JPH0433845Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0433845Y2 JPH0433845Y2 JP12312386U JP12312386U JPH0433845Y2 JP H0433845 Y2 JPH0433845 Y2 JP H0433845Y2 JP 12312386 U JP12312386 U JP 12312386U JP 12312386 U JP12312386 U JP 12312386U JP H0433845 Y2 JPH0433845 Y2 JP H0433845Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser diode
- reflector
- lens system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 210000000214 mouth Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Surgery Devices (AREA)
- Dental Tools And Instruments Or Auxiliary Dental Instruments (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本考案は、半導体レーザ装置、より詳細には、
医科治療等に用いて好適な半導体レーザ装置に関
する。
医科治療等に用いて好適な半導体レーザ装置に関
する。
従来技術
医科治療の施術に、最近では、レーザ光線が使
用される。その１つに、例えば、830nmの近赤外
線の目に見えない波長のレーザ光を発生する半導
体レーザを使用するものがある。而して、目に見
えない波長のレーザ光を照射して種々の治療、例
えば、生体組織の凝固、蒸散、破壊等を行う場
合、特に、歯科治療のように患部が口腔内等の暗
い場所にある場合、照射位置を正確に目視するこ
とができず、非常に施療しにくい。そのため、目
に見えない波長のレーザ光を使用する場合には、
該レーザ光に可視光を付加して照射するようにし
て照射位置を照明し、治療箇所を正確に目視し得
るようにしている。
用される。その１つに、例えば、830nmの近赤外
線の目に見えない波長のレーザ光を発生する半導
体レーザを使用するものがある。而して、目に見
えない波長のレーザ光を照射して種々の治療、例
えば、生体組織の凝固、蒸散、破壊等を行う場
合、特に、歯科治療のように患部が口腔内等の暗
い場所にある場合、照射位置を正確に目視するこ
とができず、非常に施療しにくい。そのため、目
に見えない波長のレーザ光を使用する場合には、
該レーザ光に可視光を付加して照射するようにし
て照射位置を照明し、治療箇所を正確に目視し得
るようにしている。
第２図は、上述のごとき可視光を付加した半導
体レーザ装置の一例を説明するための要部構成図
で、図中、１は例えば830nmの目に見えない波長
の近赤外線のレーザ光を発生する半導体レーザダ
イオード、２は可視光を照射するための光源、例
えば780nmの可視光のレーザ光を発生する半導体
レーザダイオード、３はレンズ系で、半導体レー
ザダイオード１によつて発生された例えば830nm
の目に見えない波長のレーザ光をレンズ系３によ
つて集束して或いは平行光線にして被治療箇所に
照射するとともに、半導体レーザダイオードによ
つて発生された例えば780nmの可視光のレーザ光
を前記半導体ダイオード１の表面に照射し、その
反射光を前記レンズ系３によつて集束して或いは
平行光線にして前記半導体ダイオード１よりの目
に見えないレーザ光と共に被治療箇所に照射し、
この半導体レーザダイオード２よりの光によつて
被治療箇所を照明するようにしている。しかしな
がら、上記従来技術によると半導体レーザダイオ
ードの表面のみが反射するようにしているため反
射面積が小さく、従つて照明光が弱すぎて所期の
目的を十分に達成することができない。
体レーザ装置の一例を説明するための要部構成図
で、図中、１は例えば830nmの目に見えない波長
の近赤外線のレーザ光を発生する半導体レーザダ
イオード、２は可視光を照射するための光源、例
えば780nmの可視光のレーザ光を発生する半導体
レーザダイオード、３はレンズ系で、半導体レー
ザダイオード１によつて発生された例えば830nm
の目に見えない波長のレーザ光をレンズ系３によ
つて集束して或いは平行光線にして被治療箇所に
照射するとともに、半導体レーザダイオードによ
つて発生された例えば780nmの可視光のレーザ光
を前記半導体ダイオード１の表面に照射し、その
反射光を前記レンズ系３によつて集束して或いは
平行光線にして前記半導体ダイオード１よりの目
に見えないレーザ光と共に被治療箇所に照射し、
この半導体レーザダイオード２よりの光によつて
被治療箇所を照明するようにしている。しかしな
がら、上記従来技術によると半導体レーザダイオ
ードの表面のみが反射するようにしているため反
射面積が小さく、従つて照明光が弱すぎて所期の
目的を十分に達成することができない。
目 的
本考案は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、特に、可視光に対する反射面積を大きく
して十分な照明光を付加することのできる半導体
レーザ装置を提供することを目的としてなされた
ものである。
もので、特に、可視光に対する反射面積を大きく
して十分な照明光を付加することのできる半導体
レーザ装置を提供することを目的としてなされた
ものである。
構 成
第１図は、本考案による半導体レーザ装置の一
実施例を説明するための要部構成図で、図中、第
２図に示した半導体レーザ装置と同様の作用をす
る部分には第２図の場合と同一の参照番号が付し
てある。而して、本考案においては、半導体レー
ザダイオード１の周辺部に反射板４が設けられて
おり、半導体レーザダイオード２から放射された
可視光のレーザ光は、該反射板４及び半導体レー
ザダイオード１の表面によつて反射されて光学系
３の中に導入される。
実施例を説明するための要部構成図で、図中、第
２図に示した半導体レーザ装置と同様の作用をす
る部分には第２図の場合と同一の参照番号が付し
てある。而して、本考案においては、半導体レー
ザダイオード１の周辺部に反射板４が設けられて
おり、半導体レーザダイオード２から放射された
可視光のレーザ光は、該反射板４及び半導体レー
ザダイオード１の表面によつて反射されて光学系
３の中に導入される。
効 果
従つて、本考案によると、目に見えない波長の
レーザ光を発生する半導体レーザダイオードの光
面積が小さくても何ら不都合を生じることなく、
該半導体レーザダイオードから発生された光に可
視光を効果的に付加することが可能となり、被治
療箇所を十分に照明しながらレーザ光照射を行う
ことができる。
レーザ光を発生する半導体レーザダイオードの光
面積が小さくても何ら不都合を生じることなく、
該半導体レーザダイオードから発生された光に可
視光を効果的に付加することが可能となり、被治
療箇所を十分に照明しながらレーザ光照射を行う
ことができる。
第１図は、本考案による半導体レーザ装置の一
実施例を説明するための要部構成図、第２図は、
従来の半導体レーザ装置の一例を説明するための
要部構成図である。 １……半導体レーザダイオード、２……可視光
光源、３……光学系、４……反射板。
実施例を説明するための要部構成図、第２図は、
従来の半導体レーザ装置の一例を説明するための
要部構成図である。 １……半導体レーザダイオード、２……可視光
光源、３……光学系、４……反射板。
Claims (1)
- 目に見えない波長のレーザ光線を発生する半導
体レーザダイオードと、該半導体レーザダイオー
ドの表面周辺部に設けられた反射板と、該反射板
に可視光線を照射するための光源と、前記半導体
レーザダイオードによつて発生された光と前記反
射板によつて反射された光を集束するための共通
のレンズ系と、該レンズ系から放射された光を医
科治療及び治療箇所の照明に用いるようにしたこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12312386U JPH0433845Y2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12312386U JPH0433845Y2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329514U JPS6329514U (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0433845Y2 true JPH0433845Y2 (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=31013938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12312386U Expired JPH0433845Y2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0433845Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100400272B1 (en) * | 2002-10-22 | 2003-10-04 | Dankook University Foundation | Low-output laser irradiator |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP12312386U patent/JPH0433845Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6329514U (ja) | 1988-02-26 |
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