JPH04340781A - 光変調波長変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光変調波長変換素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】波長変換素子として知られるＳＨＧ素子
は、非線形光学効果を利用して、波長λのレーザー光か
ら波長λ／２の第２高調波を発生させる光学素子である
。このような第２高調波を用いると、例えば光ディスク
等の光情報記録媒体における情報の記録密度を飛躍的に
高めることができるため、近来活発な開発が行われてお
り、３次元導波路型のものも種々のものが知られている
（例えば、特開昭６３−４４７８１号公報）。

【０００３】第２高調波により情報記録や情報処理を行
うためには第２高調波自体の変調が必要であり、第２高
調波の発生と変調とを同一の素子で行うことができれば
極めて便利であるが、従来このような素子は実現されて
いない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこでこの発明は、第
２高調波の発生・変調を同一素子において実行できる、
光変調波長変換素子の提供を目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明の光変調波長変
換素子は「高調波発生手段と光変調手段とを同一の基板
に一体化して」構成される。

【０００６】「高調波発生手段」は、基本波レーザー光
を導波される３次元導波路を有し、基本波レーザー光か
ら第２高調波を発生させる。

【０００７】「光変調手段」は、３次元導波路に導波さ
れる基本波レーザー光に対してＴＥ−ＴＭモード間のモ
ード変換を行うことにより第２高調波の変調を行う。

【０００８】この光変調手段は、基本波レーザー光の波
長をλ、３次元導波路におけるＴＥ及びＴＭモードの等
価屈折率をそれぞれＮｔｅおよびＮｔｍとするとき、「
３次元導波路中の導波方向に、 ｆ＝ｖ・｜Ｎｔｅ−Ｎｔｍ｜／λ なる関係を満足する周波数：ｆ、位相速度：ｖで導波光
の導波方向と同方向へ伝搬する表面弾性波を発生させる
トランスデューサー」である。

【０００９】第２高調波の発生の際には、基本波と第２
高調波との位相整合を行う必要があるが、この位相整合
は専用の位相整合手段を用いて行うこともできるし、基
板の選択により行うこともできる。

【００１０】即ち、請求項２の発明のように「３次元導
波路における、基本波レーザー光に対する導波モード光
の伝搬定数をβ（ω）、第２高調波に対する導波モード
光の伝搬定数をβ（２ω）とするとき、導波方向に周期
Λ１（＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝）を持って
導波路に形成された屈折率変化領域」を位相整合手段と
し、高調波発生手段の一部とすることができる。

【００１１】また「拡散により３次元導波路を形成され
たＬｉＮｂＯ３のｃ板を基板として選択し、光の伝搬方
向をＹ方向、これに直交するＺ方向をｃ軸方向に合わせ
、基本波に電界方向がＸ軸に平行なＸ方向偏波、第２高
調波に電界方向がＺ軸に平行な方向偏波を用い、基本波
の波長を１μｍ以上にする」と、基板であるＬｉＮｂＯ
３の複屈折により位相整合を行うことができる（請求項
７）。

【００１２】請求項２の発明のように、周期的な屈折率
変化領域を位相整合手段として用いる場合、基板として
ＬｉＴａＯ３の−ｃ板やＬｉＮｂＯ３のｃ板を用いるこ
とができる。３次元導波路は拡散によりこれら基板に形
成する。なおＬｉＮｂＯ３の基板はＭｇＯドープされた
ＬｉＮｂＯ３による基板を含む。

【００１３】ＬｉＴａＯ３の−ｃ板を用いる場合、光の
伝搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向を−ｃ軸
方向に合わせたとき、基本波として「電界方向がＺ軸に
平行なＺ方向偏波」、第２高調波として「電界方向がＺ
軸に平行なＺ方向偏波」を用いることができ（請求項３
）、また光の伝搬方向をＹ方向、これに直交するＺ方向
を−ｃ軸方向に合わせたとき、基本波として「電界方向
がＸ軸に平行なＸ方向偏波」、第２高調波として「電界
方向がＺ軸に平行なＺ方向偏波」を用いることができる
（請求項４）。

【００１４】ＬｉＮｂＯ３のｃ板を用いる場合、光の伝
搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向をｃ軸方向
に合わせたとき、基本波として電界方向がＺ軸に平行な
Ｚ方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸に平行な
Ｚ方向偏波を用いることができ（請求項５）、光の伝搬
方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向をｃ軸方向に
合わせたとき、基本波として電界方向がＸ軸に平行なＸ
方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸に平行なＺ
方向偏波を用いることもできる（請求項６）。

【００１５】また、３次元導波路をＬｉＮｂＯ３のｃ板
に「プロトン交換」により形成することにより第２高調
波をチェレンコフ放射により発生させることができる（
請求項８）。

【００１６】さらに、請求項９の光変調波長変換素子の
ように「３次元導波路に平行して、表面弾性波用の３次
元導波構造を１以上設ける」ことができる。この表面弾
性波導波構造は上記請求項１ないし８の何れの素子にも
適用可能である。

【００１７】

【作用】導波路を導波する導波光と同方向に、表面弾性
波を伝搬させると表面弾性波により導波路の材質に歪み
が発生し、この歪みが屈折率楕円体を変形させる。これ
により比誘電テンソルに非対角成分が生じ、ＴＥ，ＴＭ
モードの結合が生じる。このモード結合に伴うモード変
換を利用して第２高調波を変調する。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照しながら、具体的な実施例
に即して説明する。

【００１９】図１において符号１はＬｉＴａＯ３の単結
晶による基板を示す。この基板１は−ｃ板である。符号
２は基板１に形成された３次元導波路、符号３は光変調
手段をなすトランスデューサーの電極構造、符号４は屈
折率変化領域を示している。図のようにＸ，Ｙ，Ｚ方向
を設定すると、基板１のｃ軸はＺ方向に平行であり、Ｙ
方向は３次元導波路２の光伝搬方向に対応する。

【００２０】３次元導波路２は、この実施例においては
基板表面にＴｉを１０００°Ｃ程度の温度で拡散し、基
板１よりも屈折率を高くすることにより形成されている
。拡散物質はＴｉの外にＣｕ等を用いることができる。 ３次元導波路２は単一モード導波路であることが望まし
い。

【００２１】屈折率変化領域４は導波光の伝搬方向、即
ちＹ方向に屈折率が周期的に変化した領域である。この
屈折率変化領域４を形成するには、例えば以下のように
すれば良い。即ち、３次元導波路２となるべき部分に拡
散物質を拡散させた後、キューリー点近傍の温度下でｃ
方向に電界を作用させてポーリングを行い分極方向を揃
える。次いで３次元導波路２上の、図１において破線を
施した部分以外をＴｉでマスクしたのち、安息香酸溶液
中で２５０°Ｃ程度の温度でプロトン交換し、ＬｉＴａ
Ｏ３のキューリー点（Ｔｃ〜６００°Ｃ）直下の温度で
熱処理して、マスクされていない部分に分極反転層４ａ
を形成する。このようにして、Ｙ方向において分極方向
が交互に反転した屈折率変化領域４が形成される。なお
、上記分極反転層４ａの形成については、１９８９年春
季応用物理学会において配布された予稿集の２７−Ｐ−
１０に報告されている。

【００２２】場合によっては上記方法で分極反転領域４
ａを先に形成したのちに金属イオンのイオン拡散を行っ
て３次元導波路を形成することもできる。Ｒｂ，Ｃｓ，
Ａｇ等、３００〜４００°Ｃ近傍の温度で拡散できる金
属の拡散により３次元導波路を形成する場合には、この
方法を取る必要がある。なお、分極反転層４ａの厚さは
昇温速度の変化により調整できる。また分極反転層４ａ
の幅Ｌは、３次元導波路２の幅と必ずしも一致させる必
要はない。

【００２３】トランスデューサーの電極構造３は櫛歯状
電極を交指状に組み合わせてなり、以下のように形成さ
れる。即ち、３次元導波路２の形成された側の基板表面
にプラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜のバッファ層を
形成し、その上に接着剤としてＮｉＣｒ−Ａｕを蒸着す
る。その後、厚膜レジストを図示の電極形状にパターニ
ングし、形成されたパターンをガイドにしてＡｕを電界
鍍金で成長させ、しかるのちにレジストをレジストリム
ーバーで除去する。そして最後にＡｕ鍍金以外の部分を
エッチングで除去するのである。この他、Ａｌ，Ｎｉ等
を電極材料に用いる場合は、リフトオフ法やフォトリソ
グラフィ、電界鍍金等で形成することも可能である。

【００２４】屈折率変化領域４の屈折率の周期的変化に
おける周期Λは、３次元導波路２に導波される基本波レ
ーザー光の伝搬定数をβ（ω）、第２高調波の伝搬定数
をβ（２ω）とするとき、 Λ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝で与えられる大
きさに設定される。このようにしてＴＥ，ＴＭモード間
の位相整合を取ることにより、ＴＥ，ＴＭモードの結合
を効率良く行うことができる。

【００２５】トランスデューサーの電極構造３の交指状
に組み合わせられている電極の一方を接地して、他方に
電圧を印加すると、印加電圧に応じて３次元導波路２内
に歪みが発生する。上記印加電圧を振動数ｆで振動させ
ると、３次元導波路２に振動数ｆの表面弾性波が励振さ
れ、導波方向へ位相速度ｖで伝搬する。

【００２６】基本波レーザー光の波長をλ、ＴＥ，ＴＭ
モードの等価屈折率をＮｔｅ，Ｎｔｍとするとき、上記
周波数：ｆ，位相速度：ｖが ｆ＝ｖ・｜Ｎｔｅ−Ｎｔｍ｜／λ なる関係を満足するようにすると、導波光の導波と表面
弾性波の伝搬が同調し、モード変換が生じる。

【００２７】発生した第２高調波と基本波レーザー光の
位相の不整合は周期Λをもって屈折率が交互に変化する
屈折率変化領域４により補償される。

【００２８】さて、図１の実施例では上述のごとく基板
１はＬｉＴａＯ３の−ｃ板である。従って、光源として
波長０．７８μｍの半導体レーザーを想定すると、３次
元導波路２における等価屈折率の波長分散は、波長０．
７８μｍの基本波では、常光に相当する電界方向がＸ方
向を向いているＥＸ００モードを用いた場合で２．１５
３８、異常光に相当する電界方向がＺ方向に向いている
ＥＺ００モードを用いた場合で２．１５７８、波長０．
３９μｍの第２高調波では、常光に相当するＥＸ００モ
ードを用いた場合で２．２４１４、異常光に相当するＥ
Ｚ００モードを用いた場合で２．２８１４である。

【００２９】また、波長１．２μｍの半導体レーザー光
源を想定すると、上記等価屈折率の波長分散は、波長１
．２μｍの基本波では常光に相当するＥＸ００モードを
用いた場合で２．１３０５、異常光に相当するＥＺ００
モードを用いた場合で２．１３４１、波長０．６μｍの
第２高調波では、常光に相当するＥＸ００モードを用い
た場合で２．１８３４、異常光に相当するＥＺ００モー
ドを用いた場合で２．１８７８である。

【００３０】従って、基本波に対する３次元導波路２の
等価屈折率をＮ（ω），第２高調波に対する等価屈折率
をＮ（２ω）とすると、伝搬定数β＝２πＮ／λである
から、上述の関係、 Λ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝は、Λ＝λ／２
｛Ｎ（２ω）−Ｎ（ω）｝となり、この関係を満足する
Λを屈折率変化領域４における屈折率変化の周期に設定
すれば位相整合を良好に行って安定した第２高調波を得
ることができる。

【００３１】基本波レーザー光の波長を０．７８μｍと
し、基本波として常光に相当する上記ＥＸ００モード、
第２高調波として異常光に相当する上記ＥＺ００モード
を用いる場合は、上記等価屈折率の場合、屈折率変化の
周期Λは約３．１μｍとなる。この場合は非線形定数ｄ
３１が用いられることになる。

【００３２】また上記波長０．７８μｍで基本波として
異常光に相当する上記ＥＺ００モード、第２高調波とし
て異常光に相当するＥＺ００モードを用いる場合は、上
記等価屈折率の場合、屈折率変化の周期Λは約３．２μ
ｍとなる。この場合は非線形定数ｄ３３が用いられるこ
とになる。

【００３３】基本波レーザー光の波長を１．２μｍとし
、基本波として常光に相当するＥＸ００モード、第２高
調波として異常光に相当するＥＺ００モードを用いる場
合は、上記等価屈折率の場合、屈折率変化の周期Λは約
１０．５μｍとなる。この場合は非線形定数ｄ３１が用
いられることになる。

【００３４】また上記波長１．２μｍで基本波として異
常光に相当するＥＺ００モード、第２高調波として異常
光に相当するＥＺ００モードを用いる場合は、上記等価
屈折率の場合、屈折率変化の周期Λは約１１．２μｍと
なる。この場合は非線形定数ｄ３３が用いられることに
なる。

【００３５】上記実施例のように、基板として非線形媒
質ＬｉＴａＯを用いると、表面弾性波の位相速度ｖは、
ｖ＝６．１９×１０３（ｍ／ｓｅｃ）であるので、モー
ド結合を生じる表面弾性波の周波数ｆは、光の波長が０
．７８μｍのとき、約３１７ＭＨｚ、光の波長が１．２
μｍのとき、約１８６ＭＨｚである。

【００３６】また、基板としてＬｉＮｂＯ３結晶を用い
ると、表面弾性波の位相速度は、ｖ＝６．５７×１０３
（ｍ／ｓｅｃ）で、モード結合を生じる表面弾性波の周
波数ｆは、光の波長が０．７８μｍのとき、約４０００
ＭＨｚになる。

【００３７】上記実施例において、基本波として常光に
相当するＥＸ００モードを用い、第２高調波として異常
光に相当するＥＺ００モードを用いるように屈折率変化
層４を形成し、ＥＸ００モードの光を入力させつつ、ト
ランスデューサーの電極構造３により上記周波数ｆの振
動電界を作用させて表面弾性波を生じさせると、ＥＸ０
０モードがＥＺ００モードに変換されて第２高調波は発
生しないが、振動電界を作用させない場合、あるいは振
動電界の周波数を上記ｆからずらすと第２高調波が発生
する。

【００３８】また基本波として常光に相当するＥＺ００
モードを用い、第２高調波として異常光に相当するＥＺ
００モードを用いるように屈折率変化領域４を形成し、
ＥＺ００モードの光を入力させつつ、電極構造３により
上記周波数ｆの振動電界を作用させると、ＥＸ００モー
ドがＥＺ００モードに変換されて第２高調波が発生する
が、振動電界を作用させない場合、あるいは振動電界の
周波数をｆからずらすと第２高調波は発生しない。従っ
て、何れの場合も電極構造３への振動電圧をオン・オフ
することにより、あるいは上記振動電圧の周波数を「ｆ
」と「非ｆ」とに切り替えることにより、第２高調波を
変調することができる。

【００３９】図２には図１の実施例の変形例を示す。煩
雑を避けるために混同の虞がないと思われるものに就い
ては図１におけると同一の符号を付した。

【００４０】この実施例において基板１０はＬｉＮｂＯ
３のｃ板であり、ｃ軸に合わせてＺ軸を設定し、図のご
とくにＸ，Ｙ方向を定める。この場合、光源として波長
０．８３μｍの半導体レーザーを想定すると３次元導波
路２における等価屈折率の波長分散は、波長０．８３μ
ｍの基本波では、常光に相当するＥＸ００モードを用い
た場合で２．２２、異常光に相当するＥＺ００モードを
用いた場合で２．１７、波長０．４１５μｍの第２高調
波では、常光に相当するＥＸ００モードを用いた場合で
２．３９、異常光に相当するＥＺ００モードを用いた場
合で２．２８である。

【００４１】基本波レーザー光の波長を０．８３μｍと
し、基本波として常光に相当する上記ＥＸ００モード、
第２高調波として異常光に相当する上記ＥＺ００モード
を用いる場合は、上記等価屈折率の場合、屈折率変化の
周期Λは約７．０μｍとなる。

【００４２】また基本波として異常光に相当するＥＺ０
０モード、第２高調波として異常光に相当するＥＺ００
モードを用いる場合は、屈折率変化の周期Λは約３．８
μｍとなる。

【００４３】従って、ＬＩＮｂＯ３基板の場合も、Ｌｉ
ＴａＯ基板の場合も、屈折率変化領域の形成は容易であ
る。基板の材料としてＬｉＮｂＯ３結晶に替えて、Ｍｇ
ＯをドープしたＬｉＮｂＯ３結晶を用いても、上記Ｌｉ
ＮｂＯ３結晶を用いる実施例と同様のものが得られる。

【００４４】図２の実施例において、ＬｉＮｂＯ３結晶
もしくはＭｇＯをドープしたＬｉＮｂＯ３結晶を基板１
０として用いる場合、基本波として常光に相当するＥＸ
００モード、第２高調波に異常光に相当するＥＺ００モ
ードを用いると、基本波の波長が１μｍ以上なら、非線
形媒質である基板１０の複屈折性を利用して位相整合を
行うことができる。従って、このような場合には、基本
波と第２高調波の位相整合をとるための屈折率変化領域
４を省略することができる。図３は、このような場合の
実施例を示している。

【００４５】図３の実施例の場合、ＥＸ００モードを入
力光とした場合、電極構造３に周波数ｆの振動電圧を印
加するとＥＸ００モードがＥＺ００モードに変換され第
２高調波は発生しないが、振動電極の印加を停止するか
、周波数をｆからずらせば第２高調波が発生する。

【００４６】ＬｉＮｂＯ３の基板１０にプロトン交換に
より３次元導波路を形成すると、チェレンコフ放射によ
って安定した第２高調波を発生させ得ることが知られて
いる（応用物理：第５６巻　　第１２号　　１６３７（
４９）頁　　１９８７年）。この場合にも位相整合のた
めの屈折率変化領域は不要である。そこで、図３の構成
で、３次元導波路２をプロトン交換で形成すると電極構
造３への振動電圧印加のオン・オフや、振動電圧周波数
の「ｆ」「非ｆ」の切り替えでチェレンコフ放射による
第２高調波を変調することができる。

【００４７】この発明の実施において、基板としてはＬ
ｉＴａＯ３もしくはＬｉＮｂＯ３が好適に利用できるが
、ＬｉＴａＯ３の基板は光損傷しきい値がＬｉＮｂＯ３
の基板に比して大きいため、フォトリフラクティブ効果
が小さい。

【００４８】図４は、請求項９の光変調波長変換素子の
実施例を示している。符号１Ａは基板で、例えばＬｉＴ
ａＯの−ｃ板である。符号２Ａは３次元導波路、符号３
Ａはトランスデューサーの電極構造、符号４Ａは屈折率
変化領域であり、これらは既に説明した実施例における
のと同様のものである。

【００４９】符号５Ａ，５Ｂは、３次元導波路２Ａと平
行して形成された３次元導波構造を示す。この３次元導
波構造５Ａ，５Ｂは表面弾性波用であり、トランスデュ
ーサーにより励振された表面弾性波を導波する。このよ
うに表面弾性波用の３次元導波構造を３次元導波路２Ａ
に平行に形成することにより、表面弾性波の伝搬方向を
３次元導波路の導波方向に対し効率よく平行性を保って
導波することができトランスデューサーの駆動パワーの
低減を図ることができる。このような表面弾性波用の３
次元導波構造の形成は、図１ないし図３の各実施例に適
宜適用することができる。

【００５０】なお上の説明において、トランスデューサ
ーが、電極構造とこれに振動電圧を印加する駆動回路（
各図に図示されていない）により構成されることは容易
に理解されるであろう。

【００５１】なお、上の説明においてＥＸ００，ＥＺ０
０等の記載において成分を表すＸ，Ｚ等は通常の表記で
はＥの肩の部分に書かれるものであるが、表示の都合上
、上記の如き表記としたことを付記しておく。

【００５２】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば従来に
無い新規な光変調波長変換素子を提供できる。この素子
は上述のごとく構成されているので、第２高調波の発生
とその変調とを同一素子で行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例を説明するための図である。

【図２】本発明の別実施例を説明するための図である。

【図３】本発明の他の実施例を説明するための図である
。

【図４】本発明のさらに他の実施例を説明するための図
である。

【符号の説明】

１　　　　　　基板 ２　　　　　　３次元導波路 ３　　　　　　トランスデューサーの電極構造４　　　
　　　屈折率変化領域

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基本波レーザー光を導波する３次元導波路
   を有し、上記基本波レーザー光から第２高調波を発生さ
   せる高調波発生手段と、上記３次元導波路に導波される
   基本波レーザー光に対してＴＥ−ＴＭモード間のモード
   変換を行うことにより上記第２高調波の変調を行う光変
   調手段とを、同一基板に一体化してなり、基本波レーザ
   ー光の波長をλ、上記３次元導波路におけるＴＥ及びＴ
   Ｍモードの等価屈折率をそれぞれＮｔｅおよびＮｔｍと
   するとき、上記光変調手段が、上記３次元導波路中の導
   波方向に、 ｆ＝ｖ・｜Ｎｔｅ−Ｎｔｍ｜／λ なる関係を満足する周波数：ｆ、位相速度：ｖで導波光
   の導波方向と同方向へ伝搬する表面弾性波を発生させる
   トランスデューサーであることを特徴とする光変調波長
   変換素子。
2. 【請求項２】請求項１において、高調波発生手段が、３
   次元導波路における、基本波レーザー光に対する導波モ
   ード光の伝搬定数をβ（ω）、第２高調波に対する導波
   モード光の伝搬定数をβ（２ω）とするとき、導波方向
   に周期Λ（＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝）を持
   って形成された屈折率変化領域を位相整合手段として有
   することを特徴とする光変調波長変換素子。
3. 【請求項３】請求項２において、基板が、拡散により３
   次元導波路を形成されたＬｉＴａＯ３の−ｃ板であり、
   光の伝搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向を−
   ｃ軸方向に合わせたとき、基本波として電界方向がＺ軸
   に平行なＺ方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸
   に平行なＺ方向偏波を用いることを特徴とする光変調波
   長変換素子。
4. 【請求項４】請求項２において、基板が、拡散により３
   次元導波路を形成されたＬｉＴａＯ３の−ｃ板であり、
   光の伝搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向を−
   ｃ軸方向に合わせたとき、基本波として電界方向がＸ軸
   に平行なＸ方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸
   に平行なＺ方向偏波を用いることを特徴とする光変調波
   長変換素子。
5. 【請求項５】請求項２において、基板が、拡散により３
   次元導波路を形成されたＬｉＮｂＯ３のｃ板であり、光
   の伝搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向をｃ軸
   方向に合せたとき、基本波として電界方向がＺ軸に平行
   なＺ方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸に平行
   なＺ方向偏波を用いることを特徴とする光変調波長変換
   素子。
6. 【請求項６】請求項２において、基板が、拡散により３
   次元導波路を形成されたＬｉＮｂＯ３のｃ板であり、光
   の伝搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向をｃ軸
   方向に合わせたとき、基本波として電界方向がＸ軸に平
   行なＸ方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸に平
   行なＺ方向偏波を用いることを特徴とする光変調波長変
   換素子。
7. 【請求項７】請求項１において、基板が、拡散により３
   次元導波路を形成されたＬｉＮｂＯ３のｃ板であり、光
   の伝搬方向をＹ方向とし、これに直交するＺ方向をｃ軸
   方向に合わせたとき、基本波として電界方向がＸ軸に平
   行なＸ方向偏波、第２高調波として電界方向がＺ軸に平
   行なＺ方向偏波を用い、ＬｉＮｂＯ３の複屈折により位
   相整合を行うことを特徴とする光変調波長変換素子。
8. 【請求項８】請求項１において、基板が、プロトン交換
   により３次元導波路を形成されたＬｉＮｂＯ３のｃ板で
   あり、第２高調波をチェレンコフ放射により発生させる
   ことを特徴とする、光変調波長変換素子。
9. 【請求項９】請求項１ないし８の何れかにおいて、３次
   元導波路に平行して、表面弾性波用の３次元導波構造を
   １以上有することを特徴とする、光変調波長変換素子。