JPH04342406A - 炭素クラスターの製造方法 - Google Patents

炭素クラスターの製造方法

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JPH04342406A
JPH04342406A JP3141292A JP14129291A JPH04342406A JP H04342406 A JPH04342406 A JP H04342406A JP 3141292 A JP3141292 A JP 3141292A JP 14129291 A JP14129291 A JP 14129291A JP H04342406 A JPH04342406 A JP H04342406A
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graphite crucible
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gas
graphite
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Hideyuki Funasaka
船坂 英之
Toshiaki Ishiguro
石黒 敏明
Masato Kato
正人 加藤
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Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan
Power Reactor and Nuclear Fuel Development Corp
Original Assignee
Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan
Power Reactor and Nuclear Fuel Development Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、黒鉛るつぼの内部に炭
素との親和力の大きい金属(以下「炭素バインダー」と
称す)を充填し、インパルス抵抗加熱法により加熱して
効率よく炭素クラスターを生成させる方法に関するもの
である。
【0002】炭素クラスターC60,C70の物性につ
いて測定が可能になったのは、グラム・オーダーの収量
が可能になった極く最近のことであるため、未だはっき
りしたところが少ない。しかし、C60,C70そのも
のは100eV程度のエネルギーを与えても安定である
ので、例えば宇宙用の固体潤滑剤としての利用が考えら
れる。またC60,C70の電気的性質は絶縁体に近い
が、最近C60に金属カリウムを結合させると超電導体
(Tc =18K)になることが報告されている。
【0003】
【従来の技術】1985年、Kroto & Smal
leyらは、黒鉛の棒にレーザーを集中照射する所謂「
レーザーアブレーション法」によってはじめて炭素クラ
スターC60,C70の存在を実証した。しかし、その
生成量は質量分析装置でしか測定できない程度の極微量
であったため、C60,C70の構造や物性等について
は何ら知見を得ることができなかった。
【0004】1990年、Kratschmerらは、
黒鉛の棒を用いたコンタクトアーク法によりはじめてグ
ラム・オーダーのC60,C70の生成・回収に成功し
、サッカーボール形状、ラグビーボール形状といわれる
C60,C70の構造を実証した(例えばJ.Phys
.Chem.1990,94,8634−8636 参
照)。ここでは黒鉛ベース電極に対して、先細状黒鉛棒
をスプリングの弾撥力で押し付けつつ大電流を流す方法
を採用している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしコンタクトアー
ク法には以下に述べるような様々な製造方法上の課題が
残されている。まず第1に収量が低く、C60/C70
生成比と生成条件については何も知られていない。現在
の段階でも収量はC60で1日当たり約100mg程度
であり、C70についてはその5%程度である。またコ
ンタクトアーク方式であるため黒鉛棒の先端部の消耗が
激しく、頻繁に交換を行わなければならず、製造上のロ
スタイムが大きい。更にC60,C70に金属原子を結
合したり、或いは中にドープする等の処理を組み込み難
い。これらの処理は炭素クラスター生成後に別工程で行
う必要がある。
【0006】本発明の目的は、上記従来のコンタクトア
ーク法による欠点を解消し、C60,C70の炭素クラ
スターを効率よく大量に生成しうる方法を提供すること
である。また本発明の他の目的は、C60/C70生成
比を制御できる方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、黒鉛るつぼ内
に炭素バインダーを充填し、不活性雰囲気中で該黒鉛る
つぼをインパルス抵抗加熱方式により金属炭化物が生成
される温度以上まで加熱し、炭素クラスターを含む超微
粒子を生成させる方法である。炭素バインダーは、炭素
との親和力が大きく容易に金属炭化物を生成する金属で
ある。この種の金属としては、例えばチタン、ニオブ、
クロム、ウラン、ハフニウム、ホウ素、バナジウム等が
あり、特にチタンやウランが有効である。また物理的状
態も活性であることが望ましい(例えばスポンジチタン
など)。
【0008】不活性ガス雰囲気としてはヘリウム(He
)ガス雰囲気がある。インパルス抵抗加熱と同時にHe
キャリアガスを流通させて、黒鉛るつぼ内で生成した炭
素クラスターを含む超微粒子を外部へ搬出し、ダストフ
ィルタで捕集するように構成するのがよい。またHeガ
スを使用すると、そのガス圧の調整により炭素クラスタ
ーであるC60/C70生成比を制御できる。Heガス
の圧力を高くする(0.8 kg/cm2 以上)とC
70が多く生成される。
【0009】
【作用】黒鉛るつぼに不活性雰囲気中でインパルス抵抗
加熱を行うと、黒鉛全体が高温に熱せられ、黒鉛の網目
構造が表面から剥離して丸くなり炭素クラスターC60
,C70が発生する。るつぼ形状であるため、表面積が
大きく且つ必要な炭素バインダーを入れられる。ここで
黒鉛るつぼ内部の炭素バインダーは、インパルス抵抗加
熱時に黒鉛るつぼと反応して金属炭化物を瞬時に生成し
、これが黒鉛に比べて融点が低く且つ炭化物の蒸気圧が
高いため、C60,C70を含む炭化物の超微粒子が大
量に生成し、炭素クラスターの製造効率が高まる。
【0010】不活性キャリアガスは、加熱雰囲気を不活
性にすると共に、発生した超微粒子を炉から搬出する機
能を果たす。またそのガス圧はC60/C70生成比を
制御する作用も果たす。
【0011】
【実施例】図1は本発明で使用する炭素クラスター製造
装置の一例を示す概念図である。生成炉10は、内部に
黒鉛るつぼ12が位置し、それを上部電極14と下部電
極16で圧接する構造である。ここで下部電極16の黒
鉛るつぼ搭載部にはタングステンチップ18を設けてい
る。また冷却水通路20を有し、それによって電極を冷
却できるようにしてある。生成炉10の内外はシール部
材22で密封され、しかもHeキャリアガスが流通でき
るようにガス流路が形成されている。Heキャリアガス
は上部電極14のガス入口部24から導入され、側方の
ガス出口部26から排出する。排出したガスはダストフ
ィルタ28を通り、パージガスラインへ向かう。上部電
極14と下部電極16との間にはインパルス抵抗加熱用
の電源装置30を接続する。
【0012】予め黒鉛るつぼ12の内部に炭素バインダ
ーとしてスポンジチタン40を充填しておく。そして図
1に示すように生成炉10内に設置する。使用した黒鉛
るつぼ12の寸法は直径約14mm、高さ約20mm、
内容積約2ccであり、スポンジチタン40の充填量は
約0.2〜1gである。そして上部電極14と下部電極
16間に電源装置30から交流電流(100〜200A
,10〜20V)をパルス状(周期60Hz,パルス幅
1μ秒)に印加する。その際Heキャリアガスを流通さ
せておく。Heガス圧はC60/C70生成条件に応じ
て可変とする(可変領域 100〜600 Torr)
。特にC70を多く生成させるにはHeガス圧を600
 Torr近傍まで加圧する。
【0013】黒鉛るつぼ12内外は、約3000℃まで
上昇し、特に黒鉛るつぼ内ではチタン炭化物が瞬時に生
成される。これは黒鉛に比べて融点が低く、且つ炭化物
の蒸気圧が高いため、C60,C70を含む炭化物の超
微粒子が大量に発生する。黒鉛るつぼ12内から発生す
るこの超微粒子(ダスト)は、キャリアガスと共にダス
トフィルタ28にまで運ばれて、ここで捕集される。ま
た黒鉛るつぼ外表面に付着している超微粒子あるいはキ
ャリアガスで運ばれなかった超微粒子は、試験後に生成
炉10内から真空クリーナー等で回収する。
【0014】回収した超微粒子をベンゼン(非極性溶媒
)に溶かすと、C60,C70等の炭素クラスターのみ
溶解し且つ着色する。炭素クラスターC60,C70の
存在及びその存在比はNMR測定で確認できた。図2に
抽出したベンゼン溶液のNMR測定結果を示す。C60
を示す大きなピーク、及びC70のa〜eの5本のピー
クが明瞭に現れている。またその生成比はHeガス圧6
00 TorrでC70/C60=0.4 〜0.5 
であった。
【0015】炭素クラスターの収量は紫外可視スペクト
ルで行ったが、その結果5分間当たり0.01〜0.1
 gであった。紫外可視スペクトルの一例を図3に示す
。横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(相対値)を表
している。 黒鉛るつぼにチタンを0.6g充填した場合は、黒鉛る
つぼ単独の場合(炭素バインダー無しの場合)に比べて
収量が大幅に向上することが分かる。
【0016】なおC60,C70の分取はカラムクロマ
トグラフィの逆相法を使用して行える。また炭素クラス
ターに他の金属を結合させたりドープさせる場合は、黒
鉛るつぼ内に必要な金属を炭素バインダーと共に充填し
ておくだけで行える。
【0017】
【発明の効果】本発明は上記のように、インパルス抵抗
加熱方式を採用しているため、るつぼ状にした黒鉛が使
用可能となり、表面積が広く且つ必要な炭素バインダー
を充填できる。そして本発明は黒鉛るつぼに炭素バイン
ダーを充填して不活性雰囲気中でインパルス抵抗加熱す
る方法であるから、黒鉛るつぼ全体を加熱でき、金属炭
化物が瞬時に生成され、これは黒鉛に比べて融点が低く
且つ炭化物の蒸気圧が高いため、C60,C70を含む
炭化物の超微粒子が大量に生成し、炭素クラスターの製
造効率が高まる。従来のコンタクトアーク方式に比べて
10〜100倍の炭素クラスター収率が得られる。
【0018】Heガスをキャリアガスとして用いると、
黒鉛るつぼ内で生成した炭素クラスターを含む超微粒子
を外部へ搬出でき、ダストフィルタで効率よく捕集でき
る。その際、ガス圧力の調整により炭素クラスターであ
るC60/C70生成比を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いる炭素クラスター製造装置の一例
を示す概念図。
【図2】本発明方法により抽出したベンゼン溶液のNM
R測定結果の説明図。
【図3】本発明方法により抽出したベンゼン溶液の紫外
可視スペクトル。
【符号の説明】
10  生成炉 12  黒鉛るつぼ 14  上部電極 16  下部電極 18  タングステンチップ 28  ダストフィルタ 30  電源装置 40  スポンジチタン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  黒鉛るつぼ内に炭素との親和力の大き
    い金属を充填し、不活性雰囲気中で該黒鉛るつぼをイン
    パルス抵抗加熱方式により金属炭化物が生成される温度
    以上まで加熱し、炭素クラスターを含む超微粒子を生成
    させることを特徴とする炭素クラスターの製造方法。
  2. 【請求項2】  加熱と同時に不活性キャリアガスを流
    通させて、黒鉛るつぼ内で生成した炭素クラスターを含
    む超微粒子を外部へ搬出し、ダストフィルタで捕集する
    請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】  不活性キャリアガスとしてHeガスを
    使用し、そのガス圧の調整により炭素クラスターC60
    /C70生成比を制御する請求項2記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004231105A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nissin Kogyo Co Ltd カップシールおよび液圧式マスタシリンダ
EP2102099A2 (en) * 2006-12-21 2009-09-23 Universidade Federal Do Pará Reactor and method for obtaining carbon material by short circuit electric current

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JP2004231105A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nissin Kogyo Co Ltd カップシールおよび液圧式マスタシリンダ
EP2102099A2 (en) * 2006-12-21 2009-09-23 Universidade Federal Do Pará Reactor and method for obtaining carbon material by short circuit electric current
EP2102099A4 (en) * 2006-12-21 2013-05-22 Univ Fed Do Para REACTOR AND METHOD FOR OBTAINING CARBON MATERIAL USING SHORT CIRCUIT ELECTRICAL CURRENT

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JP2614790B2 (ja) 1997-05-28

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