JPH04340405A - 高さ検査装置 - Google Patents
高さ検査装置Info
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- JPH04340405A JPH04340405A JP11275191A JP11275191A JPH04340405A JP H04340405 A JPH04340405 A JP H04340405A JP 11275191 A JP11275191 A JP 11275191A JP 11275191 A JP11275191 A JP 11275191A JP H04340405 A JPH04340405 A JP H04340405A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は実装部品の半田付け状態
の良否を検査する等に用いる高さ検査装置に関する。
の良否を検査する等に用いる高さ検査装置に関する。
【０００２】近年， ＬＳＩ 等の実装部品は一層小型
化され，その実装状態， 特に半田付け状態の良否を検
査する工程においては， 従来の作業者による目視検査
では対応できなくなってきた。そこで，検査工程を自動
化し，より高速に， 高信頼の装置が要求されている。
化され，その実装状態， 特に半田付け状態の良否を検
査する工程においては， 従来の作業者による目視検査
では対応できなくなってきた。そこで，検査工程を自動
化し，より高速に， 高信頼の装置が要求されている。
【０００３】本発明はこの要求に対応した高さ検査装置
として利用できる。
として利用できる。
【０００４】
【従来の技術】図６に従来例による検査装置の構成図で
ある。図において，１はレーザ，２はレンズ，３は半導
体位置検出素子（ＰＳＤ，Ｐｏｓｉｔｉｏｎ−Ｓｅｎｓ
ｉｔｉｖｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ），６は信号処理回路，
７は高さ信号格納メモリ，８は輝度信号格納メモリ，９
は演算回路，１０は制御部， １１はＬＳＩ 等の被測
定試料， １２は試料を実装した基板である。
ある。図において，１はレーザ，２はレンズ，３は半導
体位置検出素子（ＰＳＤ，Ｐｏｓｉｔｉｏｎ−Ｓｅｎｓ
ｉｔｉｖｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ），６は信号処理回路，
７は高さ信号格納メモリ，８は輝度信号格納メモリ，９
は演算回路，１０は制御部， １１はＬＳＩ 等の被測
定試料， １２は試料を実装した基板である。
【０００５】検査装置は， 被測定試料１１に一方向に
往復走査するレーザビームをレーザ１より照射し，その
反射光をＰＳＤ ３に撮像する撮像装置と， 撮像装置
からの信号を入力して高さ信号および輝度信号に変換す
る信号処理回路６と，信号処理回路６からの信号を格納
する画像メモリである高さ信号格納メモリ７と輝度信号
格納メモリ８と，画像メモリ内の画像を処理して検査を
行う演算回路９と，全システムを制御する制御部１０と
から構成される。
往復走査するレーザビームをレーザ１より照射し，その
反射光をＰＳＤ ３に撮像する撮像装置と， 撮像装置
からの信号を入力して高さ信号および輝度信号に変換す
る信号処理回路６と，信号処理回路６からの信号を格納
する画像メモリである高さ信号格納メモリ７と輝度信号
格納メモリ８と，画像メモリ内の画像を処理して検査を
行う演算回路９と，全システムを制御する制御部１０と
から構成される。
【０００６】ＰＳＤ は１次元のものと２次元のものが
あり，ここでは１次元のものが使用される。その構造は
短冊型の半導体フォトダイオードの表面層の両端に電極
Ａ，Ｂを付け，裏面層に共通電極Ｃを設けている。
あり，ここでは１次元のものが使用される。その構造は
短冊型の半導体フォトダイオードの表面層の両端に電極
Ａ，Ｂを付け，裏面層に共通電極Ｃを設けている。
【０００７】いま，表面層の任意の一点Ｄに光のビーム
を照射し，Ａ−Ｃ間の光電流をＩ１ とＢ−Ｃ間の光電
流をＩ２ とする。また，Ａ−Ｂ間の距離を２Ｌとする
。この出力電流Ｉ１，Ｉ２ はＰＳＤ 上の光点Ｄの位
置によって変わり， 輝度（光の明るさ）＝Ｉ
１ ＋Ｉ２ ・・・（１） ， （ＰＳＤ の中
点からの距離）／Ｌ＝ （Ｉ１ −Ｉ２）／（Ｉ１ ＋
Ｉ２）・・・（２） で表される。（２） 式はＰＳＤ
上の光点の位置を示し，本発明の高さに相当する。
を照射し，Ａ−Ｃ間の光電流をＩ１ とＢ−Ｃ間の光電
流をＩ２ とする。また，Ａ−Ｂ間の距離を２Ｌとする
。この出力電流Ｉ１，Ｉ２ はＰＳＤ 上の光点Ｄの位
置によって変わり， 輝度（光の明るさ）＝Ｉ
１ ＋Ｉ２ ・・・（１） ， （ＰＳＤ の中
点からの距離）／Ｌ＝ （Ｉ１ −Ｉ２）／（Ｉ１ ＋
Ｉ２）・・・（２） で表される。（２） 式はＰＳＤ
上の光点の位置を示し，本発明の高さに相当する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図７ （Ａ）〜（Ｃ）
は従来例の問題点を説明する図である。図７（Ａ）
において，基板照射の反射光と被測定物である部品照射
の反射光では，ＰＳＤ 上の結像位置が大きく異なるた
めこの差が高さとして認識される。
は従来例の問題点を説明する図である。図７（Ａ）
において，基板照射の反射光と被測定物である部品照射
の反射光では，ＰＳＤ 上の結像位置が大きく異なるた
めこの差が高さとして認識される。
【０００９】ところが，図７（Ｂ） のように半田等の
鏡面反射をする物体を計測する場合，図７（Ｃ） のよ
うに複数の反射光による２つ以上の光点がＰＳＤ 上に
結像されてしまう。そのため，ＰＳＤ の性質からこれ
ら複数点の中間位置を高さとして出力するため誤計測と
なる。
鏡面反射をする物体を計測する場合，図７（Ｃ） のよ
うに複数の反射光による２つ以上の光点がＰＳＤ 上に
結像されてしまう。そのため，ＰＳＤ の性質からこれ
ら複数点の中間位置を高さとして出力するため誤計測と
なる。
【００１０】本発明は複数の反射光による複数の光点が
ＰＳＤ 上に結像されても，正確に測定できる高さ測定
装置を提供することを目的とする。
ＰＳＤ 上に結像されても，正確に測定できる高さ測定
装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
並列に且つ長さ方向に少しずつずらせて配置した複数の
半導体位置検出素子（ＰＳＤ） （３１， ３２， ３
３，・・・） と， 被測定物に照射したレーザビーム
の反射光を該ＰＳＤ の長さ方向に対して垂直に振るよ
うにしたレーザ照射装置（１） と， 該反射光の走査
線上の各ＰＳＤ 上に設けられた９０°の像回転プリズ
ム（４１ ，４２， ４３， ・・・） と， 各ＰＳ
Ｄ の出力信号を選択するＰＳＤ 信号選択回路（５）
とを有し， 該ＰＳＤ信号選択回路（５） により選
択されたＰＳＤ 信号のみを信号処理するように構成さ
れている高さ検査装置，あるいは， ２）被測定物に照射したレーザビームの反射光をＰＳＤ
上に受け， 該被測定物の高さを検出する装置におい
て，該ＰＳＤ の前面に低い位置からの反射光を減衰さ
せるように濃度差をつけたフィルタを設けた高さ検査装
置により達成される。
並列に且つ長さ方向に少しずつずらせて配置した複数の
半導体位置検出素子（ＰＳＤ） （３１， ３２， ３
３，・・・） と， 被測定物に照射したレーザビーム
の反射光を該ＰＳＤ の長さ方向に対して垂直に振るよ
うにしたレーザ照射装置（１） と， 該反射光の走査
線上の各ＰＳＤ 上に設けられた９０°の像回転プリズ
ム（４１ ，４２， ４３， ・・・） と， 各ＰＳ
Ｄ の出力信号を選択するＰＳＤ 信号選択回路（５）
とを有し， 該ＰＳＤ信号選択回路（５） により選
択されたＰＳＤ 信号のみを信号処理するように構成さ
れている高さ検査装置，あるいは， ２）被測定物に照射したレーザビームの反射光をＰＳＤ
上に受け， 該被測定物の高さを検出する装置におい
て，該ＰＳＤ の前面に低い位置からの反射光を減衰さ
せるように濃度差をつけたフィルタを設けた高さ検査装
置により達成される。
【００１２】
【作用】図１は発明１の原理説明図である。図において
，ＰＳＤ ３１，３２， ３３， ・・・は並列に，
かつ各ＰＳＤ は長さ方向に順次少しずつずらせて配置
する。
，ＰＳＤ ３１，３２， ３３， ・・・は並列に，
かつ各ＰＳＤ は長さ方向に順次少しずつずらせて配置
する。
【００１３】高さ計測範囲ａはＰＳＤ の長さ方向に垂
直な方向で，この線上をレーザビームが振るようにする
。１段目のＰＳＤ は高さ計測範囲（１） を計測し，
２段目のＰＳＤ は高さ計測範囲（２） を計測する。
直な方向で，この線上をレーザビームが振るようにする
。１段目のＰＳＤ は高さ計測範囲（１） を計測し，
２段目のＰＳＤ は高さ計測範囲（２） を計測する。
【００１４】計測範囲ａの方向とＰＳＤ の長さ方向が
垂直なため，レーザの反射光は，計測範囲ａ内の各ＰＳ
Ｄ 上に設けられた９０°の像回転プリズム４１，４２
， ４３， ・・・を経由してＰＳＤ ３１，３２，
３３， ・・・に入力される。
垂直なため，レーザの反射光は，計測範囲ａ内の各ＰＳ
Ｄ 上に設けられた９０°の像回転プリズム４１，４２
， ４３， ・・・を経由してＰＳＤ ３１，３２，
３３， ・・・に入力される。
【００１５】各ＰＳＤ は，各々の出力電流Ｉ１，Ｉ２
を出力する。ＰＳＤ 信号選択回路により， 所望の
信号（例えば，光量のピークが最大の信号）を選択して
，信号処理回路に送る。
を出力する。ＰＳＤ 信号選択回路により， 所望の
信号（例えば，光量のピークが最大の信号）を選択して
，信号処理回路に送る。
【００１６】このような構成により， 複数の光点がＰ
ＳＤ 上に結像された場合でも， 切り分けができ，
高さ計測の誤りを生ずることなく， また切り分けた個
々の光点の高さ情報の選択も可能となる。
ＳＤ 上に結像された場合でも， 切り分けができ，
高さ計測の誤りを生ずることなく， また切り分けた個
々の光点の高さ情報の選択も可能となる。
【００１７】このように本発明によれば， 複数の光点
に対応できるため， 真に計測したい箇所の高さ計測が
可能となる。図２は発明２の原理説明図である。
に対応できるため， 真に計測したい箇所の高さ計測が
可能となる。図２は発明２の原理説明図である。
【００１８】図において，ＰＳＤ の前面に濃度フィル
タ１３を設け， ＰＳＤ への反射光の入射位置により
， 光の強さを変えるようにしたものである。前記の問
題点は， 照射ビームの乱反射によるもので，通常この
反射光は被計測点より低い位置からの反射光であるため
， 低い位置からの反射光をできるだけ抑えるように濃
度差をつけた濃度フィルタ１３を設けて， 計測精度の
向上をはかっている。
タ１３を設け， ＰＳＤ への反射光の入射位置により
， 光の強さを変えるようにしたものである。前記の問
題点は， 照射ビームの乱反射によるもので，通常この
反射光は被計測点より低い位置からの反射光であるため
， 低い位置からの反射光をできるだけ抑えるように濃
度差をつけた濃度フィルタ１３を設けて， 計測精度の
向上をはかっている。
【００１９】
【実施例】図２は発明１の一実施例による検査装置の構
成図である。図において，１はレーザ，２はレンズ，３
１， ３２， ３３， ・・・は図１に示された半導体
位置検出素子（ＰＳＤ） ，４１， ４２， ４３，
・・・は像回転プリズム， ５はＰＳＤ 信号選択回路
， ６は信号処理回路，７は高さ信号格納メモリ，８は
輝度信号格納メモリ，９は演算回路，１０は制御部，
１１はＬＳＩ 等の被測定試料， １２は試料を実装し
た基板である。
成図である。図において，１はレーザ，２はレンズ，３
１， ３２， ３３， ・・・は図１に示された半導体
位置検出素子（ＰＳＤ） ，４１， ４２， ４３，
・・・は像回転プリズム， ５はＰＳＤ 信号選択回路
， ６は信号処理回路，７は高さ信号格納メモリ，８は
輝度信号格納メモリ，９は演算回路，１０は制御部，
１１はＬＳＩ 等の被測定試料， １２は試料を実装し
た基板である。
【００２０】実施例の検査装置は， 被測定試料１１に
一方向に往復走査するレーザビームをレーザ１より照射
し，その反射光をＰＳＤ ３に撮像する撮像装置と，
撮像装置からの信号を入力して高さ信号および輝度信号
に変換する信号処理回路６と，信号処理回路６からの信
号を格納する画像メモリである高さ信号格納メモリ７と
輝度信号格納メモリ８と，画像メモリ内の画像を処理し
て検査を行う演算回路９と，全システムを制御する制御
部１０とから構成される従来例の装置に，ＰＳＤ を横
並びにして複数光点を検知可能とし， また， これに
よる複数のＰＳＤ 出力信号から， 目的とする信号，
すなわち光量のピークが最大の信号を選択するＰＳＤ
信号選択回路５を備えている。
一方向に往復走査するレーザビームをレーザ１より照射
し，その反射光をＰＳＤ ３に撮像する撮像装置と，
撮像装置からの信号を入力して高さ信号および輝度信号
に変換する信号処理回路６と，信号処理回路６からの信
号を格納する画像メモリである高さ信号格納メモリ７と
輝度信号格納メモリ８と，画像メモリ内の画像を処理し
て検査を行う演算回路９と，全システムを制御する制御
部１０とから構成される従来例の装置に，ＰＳＤ を横
並びにして複数光点を検知可能とし， また， これに
よる複数のＰＳＤ 出力信号から， 目的とする信号，
すなわち光量のピークが最大の信号を選択するＰＳＤ
信号選択回路５を備えている。
【００２１】図３ （Ａ）〜（Ｃ） は発明１の実施例
の効果を説明する図である。図３（Ａ） は従来例によ
る計測例で，ＰＳＤ 結像位置に対する光量の関係を示
す図である。
の効果を説明する図である。図３（Ａ） は従来例によ
る計測例で，ＰＳＤ 結像位置に対する光量の関係を示
す図である。
【００２２】光量のピークは真の反射光による（１）
以外に別の不必要な反射光（２） が存在する。この場
合計測値は中間位置ｂになり，真の値ａとの間に誤差Ｅ
が生ずる。実施例では，これらの光量のピークは図３（
Ｂ），（Ｃ） のように分離され，図３（Ｂ） に示さ
れる真の反射光だけ選択して高さ計測を行う。
以外に別の不必要な反射光（２） が存在する。この場
合計測値は中間位置ｂになり，真の値ａとの間に誤差Ｅ
が生ずる。実施例では，これらの光量のピークは図３（
Ｂ），（Ｃ） のように分離され，図３（Ｂ） に示さ
れる真の反射光だけ選択して高さ計測を行う。
【００２３】したがって， 乱反射等による不必要な反
射光に起因する計測値のなまりがなくなる。次に，図４
を用いて発明２の実施例を説明する。
射光に起因する計測値のなまりがなくなる。次に，図４
を用いて発明２の実施例を説明する。
【００２４】濃度フィルタ１３は，例えば次のものを使
用した。濃度フィルタはガラスに金属薄膜を蒸着してそ
れに濃度差をつけている。実施例の濃度フィルタの仕様
例は透過率が１〜１／１００， 変化率は１／１００
ずつ直線的に変化するものを使用した。
用した。濃度フィルタはガラスに金属薄膜を蒸着してそ
れに濃度差をつけている。実施例の濃度フィルタの仕様
例は透過率が１〜１／１００， 変化率は１／１００
ずつ直線的に変化するものを使用した。
【００２５】図５（Ａ），（Ｂ） は発明２の実施例の
効果を説明する図である。図５（Ａ） は図３（Ａ）
と同様に従来例による計測例で，ＰＳＤ 結像位置に対
する光量の関係を示す図である。
効果を説明する図である。図５（Ａ） は図３（Ａ）
と同様に従来例による計測例で，ＰＳＤ 結像位置に対
する光量の関係を示す図である。
【００２６】この実施例では，図３（Ｂ） に示される
ように不必要な反射光の光量（２） はフィルタにより
減衰されているため，真の反射光だけ選択して高さ計測
を行うことができる。
ように不必要な反射光の光量（２） はフィルタにより
減衰されているため，真の反射光だけ選択して高さ計測
を行うことができる。
【００２７】
【発明の効果】複数の反射光による複数の光点がＰＳＤ
上に結像されても，正確に測定できる高さ測定装置を
提供することができた。
上に結像されても，正確に測定できる高さ測定装置を
提供することができた。
【図１】 発明１の原理説明図
【図２】 発明１の一実施例による検査装置の構成図
【図３】 発明１の実施例の効果を説明する図
【図４
】 発明２の原理説明図
】 発明２の原理説明図
【図５】 発明２の実施例の効果を説明する図
【図６
】 従来例による検査装置の構成図
】 従来例による検査装置の構成図
【図７】 従来
例の問題点を説明する図
例の問題点を説明する図
１ レーザ
２ レンズ
３１， ３２， ３３， ・・・ 各半導体位置検出
素子（ＰＳＤ）４１， ４２， ４３， ・・・ 像
回転プリズム５ ＰＳＤ 信号選択回路 ６ 信号処理回路 ７ 高さ信号格納メモリ ８ 輝度信号格納メモリ ９ 演算回路 １０ 制御部 １１ ＬＳＩ 等の被測定試料 １２ 試料を実装した基板 １３ 濃度フィルタ
素子（ＰＳＤ）４１， ４２， ４３， ・・・ 像
回転プリズム５ ＰＳＤ 信号選択回路 ６ 信号処理回路 ７ 高さ信号格納メモリ ８ 輝度信号格納メモリ ９ 演算回路 １０ 制御部 １１ ＬＳＩ 等の被測定試料 １２ 試料を実装した基板 １３ 濃度フィルタ
Claims (2)
- 【請求項１】 並列に且つ長さ方向に少しずつずらせ
て配置した複数の半導体位置検出素子 （ＰＳＤ）
（３１， ３２， ３３，・・・） と，被測定物に照
射したレーザビームの反射光を該ＰＳＤ の長さ方向に
対して垂直に振るようにしたレーザ照射装置（１） と
，該反射光の走査線上の各ＰＳＤ 上に設けられた９０
°の像回転プリズム（４１ ，４２，４３， ・・・）
と，各ＰＳＤ の出力信号を選択するＰＳＤ 信号選
択回路（５） とを有し，該ＰＳＤ 信号選択回路（５
） により選択されたＰＳＤ 信号のみを信号処理する
ように構成されていることを特徴とする高さ検査装置。 - 【請求項２】 被測定物に照射したレーザビームの反
射光をＰＳＤ 上に受け，該被測定物の高さを検出する
装置において，該ＰＳＤ の前面に低い位置からの反射
光を減衰させるように濃度差をつけたフィルタを設けた
ことを特徴とする高さ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11275191A JPH04340405A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 高さ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11275191A JPH04340405A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 高さ検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340405A true JPH04340405A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=14594644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11275191A Withdrawn JPH04340405A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 高さ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015169007A1 (zh) * | 2014-05-06 | 2015-11-12 | 北京智朗芯光科技有限公司 | 自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11275191A patent/JPH04340405A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015169007A1 (zh) * | 2014-05-06 | 2015-11-12 | 北京智朗芯光科技有限公司 | 自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |