JPH04340869A - ガンマ補正回路 - Google Patents
ガンマ補正回路Info
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- JPH04340869A JPH04340869A JP3112702A JP11270291A JPH04340869A JP H04340869 A JPH04340869 A JP H04340869A JP 3112702 A JP3112702 A JP 3112702A JP 11270291 A JP11270291 A JP 11270291A JP H04340869 A JPH04340869 A JP H04340869A
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- transistors
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- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
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- Picture Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主としてテレビジョ
ンカメラの映像信号処理において用いられるガンマ補正
回路に関するものである。
ンカメラの映像信号処理において用いられるガンマ補正
回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、「カラービデオカメラとその使
い方」〔日本放送出版協会発行（昭和５６年７月１日第
２刷）〕において示されている従来のガンマ補正回路の
回路図であり、図において、１はトランジスタ、２ａ，
２ｂ，２ｃはダイオード、３ａ，３ｂ，３ｃは固定電位
の定電圧源、４，５，６ａ，６ｂ，６ｃは抵抗、７は電
源端子、８は入力端子、９は出力端子である。
い方」〔日本放送出版協会発行（昭和５６年７月１日第
２刷）〕において示されている従来のガンマ補正回路の
回路図であり、図において、１はトランジスタ、２ａ，
２ｂ，２ｃはダイオード、３ａ，３ｂ，３ｃは固定電位
の定電圧源、４，５，６ａ，６ｂ，６ｃは抵抗、７は電
源端子、８は入力端子、９は出力端子である。
【０００３】次に動作について説明する。トランジスタ
１はエミッタ接地増幅回路を構成しており、反転増幅動
作をする。３つのダイオード２ａ，２ｂ，２ｃはそれぞ
れカソードが前記トランジスタ１のコレクタに接続され
、各アノードは抵抗６ａ，６ｂ，６ｃをそれぞれ介して
定電圧源３ａ，３ｂ，３ｃによりバイアスされている。 以下説明のために、トランジスタ１のコレクタ電位をＶ
ｃ、定電圧源３ａ，３ｂ，３ｃの電位をそれぞれＥａ，
Ｅｂ，Ｅｃ，抵抗４，５，６ａ，６ｂ，６ｃの各抵抗値
をＲ４，Ｒ５，Ｒ６ａ，Ｒ６ｂ，Ｒ６ｃと表記し、Ｅａ
，Ｅｂ，Ｅｃは次式（１）の関係にあるものとする。 Ｅａ＜Ｅｂ＜Ｅｃ ・・・・・ （１）
１はエミッタ接地増幅回路を構成しており、反転増幅動
作をする。３つのダイオード２ａ，２ｂ，２ｃはそれぞ
れカソードが前記トランジスタ１のコレクタに接続され
、各アノードは抵抗６ａ，６ｂ，６ｃをそれぞれ介して
定電圧源３ａ，３ｂ，３ｃによりバイアスされている。 以下説明のために、トランジスタ１のコレクタ電位をＶ
ｃ、定電圧源３ａ，３ｂ，３ｃの電位をそれぞれＥａ，
Ｅｂ，Ｅｃ，抵抗４，５，６ａ，６ｂ，６ｃの各抵抗値
をＲ４，Ｒ５，Ｒ６ａ，Ｒ６ｂ，Ｒ６ｃと表記し、Ｅａ
，Ｅｂ，Ｅｃは次式（１）の関係にあるものとする。 Ｅａ＜Ｅｂ＜Ｅｃ ・・・・・ （１）
【００
０４】トランジスタ１のコレクタ電位Ｖｃが次式（２）
の範囲であるとする。 Ｖｃ＞Ｅｃ ・・・・ （２
）この場合、すべてのダイオード２ａ，２ｂ，２ｃは遮
断状態になっており、回路ゲイン（Ｇｏと表記する）は
抵抗４，５により決定され次式（３）となる。 Ｇｏ＝Ｒ４／Ｒ５ ・・・・ （３）
０４】トランジスタ１のコレクタ電位Ｖｃが次式（２）
の範囲であるとする。 Ｖｃ＞Ｅｃ ・・・・ （２
）この場合、すべてのダイオード２ａ，２ｂ，２ｃは遮
断状態になっており、回路ゲイン（Ｇｏと表記する）は
抵抗４，５により決定され次式（３）となる。 Ｇｏ＝Ｒ４／Ｒ５ ・・・・ （３）
【０
００５】次に、トランジスタ１のコレクタ電位Ｖｃが次
式（４）の範囲であるとする。 Ｅｂ＜Ｖｃ＜Ｅｃ ・・・・ （４）この
場合、ダイオード２ａ，２ｂは遮断状態でダイオード２
ｃは導通状態となる。回路ゲイン（Ｇｃと表記する）は
抵抗４と抵抗６ｃの並列接続値（Ｒ４／／Ｒ６ｃと表記
する）と抵抗５により決定され次式（５）となる。 Ｇｃ＝（Ｒ４／／Ｒ６ｃ）／Ｒ５ ・・・・
（５）
００５】次に、トランジスタ１のコレクタ電位Ｖｃが次
式（４）の範囲であるとする。 Ｅｂ＜Ｖｃ＜Ｅｃ ・・・・ （４）この
場合、ダイオード２ａ，２ｂは遮断状態でダイオード２
ｃは導通状態となる。回路ゲイン（Ｇｃと表記する）は
抵抗４と抵抗６ｃの並列接続値（Ｒ４／／Ｒ６ｃと表記
する）と抵抗５により決定され次式（５）となる。 Ｇｃ＝（Ｒ４／／Ｒ６ｃ）／Ｒ５ ・・・・
（５）
【０００６】次に、トランジスタ１のコレクタ電位Ｖｃ
が次式（６）の範囲であるとする。 Ｅａ＜Ｖｃ＜Ｅｂ ・・・・ （６）この
場合、ダイオード２ａは遮断状態でダイオード２ｂ，２
ｃは導通状態となる。回路ゲイン（Ｇｂと表記する）は
抵抗４と抵抗６ｂと抵抗６ｃの並列接続値（Ｒ４／／Ｒ
６ｂ／／Ｒ６ｃと表記する）と抵抗５により決定され次
式（７）となる。 Ｇｂ＝（Ｒ４／／Ｒ６ｂ／／Ｒ６ｃ）／Ｒ５ ・・・
・ （７）
が次式（６）の範囲であるとする。 Ｅａ＜Ｖｃ＜Ｅｂ ・・・・ （６）この
場合、ダイオード２ａは遮断状態でダイオード２ｂ，２
ｃは導通状態となる。回路ゲイン（Ｇｂと表記する）は
抵抗４と抵抗６ｂと抵抗６ｃの並列接続値（Ｒ４／／Ｒ
６ｂ／／Ｒ６ｃと表記する）と抵抗５により決定され次
式（７）となる。 Ｇｂ＝（Ｒ４／／Ｒ６ｂ／／Ｒ６ｃ）／Ｒ５ ・・・
・ （７）
【０００７】最後に、トランジスタ１のコレクタ電位Ｖ
ｃが次式（８）の範囲であるとする。 Ｖｃ＝Ｅａ ・・・・ （８）この場合、
すべてのダイオード２ａ，２ｂ，２ｃは導通状態となる
。回路ゲイン（Ｇａと表記する）は抵抗４と抵抗６ａと
抵抗６ｂと抵抗６ｃの並列接続値（Ｒ４／／Ｒ６ａ／／
Ｒ６ｂ／／Ｒ６ｃと表記する）と抵抗５により決定され
次式（９）となる。 Ｇａ＝（Ｒ４／／Ｒ６ａ／／Ｒ６
ｂ／／Ｒ６ｃ）／Ｒ５ ・・（９）
ｃが次式（８）の範囲であるとする。 Ｖｃ＝Ｅａ ・・・・ （８）この場合、
すべてのダイオード２ａ，２ｂ，２ｃは導通状態となる
。回路ゲイン（Ｇａと表記する）は抵抗４と抵抗６ａと
抵抗６ｂと抵抗６ｃの並列接続値（Ｒ４／／Ｒ６ａ／／
Ｒ６ｂ／／Ｒ６ｃと表記する）と抵抗５により決定され
次式（９）となる。 Ｇａ＝（Ｒ４／／Ｒ６ａ／／Ｒ６
ｂ／／Ｒ６ｃ）／Ｒ５ ・・（９）
【０００８】横軸
を入力信号振幅レベル、縦軸を反転出力信号振幅レベル
にして上記の回路ゲインの変化を示すと、図５のように
なる。図において、Ｖｉｃ，Ｖｉｂ，Ｖｉａはトランジ
スタ１のコレクタ電位Ｖｃが２、４、６、８式で示され
る範囲を移行する電位となる入力信号振幅レベルを表し
、Ｖｏｃ，Ｖｏｂ，Ｖｏａは入力信号振幅レベルがＶｉ
ｃ，Ｖｉｂ，Ｖｉａであるときの反転出力信号振幅レベ
ルを示している。各折れ線の傾き（ｔａｎ−１（θｋ）
＝Ｇｋ，ｋ＝ｏ，ｃ，ｂ，ａ）が回路のゲインであり、
入力信号振幅レベルに応じて回路ゲインの変化するガン
マ補正が行われることがわかる。
を入力信号振幅レベル、縦軸を反転出力信号振幅レベル
にして上記の回路ゲインの変化を示すと、図５のように
なる。図において、Ｖｉｃ，Ｖｉｂ，Ｖｉａはトランジ
スタ１のコレクタ電位Ｖｃが２、４、６、８式で示され
る範囲を移行する電位となる入力信号振幅レベルを表し
、Ｖｏｃ，Ｖｏｂ，Ｖｏａは入力信号振幅レベルがＶｉ
ｃ，Ｖｉｂ，Ｖｉａであるときの反転出力信号振幅レベ
ルを示している。各折れ線の傾き（ｔａｎ−１（θｋ）
＝Ｇｋ，ｋ＝ｏ，ｃ，ｂ，ａ）が回路のゲインであり、
入力信号振幅レベルに応じて回路ゲインの変化するガン
マ補正が行われることがわかる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のガンマ補正回路
は以上のように構成されているので、エミッタ接地増幅
回路で動作するトランジスタのコレクタに多くの素子が
接続されており、その素子に寄生する容量のために信号
の高周波成分が減衰してしまい、より正確な補正をする
ために折れ線の数を増せば増す程、周波数特性が悪化す
るという問題であった。
は以上のように構成されているので、エミッタ接地増幅
回路で動作するトランジスタのコレクタに多くの素子が
接続されており、その素子に寄生する容量のために信号
の高周波成分が減衰してしまい、より正確な補正をする
ために折れ線の数を増せば増す程、周波数特性が悪化す
るという問題であった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、信号の高周波成分の減衰が少な
く、正確な補正のために折れ線の数を増やしても周波数
特性の少ないガンマ補正回路を得ることを目的とする。
ためになされたもので、信号の高周波成分の減衰が少な
く、正確な補正のために折れ線の数を増やしても周波数
特性の少ないガンマ補正回路を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るガンマ補
正回路は、信号を入力するバッファ回路と該バッファ回
路に接続される複数個のベース接地増幅回路を設け、前
記複数個のベース接地増幅回路のトランジスタのコレク
タおよびベースはそれぞれ共通に接続して動作させると
ともに、入力信号が増大するにつれて前記複数個のベー
ス接地増幅回路の各トランジスタが順次遮断するように
したものである。
正回路は、信号を入力するバッファ回路と該バッファ回
路に接続される複数個のベース接地増幅回路を設け、前
記複数個のベース接地増幅回路のトランジスタのコレク
タおよびベースはそれぞれ共通に接続して動作させると
ともに、入力信号が増大するにつれて前記複数個のベー
ス接地増幅回路の各トランジスタが順次遮断するように
したものである。
【００１２】
【作用】この発明における複数個のベース接地増幅回路
を構成するトランジスタは、入力信号のレベルに応じて
順次遮断し、また、すべてのトランジスタのコレクタが
共通に接続されているのでベース接地増幅回路全体のゲ
インが変化する。
を構成するトランジスタは、入力信号のレベルに応じて
順次遮断し、また、すべてのトランジスタのコレクタが
共通に接続されているのでベース接地増幅回路全体のゲ
インが変化する。
【００１３】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１０，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，
はトランジスタ、１２，１３，１４，１５，１６ａ，１
６ｂ，１６ｃは抵抗、１７ａ，１７ｂ，１７ｃは一定の
電流を流す定電流源である。
する。図１において、１０，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，
はトランジスタ、１２，１３，１４，１５，１６ａ，１
６ｂ，１６ｃは抵抗、１７ａ，１７ｂ，１７ｃは一定の
電流を流す定電流源である。
【００１４】トランジスタ１０は抵抗１２とともにエミ
ッタフォロワ回路を構成しておりバッファとして動作す
る。トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃは何れもベー
ス接地回路を構成しており、各トランジスタ１１ａ，１
１ｂ，１１ｃは、それぞれのエミッタに接続されている
定電流源１７ａ，１７ｂ，１７ｃにより動作する。また
、トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃのベースは抵抗
１３および抵抗１４により電源電圧を分圧した電位に固
定されており、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１
１ｃのコレクタはすべて抵抗１５を介して電源に接続さ
れている。３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
の各エミッタは、それぞれ抵抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃ
を介して前記トランジスタ１０によるエミッタフォロワ
回路に接続されている。
ッタフォロワ回路を構成しておりバッファとして動作す
る。トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃは何れもベー
ス接地回路を構成しており、各トランジスタ１１ａ，１
１ｂ，１１ｃは、それぞれのエミッタに接続されている
定電流源１７ａ，１７ｂ，１７ｃにより動作する。また
、トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃのベースは抵抗
１３および抵抗１４により電源電圧を分圧した電位に固
定されており、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１
１ｃのコレクタはすべて抵抗１５を介して電源に接続さ
れている。３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
の各エミッタは、それぞれ抵抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃ
を介して前記トランジスタ１０によるエミッタフォロワ
回路に接続されている。
【００１５】回路動作の説明のために、抵抗１５，１６
ａ，１６ｂ，１６ｃの抵抗値をそれぞれＲ１５，Ｒ１６
ａ，Ｒ１６ｂ，Ｒ１６ｃ、トランジスタ１０のエミッタ
電位をＶ Ｅｏ、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，
１１ｃの各エミッタ電位をＶ Ｅａ，Ｖ Ｅｂ，Ｖ Ｅ
ｃ、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに流れ
る電位をＩ Ｃａ，Ｉ Ｃｂ，Ｉ Ｃｃ、抵抗１５，１
６ａ，１６ｂ，１６ｃに流れる電流をＩ Ｏ，Ｉ Ｒａ
，Ｉ Ｒｂ，Ｉ Ｒｃ、３つの定電流源１７ａ，１７ｂ
，１７ｃに流れ込む電流をＩａ，Ｉｂ，Ｉｃ、電源端子
７に印加される電源電圧をＶｐと表記する。
ａ，１６ｂ，１６ｃの抵抗値をそれぞれＲ１５，Ｒ１６
ａ，Ｒ１６ｂ，Ｒ１６ｃ、トランジスタ１０のエミッタ
電位をＶ Ｅｏ、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，
１１ｃの各エミッタ電位をＶ Ｅａ，Ｖ Ｅｂ，Ｖ Ｅ
ｃ、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに流れ
る電位をＩ Ｃａ，Ｉ Ｃｂ，Ｉ Ｃｃ、抵抗１５，１
６ａ，１６ｂ，１６ｃに流れる電流をＩ Ｏ，Ｉ Ｒａ
，Ｉ Ｒｂ，Ｉ Ｒｃ、３つの定電流源１７ａ，１７ｂ
，１７ｃに流れ込む電流をＩａ，Ｉｂ，Ｉｃ、電源端子
７に印加される電源電圧をＶｐと表記する。
【００１６】次に動作について説明する。３つの抵抗１
６ａ，１６ｂ，１６ｃの両端の電圧をそれぞれ△Ｖ Ｅ
ａ，△Ｖ Ｅｂ，△Ｖ Ｅｃと表記するとトランジスタ
１０のエミッタ電位Ｖ Ｅｏと３つのトランジスタ１１
ａ，１１ｂ，１１ｃの各エミッタ電位Ｖ Ｅａ，Ｖ Ｅ
ｂ，Ｖ Ｅｃにより下式（１０）、（１１）、（１２）
のように表せる。 △Ｖ Ｅａ＝Ｖ Ｅｏ−Ｖ Ｅａ ・・・・
（１０）△Ｖ Ｅｂ＝Ｖ Ｅｏ−Ｖ Ｅｂ
・・・・ （１１）△Ｖ Ｅｃ＝Ｖ Ｅ
ｏ−Ｖ Ｅｃ ・・・・ （１２）こ
こで３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃは同一
の特性をもち、また、流れる電流によるベース、エミッ
タ間の電圧の変化が無視できるものとすると、各トラン
ジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃのエミッタ電位はほぼ等
しくなるので、上式（１０）、（１１）、（１２）の△
Ｖ Ｅａ，△Ｖ Ｅｂ，△ＶＥｃは△Ｖ Ｅとして代表
することができる。 △Ｖ Ｅ＝△Ｖ Ｅａ＝△Ｖ Ｅ
ｂ＝△Ｖ Ｅｃ ・・・・ （１３）これより、抵
抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃに流れる電流Ｉ Ｒａ，Ｉ
Ｒｂ，Ｉ Ｒｃは下式（１４）、（１５）、（１６）と
なる。 Ｉ Ｒａ＝△Ｖ Ｅａ／Ｒ１６ａ
＝△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ａ ・・・（１４）
Ｉ Ｒｂ＝△Ｖ Ｅｂ／Ｒ１６ｂ＝△Ｖ Ｅ／
Ｒ１６ｂ ・・・（１５） Ｉ
Ｒｃ＝△Ｖ Ｅｃ／Ｒ１６ｃ＝△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ｃ
・・・（１６）そして３つのトランジスタ１１ａ，１１
ｂ，１１ｃに流れる電流Ｉ Ｃａ，Ｉ Ｃｂ，Ｉ Ｃｃ
は下式（１７）、（１８）、（１９）となる。 Ｉｃａ＝Ｉａ−Ｉ Ｒａ＝Ｉａ−
△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ａ ・・・（１７）
Ｉｃｂ＝Ｉｂ−Ｉ Ｒｂ＝Ｉｂ−△Ｖ Ｅ／Ｒ１
６ｂ ・・・（１８） Ｉｃｃ＝
Ｉｃ−Ｉ Ｒｃ＝Ｉｃ−△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ｃ ・・・
（１９）抵抗１５に流れる電流Ｉ Ｏは３つのトランジ
スタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに流れる電流Ｉｃａ，Ｉｃ
ｂ，Ｉｃｃの和である。 Ｉ ｏ＝Ｉｃａ＋Ｉｃｂ＋Ｉｃｃ
＝（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）
−△Ｖ Ｅ（１／Ｒ１６ａ＋１／Ｒ１６ｂ＋１
／Ｒ１６ｃ）
・・・ （２０）３つの抵
抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃの並列接続値をＲ１６ａ／／
Ｒ１６ｂ／／Ｒ１６ｃとして表記すると下式（２１）に
なる。 Ｉ ｏ＝（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）
−△Ｖ Ｅ／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ）・・（２１）これより出力端子９の電位は下式
（２２）で表される。 Ｖｏｕｔ＝Ｖｐ−Ｉ Ｏ×Ｒ１５
＝（Ｖｐ−（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）
×Ｒ１５） ＋△Ｖ
Ｅ×Ｒ１５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／
Ｒ
１６ｃ） ・・・・ （２２）上式は
入力信号レベルの変化、等価的に△Ｖ Ｅの変化がＲ１
５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／Ｒ１６ｃ）倍になって
出力に現われることを意味し、回路ゲイン（Ｇ３と表記
する）は次式（２３）になる。 Ｇ３＝Ｒ１５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／
／Ｒ１６ｃ）・・（２３）
６ａ，１６ｂ，１６ｃの両端の電圧をそれぞれ△Ｖ Ｅ
ａ，△Ｖ Ｅｂ，△Ｖ Ｅｃと表記するとトランジスタ
１０のエミッタ電位Ｖ Ｅｏと３つのトランジスタ１１
ａ，１１ｂ，１１ｃの各エミッタ電位Ｖ Ｅａ，Ｖ Ｅ
ｂ，Ｖ Ｅｃにより下式（１０）、（１１）、（１２）
のように表せる。 △Ｖ Ｅａ＝Ｖ Ｅｏ−Ｖ Ｅａ ・・・・
（１０）△Ｖ Ｅｂ＝Ｖ Ｅｏ−Ｖ Ｅｂ
・・・・ （１１）△Ｖ Ｅｃ＝Ｖ Ｅ
ｏ−Ｖ Ｅｃ ・・・・ （１２）こ
こで３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃは同一
の特性をもち、また、流れる電流によるベース、エミッ
タ間の電圧の変化が無視できるものとすると、各トラン
ジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃのエミッタ電位はほぼ等
しくなるので、上式（１０）、（１１）、（１２）の△
Ｖ Ｅａ，△Ｖ Ｅｂ，△ＶＥｃは△Ｖ Ｅとして代表
することができる。 △Ｖ Ｅ＝△Ｖ Ｅａ＝△Ｖ Ｅ
ｂ＝△Ｖ Ｅｃ ・・・・ （１３）これより、抵
抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃに流れる電流Ｉ Ｒａ，Ｉ
Ｒｂ，Ｉ Ｒｃは下式（１４）、（１５）、（１６）と
なる。 Ｉ Ｒａ＝△Ｖ Ｅａ／Ｒ１６ａ
＝△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ａ ・・・（１４）
Ｉ Ｒｂ＝△Ｖ Ｅｂ／Ｒ１６ｂ＝△Ｖ Ｅ／
Ｒ１６ｂ ・・・（１５） Ｉ
Ｒｃ＝△Ｖ Ｅｃ／Ｒ１６ｃ＝△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ｃ
・・・（１６）そして３つのトランジスタ１１ａ，１１
ｂ，１１ｃに流れる電流Ｉ Ｃａ，Ｉ Ｃｂ，Ｉ Ｃｃ
は下式（１７）、（１８）、（１９）となる。 Ｉｃａ＝Ｉａ−Ｉ Ｒａ＝Ｉａ−
△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ａ ・・・（１７）
Ｉｃｂ＝Ｉｂ−Ｉ Ｒｂ＝Ｉｂ−△Ｖ Ｅ／Ｒ１
６ｂ ・・・（１８） Ｉｃｃ＝
Ｉｃ−Ｉ Ｒｃ＝Ｉｃ−△Ｖ Ｅ／Ｒ１６ｃ ・・・
（１９）抵抗１５に流れる電流Ｉ Ｏは３つのトランジ
スタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに流れる電流Ｉｃａ，Ｉｃ
ｂ，Ｉｃｃの和である。 Ｉ ｏ＝Ｉｃａ＋Ｉｃｂ＋Ｉｃｃ
＝（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）
−△Ｖ Ｅ（１／Ｒ１６ａ＋１／Ｒ１６ｂ＋１
／Ｒ１６ｃ）
・・・ （２０）３つの抵
抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃの並列接続値をＲ１６ａ／／
Ｒ１６ｂ／／Ｒ１６ｃとして表記すると下式（２１）に
なる。 Ｉ ｏ＝（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）
−△Ｖ Ｅ／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ）・・（２１）これより出力端子９の電位は下式
（２２）で表される。 Ｖｏｕｔ＝Ｖｐ−Ｉ Ｏ×Ｒ１５
＝（Ｖｐ−（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）
×Ｒ１５） ＋△Ｖ
Ｅ×Ｒ１５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／
Ｒ
１６ｃ） ・・・・ （２２）上式は
入力信号レベルの変化、等価的に△Ｖ Ｅの変化がＲ１
５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／Ｒ１６ｃ）倍になって
出力に現われることを意味し、回路ゲイン（Ｇ３と表記
する）は次式（２３）になる。 Ｇ３＝Ｒ１５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／
／Ｒ１６ｃ）・・（２３）
【００１７】上記説明では３
つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに流れる電流
が０でない、即ち何れのトランジスタも遮断状態にない
場合を考えたが、次に３つのトランジスタ１１ａ，１１
ｂ，１１ｃが順次遮断する場合について考える。入力信
号が増大し△Ｖ Ｅが大きくなるにつれて（１７）、（
１８）、（１９）式に示されるＩ Ｃａ、Ｉ Ｃｂ、Ｉ
Ｃｃが順次０になるように３つの定電流源１７ａ，１
７ｂ，１７ｃに流れ込む電流Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃが設定さ
れているとする。まず最初にトランジスタ１１ａが遮断
し、Ｉ Ｃａ＝０となった場合上記（２１）、（２２）
式はそれぞれ次式（２４）、（２５）となる。 Ｉ ｏ＝（Ｉｂ＋Ｉｃ）−△Ｖ Ｅ／（Ｒ
１６ｂ／／Ｒ１６ｃ）・・（２４） Ｖｏｕ
ｔ＝（Ｖｐ−（Ｉｂ＋Ｉｃ）×Ｒ１５）
＋△Ｖ Ｅ×Ｒ１５／（Ｒ１６ｂ／
／Ｒ１６ｃ）・・ （２５）上式（２５）よりこの場
合の回路ゲイン（Ｇ２と表記する）は下式（２６）にな
ることがわかる。 Ｇ２＝Ｒ１５／（Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ） ・・・ （２６）次に、２つのトランジ
スタ１１ａ，１１ｂが遮断した場合は、トランジスタ１
１ｃによるベース接地増幅回路だけを考えればよいので
、回路ゲイン（Ｇ１と表記する）は下式（２７）となる
。 Ｇ１＝Ｒ１５／Ｒ１６ｃ ・・・・
（２７）
つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに流れる電流
が０でない、即ち何れのトランジスタも遮断状態にない
場合を考えたが、次に３つのトランジスタ１１ａ，１１
ｂ，１１ｃが順次遮断する場合について考える。入力信
号が増大し△Ｖ Ｅが大きくなるにつれて（１７）、（
１８）、（１９）式に示されるＩ Ｃａ、Ｉ Ｃｂ、Ｉ
Ｃｃが順次０になるように３つの定電流源１７ａ，１
７ｂ，１７ｃに流れ込む電流Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃが設定さ
れているとする。まず最初にトランジスタ１１ａが遮断
し、Ｉ Ｃａ＝０となった場合上記（２１）、（２２）
式はそれぞれ次式（２４）、（２５）となる。 Ｉ ｏ＝（Ｉｂ＋Ｉｃ）−△Ｖ Ｅ／（Ｒ
１６ｂ／／Ｒ１６ｃ）・・（２４） Ｖｏｕ
ｔ＝（Ｖｐ−（Ｉｂ＋Ｉｃ）×Ｒ１５）
＋△Ｖ Ｅ×Ｒ１５／（Ｒ１６ｂ／
／Ｒ１６ｃ）・・ （２５）上式（２５）よりこの場
合の回路ゲイン（Ｇ２と表記する）は下式（２６）にな
ることがわかる。 Ｇ２＝Ｒ１５／（Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ） ・・・ （２６）次に、２つのトランジ
スタ１１ａ，１１ｂが遮断した場合は、トランジスタ１
１ｃによるベース接地増幅回路だけを考えればよいので
、回路ゲイン（Ｇ１と表記する）は下式（２７）となる
。 Ｇ１＝Ｒ１５／Ｒ１６ｃ ・・・・
（２７）
【００１８】このように、３つの定電流源の電
流を適切に設定することにより、入力信号レベルに応じ
て増幅率を変化させることができ、ガンマ補正回路を実
現できる。図２にガンマ回路の入出力振幅特性を示した
。図２において、Ｖｉ１，Ｖｉ２はそれぞれ回路ゲイン
が変化する入力信号レベルを表しており、回路ゲインは
各折れ線の傾き（ｔａｎ−１（θｋ）＝Ｇｋ，ｋ＝１，
２，３）である。そして、定電流源１７ａの電流Ｉａは
入力信号レベルがＶｉ２のときにトランジスタ１１ａに
流れる電流Ｉ Ｃａが０となるように設定され、定電流
源１７ｂの電流Ｉｂは入力信号レベルがＶｉ１のときに
トランジスタ１１ｂに流れる電流Ｉ Ｃｂが０となるよ
うに設定されている。
流を適切に設定することにより、入力信号レベルに応じ
て増幅率を変化させることができ、ガンマ補正回路を実
現できる。図２にガンマ回路の入出力振幅特性を示した
。図２において、Ｖｉ１，Ｖｉ２はそれぞれ回路ゲイン
が変化する入力信号レベルを表しており、回路ゲインは
各折れ線の傾き（ｔａｎ−１（θｋ）＝Ｇｋ，ｋ＝１，
２，３）である。そして、定電流源１７ａの電流Ｉａは
入力信号レベルがＶｉ２のときにトランジスタ１１ａに
流れる電流Ｉ Ｃａが０となるように設定され、定電流
源１７ｂの電流Ｉｂは入力信号レベルがＶｉ１のときに
トランジスタ１１ｂに流れる電流Ｉ Ｃｂが０となるよ
うに設定されている。
【００１９】実施例２．上記実施例では３つのトランジ
スタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃのエミッタに定電流源１７
ａ，１７ｂ，１７ｃをそれぞれ接続したものを示したが
、定電流源の代わりに抵抗を用いてもその抵抗値を適切
に設定すればよく、その例を図３に示した。図３におい
て１８ａ，１８ｂ，１８ｃは抵抗で、その値をＲ１８ａ
，Ｒ１８ｂ，Ｒ１８ｃ、流れる電流をＩ Ｅａ，Ｉ Ｅ
ｂ，Ｉ Ｅｃと表記する。
スタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃのエミッタに定電流源１７
ａ，１７ｂ，１７ｃをそれぞれ接続したものを示したが
、定電流源の代わりに抵抗を用いてもその抵抗値を適切
に設定すればよく、その例を図３に示した。図３におい
て１８ａ，１８ｂ，１８ｃは抵抗で、その値をＲ１８ａ
，Ｒ１８ｂ，Ｒ１８ｃ、流れる電流をＩ Ｅａ，Ｉ Ｅ
ｂ，Ｉ Ｅｃと表記する。
【００２０】３つの抵抗１８ａ，１８ｂ，１８ｃに流れ
る電流Ｉ Ｅａ，Ｉ Ｅｂ，Ｉ Ｅｃはそれぞれ下式（
２８）、（２９）、（３０）で求まる。 Ｉ Ｅａ＝Ｖ Ｅａ／Ｒ１８ａ
・・・・ （２８）
Ｉ Ｅｂ＝Ｖ Ｅｂ／Ｒ１８ｂ ・
・・・ （２９） Ｉ
Ｅｃ＝Ｖ Ｅｃ／Ｒ１８ｃ ・・・・
（３０）回路ゲインを求めるには上記実施例１．
における３つの定電流源１７ａ，１７ｂ，１７ｃの電流
Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃの代わりに上記（２８）、（２９）、
（３０）式で示される３つの抵抗１８ａ，１８ｂ，１８
ｃに流れる電流Ｉ Ｅａ，Ｉ Ｅｂ，Ｉ Ｅｃを用いれ
ばよく、その結果は実施例１．と同様になることは明ら
かで、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに電
流が流れている場合の回路ゲインＧ３は前記（２３）式
になる。Ｇ３＝Ｒ１５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ）・・（２３）入力信号のレベルが上がり次式（
３１）が満たされたときトランジスタ１１ａに流れる電
流Ｉ Ｃａは０となり、トランジスタ１１ａが遮断する
。 Ｉ Ｒａ＝（Ｖ Ｅｏ−Ｖ Ｅａ
）／Ｒ１６ａ ＝△Ｖ
Ｅ／Ｒ１６ａ ＝Ｖ
Ｅａ／Ｒ１８ａ＝Ｉ Ｅａ ・・・・
（３１）このときの回路ゲインＧ２は、下式（２６
）に示した実施例１．と同様に３つの抵抗Ｒ１５，Ｒ１
６ｂ，Ｒ１６ｃにより決定される。 Ｇ２＝Ｒ１５／（Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ） ・・・・ （２６）２つのトランジスタ
例えばトランジスタ１１ａ，１１ｂが遮断した場合も、
前記実施例１．の場合と同様に抵抗Ｒ１５と動作してい
るトランジスタ１１ｃに接続されている抵抗Ｒ１６ｃで
回路ゲインＧ１が決まる。 Ｇ１＝Ｒ１５／Ｒ１６ｃ ・・・・
（２７）
る電流Ｉ Ｅａ，Ｉ Ｅｂ，Ｉ Ｅｃはそれぞれ下式（
２８）、（２９）、（３０）で求まる。 Ｉ Ｅａ＝Ｖ Ｅａ／Ｒ１８ａ
・・・・ （２８）
Ｉ Ｅｂ＝Ｖ Ｅｂ／Ｒ１８ｂ ・
・・・ （２９） Ｉ
Ｅｃ＝Ｖ Ｅｃ／Ｒ１８ｃ ・・・・
（３０）回路ゲインを求めるには上記実施例１．
における３つの定電流源１７ａ，１７ｂ，１７ｃの電流
Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃの代わりに上記（２８）、（２９）、
（３０）式で示される３つの抵抗１８ａ，１８ｂ，１８
ｃに流れる電流Ｉ Ｅａ，Ｉ Ｅｂ，Ｉ Ｅｃを用いれ
ばよく、その結果は実施例１．と同様になることは明ら
かで、３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃに電
流が流れている場合の回路ゲインＧ３は前記（２３）式
になる。Ｇ３＝Ｒ１５／（Ｒ１６ａ／／Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ）・・（２３）入力信号のレベルが上がり次式（
３１）が満たされたときトランジスタ１１ａに流れる電
流Ｉ Ｃａは０となり、トランジスタ１１ａが遮断する
。 Ｉ Ｒａ＝（Ｖ Ｅｏ−Ｖ Ｅａ
）／Ｒ１６ａ ＝△Ｖ
Ｅ／Ｒ１６ａ ＝Ｖ
Ｅａ／Ｒ１８ａ＝Ｉ Ｅａ ・・・・
（３１）このときの回路ゲインＧ２は、下式（２６
）に示した実施例１．と同様に３つの抵抗Ｒ１５，Ｒ１
６ｂ，Ｒ１６ｃにより決定される。 Ｇ２＝Ｒ１５／（Ｒ１６ｂ／／Ｒ
１６ｃ） ・・・・ （２６）２つのトランジスタ
例えばトランジスタ１１ａ，１１ｂが遮断した場合も、
前記実施例１．の場合と同様に抵抗Ｒ１５と動作してい
るトランジスタ１１ｃに接続されている抵抗Ｒ１６ｃで
回路ゲインＧ１が決まる。 Ｇ１＝Ｒ１５／Ｒ１６ｃ ・・・・
（２７）
【００２１】このように３つの定電流源１７ａ
，１７ｂ，１７ｃを３つの抵抗１８ａ，１８ｂ，１８ｃ
に置き換えても、その抵抗値を適切に設定することによ
り３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが入力信
号のレベルに応じて順次遮断し回路ゲインを変化させガ
ンマ補正回路を実現できる。
，１７ｂ，１７ｃを３つの抵抗１８ａ，１８ｂ，１８ｃ
に置き換えても、その抵抗値を適切に設定することによ
り３つのトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが入力信
号のレベルに応じて順次遮断し回路ゲインを変化させガ
ンマ補正回路を実現できる。
【００２２】実施例３．なお、上記実施例では、ベース
接地増幅回路を構成するトランジスタが３つの場合を示
したが、勿論３つに限られるものではなく、必要な折れ
線の数に合わせて２つでも、４つ以上でもかまわない。
接地増幅回路を構成するトランジスタが３つの場合を示
したが、勿論３つに限られるものではなく、必要な折れ
線の数に合わせて２つでも、４つ以上でもかまわない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、信号
を入力するバッファ回路と該バッファ回路に接続される
複数個のベース接地増幅回路を設け、前記複数個のベー
ス接地増幅回路のトランジスタのコレクタおよびベース
はそれぞれ共通に接続して動作させるとともに、入力信
号が増大するにつれて前記複数個のベース接地増幅回路
の各トランジスタが順次遮断し、回路全体のゲインが入
力信号のレベルに応じて変化するように構成しており、
増幅動作はベース接地増幅回路を用いているのでトラン
ジスタのベース、コレクタ間の帰還容量による高周波成
分の減衰がなく、また、複数個のベース接地増幅回路の
トランジスタのコレクタは唯一の抵抗に共通に接続され
ているので、正確なガンマ補正のために折れ線の数を増
やしても周波数特性の悪化が少ないという効果がある。
を入力するバッファ回路と該バッファ回路に接続される
複数個のベース接地増幅回路を設け、前記複数個のベー
ス接地増幅回路のトランジスタのコレクタおよびベース
はそれぞれ共通に接続して動作させるとともに、入力信
号が増大するにつれて前記複数個のベース接地増幅回路
の各トランジスタが順次遮断し、回路全体のゲインが入
力信号のレベルに応じて変化するように構成しており、
増幅動作はベース接地増幅回路を用いているのでトラン
ジスタのベース、コレクタ間の帰還容量による高周波成
分の減衰がなく、また、複数個のベース接地増幅回路の
トランジスタのコレクタは唯一の抵抗に共通に接続され
ているので、正確なガンマ補正のために折れ線の数を増
やしても周波数特性の悪化が少ないという効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示す回路図である。
【図２】この発明の実施例１の入出力振幅間の関係を示
す図である。
す図である。
【図３】この発明の実施例２を示す回路図である。
【図４】従来のガンマ補正回路を示す回路図である。
【図５】従来のガンマ補正回路の入出力振幅間の関係を
示す図である。
示す図である。
１０ トランジスタ
１１ａ トランジスタ
１１ｂ トランジスタ
１１ｃ トランジスタ
１２ 抵抗
１３ 抵抗
１４ 抵抗
１５ 抵抗
１６ａ 抵抗
１６ｂ 抵抗
１６ｃ 抵抗
１７ａ 定電流源
１７ｂ 定電流源
１７ｃ 定電流源
１８ａ 抵抗
１８ｂ 抵抗
１８ｃ 抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 信号を入力するバッファ回路と、該バ
ッファ回路に接続される複数個のベース接地増幅回路を
有し、前記複数個のベース接地増幅回路の各トランジス
タのコレクタをすべて共通に接続するとともに、前記複
数個のベース接地増幅回路の各トランジスタのベースを
すべて共通に固定電位に接続し、入力信号が増大するに
つれて前記複数個のベース接地増幅回路の各トランジス
タが順次遮断するように、各トランジスタに流れる電流
を設定したことを特徴とするガンマ補正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112702A JPH04340869A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ガンマ補正回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112702A JPH04340869A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ガンマ補正回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340869A true JPH04340869A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14593365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3112702A Pending JPH04340869A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ガンマ補正回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340869A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004500757A (ja) * | 1999-12-01 | 2004-01-08 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | 非線形プロセッサ |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3112702A patent/JPH04340869A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004500757A (ja) * | 1999-12-01 | 2004-01-08 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | 非線形プロセッサ |
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