JPH043416A - 半導体素子製造装置 - Google Patents
半導体素子製造装置Info
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- JPH043416A JPH043416A JP10385590A JP10385590A JPH043416A JP H043416 A JPH043416 A JP H043416A JP 10385590 A JP10385590 A JP 10385590A JP 10385590 A JP10385590 A JP 10385590A JP H043416 A JPH043416 A JP H043416A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 13
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子製造装置、特に、半導体基板また
は絶縁性基板などの基板上に絶縁膜、電極配線膜、半導
体膜などを成膜するための成膜装置に関する。
は絶縁性基板などの基板上に絶縁膜、電極配線膜、半導
体膜などを成膜するための成膜装置に関する。
従来の基板上に上記の種々の被膜を成膜させる装置、例
えば減圧ＣＶＤ装置は、第３図（ａ）の断面図に示すよ
うに多数の半導体基板（ウェノ・−）３をローディング
したポート２を炉芯管１内に入炉し、成膜用反応ガスを
ガス導入ロアから管内に導入し、ウェハー３上に化学反
応による被膜を成膜させた後、ウェハー３を外部にとり
出し、第３図（ｂ）の部分側面図に示す膜厚測定器３５
において膜厚を測定し、その結果により膜厚を制御して
いた。
えば減圧ＣＶＤ装置は、第３図（ａ）の断面図に示すよ
うに多数の半導体基板（ウェノ・−）３をローディング
したポート２を炉芯管１内に入炉し、成膜用反応ガスを
ガス導入ロアから管内に導入し、ウェハー３上に化学反
応による被膜を成膜させた後、ウェハー３を外部にとり
出し、第３図（ｂ）の部分側面図に示す膜厚測定器３５
において膜厚を測定し、その結果により膜厚を制御して
いた。
上述した従来の成膜装置は、成膜後、膜厚測定機で膜厚
を測定してその結果を見て膜厚を制御するシステムとな
っているので、そのバッチ（−括処理単位）内の膜厚制
御はコントロール不可であり、また、そのバッチの前に
先行成膜を行い、膜厚を制御しなければならないという
欠点がある。
を測定してその結果を見て膜厚を制御するシステムとな
っているので、そのバッチ（−括処理単位）内の膜厚制
御はコントロール不可であり、また、そのバッチの前に
先行成膜を行い、膜厚を制御しなければならないという
欠点がある。
本発明の半導体素子製造装置は、成膜中の膜厚を測定す
る膜厚測定器と、指定膜厚に達っしたら成膜を停止する
制御系（膜厚コントローラ）とを備えしめて、膜厚のば
らつきを少くしている。
る膜厚測定器と、指定膜厚に達っしたら成膜を停止する
制御系（膜厚コントローラ）とを備えしめて、膜厚のば
らつきを少くしている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例（減圧ＣＶＤ装置）の概略断
面図である。第１図において、炉芯管１内にウェハー３
をローディングしたボード２を入炉し、減圧した後、成
膜用ガス導入ロアより反応ガスを導入してウェハー３上
に成膜を行うものである。未反応ガス等は排気口８から
排気される。
面図である。第１図において、炉芯管１内にウェハー３
をローディングしたボード２を入炉し、減圧した後、成
膜用ガス導入ロアより反応ガスを導入してウェハー３上
に成膜を行うものである。未反応ガス等は排気口８から
排気される。
成膜中、レーザ光による膜厚測定用センサ４および膜厚
測定器５によりウェハー３上に成膜される膜厚を測定し
、あらかじめ入力されていた所定膜厚に達っしたら、膜
厚コントローラ６の信号によりガス制御系９を作動させ
、ガスストップバルブ１０を動作させガス導入ロアへ導
入される反応ガスの導入を停止させることにより、成膜
を終了させる。
測定器５によりウェハー３上に成膜される膜厚を測定し
、あらかじめ入力されていた所定膜厚に達っしたら、膜
厚コントローラ６の信号によりガス制御系９を作動させ
、ガスストップバルブ１０を動作させガス導入ロアへ導
入される反応ガスの導入を停止させることにより、成膜
を終了させる。
第２図は本発明の第２の実施例の概略の断面図である。
本例のプラズマＣＶＤ装置の場合は、ウェハー３を台座
１２にローディングし、熱電対１８をセットしである加
熱部１４により加熱し、高周波発振器１５により、上部
電極１３とウェハー３間にプラズマを発生させ、そこに
ガス導入ロアから反応ガスを導入することにより、ウェ
ハー３上に成膜させるものである。また未反応ガス等は
排気口８から排気される。ここで、成膜中膜厚センサ４
および膜厚測定器５により、ウェハー３上の膜厚を測定
し所定膜厚に達っしたら膜厚コントローラ６の信号によ
りシーケンス制御系２２が作動し、高周波電源１５の電
源をストップリレー２４にて停止し、またガス導入ロア
から導入される反応ガスをガスストップバルブ１０にて
停止させ自動的に膜厚のコントロールを行うものである
。
１２にローディングし、熱電対１８をセットしである加
熱部１４により加熱し、高周波発振器１５により、上部
電極１３とウェハー３間にプラズマを発生させ、そこに
ガス導入ロアから反応ガスを導入することにより、ウェ
ハー３上に成膜させるものである。また未反応ガス等は
排気口８から排気される。ここで、成膜中膜厚センサ４
および膜厚測定器５により、ウェハー３上の膜厚を測定
し所定膜厚に達っしたら膜厚コントローラ６の信号によ
りシーケンス制御系２２が作動し、高周波電源１５の電
源をストップリレー２４にて停止し、またガス導入ロア
から導入される反応ガスをガスストップバルブ１０にて
停止させ自動的に膜厚のコントロールを行うものである
。
以上説明したように本発明は、成膜中の膜厚を測定し、
所定膜厚に達っしたら成膜を停止させるという膜厚自動
制御機能を有することにより、バッチ毎の膜厚管理が可
能となり、膜厚ばらつきを１０．５％から７，２％と低
減でき、膜厚のセンター管理ができるという効果がある
。また、本発明の導入により、膜厚パイロットが不要と
なり、ＴＡＴ短縮・装置の稼働率をアップできるという
効果がある。
所定膜厚に達っしたら成膜を停止させるという膜厚自動
制御機能を有することにより、バッチ毎の膜厚管理が可
能となり、膜厚ばらつきを１０．５％から７，２％と低
減でき、膜厚のセンター管理ができるという効果がある
。また、本発明の導入により、膜厚パイロットが不要と
なり、ＴＡＴ短縮・装置の稼働率をアップできるという
効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の断面図、第２図は本発明
の第２実施例の断面図、第３図（ａ）は従来の半導体素
子製造装置が含む成膜装置の断面図、同図（ｂ）は膜厚
測定器の部分側面図である。 １・・・・・・炉芯管、２・・・・・・ボート、３・・
・・・・ウェハー４・・・・・・膜厚センサ、５・・・
・・・膜厚測定器、６・・・・・・膜厚コントローラ、
７・・・・・・反応ガス導入口、８・・・・・・ガス排
気口、９・・・・・・ガス制御系、１０・・・・・・ガ
スストップバルブ、１２・・・・・・台座、１３・・・
・・・上部電極、１４・・・・・・加熱部、１５・・・
・・・高周波発振器、１８・・・・・・熱電対、２２・
・・・・・シーケンス制御系、２４・・・・・・電源ス
トップリレー 代理人 弁理士 内 原 晋
の第２実施例の断面図、第３図（ａ）は従来の半導体素
子製造装置が含む成膜装置の断面図、同図（ｂ）は膜厚
測定器の部分側面図である。 １・・・・・・炉芯管、２・・・・・・ボート、３・・
・・・・ウェハー４・・・・・・膜厚センサ、５・・・
・・・膜厚測定器、６・・・・・・膜厚コントローラ、
７・・・・・・反応ガス導入口、８・・・・・・ガス排
気口、９・・・・・・ガス制御系、１０・・・・・・ガ
スストップバルブ、１２・・・・・・台座、１３・・・
・・・上部電極、１４・・・・・・加熱部、１５・・・
・・・高周波発振器、１８・・・・・・熱電対、２２・
・・・・・シーケンス制御系、２４・・・・・・電源ス
トップリレー 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 基板上に成膜される被膜の膜厚を測定しながら成膜す
る手段と、前記膜厚が所定の膜厚に達したら自動的に前
記成膜動作を停止させる手段とを備えていることを特徴
とする半導体素子製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10385590A JPH043416A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体素子製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10385590A JPH043416A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体素子製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043416A true JPH043416A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14365061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10385590A Pending JPH043416A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体素子製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002178323A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックグリーンシートの加工装置 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10385590A patent/JPH043416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002178323A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックグリーンシートの加工装置 |
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