過した反射光は電気光学効果によって偏光方向が変化す
るため誘電体層３６（図５）で反射された光は偏光ビー
ムスプリッタ４４を透過することができる。この透過し
た光は、投影レンズ４６に入射されて拡大され、スクリ
ーン４７へ投影される。従って、光書き込み型液晶表示
素子４０に書き込まれている画像がスクリーン４７へ投
影されることとなる。
光ビームスプリッタ４４を介して液晶表示素子４０のガ
ラス基板３１ｂ （図５）側に入射される。液晶層３８
（図５）の液晶分子が初期配向にある部分では、この入
射光は偏光方向が変化しないため誘電体層３６（図５）
で反射された光は偏光ビームスプリッタ４４を透過しな
い。このため、スクリーン４７上ではこの部分が暗状態
となる。一方、液晶分子の配向が変化している部分を透
過した反射光は電気光学効果によって偏光方向が変化す
るため誘電体層３６（図５）で反射された光は偏光ビー
ムスプリッタ４４を透過することができる。この透過し
た光は、投影レンズ４６に入射されて拡大され、スクリ
ーン４７へ投影される。従って、光書き込み型液晶表示
素子４０に書き込まれている画像がスクリーン４７へ投
影されることとなる。
【００５１】図７は、本発明のさらに他の実施例として
の光書き込み型液晶表示素子の断面図を示す。
の光書き込み型液晶表示素子の断面図を示す。
【００５２】同図に示すように、本発明の第１の透明基
板に対応するガラス基板５１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜５２ａ が積層されている。この透明電極膜５２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板５１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
板に対応するガラス基板５１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜５２ａ が積層されている。この透明電極膜５２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板５１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
【００５３】透明電極膜５２ａ 上には、非晶質水素化
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層５３が積層されている。この光導電体層５３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層５３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層５３が積層されている。この光導電体層５３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層５３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
【００５４】光導電体層５３上には、光吸収層５４が積
層されている。この光吸収層５４は、有機物に顔料を分
散させた膜から構成されている。
層されている。この光吸収層５４は、有機物に顔料を分
散させた膜から構成されている。
【００５５】有機物としては、ポリイミドの一種である
保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）、アクリル系
のもの、ポリシロキサン等が利用できる。今回作成した
光吸収層５４の膜厚は約４μｍであり、可視域での透過
率は０．５％であるが、この膜厚は分散方法によって薄
くすることも可能である。
保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）、アクリル系
のもの、ポリシロキサン等が利用できる。今回作成した
光吸収層５４の膜厚は約４μｍであり、可視域での透過
率は０．５％であるが、この膜厚は分散方法によって薄
くすることも可能である。
【００５６】顔料として本実施例では有機顔料であるカ
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
【００５７】光吸収層５４上には、誘電体ミラ−による
反射層である誘電体層５５が積層されている。この誘電
体層５５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層５５は、光吸収層５４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
反射層である誘電体層５５が積層されている。この誘電
体層５５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層５５は、光吸収層５４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
【００５８】誘電体層５５上には、液晶層５６が積層さ
れている。この液晶層５６としては、散乱型の液晶複合
膜が用いられる。液晶複合膜は、ＵＶ重合性化合物であ
る２官能性アクリレート（ＨＸ−６２０：日本化薬社製
）３０ｗｔ％とネマチック液晶（ＺＬＩ−３２０１−０
００：メルク社製）７０ｗｔ％と少量の重合開始剤（Ｄ
ａｒｏｃｕｒｅｌ１７３：メルク社製）とを混合した均
一溶液を作って濾過し、この濾過溶液を誘電体層５５上
に１０μｍの膜厚でスピナー塗布した後、紫外線露光す
ることによって形成される。
れている。この液晶層５６としては、散乱型の液晶複合
膜が用いられる。液晶複合膜は、ＵＶ重合性化合物であ
る２官能性アクリレート（ＨＸ−６２０：日本化薬社製
）３０ｗｔ％とネマチック液晶（ＺＬＩ−３２０１−０
００：メルク社製）７０ｗｔ％と少量の重合開始剤（Ｄ
ａｒｏｃｕｒｅｌ１７３：メルク社製）とを混合した均
一溶液を作って濾過し、この濾過溶液を誘電体層５５上
に１０μｍの膜厚でスピナー塗布した後、紫外線露光す
ることによって形成される。
【００５９】この液晶層５６上に、透明電極膜５２ｂ
及びガラス基板５１ｂ の積層体が積層されている。こ
の積層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス
基板５１ｂ 上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極
膜５２ｂ を積層して形成されている。透明電極膜５２
ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応しており、ガ
ラス基板５１ｂ 上にスパッタ法で形成されている。
及びガラス基板５１ｂ の積層体が積層されている。こ
の積層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス
基板５１ｂ 上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極
膜５２ｂ を積層して形成されている。透明電極膜５２
ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応しており、ガ
ラス基板５１ｂ 上にスパッタ法で形成されている。
【００６０】ガラス基板５１ａ 及びガラス基板５１ｂ
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜５０ａ 及び５０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜５０ａ 及び５０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
【００６１】透明電極膜５２ａ 及び５２ｂ 間には交
流電源５７から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
流電源５７から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
【００６２】交流電圧が供給されている状態で、ガラス
基板５１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
当った領域では光導電体層５３のインピーダンスが低下
し、供給されている交流電圧が液晶層５６に印加され、
これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光の
当らない領域では光導電体層５３のインピーダンスが変
化せず、液晶層５６の液晶分子は初期配向を維持する。 その結果、入射光に応じた画像が液晶層５６に形成され
ることとなる。
基板５１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
当った領域では光導電体層５３のインピーダンスが低下
し、供給されている交流電圧が液晶層５６に印加され、
これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光の
当らない領域では光導電体層５３のインピーダンスが変
化せず、液晶層５６の液晶分子は初期配向を維持する。 その結果、入射光に応じた画像が液晶層５６に形成され
ることとなる。
【００６３】液晶層５６の液晶表示モードとして、ネマ
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した液晶複合膜
の他に、動的散乱モード、又はゲストホストモードを利
用できる。スメクチック液晶を用いる場合はゲストホス
トモードを利用できる。また、基板５１ａ として、オ
プティカルファイバで構成されるファイバプレートを用
いてもよい。
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した液晶複合膜
の他に、動的散乱モード、又はゲストホストモードを利
用できる。スメクチック液晶を用いる場合はゲストホス
トモードを利用できる。また、基板５１ａ として、オ
プティカルファイバで構成されるファイバプレートを用
いてもよい。
【００６４】図７に示した光書き込み型液晶表示素子は
、図４に示す投影型表示装置に用いることが可能である
。
、図４に示す投影型表示装置に用いることが可能である
。
【００６５】図８は、本発明のまたさらに他の実施例と
しての光書き込み型液晶表示素子の断面図を示す。
しての光書き込み型液晶表示素子の断面図を示す。
【００６６】同図に示すように、本発明の第１の透明基
板に対応するガラス基板６１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜６２ａ が積層されている。この透明電極膜６２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板６１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
板に対応するガラス基板６１ａ 上に、ＩＴＯ透明導電
膜及びＳｎＯ２ 透明導電膜の積層体からなる透明電
極膜６２ａ が積層されている。この透明電極膜６２ａ
は、本発明の第１の透明電極層に対応しており、ガラ
ス基板６１ａ 上にスパッタ法で形成されている。
【００６７】透明電極膜６２ａ 上には、非晶質水素化
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層６３が積層されている。この光導電体層６３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層６３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる膜厚が約３μｍの光
導電体層６３が積層されている。この光導電体層６３は
、シランガス（ＳｉＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２）を原料
とし、プラズマＣＶＤ法で形成される。光導電体層６３
としては、ａ−Ｓｉ：Ｈの他に非晶質水素化シリコンカ
ーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）をも利用できる。このａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、シランガス（ＳｉＨ４ ）、メタンガ
ス（ＣＨ４ ）、水素ガス（Ｈ２ ）を原料とし、プラ
ズマＣＶＤ法で形成される。
【００６８】光導電体層６３上には、光吸収層６４が積
層されている。この光吸収層６４は、有機物に顔料を分
散させた膜から構成されている。
層されている。この光吸収層６４は、有機物に顔料を分
散させた膜から構成されている。
【００６９】有機物としては、ポリイミドの一種である
保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）、アクリル系
のもの、ポリシロキサン等が利用できる。今回作成した
光吸収層６４の膜厚は約４μｍであり、可視域での透過
率は０．５％であるが、この膜厚は分散方法によって薄
くすることも可能である。
保護膜セミコファイン（東レ株式会社製）、アクリル系
のもの、ポリシロキサン等が利用できる。今回作成した
光吸収層６４の膜厚は約４μｍであり、可視域での透過
率は０．５％であるが、この膜厚は分散方法によって薄
くすることも可能である。
【００７０】顔料として本実施例では有機顔料であるカ
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
ーボンブラックを用いているが、比抵抗の大きい（ρ≧
１０１１Ω・ｃｍ）無機顔料を用いてもよい。無機顔料
を用いる場合、遮光する光の領域に応じて遮光特性が異
なるので用途に合わせて顔料を選ぶ必要がある。例えば
、ブラックは可視光全域、イエロー及びブラウンは〜５
００ｎｍ、グリーンは６００〜７００ｎｍ、ブルーは５
４０〜６４０ｎｍと遮光特性が異なる。無機顔料の材料
として、ブラックは銅、クロム、鉄、マンガン、コバル
トの酸化物の組み合わせで出来ており、イエローはチタ
ン、バリウム、ニッケル、アンチモン、クロムの酸化物
の組み合わせで出来ており、ブラウンは鉄、亜鉛、チタ
ン、クロム、ニッケル、アルミニウムの酸化物の組み合
わせで出来ており、グリーンはチタン、亜鉛、ニッケル
、コバルト、アルミニウム、リチウム、クロム、カルシ
ウムの酸化物の組み合わせで出来ており、ブルーはコバ
ルト、アルミニウム、亜鉛、ケイ素、チタン、リチウム
、クロムの酸化物の組み合わせで出来ている。
【００７１】光吸収層６４上には、誘電体ミラ−による
反射層である誘電体層６５が積層されている。この誘電
体層６５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層６５は、光吸収層６４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
反射層である誘電体層６５が積層されている。この誘電
体層６５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）と二酸化チ
タン（ＴｉＯ２ ）とをＥＢ蒸着法を用いて交互に積
層することにより形成される。膜厚は約２μｍ、反射率
は約９９％である。この誘電体層６５は、光吸収層６４
の上に蒸着されるので基板温度が２５０℃以下、できれ
ば２００℃以下の状態で形成されることが好ましい。
【００７２】誘電体層６５上には、配向膜６６ａ が積
層されている。この配向膜６６ａ は、ポリイミド膜を
スピンコートによって形成した後、ラビングによる分子
配向処理が施されてなる。
層されている。この配向膜６６ａ は、ポリイミド膜を
スピンコートによって形成した後、ラビングによる分子
配向処理が施されてなる。
【００７３】この配向膜６６ａ と、配向膜６６ｂ 、
透明電極膜６２ｂ 及びガラス基板６１ｂ の積層体と
が、二つのスペーサを介して貼合わされる。配向膜６６
ｂ 、透明電極膜６２ｂ 及びガラス基板６１ｂ の積
層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス基板
６１ｂ上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極膜６２
ｂ を積層し、その上に配向膜６６ｂを上述の方法によ
って積層することによって形成されている。透明電極膜
６２ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応しており
、ガラス基板６１ｂ 上にスパッタ法で形成されている
。
透明電極膜６２ｂ 及びガラス基板６１ｂ の積層体と
が、二つのスペーサを介して貼合わされる。配向膜６６
ｂ 、透明電極膜６２ｂ 及びガラス基板６１ｂ の積
層体は、本発明の第２の透明基板に対応するガラス基板
６１ｂ上に、ＩＴＯ透明導電膜からなる透明電極膜６２
ｂ を積層し、その上に配向膜６６ｂを上述の方法によ
って積層することによって形成されている。透明電極膜
６２ｂ は、本発明の第２の透明電極層に対応しており
、ガラス基板６１ｂ 上にスパッタ法で形成されている
。
【００７４】配向膜６６ａ 及び６６ｂ 間の空間の厚
みは約６μｍであり、この空間に液晶が注入され封止さ
れて液晶層６７が形成される。液晶としては、カイラル
材料（Ｓ８１１：メルク社製）をフェニルシクロヘキサ
ン系ネマチック液晶に約１０ｗｔ％添加した混合ネマチ
ック液晶が用いられる。なお、本実施例の光書き込み型
液晶表示素子の動作モードとしては、相転移モードが用
いられる。
みは約６μｍであり、この空間に液晶が注入され封止さ
れて液晶層６７が形成される。液晶としては、カイラル
材料（Ｓ８１１：メルク社製）をフェニルシクロヘキサ
ン系ネマチック液晶に約１０ｗｔ％添加した混合ネマチ
ック液晶が用いられる。なお、本実施例の光書き込み型
液晶表示素子の動作モードとしては、相転移モードが用
いられる。
【００７５】ガラス基板６１ａ 及びガラス基板６１ｂ
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜６０ａ 及び６０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
の裏面には、書き込み光及び読み出し光がガラス面で
反射されるのを防ぐために反射防止膜６０ａ 及び６０
ｂ がそれぞれ蒸着されている。
【００７６】透明電極膜６２ａ 及び６２ｂ 間には交
流電源６８から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
流電源６８から交流電圧が印加されるように構成されて
いる。
【００７７】交流電圧が供給されている状態で、ガラス
基板６１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
あたった領域では光導電体層６３のインピーダンスが低
下し、供給されている交流電圧が液晶層６７に印加され
、これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光
のあたらない領域では光導電体層６３のインピーダンス
が変化せず、液晶層６７の液晶分子は初期配向を維持す
る。その結果、入射光に応じた画像が液晶層６７に形成
されることとなる。
基板６１ａ 側からレーザ光Ｌ１が入射されると、光の
あたった領域では光導電体層６３のインピーダンスが低
下し、供給されている交流電圧が液晶層６７に印加され
、これによって液晶分子の配向を変化させる。一方、光
のあたらない領域では光導電体層６３のインピーダンス
が変化せず、液晶層６７の液晶分子は初期配向を維持す
る。その結果、入射光に応じた画像が液晶層６７に形成
されることとなる。
【００７８】光吸収層６４の有機物として用いたカーボ
ン分散系の塗料は、本実施例ではアクリル系樹脂を用い
ているが、光重合性のものとしてポリイミド、又はポリ
アミドを利用することができ、熱重合性のものとしてエ
ポキシ樹脂を利用することができる。
ン分散系の塗料は、本実施例ではアクリル系樹脂を用い
ているが、光重合性のものとしてポリイミド、又はポリ
アミドを利用することができ、熱重合性のものとしてエ
ポキシ樹脂を利用することができる。
【００７９】液晶層６７の液晶表示モードとして、ネマ
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した相転移モー
ドの他に、ツイステッドネマチックモード、電界誘起複
屈折モード、又はハイブリッド電界効果モードを利用で
きる。また液晶としてはこのほかに、強誘電性液晶、反
強誘電性液晶、又はエレクトロクリニック効果を有する
スメクチック液晶も利用できる。
チック液晶を用いる場合は本実施例で示した相転移モー
ドの他に、ツイステッドネマチックモード、電界誘起複
屈折モード、又はハイブリッド電界効果モードを利用で
きる。また液晶としてはこのほかに、強誘電性液晶、反
強誘電性液晶、又はエレクトロクリニック効果を有する
スメクチック液晶も利用できる。
【００８０】図８に示した光書き込み型液晶表示素子は
、図６に示す投影型表示装置に用いることが可能である
。
、図６に示す投影型表示装置に用いることが可能である
。
【００８１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、光吸収層が有機物に顔料を分散させてなる膜で構成
されているため、光吸収層パターン化する必要がなく、
簡単な製造工程で高解像度の光書き込み型液晶表示素子
を得ることができる。
ば、光吸収層が有機物に顔料を分散させてなる膜で構成
されているため、光吸収層パターン化する必要がなく、
簡単な製造工程で高解像度の光書き込み型液晶表示素子
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す断面図である。
【図２】分散カーボン量に対する透過率の特性図である
。
。
【図３】分散カーボン量に対する比抵抗の特性図である
。
。
【図４】図１及び図７の光書き込み型液晶表示素子を光
変調器として用いた投影型表示装置の概略構成図である
。
変調器として用いた投影型表示装置の概略構成図である
。
【図５】本発明の他の実施例の構成を示す断面図である
。
。
【図６】図５及び図８の光書き込み型液晶表示素子を光
変調器として用いた投影型表示装置の概略構成図である
。
変調器として用いた投影型表示装置の概略構成図である
。
【図７】本発明のさらに他の実施例の構成を示す断面図
である。
である。
【図８】本発明のさらに他の実施例の構成を示す断面図
である。
である。
【図９】先行技術の構成を示す断面図である。
１０ａ 、１０ｂ 、３０ａ 、３０ｂ 、５０ａ 、
５０ｂ 、６０ａ 、６０ｂ 反射防止膜 １１ａ 、１１ｂ 、３１ａ 、３１ｂ 、５１ａ 、
５１ｂ 、６１ａ 、６１ｂ ガラス基板 １２ａ 、１２ｂ 、３２ａ 、３２ｂ 、５２ａ 、
５２ｂ 、６２ａ 、６２ｂ 透明電極膜 １３、３３、５３、６３ 光導電体層１４、３４、５
４、６４ 光吸収層 １５、３５ 平坦化層 １６、３６、５５、６５ 誘電体層 １７、３８、５６、６７ 液晶層 ３７ａ 、３７ｂ 、６６ａ 、６６ｂ 配向膜１
８、３９、５７、６８ 交流電源
５０ｂ 、６０ａ 、６０ｂ 反射防止膜 １１ａ 、１１ｂ 、３１ａ 、３１ｂ 、５１ａ 、
５１ｂ 、６１ａ 、６１ｂ ガラス基板 １２ａ 、１２ｂ 、３２ａ 、３２ｂ 、５２ａ 、
５２ｂ 、６２ａ 、６２ｂ 透明電極膜 １３、３３、５３、６３ 光導電体層１４、３４、５
４、６４ 光吸収層 １５、３５ 平坦化層 １６、３６、５５、６５ 誘電体層 １７、３８、５６、６７ 液晶層 ３７ａ 、３７ｂ 、６６ａ 、６６ｂ 配向膜１
８、３９、５７、６８ 交流電源
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の透明基板と、該第１の透明基板
上に形成された第１の透明電極層と、該第１の透明電極
層上に形成された光導電体層と、該光導電体層上に形成
されており有機物に顔料を分散させてなる膜による光吸
収層と、該光吸収層上に形成された誘電体層と、第２の
透明基板と、該第２の透明基板上に形成された第２の透
明電極層と、該第２の透明電極層及び前記誘電体層間に
挿入された液晶層とを備えたことを特徴とする光書き込
み型液晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3118821A JP2665477B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光書き込み型液晶表示素子 |
| EP19920304687 EP0515225A3 (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Liquid crystal display element of optical writing type |
| US07/887,738 US5329390A (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Liquid crystal display element of optical writing type with light absorbing layer including inorganic pigment and leveling layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3118821A JP2665477B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光書き込み型液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346315A true JPH04346315A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2665477B2 JP2665477B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=14745981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3118821A Expired - Lifetime JP2665477B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光書き込み型液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5329390A (ja) |
| EP (1) | EP0515225A3 (ja) |
| JP (1) | JP2665477B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0499979A3 (en) * | 1991-02-16 | 1993-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| JP2794499B2 (ja) | 1991-03-26 | 1998-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2845303B2 (ja) | 1991-08-23 | 1999-01-13 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 半導体装置とその作製方法 |
| US5477359A (en) * | 1993-01-21 | 1995-12-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal projector having a vertical orientating polyimide film |
| JPH0743735A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Sony Corp | 表示素子用電極基板及びその製造方法 |
| EP0642050B1 (en) * | 1993-09-02 | 2002-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Spatial light modulator, method of production thereof and projection type display |
| US5497255A (en) * | 1993-10-30 | 1996-03-05 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Spacial light modulation device including a pixel electode layer and a method for manufacturing the same |
| EP0681201A3 (en) * | 1994-05-02 | 1996-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Spatial light modulator and liquid crystal display device. |
| TW477905B (en) * | 1995-06-14 | 2002-03-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device formed of high resistance black matrix with wide view angle |
| JP3937767B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2007-06-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 光書込装置 |
| ATE299601T1 (de) * | 2001-03-13 | 2005-07-15 | Qinetiq Ltd | Optisch adressierbarer, ortsauflösender lichtmodulator (oaslm) mit dielektrischem spiegel,der schichten aus amorphem, hydriertem kohlenstoff enthält |
| US8054533B2 (en) * | 2001-06-25 | 2011-11-08 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image record medium and image record apparatus |
| JP3937807B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2007-06-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 光アドレス型空間光変調素子 |
| JP4004908B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2007-11-07 | 富士通株式会社 | 表示装置の駆動方法及び装置 |
| CN1890698B (zh) * | 2003-12-02 | 2011-07-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法和电视装置 |
| US7195813B2 (en) * | 2004-05-21 | 2007-03-27 | Eastman Kodak Company | Mixed absorber layer for displays |
| CN101534922A (zh) * | 2006-09-20 | 2009-09-16 | Omnipure滤清器有限公司 | 改进了介质利用的过滤器及其制造和应用方法 |
| JP5076593B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-11-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 光記録装置、光記録方法、及び画像表示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2161952B (en) * | 1984-07-20 | 1987-11-11 | British Aerospace | Optical processors |
| GB2215073A (en) * | 1988-02-17 | 1989-09-13 | Gen Electric Co Plc | Thin light blocking layers |
| GB8803704D0 (en) * | 1988-02-17 | 1988-03-16 | Gen Electric Co Plc | Photoconductive imaging apparatus |
| US5084777A (en) * | 1989-11-14 | 1992-01-28 | Greyhawk Systems, Inc. | Light addressed liquid crystal light valve incorporating electrically insulating light blocking material of a-SiGe:H |
| JPH0833549B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1996-03-29 | シャープ株式会社 | 光書き込み型液晶表示素子 |
| US5056895A (en) * | 1990-05-21 | 1991-10-15 | Greyhawk Systems, Inc. | Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields |
| JPH0752268B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1995-06-05 | シャープ株式会社 | 光書き込み型液晶素子 |
| JPH04134324A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-08 | Sharp Corp | 光書き込み型液晶表示素子 |
| US5153759A (en) * | 1991-04-01 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Optically addressed light valve system |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP3118821A patent/JP2665477B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-05-22 EP EP19920304687 patent/EP0515225A3/en not_active Withdrawn
- 1992-05-22 US US07/887,738 patent/US5329390A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0515225A3 (en) | 1993-07-14 |
| US5329390A (en) | 1994-07-12 |
| JP2665477B2 (ja) | 1997-10-22 |
| EP0515225A2 (en) | 1992-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2665477B2 (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| US5142391A (en) | Liquid-crystal display device of optical writing type having a light absorbing layer composed of a carbon-dispersed system coating | |
| US5245453A (en) | Liquid crystal modulator having a photoconductor and/or a dielectric mirror composed of hydrogenated amorphous silicon carbide | |
| EP0562938A1 (en) | Optically addressed spatial light modulator | |
| EP0478299B1 (en) | Liquid crystal display element of optical writing type | |
| JPH06342169A (ja) | 光スイッチング素子 | |
| US5153759A (en) | Optically addressed light valve system | |
| US5309262A (en) | Optically addressed light valve system with two dielectric mirrors separated by a light separating element | |
| US5315420A (en) | Optical writing type liquid crystal display device | |
| JPH07134310A (ja) | 光書き込み型電気光学装置 | |
| JPH0651341A (ja) | 空間光変調素子 | |
| JPH04134324A (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| JP3276249B2 (ja) | 傾斜状複素誘電率型空間光変調素子 | |
| JP3276237B2 (ja) | 比抵抗傾斜型空間光変調素子 | |
| JPH03200934A (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| JPH0933942A (ja) | 空間光変調素子およびその製造方法 | |
| JP3276238B2 (ja) | 比抵抗傾斜型空間光変調素子 | |
| JPH05273527A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH0829800A (ja) | 光書き込み型液晶ライトバルブ | |
| JPH11190849A (ja) | カラー液晶素子 | |
| JPH10170948A (ja) | 空間光変調素子及びその製造方法 | |
| JPH05273577A (ja) | 光書込み型空間光変調素子 | |
| JPH07261195A (ja) | 比抵抗設定型空間光変調素子 | |
| JPH04248519A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPH06222383A (ja) | 液晶空間光変調素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |