JPH04333028A - 光ー光変換素子による光ー光変換方法と表示装置 - Google Patents
光ー光変換素子による光ー光変換方法と表示装置Info
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- JPH04333028A JPH04333028A JP3132009A JP13200991A JPH04333028A JP H04333028 A JPH04333028 A JP H04333028A JP 3132009 A JP3132009 A JP 3132009A JP 13200991 A JP13200991 A JP 13200991A JP H04333028 A JPH04333028 A JP H04333028A
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/001—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes using specific devices not provided for in groups G09G3/02 - G09G3/36, e.g. using an intermediate record carrier such as a film slide; Projection systems; Display of non-alphanumerical information, solely or in combination with alphanumerical information, e.g. digital display on projected diapositive as background
- G09G3/002—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes using specific devices not provided for in groups G09G3/02 - G09G3/36, e.g. using an intermediate record carrier such as a film slide; Projection systems; Display of non-alphanumerical information, solely or in combination with alphanumerical information, e.g. digital display on projected diapositive as background to project the image of a two-dimensional display, such as an array of light emitting or modulating elements or a CRT
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ー光変換素子による光
ー光変換方法と表示装置に関する。
ー光変換方法と表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】時系列的な情報信号によって強度変調さ
れた光束を、投影光学系によりスクリーンに投影して、
２次元的な画像の表示を行なわせうるようにした表示装
置は従来から知られている。ところで、画像信号におけ
る各画素信号によって強度変調された状態の光信号を、
水平方向及び垂直方向に走査させるようにしている従来
技術では、時系列的な信号を用いて高輝度で高解像度の
光学的な２次元画像、例えば縦横にそれぞれ４０００個
の画素が配列されているような高精細度の２次元画像を
実時間に近い状態で形成させることが要求されても、そ
れを実現できるような信号変換素子がなかったので、そ
のような要求を満足させることはできなかった。
れた光束を、投影光学系によりスクリーンに投影して、
２次元的な画像の表示を行なわせうるようにした表示装
置は従来から知られている。ところで、画像信号におけ
る各画素信号によって強度変調された状態の光信号を、
水平方向及び垂直方向に走査させるようにしている従来
技術では、時系列的な信号を用いて高輝度で高解像度の
光学的な２次元画像、例えば縦横にそれぞれ４０００個
の画素が配列されているような高精細度の２次元画像を
実時間に近い状態で形成させることが要求されても、そ
れを実現できるような信号変換素子がなかったので、そ
のような要求を満足させることはできなかった。
【０００３】前記の問題点を解決するために本出願人会
社では先に、例えば、光源から放射された断面形状が直
線状の光束を、画素毎に設けてある多数の反射部材を画
素情報によって変位させうるような構成を備えている光
変調部に入射させ、光変調部においてそれに入射された
断面形状が直線状の光束における直線方向について画素
毎に強度変調された断面形状が直線状の光束として出射
させ、前記した光変調部から出射された光束を回転鏡車
により、光束を所定の周期で水平方向に偏向して投影レ
ンズに入射させて、投影レンズによりスクリーンに投影
してスクリーン上に２次元画像を映出するようにした装
置（ 例えば特願平１ー３３７１７１号の明細書参照
）等により、前記した問題点が良好に解決でき、高輝度
で、かつ高精細度の画像の表示を極めて容易に行なうこ
とができる表示装置を提案した。
社では先に、例えば、光源から放射された断面形状が直
線状の光束を、画素毎に設けてある多数の反射部材を画
素情報によって変位させうるような構成を備えている光
変調部に入射させ、光変調部においてそれに入射された
断面形状が直線状の光束における直線方向について画素
毎に強度変調された断面形状が直線状の光束として出射
させ、前記した光変調部から出射された光束を回転鏡車
により、光束を所定の周期で水平方向に偏向して投影レ
ンズに入射させて、投影レンズによりスクリーンに投影
してスクリーン上に２次元画像を映出するようにした装
置（ 例えば特願平１ー３３７１７１号の明細書参照
）等により、前記した問題点が良好に解決でき、高輝度
で、かつ高精細度の画像の表示を極めて容易に行なうこ
とができる表示装置を提案した。
【０００４】ところが、前記した既提案の装置では、そ
れの光変調部で行なわれる画素情報による光の強度変調
動作が遅いことが問題になり、それの解決策が求められ
たので、先に、Ｎ個の画素と対応するＮ個の発光素子が
直線的に配列されている発光素子アレイにおけるＮ個の
発光素子に、予め定められた期間にわたってそれぞれの
発光素子と対応する画素の情報を供給して、前記した発
光素子アレイにおけるＮ個の発光素子を前記の期間にわ
たって同時に発光させ、前記の発光素子アレイの各発光
素子から放射された光の整列方向と直交する方向に前記
した各発光素子から放射された光を同時に偏向させるよ
うにし、前記の偏向された光が２つの電極間に少なくと
も光導電層部材と光変調材層部材とを含んで構成されて
いる光ー光変換素子における光導電層に結像させ、光ー
光変換素子に読出し光を与えて光ー光変換素子から読出
した画像情報をスクリーンに映出させるようにした図１
２に例示されているような表示装置を提案した。
れの光変調部で行なわれる画素情報による光の強度変調
動作が遅いことが問題になり、それの解決策が求められ
たので、先に、Ｎ個の画素と対応するＮ個の発光素子が
直線的に配列されている発光素子アレイにおけるＮ個の
発光素子に、予め定められた期間にわたってそれぞれの
発光素子と対応する画素の情報を供給して、前記した発
光素子アレイにおけるＮ個の発光素子を前記の期間にわ
たって同時に発光させ、前記の発光素子アレイの各発光
素子から放射された光の整列方向と直交する方向に前記
した各発光素子から放射された光を同時に偏向させるよ
うにし、前記の偏向された光が２つの電極間に少なくと
も光導電層部材と光変調材層部材とを含んで構成されて
いる光ー光変換素子における光導電層に結像させ、光ー
光変換素子に読出し光を与えて光ー光変換素子から読出
した画像情報をスクリーンに映出させるようにした図１
２に例示されているような表示装置を提案した。
【０００５】図１２においてＲＥＡはＮ個（ただし、Ｎ
は２以上の自然数）の画素と対応するＮ個（ただし、Ｎ
は２以上の自然数）の発光素子が直線的に配列されてい
る発光素子アレイであり、前記の発光素子アレイＲＥＡ
におけるＮ個の発光素子から放射される書込み光は、表
示の対象にされている画像における１本の直線上のＮ個
の画素の情報に従った発光強度で予め定められた期間に
わたり同時に発光できるようになされている。すなわち
、表示の対象にされている画像情報が、時系列的な画像
信号として画像情報の信号源から表示装置に供給される
ようになされている場合には、例えば、画像情報の信号
源から出力された時系列的な画像信号におけるＮ個の画
素情報を直並列変換回路（例えばシフトレジスタ）によ
り同時信号に変換して発光素子アレイＲＥＡに供給する
ようにしている。Ｎ個の画素情報によって強度変調され
ている状態で、発光ダイオードアレイＲＥＡにおけるＮ
個の発光素子から出射されたＮ本の光束は、揺動鏡Ｍｇ
あるいは回転鏡車のような光走査装置｛以下の記載では
揺動鏡（ガルバノミラー）が使用されているものとされ
ている｝に入射する。揺動鏡Ｍｇは図中の矢印方向に所
定の周期で揺動されているから、揺動鏡Ｍｇに入射した
前記の光束は光ー光変換素子ＳＬＭの上から下に一定の
移動速度で移動するという動作態様での動作を繰返して
レンズＬを介して光ー光変換素子ＳＬＭ上に投影され、
その光は書込み光として光ー光変換素子（空間光変調素
子）ＳＬＭの光導電層部材に結像されて、前記の光ー光
変換素子ＳＬＭには表示の対象にされている画像情報が
書込まれるのである。
は２以上の自然数）の画素と対応するＮ個（ただし、Ｎ
は２以上の自然数）の発光素子が直線的に配列されてい
る発光素子アレイであり、前記の発光素子アレイＲＥＡ
におけるＮ個の発光素子から放射される書込み光は、表
示の対象にされている画像における１本の直線上のＮ個
の画素の情報に従った発光強度で予め定められた期間に
わたり同時に発光できるようになされている。すなわち
、表示の対象にされている画像情報が、時系列的な画像
信号として画像情報の信号源から表示装置に供給される
ようになされている場合には、例えば、画像情報の信号
源から出力された時系列的な画像信号におけるＮ個の画
素情報を直並列変換回路（例えばシフトレジスタ）によ
り同時信号に変換して発光素子アレイＲＥＡに供給する
ようにしている。Ｎ個の画素情報によって強度変調され
ている状態で、発光ダイオードアレイＲＥＡにおけるＮ
個の発光素子から出射されたＮ本の光束は、揺動鏡Ｍｇ
あるいは回転鏡車のような光走査装置｛以下の記載では
揺動鏡（ガルバノミラー）が使用されているものとされ
ている｝に入射する。揺動鏡Ｍｇは図中の矢印方向に所
定の周期で揺動されているから、揺動鏡Ｍｇに入射した
前記の光束は光ー光変換素子ＳＬＭの上から下に一定の
移動速度で移動するという動作態様での動作を繰返して
レンズＬを介して光ー光変換素子ＳＬＭ上に投影され、
その光は書込み光として光ー光変換素子（空間光変調素
子）ＳＬＭの光導電層部材に結像されて、前記の光ー光
変換素子ＳＬＭには表示の対象にされている画像情報が
書込まれるのである。
【０００６】ところで前記した発光素子アレイＲＥＡは
、直線的に配列されているＮ個の発光素子より表示の対
象にされている画像における１本の直線上のＮ個の画素
情報によって強度変調されている光束を、予め定められ
た期間にわたり放射させているが、前記した予め定めら
れた一定の期間が経過した後には、表示の対象にされて
いる画像における別の１本の直線上のＮ個の画素情報に
よって強度変調されている光束を、予め定められた期間
にわたって放射する、というように、表示の対象にされ
ている画像における順次に異なる直線上のＮ個の画像情
報によって強度変調された状態の光を予め定められた一
定の時間ずつ次々に放射しており、それにより光ー光変
換素子ＳＬＭ上には明るい書込み光が与えられることに
なる。図１２に示されている表示装置中において用いら
れる前記した光ー光変換素子ＳＬＭとしては、例えば図
２に例示されているように、透明基板ＢＰ１と透明電極
Ｅｔ１と光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと配
向膜ＡＬＬ１，ＡＬＬ２と光変調材層部材ＰＭＬと透明
電極Ｅｔ２と透明基板ＢＰ２とを積層して構成されてい
る、所謂、反射型の光ー光変換素子であっても、あるい
は図示されていない透過型の光ー光変換素子であっても
よい。
、直線的に配列されているＮ個の発光素子より表示の対
象にされている画像における１本の直線上のＮ個の画素
情報によって強度変調されている光束を、予め定められ
た期間にわたり放射させているが、前記した予め定めら
れた一定の期間が経過した後には、表示の対象にされて
いる画像における別の１本の直線上のＮ個の画素情報に
よって強度変調されている光束を、予め定められた期間
にわたって放射する、というように、表示の対象にされ
ている画像における順次に異なる直線上のＮ個の画像情
報によって強度変調された状態の光を予め定められた一
定の時間ずつ次々に放射しており、それにより光ー光変
換素子ＳＬＭ上には明るい書込み光が与えられることに
なる。図１２に示されている表示装置中において用いら
れる前記した光ー光変換素子ＳＬＭとしては、例えば図
２に例示されているように、透明基板ＢＰ１と透明電極
Ｅｔ１と光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと配
向膜ＡＬＬ１，ＡＬＬ２と光変調材層部材ＰＭＬと透明
電極Ｅｔ２と透明基板ＢＰ２とを積層して構成されてい
る、所謂、反射型の光ー光変換素子であっても、あるい
は図示されていない透過型の光ー光変換素子であっても
よい。
【０００７】前記した光ー光変換素子ＳＬＭの構成と動
作とについて図２を参照して説明すると次のとおりであ
る。光ー光変換素子ＳＬＭにおいて前記した透明電極Ｅ
ｔ１，Ｅｔ２は透明導電物質の薄膜で構成されており、
また光導電層部材ＰＣＬは使用される光の波長域におい
て光導電性を示す物質を用いて構成される。また、誘電
体ミラーＤＭＬとしては所定の波長帯の光を反射させう
るように多層膜として構成された周知形態のものが使用
でき、さらにまた、光変調材層部材ＰＭＬとしては、印
加されている電界強度に応じて光の状態を変化させる光
変調材、例えば、電気光学効果を有する結晶、複屈折特
性を示す液晶、その他の光変調材層部材が用いられてい
るものとされている。さらに図２においてＥは透明電極
Ｅｔ１，Ｅｔ２間に所定の電圧を印加するための電源で
ある。
作とについて図２を参照して説明すると次のとおりであ
る。光ー光変換素子ＳＬＭにおいて前記した透明電極Ｅ
ｔ１，Ｅｔ２は透明導電物質の薄膜で構成されており、
また光導電層部材ＰＣＬは使用される光の波長域におい
て光導電性を示す物質を用いて構成される。また、誘電
体ミラーＤＭＬとしては所定の波長帯の光を反射させう
るように多層膜として構成された周知形態のものが使用
でき、さらにまた、光変調材層部材ＰＭＬとしては、印
加されている電界強度に応じて光の状態を変化させる光
変調材、例えば、電気光学効果を有する結晶、複屈折特
性を示す液晶、その他の光変調材層部材が用いられてい
るものとされている。さらに図２においてＥは透明電極
Ｅｔ１，Ｅｔ２間に所定の電圧を印加するための電源で
ある。
【０００８】図２中のＷＬは光ー光変換素子ＳＬＭにお
ける基板ＢＰ１ 側から入射されて光導電層部材ＰＣＬ
に集光される書込み光であって、この書込み光ＷＬは表
示の対象にされている情報によって強度変調されている
。 それで図１２に示されている表示装置において、透明電
極Ｅｔ１，Ｅｔ２間に電源Ｅから所定の電圧が供給され
ている光ー光変換素子ＳＬＭにおける透明基板ＢＰ１
側から、前記した揺動鏡Ｍｇで反射した画像情報によっ
て強度変調されているＮ本の書込み光束がレンズＬによ
り光導電層部材ＰＣＬに集光すると、前記したＮ本の書
込み光束が集光された部分の光導電層部材ＰＣＬの電気
抵抗値が、照射された光量に応じ変化して光導電層部材
ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界には前記した表示
の対象にされている画像情報で強度変調されているＮ本
の書込み光による照射光量と対応している電荷像、すな
わち、時系列信号におけるＮ個の順次の画素情報と対応
している電荷量の電荷が配列されている状態の電荷像が
良好に形成され、それにより光ー光変換素子ＳＬＭの光
変調材層部材ＰＭＬには、光導電層部材ＰＣＬと誘電体
ミラーＤＭＬとの境界に形成されたＮ個の電荷像による
電界が印加される。
ける基板ＢＰ１ 側から入射されて光導電層部材ＰＣＬ
に集光される書込み光であって、この書込み光ＷＬは表
示の対象にされている情報によって強度変調されている
。 それで図１２に示されている表示装置において、透明電
極Ｅｔ１，Ｅｔ２間に電源Ｅから所定の電圧が供給され
ている光ー光変換素子ＳＬＭにおける透明基板ＢＰ１
側から、前記した揺動鏡Ｍｇで反射した画像情報によっ
て強度変調されているＮ本の書込み光束がレンズＬによ
り光導電層部材ＰＣＬに集光すると、前記したＮ本の書
込み光束が集光された部分の光導電層部材ＰＣＬの電気
抵抗値が、照射された光量に応じ変化して光導電層部材
ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界には前記した表示
の対象にされている画像情報で強度変調されているＮ本
の書込み光による照射光量と対応している電荷像、すな
わち、時系列信号におけるＮ個の順次の画素情報と対応
している電荷量の電荷が配列されている状態の電荷像が
良好に形成され、それにより光ー光変換素子ＳＬＭの光
変調材層部材ＰＭＬには、光導電層部材ＰＣＬと誘電体
ミラーＤＭＬとの境界に形成されたＮ個の電荷像による
電界が印加される。
【０００９】図１２中のＬＳは読出し光の光源であり、
前記した読出し光の光源ＬＳから放射された読出し光Ｒ
Ｌが偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射すると、前記し
た読出し光ＲＬにおけるＳ偏光光成分が偏光ビームスプ
リッタＰＢＳで光ー光変換素子ＳＬＭの読出し側の方に
反射されて、光ー光変換素子ＳＬＭの読出し側の透明基
板ＢＰ２ から入射する。前記のように光ー光変換素子
ＳＬＭの透明基板ＢＰ２側から入射した読出し光ＲＬは
図２を参照して既述したように、透明基板ＢＰ２→透明
電極Ｅｔ２→配向膜ＡＬＬ２→光変調材層部材ＰＭＬ→
配向膜ＡＬＬ１→誘電体ミラーＤＭＬの経路により誘電
体ミラーＤＭＬに達して、そこで反射した読出し光の反
射光は、誘電体ミラーＤＭＬ→配向膜ＡＬＬ１→光変調
材層部材ＰＭＬ→配向膜ＡＬＬ２→透明電極Ｅｔ２→透
明基板ＢＰ２ →の経路で光ー光変換素子ＳＬＭから出
射する。
前記した読出し光の光源ＬＳから放射された読出し光Ｒ
Ｌが偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射すると、前記し
た読出し光ＲＬにおけるＳ偏光光成分が偏光ビームスプ
リッタＰＢＳで光ー光変換素子ＳＬＭの読出し側の方に
反射されて、光ー光変換素子ＳＬＭの読出し側の透明基
板ＢＰ２ から入射する。前記のように光ー光変換素子
ＳＬＭの透明基板ＢＰ２側から入射した読出し光ＲＬは
図２を参照して既述したように、透明基板ＢＰ２→透明
電極Ｅｔ２→配向膜ＡＬＬ２→光変調材層部材ＰＭＬ→
配向膜ＡＬＬ１→誘電体ミラーＤＭＬの経路により誘電
体ミラーＤＭＬに達して、そこで反射した読出し光の反
射光は、誘電体ミラーＤＭＬ→配向膜ＡＬＬ１→光変調
材層部材ＰＭＬ→配向膜ＡＬＬ２→透明電極Ｅｔ２→透
明基板ＢＰ２ →の経路で光ー光変換素子ＳＬＭから出
射する。
【００１０】前記のようにして光ー光変換素子ＳＬＭか
ら同時に出射したＮ本の読出し光の光束は、Ｎ個の順次
の画素情報と対応している電荷量の電荷が配列されてい
る状態の電荷像による電界が印加されている光変調材層
部材ＰＭＬを往復した光束であるから、その光束は直線
的に配列されているＮ個の順次の画素情報と対応して偏
光面の状態が変化しているものになっている。そして、
前記の光ー光変換素子ＳＬＭから同時に出射したＮ本の
読出し光は偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射して、前
記の入射光におけるＰ偏光光成分が偏光ビームスプリッ
タＰＢＳから投影レンズＬｐに同時に与えられ、投影レ
ンズＬｐはそれをスクリーンＳ上に直線的に配列されて
いるＮ個の光点として同時に映出させる。
ら同時に出射したＮ本の読出し光の光束は、Ｎ個の順次
の画素情報と対応している電荷量の電荷が配列されてい
る状態の電荷像による電界が印加されている光変調材層
部材ＰＭＬを往復した光束であるから、その光束は直線
的に配列されているＮ個の順次の画素情報と対応して偏
光面の状態が変化しているものになっている。そして、
前記の光ー光変換素子ＳＬＭから同時に出射したＮ本の
読出し光は偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射して、前
記の入射光におけるＰ偏光光成分が偏光ビームスプリッ
タＰＢＳから投影レンズＬｐに同時に与えられ、投影レ
ンズＬｐはそれをスクリーンＳ上に直線的に配列されて
いるＮ個の光点として同時に映出させる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】さて、図１２を参照し
て説明した表示装置で使用されている光ー光変換素子Ｓ
ＬＭにおける書込み光による１枚の画像（１フレームの
画像）の書込み動作は、Ｎ個の画素と対応して直線的に
配列されたＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイのＮ
個の発光素子が、各発光素子と個別に対応する画素の情
報に従った発光強度で予め定められた期間、すなわち（
垂直走査期間／垂直方向に並べられるラインの数Ｍ）に
よって定められた時間だけ同時に発光するという動作を
、１垂直走査期間中に垂直走査方向でＭ回繰返すことに
よって行なわれる。ところで、光ー光変換素子ＳＬＭに
おける光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとか
らなる部分の等価回路は、電気抵抗と静電容量とによる
受動回路網として示されるものであるから、２つの透明
電極間Ｅｔ１，Ｅｔ２間に所定の一定の動作電圧Ｅが供
給されているとともに、一定強度の読出し光が与えられ
ている光ー光変換器ＳＬＭに対して、例えば、図１３の
下方に例示してあるように、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで
のτの時間に光強度がＩｗ１であるような露光量（光量
×時間）の書込み光を与えた場合に光ー光変換素子から
出射される読出し光の強度の時間軸上での変化の態様は
図１３の上方に例示されているように、時間軸上で自然
対数的に減衰している状態のものとなる。
て説明した表示装置で使用されている光ー光変換素子Ｓ
ＬＭにおける書込み光による１枚の画像（１フレームの
画像）の書込み動作は、Ｎ個の画素と対応して直線的に
配列されたＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイのＮ
個の発光素子が、各発光素子と個別に対応する画素の情
報に従った発光強度で予め定められた期間、すなわち（
垂直走査期間／垂直方向に並べられるラインの数Ｍ）に
よって定められた時間だけ同時に発光するという動作を
、１垂直走査期間中に垂直走査方向でＭ回繰返すことに
よって行なわれる。ところで、光ー光変換素子ＳＬＭに
おける光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとか
らなる部分の等価回路は、電気抵抗と静電容量とによる
受動回路網として示されるものであるから、２つの透明
電極間Ｅｔ１，Ｅｔ２間に所定の一定の動作電圧Ｅが供
給されているとともに、一定強度の読出し光が与えられ
ている光ー光変換器ＳＬＭに対して、例えば、図１３の
下方に例示してあるように、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで
のτの時間に光強度がＩｗ１であるような露光量（光量
×時間）の書込み光を与えた場合に光ー光変換素子から
出射される読出し光の強度の時間軸上での変化の態様は
図１３の上方に例示されているように、時間軸上で自然
対数的に減衰している状態のものとなる。
【００１２】すなわち、光ー光変換素子ＳＬＭにおける
光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値は、２
つの透明電極間Ｅｔ１，Ｅｔ２間に予め供給されていた
所定の動作電圧Ｅから前記した露光量の書込み光の印加
時に光導電層部材に生じる電圧降下分だけ低い電圧値か
ら、光ー光変換素子ＳＬＭにおける光導電層部材ＰＣＬ
と光変調材層部材ＰＭＬとからなる構成部分の時定数に
従って時間軸上で自然対数的に低下して行くから、それ
に従って光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し光
の強度は図１３の上方に示されているようにＩｒ１の値
から時間軸上で自然対数的に減衰している状態のものと
なるのであり、したがって光ー光変換素子ＳＬＭからの
読出し光によって表示される表示画像における各画素の
明るさは、時間軸上で自然対数的に減衰している状態に
なっている。それで、光ー光変換素子における光導電層
部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとからなる構成部分
の時定数が、表示装置で表示の対象にしている画像の１
フレーム期間に比べて比常に長い場合には明るい表示画
像が得られるが、大きな残像が生じ、また、前記とは逆
に光ー光変換素子における光導電層部材ＰＣＬと光変調
材層部材ＰＭＬとからなる構成部分の時定数が、表示装
置で表示の対象にしている画像の１フレーム期間に比べ
て短い場合には残像は生じないが、暗い表示画像しか得
られないことになる。
光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値は、２
つの透明電極間Ｅｔ１，Ｅｔ２間に予め供給されていた
所定の動作電圧Ｅから前記した露光量の書込み光の印加
時に光導電層部材に生じる電圧降下分だけ低い電圧値か
ら、光ー光変換素子ＳＬＭにおける光導電層部材ＰＣＬ
と光変調材層部材ＰＭＬとからなる構成部分の時定数に
従って時間軸上で自然対数的に低下して行くから、それ
に従って光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し光
の強度は図１３の上方に示されているようにＩｒ１の値
から時間軸上で自然対数的に減衰している状態のものと
なるのであり、したがって光ー光変換素子ＳＬＭからの
読出し光によって表示される表示画像における各画素の
明るさは、時間軸上で自然対数的に減衰している状態に
なっている。それで、光ー光変換素子における光導電層
部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとからなる構成部分
の時定数が、表示装置で表示の対象にしている画像の１
フレーム期間に比べて比常に長い場合には明るい表示画
像が得られるが、大きな残像が生じ、また、前記とは逆
に光ー光変換素子における光導電層部材ＰＣＬと光変調
材層部材ＰＭＬとからなる構成部分の時定数が、表示装
置で表示の対象にしている画像の１フレーム期間に比べ
て短い場合には残像は生じないが、暗い表示画像しか得
られないことになる。
【００１３】そして、従来から光ー光変換素子は、それ
を構成している光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｐ
ＭＬとからなる構成部分の材質や膜厚、駆動周波数、書
込み光の強度等を選定することにより、前記した光ー光
変換素子における光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材
ＰＭＬとからなる構成部分の時定数を含めた光ー光変換
素子の応答特性を最適化した状態で使用するようにして
いる。図１４は光ー光変換素子から読出された読出し光
の強度が、表示装置で表示の対象にされている画像の３
フレーム期間の経過後に最初に読出された読出光の光強
度の１０％に低下するような残像特性を有する光ー光変
換素子を用いて、１フレーム期間Ｔｆ毎にＩｗの光強度
でτ１の時間の露光量の書込み光で光ー光変換素子に書
込んだときに、光ー光変換素子におけるある特定な１つ
の画素部分から読出された読出し光の時間軸上での強度
変化の態様を例示した図であり、この図１４における読
出し光の強度Ｉｒａは人間の眼の残像特性によって平均
化された視覚平均光量を表わしている。
を構成している光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｐ
ＭＬとからなる構成部分の材質や膜厚、駆動周波数、書
込み光の強度等を選定することにより、前記した光ー光
変換素子における光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材
ＰＭＬとからなる構成部分の時定数を含めた光ー光変換
素子の応答特性を最適化した状態で使用するようにして
いる。図１４は光ー光変換素子から読出された読出し光
の強度が、表示装置で表示の対象にされている画像の３
フレーム期間の経過後に最初に読出された読出光の光強
度の１０％に低下するような残像特性を有する光ー光変
換素子を用いて、１フレーム期間Ｔｆ毎にＩｗの光強度
でτ１の時間の露光量の書込み光で光ー光変換素子に書
込んだときに、光ー光変換素子におけるある特定な１つ
の画素部分から読出された読出し光の時間軸上での強度
変化の態様を例示した図であり、この図１４における読
出し光の強度Ｉｒａは人間の眼の残像特性によって平均
化された視覚平均光量を表わしている。
【００１４】前記した図１４に示されているような特性
を有する光ー光変換素子ＳＬＭを用いて構成されている
表示装置によって表示された表示画像を観察した人間は
、その表示画像の明るさを図中の視覚平均光量のもので
あると認識することになる。しかし、実際に読出し光の
光源から常に光ー光変換素子に供給されている読出し光
の強度は図１４中にＩｒｐとして示されている光強度の
光であるから、図１４中に示されているＩｒｐの位置の
直線とＩｒａの位置の直線との間の面積の部分は、表示
のために利用されることなく無駄に捨て去られてしまう
ので、光源から放射された光の利用率が低いことになる
。 前記した光源から放射された光の利用率を高めるために
は、時定数の大きな光ー光変換素子を使用すればよいが
、既述のように時定数の大きな光ー光変換素子を使用す
れば残像が大になるということが問題になるから、従来
は光源の利用率が高く、かつ、残像の少ない表示装置を
提供することはできなかった。
を有する光ー光変換素子ＳＬＭを用いて構成されている
表示装置によって表示された表示画像を観察した人間は
、その表示画像の明るさを図中の視覚平均光量のもので
あると認識することになる。しかし、実際に読出し光の
光源から常に光ー光変換素子に供給されている読出し光
の強度は図１４中にＩｒｐとして示されている光強度の
光であるから、図１４中に示されているＩｒｐの位置の
直線とＩｒａの位置の直線との間の面積の部分は、表示
のために利用されることなく無駄に捨て去られてしまう
ので、光源から放射された光の利用率が低いことになる
。 前記した光源から放射された光の利用率を高めるために
は、時定数の大きな光ー光変換素子を使用すればよいが
、既述のように時定数の大きな光ー光変換素子を使用す
れば残像が大になるということが問題になるから、従来
は光源の利用率が高く、かつ、残像の少ない表示装置を
提供することはできなかった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は２つの電極間に
少なくとも光導電層部材と複屈折動作モードで使用され
る光変調材層部材とを含んで構成されている光ー光変換
素子における２つの電極に予め所定の動作電圧が供給さ
れている状態において、光導電層部材側から最小露光量
の状態から最大露光量の状態にまで露光量が変化してい
る状態の書込み光を入射させたとしたときに、前記した
２つの電極間に予め供給されている所定の動作電圧から
前記した書込み光の入射によって光導電層部材に単調な
変化状態で生じる電圧降下分だけ低下して光変調材層部
材の両端へ印加される電圧値の内で、光ー光変換素子に
最大露光量の書込み光が入射している状態のときに光変
調材層部材の両端に印加される電圧値が、光変調材層部
材における印加電圧と光変調度との関係を示す特性曲線
における光変調度の極値と対応する電圧値を単調に超え
るような電圧値となされるように光ー光変換素子におけ
る動作状態を設定してなる光ー光変換素子による光ー光
変換方法、及びＮ個の画素と対応して直線的に配列され
たＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイにおける前記
したＮ個の発光素子を、各発光素子と個別に対応する画
素の情報に従って発光させる手段と、前記した発光素子
アレイにおける各発光素子から放射された光の整列方向
と直交する方向に前記の各発光素子から放射された光を
同時に偏向する手段と、２つの電極間に少なくとも光導
電層部材と複屈折動作モードで使用される光変調材層部
材とを含んで構成されている光ー光変換素子における２
つの電極に予め所定の動作電圧が供給されている状態に
おいて、光導電層部材側から最小露光量の状態から最大
露光量の状態にまで露光量が変化している状態の前記し
た偏向手段によって偏向されている書込み光を入射させ
たときに、前記した２つの電極間に予め供給されている
所定の動作電圧から前記した書込み光の入射によって光
導電層部材に単調な変化状態で生じる電圧降下分だけ低
下して光変調材層部材の両端へ印加される電圧値の内で
、光ー光変換素子に最大露光量の書込み光が入射してい
る状態のときに光変調材層部材の両端に印加される電圧
値が、光変調材層部材における印加電圧と光変調度との
関係を示す特性曲線における光変調度の極値と対応する
電圧値を単調に超えるような電圧値となされるような動
作状態として、前記した各発光素子から放射された光が
同時に偏向されている状態の光を光ー光変換素子におけ
る前記した光導電層部材に結像させるようにする手段と
、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光によって
読出して投影光学系によってスクリーンに投影する手段
とを備えた表示装置を提供する。
少なくとも光導電層部材と複屈折動作モードで使用され
る光変調材層部材とを含んで構成されている光ー光変換
素子における２つの電極に予め所定の動作電圧が供給さ
れている状態において、光導電層部材側から最小露光量
の状態から最大露光量の状態にまで露光量が変化してい
る状態の書込み光を入射させたとしたときに、前記した
２つの電極間に予め供給されている所定の動作電圧から
前記した書込み光の入射によって光導電層部材に単調な
変化状態で生じる電圧降下分だけ低下して光変調材層部
材の両端へ印加される電圧値の内で、光ー光変換素子に
最大露光量の書込み光が入射している状態のときに光変
調材層部材の両端に印加される電圧値が、光変調材層部
材における印加電圧と光変調度との関係を示す特性曲線
における光変調度の極値と対応する電圧値を単調に超え
るような電圧値となされるように光ー光変換素子におけ
る動作状態を設定してなる光ー光変換素子による光ー光
変換方法、及びＮ個の画素と対応して直線的に配列され
たＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイにおける前記
したＮ個の発光素子を、各発光素子と個別に対応する画
素の情報に従って発光させる手段と、前記した発光素子
アレイにおける各発光素子から放射された光の整列方向
と直交する方向に前記の各発光素子から放射された光を
同時に偏向する手段と、２つの電極間に少なくとも光導
電層部材と複屈折動作モードで使用される光変調材層部
材とを含んで構成されている光ー光変換素子における２
つの電極に予め所定の動作電圧が供給されている状態に
おいて、光導電層部材側から最小露光量の状態から最大
露光量の状態にまで露光量が変化している状態の前記し
た偏向手段によって偏向されている書込み光を入射させ
たときに、前記した２つの電極間に予め供給されている
所定の動作電圧から前記した書込み光の入射によって光
導電層部材に単調な変化状態で生じる電圧降下分だけ低
下して光変調材層部材の両端へ印加される電圧値の内で
、光ー光変換素子に最大露光量の書込み光が入射してい
る状態のときに光変調材層部材の両端に印加される電圧
値が、光変調材層部材における印加電圧と光変調度との
関係を示す特性曲線における光変調度の極値と対応する
電圧値を単調に超えるような電圧値となされるような動
作状態として、前記した各発光素子から放射された光が
同時に偏向されている状態の光を光ー光変換素子におけ
る前記した光導電層部材に結像させるようにする手段と
、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光によって
読出して投影光学系によってスクリーンに投影する手段
とを備えた表示装置を提供する。
【００１６】
【作用】２つの電極間に光導電層部材と複屈折動作モー
ドで使用される光変調材層部材とを含んで構成してある
光ー光変換素子における２つの電極間に予め所定の動作
電圧を供給している状態において、光導電層部材側から
最小露光量の状態から最大露光量の状態にまで露光量が
変化している書込み光を入射させたときに、前記した２
つの電極間に予め供給されている所定の動作電圧から前
記した書込み光の入射によって光導電層部材に単調な変
化状態で生じる電圧降下分だけ低下している状態で光変
調材層部材の両端へ印加される電圧値の内で、光ー光変
換素子に最大露光量の書込み光が入射している状態のと
きに光変調材層部材の両端に印加される電圧値が、光変
調材層部材における印加電圧と光変調度との関係を示す
特性曲線における光変調度の極値と対応する電圧値を単
調に超えるような電圧値になされているために、光ー光
変換素子の光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬ
とからなる構成部分の本来の時定数を変化させない状態
で、読出し光の平均光量を増大させることができるので
、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光によって
読出して、投影光学系によりスクリーンに投影して行な
う画像の表示を、光源の光利用率が高い状態で行なうこ
とができる。
ドで使用される光変調材層部材とを含んで構成してある
光ー光変換素子における２つの電極間に予め所定の動作
電圧を供給している状態において、光導電層部材側から
最小露光量の状態から最大露光量の状態にまで露光量が
変化している書込み光を入射させたときに、前記した２
つの電極間に予め供給されている所定の動作電圧から前
記した書込み光の入射によって光導電層部材に単調な変
化状態で生じる電圧降下分だけ低下している状態で光変
調材層部材の両端へ印加される電圧値の内で、光ー光変
換素子に最大露光量の書込み光が入射している状態のと
きに光変調材層部材の両端に印加される電圧値が、光変
調材層部材における印加電圧と光変調度との関係を示す
特性曲線における光変調度の極値と対応する電圧値を単
調に超えるような電圧値になされているために、光ー光
変換素子の光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬ
とからなる構成部分の本来の時定数を変化させない状態
で、読出し光の平均光量を増大させることができるので
、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光によって
読出して、投影光学系によりスクリーンに投影して行な
う画像の表示を、光源の光利用率が高い状態で行なうこ
とができる。
【００１７】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の光ー光変
換素子による光ー光変換方法と表示装置の具体的な内容
を詳細に説明する。図１は本発明の光ー光変換素子によ
る光ー光変換方法を適用して構成した表示装置の実施例
の斜視図、図２は光ー光変換素子の一例のものの側断面
図、図３は書込光の光強度と光変調材層部材の両端に印
加される電圧との関係を示す特性曲線例図、図４は光変
調材層部材への印加電圧と光ー光変換素子からの読出し
光の強度との関係を示す特性曲線例図、図５は書込光の
光強度と光変調材層部材の両端に印加される電圧との関
係及び光変調材層部材の両端に印加される電圧の時間的
な変化特性を示す特性曲線例図、図６乃至図８及び図９
ならびに図１１は光ー光変換素子から読出された読出し
光の強度の時間的な変化特性の曲線図である。図１に示
す本発明の光ー光変換素子による光ー光変換方法を適用
して構成した表示装置において、図１２を参照して既述
した表示装置の構成部分と同一の構成部分には、図１２
の表示装置における各構成部分に付した図面符号と同一
の図面符号が付されている。図１に示す表示装置におい
てＲＥＡはＮ個（ただし、Ｎは２以上の自然数）の画素
と対応するＮ個（ただしＮは２以上の自然数）の発光素
子が直線的に配列されている発光素子アレイであり、前
記の発光素子アレイＲＥＡは例えば基板に多数の発光素
子（例えば発光ダイオード、半導体レーザ等）を直線的
に配列した構成態様のもの、あるいは発光素子アレイに
おける発光素子列上にマイクロレンズアレイを構成させ
た構成態様のものを使用することができる。図１に示さ
れている表示装置において、発光素子アレイＲＥＡに直
線的に配列されているＮ個の発光素子は、後述されてい
るような予め定められた所定の発光強度の範囲において
、表示の対象にされている画像における１本の直線上の
Ｎ個の画素の情報に従って強度変調されている状態で同
時に発光できるように駆動回路ＤＣＴによって駆動され
る。 前記した発光素子アレイＲＥＡに直線的に配列されてい
るＮ個の発光素子は、表示の対象にされている画像にお
ける１本の直線上のＮ個の画素の情報に従って一定の光
強度で時間巾変調されている状態で発光するように駆動
回路ＤＣＴによって駆動されるようになされても、発光
素子アレイＲＥＡに直線的に配列されているＮ個の発光
素子から放射された光が表示の対象にされている画像に
おける１本の直線上のＮ個の画素の情報に従って強度変
調された場合に各発光素子から放射された光によって、
後述されている光ー光変換素子に与える露光量と同一の
露光量の光を光ー光変換素子に与えることができるので
、発光素子アレイＲＥＡに直線的に配列されているＮ個
の発光素子に対する前記した駆動回路ＤＣＴによる駆動
の態様が、各画素の情報と対応して一定の光強度で時間
巾変調されている状態でＮ個の発光素子を駆動するもの
であってもよいことは当然である。以下の実施例の説明
において、発光素子アレイＲＥＡに直線的に配列されて
いるＮ個の発光素子は、後述されているような予め定め
られた所定の発光強度の範囲において、表示の対象にさ
れている画像における１本の直線上のＮ個の画素の情報
に従って強度変調されている状態で同時に発光できるよ
うに駆動回路ＤＣＴによって駆動されるものとして記述
されているが、本発明の実施に当っては発光素子アレイ
ＲＥＡに直線的に配列されているＮ個の発光素子が、一
定の光強度で表示の対象にされている画像における１本
の直線上のＮ個の画素の情報に従って一定の光強度で時
間巾変調されている状態で発光されるように駆動回路Ｄ
ＣＴによって駆動されてもよいのである。
換素子による光ー光変換方法と表示装置の具体的な内容
を詳細に説明する。図１は本発明の光ー光変換素子によ
る光ー光変換方法を適用して構成した表示装置の実施例
の斜視図、図２は光ー光変換素子の一例のものの側断面
図、図３は書込光の光強度と光変調材層部材の両端に印
加される電圧との関係を示す特性曲線例図、図４は光変
調材層部材への印加電圧と光ー光変換素子からの読出し
光の強度との関係を示す特性曲線例図、図５は書込光の
光強度と光変調材層部材の両端に印加される電圧との関
係及び光変調材層部材の両端に印加される電圧の時間的
な変化特性を示す特性曲線例図、図６乃至図８及び図９
ならびに図１１は光ー光変換素子から読出された読出し
光の強度の時間的な変化特性の曲線図である。図１に示
す本発明の光ー光変換素子による光ー光変換方法を適用
して構成した表示装置において、図１２を参照して既述
した表示装置の構成部分と同一の構成部分には、図１２
の表示装置における各構成部分に付した図面符号と同一
の図面符号が付されている。図１に示す表示装置におい
てＲＥＡはＮ個（ただし、Ｎは２以上の自然数）の画素
と対応するＮ個（ただしＮは２以上の自然数）の発光素
子が直線的に配列されている発光素子アレイであり、前
記の発光素子アレイＲＥＡは例えば基板に多数の発光素
子（例えば発光ダイオード、半導体レーザ等）を直線的
に配列した構成態様のもの、あるいは発光素子アレイに
おける発光素子列上にマイクロレンズアレイを構成させ
た構成態様のものを使用することができる。図１に示さ
れている表示装置において、発光素子アレイＲＥＡに直
線的に配列されているＮ個の発光素子は、後述されてい
るような予め定められた所定の発光強度の範囲において
、表示の対象にされている画像における１本の直線上の
Ｎ個の画素の情報に従って強度変調されている状態で同
時に発光できるように駆動回路ＤＣＴによって駆動され
る。 前記した発光素子アレイＲＥＡに直線的に配列されてい
るＮ個の発光素子は、表示の対象にされている画像にお
ける１本の直線上のＮ個の画素の情報に従って一定の光
強度で時間巾変調されている状態で発光するように駆動
回路ＤＣＴによって駆動されるようになされても、発光
素子アレイＲＥＡに直線的に配列されているＮ個の発光
素子から放射された光が表示の対象にされている画像に
おける１本の直線上のＮ個の画素の情報に従って強度変
調された場合に各発光素子から放射された光によって、
後述されている光ー光変換素子に与える露光量と同一の
露光量の光を光ー光変換素子に与えることができるので
、発光素子アレイＲＥＡに直線的に配列されているＮ個
の発光素子に対する前記した駆動回路ＤＣＴによる駆動
の態様が、各画素の情報と対応して一定の光強度で時間
巾変調されている状態でＮ個の発光素子を駆動するもの
であってもよいことは当然である。以下の実施例の説明
において、発光素子アレイＲＥＡに直線的に配列されて
いるＮ個の発光素子は、後述されているような予め定め
られた所定の発光強度の範囲において、表示の対象にさ
れている画像における１本の直線上のＮ個の画素の情報
に従って強度変調されている状態で同時に発光できるよ
うに駆動回路ＤＣＴによって駆動されるものとして記述
されているが、本発明の実施に当っては発光素子アレイ
ＲＥＡに直線的に配列されているＮ個の発光素子が、一
定の光強度で表示の対象にされている画像における１本
の直線上のＮ個の画素の情報に従って一定の光強度で時
間巾変調されている状態で発光されるように駆動回路Ｄ
ＣＴによって駆動されてもよいのである。
【００１８】前記した表示の対象にされている画像情報
が、例えば時系列的な画像信号として画像情報の信号源
から表示装置に供給されるようになされている場合には
、画像情報の信号源から出力された時系列的な画像信号
におけるＮ個の画素情報を駆動回路ＤＣＴに設けてある
直並列変換回路によって同時信号に変換して発光素子ア
レイＲＥＡに供給するようにする。前記した直並列変換
回路としては、例えばシフトレジスタを用いることがで
きる。そして、Ｎ個の画素情報によって強度変調されて
いる状態で、発光ダイオードアレイＲＥＡにおけるＮ個
の発光素子から出射されたＮ本の光束は、レンズＬを介
して揺動鏡Ｍｇあるいは回転鏡車のような光走査装置｛
以下の記載では揺動鏡（ガルバノミラー）が使用されて
いるものとされている｝に入射する。揺動鏡Ｍｇは図中
の矢印方向に所定の周期で揺動されているから、揺動鏡
Ｍｇに入射した前記の光束は光ー光変換素子ＳＬＭの上
から下に一定の移動速度で移動するという動作態様での
動作を繰返して光ー光変換素子ＳＬＭ上に投影され、そ
の光は書込み光として光ー光変換素子（空間光変調素子
）ＳＬＭの光導電層部材に結像されて、前記の光ー光変
換素子ＳＬＭには表示の対象にされている画像情報が書
込まれるのである。図１に示されている表示装置中にお
いて用いられる光ー光変換素子ＳＬＭは、例えば図２に
例示されているように、透明基板ＢＰ１と透明電極Ｅｔ
１と光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと配向膜
ＡＬＬと光変調材層部材ＰＭＬと透明電極Ｅｔ２と透明
基板ＢＰ２とを積層して構成されている、所謂、反射型
の光ー光変換素子であっても、あるいは図示されていな
い透過型の光ー光変換素子であってもよいが、以下の実
施例の説明では使用されている光ー光変換素子ＳＬＭが
反射型の光ー光変換素子であるとされている。前記した
光ー光変換素子ＳＬＭの構成と一般的な動作についての
説明は図２を参照して詳細に既述したとおりであるから
、それらの詳細な説明は省略する。
が、例えば時系列的な画像信号として画像情報の信号源
から表示装置に供給されるようになされている場合には
、画像情報の信号源から出力された時系列的な画像信号
におけるＮ個の画素情報を駆動回路ＤＣＴに設けてある
直並列変換回路によって同時信号に変換して発光素子ア
レイＲＥＡに供給するようにする。前記した直並列変換
回路としては、例えばシフトレジスタを用いることがで
きる。そして、Ｎ個の画素情報によって強度変調されて
いる状態で、発光ダイオードアレイＲＥＡにおけるＮ個
の発光素子から出射されたＮ本の光束は、レンズＬを介
して揺動鏡Ｍｇあるいは回転鏡車のような光走査装置｛
以下の記載では揺動鏡（ガルバノミラー）が使用されて
いるものとされている｝に入射する。揺動鏡Ｍｇは図中
の矢印方向に所定の周期で揺動されているから、揺動鏡
Ｍｇに入射した前記の光束は光ー光変換素子ＳＬＭの上
から下に一定の移動速度で移動するという動作態様での
動作を繰返して光ー光変換素子ＳＬＭ上に投影され、そ
の光は書込み光として光ー光変換素子（空間光変調素子
）ＳＬＭの光導電層部材に結像されて、前記の光ー光変
換素子ＳＬＭには表示の対象にされている画像情報が書
込まれるのである。図１に示されている表示装置中にお
いて用いられる光ー光変換素子ＳＬＭは、例えば図２に
例示されているように、透明基板ＢＰ１と透明電極Ｅｔ
１と光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと配向膜
ＡＬＬと光変調材層部材ＰＭＬと透明電極Ｅｔ２と透明
基板ＢＰ２とを積層して構成されている、所謂、反射型
の光ー光変換素子であっても、あるいは図示されていな
い透過型の光ー光変換素子であってもよいが、以下の実
施例の説明では使用されている光ー光変換素子ＳＬＭが
反射型の光ー光変換素子であるとされている。前記した
光ー光変換素子ＳＬＭの構成と一般的な動作についての
説明は図２を参照して詳細に既述したとおりであるから
、それらの詳細な説明は省略する。
【００１９】前記した発光素子アレイＲＥＡは、直線的
に配列されているＮ個の発光素子より表示の対象にされ
ている画像における１本の直線上のＮ個の画素情報によ
って強度変調されている光束を、予め定められた期間に
わたり放射させているが、前記した予め定められた一定
の期間が経過した後には、表示の対象にされている画像
における別の１本の直線上のＮ個の画素情報によって強
度変調されている光束を、予め定められた期間にわたっ
て放射する、というように、表示の対象にされている画
像における順次に異なる直線上のＮ個の画像情報によっ
て強度変調された状態の光を予め定められた一定の時間
ずつ次々に放射しており、それにより光ー光変換素子Ｓ
ＬＭ上には明るい書込み光が与えられることになる。図
３は光ー光変換素子ＳＬＭに供給される書込み光ＷＬの
強度の変化に伴って光変調材層部材ＰＭＬの両端に加え
られる電圧値がどのように変化するのかを例示している
図であり、光ー光変換素子ＳＬＭでは書込み光ＷＬの強
度（露光量としても同じ）が変化すると光変調材層部材
ＰＭＬと直列的に設けられている光導電層部材ＰＣＬの
電気抵抗値が変化することにより、書込み光ＷＬの強度
（露光量）の変化に伴って光変調材層部材ＰＭＬの両端
に加えられる電圧値は、例えば図３に例示されているよ
うに変化する。
に配列されているＮ個の発光素子より表示の対象にされ
ている画像における１本の直線上のＮ個の画素情報によ
って強度変調されている光束を、予め定められた期間に
わたり放射させているが、前記した予め定められた一定
の期間が経過した後には、表示の対象にされている画像
における別の１本の直線上のＮ個の画素情報によって強
度変調されている光束を、予め定められた期間にわたっ
て放射する、というように、表示の対象にされている画
像における順次に異なる直線上のＮ個の画像情報によっ
て強度変調された状態の光を予め定められた一定の時間
ずつ次々に放射しており、それにより光ー光変換素子Ｓ
ＬＭ上には明るい書込み光が与えられることになる。図
３は光ー光変換素子ＳＬＭに供給される書込み光ＷＬの
強度の変化に伴って光変調材層部材ＰＭＬの両端に加え
られる電圧値がどのように変化するのかを例示している
図であり、光ー光変換素子ＳＬＭでは書込み光ＷＬの強
度（露光量としても同じ）が変化すると光変調材層部材
ＰＭＬと直列的に設けられている光導電層部材ＰＣＬの
電気抵抗値が変化することにより、書込み光ＷＬの強度
（露光量）の変化に伴って光変調材層部材ＰＭＬの両端
に加えられる電圧値は、例えば図３に例示されているよ
うに変化する。
【００２０】図４は複屈折動作モードで使用される光変
調材層部材ＰＭＬを備えて構成されている光ー光変換素
子ＳＬＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの両端に加えら
れる電圧値の変化と対応して、光ー光変換素子ＳＬＭか
ら出射される読出し光の強度がどのように変化するのか
を例示している図であって、横軸には光変調材層部材へ
の印加電圧をとり、また、縦軸には光ー光変換素子ＳＬ
Ｍに対して一定の光強度の読出し光を入射させている状
態において光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し
光の強度がとってある。また、図５は図の下方に示され
ている光強度Ｉｗと時間巾τとによって定まる露光量の
書込み光が光ー光変換素子に与えられた場合に、図２に
例示されている光ー光変換素子ＳＬＭにおける光変調材
層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値は、図５の上方
に示されているように２つの透明電極間Ｅｔ１，Ｅｔ２
間に予め供給されていた所定の動作電圧Ｅから前記した
書込み光Ｉｗの印加時に光導電層部材に生じる電圧降下
分だけ低い電圧値から、光ー光変換素子ＳＬＭにおける
光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとからなる
構成部分の時定数に従って時間軸上で自然対数的に低下
して行く状態を示している。それで、光強度Ｉｗと時間
巾τとによって定まる露光量の書込み光が光ー光変換素
子に与えられた場合に、光ー光変換素子ＳＬＭにおける
光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値は図５
の上方に示されているように時間軸上で変化することに
より、常に一定の光強度の読出し光が供給されている状
態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し光の光
強度は、図５の上方に例示されている光ー光変換素子に
おける光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値
の時間軸上での変化態様と同様な変化態様で時間軸上で
変化することになる。
調材層部材ＰＭＬを備えて構成されている光ー光変換素
子ＳＬＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの両端に加えら
れる電圧値の変化と対応して、光ー光変換素子ＳＬＭか
ら出射される読出し光の強度がどのように変化するのか
を例示している図であって、横軸には光変調材層部材へ
の印加電圧をとり、また、縦軸には光ー光変換素子ＳＬ
Ｍに対して一定の光強度の読出し光を入射させている状
態において光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し
光の強度がとってある。また、図５は図の下方に示され
ている光強度Ｉｗと時間巾τとによって定まる露光量の
書込み光が光ー光変換素子に与えられた場合に、図２に
例示されている光ー光変換素子ＳＬＭにおける光変調材
層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値は、図５の上方
に示されているように２つの透明電極間Ｅｔ１，Ｅｔ２
間に予め供給されていた所定の動作電圧Ｅから前記した
書込み光Ｉｗの印加時に光導電層部材に生じる電圧降下
分だけ低い電圧値から、光ー光変換素子ＳＬＭにおける
光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとからなる
構成部分の時定数に従って時間軸上で自然対数的に低下
して行く状態を示している。それで、光強度Ｉｗと時間
巾τとによって定まる露光量の書込み光が光ー光変換素
子に与えられた場合に、光ー光変換素子ＳＬＭにおける
光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値は図５
の上方に示されているように時間軸上で変化することに
より、常に一定の光強度の読出し光が供給されている状
態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し光の光
強度は、図５の上方に例示されている光ー光変換素子に
おける光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧値
の時間軸上での変化態様と同様な変化態様で時間軸上で
変化することになる。
【００２１】例えば、光ー光変換素子ＳＬＭに対して入
射される書込み光によって、図４中に■で示してあるよ
うなＥ→Ａの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端
に印加させうるような露光量の光が、例えば図５に例示
されているようなτの時間巾を有する光によって与えら
れた場合には、常に一定の光強度の読出し光が供給され
ている状態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出
し光の光強度の時間軸上での変化態様は図６に例示され
ているような状態のものになり、また、例えば光ー光変
換素子ＳＬＭに対して入射される書込み光によって、図
４中に■で示してあるようなＥ→Ｂの電圧の変化を光変
調材層部材ＰＭＬの両端に印加させうるような露光量の
光が、例えば図５に例示されているようなτの時間巾を
有する光によって与えられた場合には、常に一定の光強
度の読出し光が供給されている状態の光ー光変換素子Ｓ
ＬＭから読出される読出し光の光強度の時間軸上での変
化態様は図７に例示されているような状態のものになり
、さらに、例えば光ー光変換素子ＳＬＭに対して入射さ
れる書込み光によって、図４中に■で示してあるような
Ｅ→Ｃの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印
加させうるような露光量の光が、例えば図５に例示され
ているようなτの時間巾を有する光によって与えられた
場合には、常に一定の光強度の読出し光が供給されてい
る状態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し光
の光強度の時間軸上での変化態様は図８に例示されてい
るような状態のものになる。
射される書込み光によって、図４中に■で示してあるよ
うなＥ→Ａの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端
に印加させうるような露光量の光が、例えば図５に例示
されているようなτの時間巾を有する光によって与えら
れた場合には、常に一定の光強度の読出し光が供給され
ている状態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出
し光の光強度の時間軸上での変化態様は図６に例示され
ているような状態のものになり、また、例えば光ー光変
換素子ＳＬＭに対して入射される書込み光によって、図
４中に■で示してあるようなＥ→Ｂの電圧の変化を光変
調材層部材ＰＭＬの両端に印加させうるような露光量の
光が、例えば図５に例示されているようなτの時間巾を
有する光によって与えられた場合には、常に一定の光強
度の読出し光が供給されている状態の光ー光変換素子Ｓ
ＬＭから読出される読出し光の光強度の時間軸上での変
化態様は図７に例示されているような状態のものになり
、さらに、例えば光ー光変換素子ＳＬＭに対して入射さ
れる書込み光によって、図４中に■で示してあるような
Ｅ→Ｃの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印
加させうるような露光量の光が、例えば図５に例示され
ているようなτの時間巾を有する光によって与えられた
場合には、常に一定の光強度の読出し光が供給されてい
る状態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出される読出し光
の光強度の時間軸上での変化態様は図８に例示されてい
るような状態のものになる。
【００２２】そして、従来の光ー光変換素子においては
、例えば図５に例示されているようにτの時間巾を有し
、かつ、図４中に■で示してあるようなＥ→Ａの電圧の
変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加させうるよう
な露光量を有する書込み光を使用して光ー光変換素子を
動作させていたから、常に一定の光強度の読出し光が供
給されている状態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出され
る読出し光の光強度の時間軸上での変化態様は図６に例
示されているような状態、すなわち、読出し光の光強度
が時間軸上で自然対数的に低下して行く状態（図中のＴ
ｄは時定数）を示すものとなっていたのであるが、本発
明の光ー光変換素子による光ー光変換方法においては、
例えば図５に例示されているようにτの時間巾を有し、
かつ、図４中に■，■で示してあるようなＥ→Ｂ，Ｅ→
Ｃの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加さ
せうるような露光量を有する書込み光を使用して光ー光
変換素子を動作させるように、すなわち、２つの電極間
Ｅｔ１，Ｅｔ２に少なくとも光導電層部材ＰＣＬと複屈
折動作モードで使用される光変調材層部材ＰＭＬとを含
んで構成されている光ー光変換素子ＳＬＭにおける２つ
の電極Ｅｔ１，Ｅｔ２に予め所定の動作電圧Ｅが供給さ
れている状態において、光導電層部材ＰＣＬ側から最小
露光量の状態から最大露光量の状態にまで露光量が変化
している状態の書込み光を入射させたとしたときに、前
記した２つの電極Ｅｔ１，Ｅｔ２間に予め供給されてい
る所定の動作電圧Ｅから前記した書込み光の入射により
光導電層部材ＰＣＬに単調な変化状態で生じる電圧降下
分だけ低下して光変調材層部材ＰＭＬの両端へ印加され
る電圧値の内で、光ー光変換素子に最大露光量の書込み
光が入射している状態のときに光変調材層部材の両端に
印加される電圧値が、光変調材層部材における印加電圧
と光変調度との関係を示す特性曲線における光変調度の
極値と対応する電圧値を単調に超えるような電圧値とな
されるように光ー光変換素子における動作状態を設定し
て、光ー光変換素子で光ー光変換を行なうようにしてい
るのである。
、例えば図５に例示されているようにτの時間巾を有し
、かつ、図４中に■で示してあるようなＥ→Ａの電圧の
変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加させうるよう
な露光量を有する書込み光を使用して光ー光変換素子を
動作させていたから、常に一定の光強度の読出し光が供
給されている状態の光ー光変換素子ＳＬＭから読出され
る読出し光の光強度の時間軸上での変化態様は図６に例
示されているような状態、すなわち、読出し光の光強度
が時間軸上で自然対数的に低下して行く状態（図中のＴ
ｄは時定数）を示すものとなっていたのであるが、本発
明の光ー光変換素子による光ー光変換方法においては、
例えば図５に例示されているようにτの時間巾を有し、
かつ、図４中に■，■で示してあるようなＥ→Ｂ，Ｅ→
Ｃの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加さ
せうるような露光量を有する書込み光を使用して光ー光
変換素子を動作させるように、すなわち、２つの電極間
Ｅｔ１，Ｅｔ２に少なくとも光導電層部材ＰＣＬと複屈
折動作モードで使用される光変調材層部材ＰＭＬとを含
んで構成されている光ー光変換素子ＳＬＭにおける２つ
の電極Ｅｔ１，Ｅｔ２に予め所定の動作電圧Ｅが供給さ
れている状態において、光導電層部材ＰＣＬ側から最小
露光量の状態から最大露光量の状態にまで露光量が変化
している状態の書込み光を入射させたとしたときに、前
記した２つの電極Ｅｔ１，Ｅｔ２間に予め供給されてい
る所定の動作電圧Ｅから前記した書込み光の入射により
光導電層部材ＰＣＬに単調な変化状態で生じる電圧降下
分だけ低下して光変調材層部材ＰＭＬの両端へ印加され
る電圧値の内で、光ー光変換素子に最大露光量の書込み
光が入射している状態のときに光変調材層部材の両端に
印加される電圧値が、光変調材層部材における印加電圧
と光変調度との関係を示す特性曲線における光変調度の
極値と対応する電圧値を単調に超えるような電圧値とな
されるように光ー光変換素子における動作状態を設定し
て、光ー光変換素子で光ー光変換を行なうようにしてい
るのである。
【００２３】それで本発明の光ー光変換素子による光ー
光変換方法によって光ー光変換を行なった場合には、従
来法で使用されていた光ー光変換素子と同一の時定数を
有する光ー光変換素子を使用しても、例えば図７あるい
は図８に例示されている曲線図からも明らかなように、
光ー光変換素子ＳＬＭから出射される読出し光の時間積
分値が、従来例の図６に示されている曲線図の場合の読
出し光の時間積分値よりも大になっているから、従来法
の光ー光変換方法に比べて明るい表示画像を容易に得る
ことができるのであり、このことは書込み光の露光量と
読出し光の時間平均値との関係を例示している図１０の
（ａ），（ｂ）からも明らかである。図１０の（ａ）は
図４中で■で示されているようなＥ→Ａの電圧の変化を
光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加させうるような露光
量となされる書込み光、すなわち、光強度Ｉｗａで例え
ば図５に例示されているようなτの時間巾を有する書込
み光によって光ー光変換素子ＳＬＭに書込み動作が行な
われた場合と、図４中で■で示してあるようなＥ→Ｂの
電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加させう
るような露光量の書込み光、すなわち、光強度Ｉｗｂで
例えば図５に例示されているようなτの時間巾を有する
書込み光によって光ー光変換素子ＳＬＭに書込み動作が
行なわれた場合との読出し光の時間平均値を比較して示
す図であり、また図１０の（ｂ）は図４中で■で示され
ているようなＥ→Ａの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭ
Ｌの両端に印加させうるような露光量の書込み光、すな
わち、光強度Ｉｗａで例えば図５に例示されているよう
なτの時間巾を有する書込み光によって光ー光変換素子
ＳＬＭに書込み動作が行なわれた場合と、図４中で■で
示してあるようなＥ→Ｃの電圧の変化を光変調材層部材
ＰＭＬの両端に印加させうるような露光量の書込み光、
すなわち、光強度Ｉｗｃで例えば図５に例示されている
ようなτの時間巾を有する書込み光によって光ー光変換
素子ＳＬＭに書込み動作が行なわれた場合との読出し光
の時間平均値を比較して示す図である。
光変換方法によって光ー光変換を行なった場合には、従
来法で使用されていた光ー光変換素子と同一の時定数を
有する光ー光変換素子を使用しても、例えば図７あるい
は図８に例示されている曲線図からも明らかなように、
光ー光変換素子ＳＬＭから出射される読出し光の時間積
分値が、従来例の図６に示されている曲線図の場合の読
出し光の時間積分値よりも大になっているから、従来法
の光ー光変換方法に比べて明るい表示画像を容易に得る
ことができるのであり、このことは書込み光の露光量と
読出し光の時間平均値との関係を例示している図１０の
（ａ），（ｂ）からも明らかである。図１０の（ａ）は
図４中で■で示されているようなＥ→Ａの電圧の変化を
光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加させうるような露光
量となされる書込み光、すなわち、光強度Ｉｗａで例え
ば図５に例示されているようなτの時間巾を有する書込
み光によって光ー光変換素子ＳＬＭに書込み動作が行な
われた場合と、図４中で■で示してあるようなＥ→Ｂの
電圧の変化を光変調材層部材ＰＭＬの両端に印加させう
るような露光量の書込み光、すなわち、光強度Ｉｗｂで
例えば図５に例示されているようなτの時間巾を有する
書込み光によって光ー光変換素子ＳＬＭに書込み動作が
行なわれた場合との読出し光の時間平均値を比較して示
す図であり、また図１０の（ｂ）は図４中で■で示され
ているようなＥ→Ａの電圧の変化を光変調材層部材ＰＭ
Ｌの両端に印加させうるような露光量の書込み光、すな
わち、光強度Ｉｗａで例えば図５に例示されているよう
なτの時間巾を有する書込み光によって光ー光変換素子
ＳＬＭに書込み動作が行なわれた場合と、図４中で■で
示してあるようなＥ→Ｃの電圧の変化を光変調材層部材
ＰＭＬの両端に印加させうるような露光量の書込み光、
すなわち、光強度Ｉｗｃで例えば図５に例示されている
ようなτの時間巾を有する書込み光によって光ー光変換
素子ＳＬＭに書込み動作が行なわれた場合との読出し光
の時間平均値を比較して示す図である。
【００２４】図９は光ー光変換素子から読出された読出
し光の強度が、表示装置で表示の対象にされている画像
の３フレーム期間の経過後に最初に読出された読出光の
光強度の１０％に低下するような残像特性を有する光ー
光変換素子を用いて、図１０の（ａ）に示されているよ
うな光強度がＩｗｂの書込み光を１フレーム期間Ｔｆ毎
にτの時間ずつの露光量の光として光ー光変換素子に書
込んだときに、光ー光変換素子におけるある特定な１つ
の画素部分から読出された読出し光の時間軸上での強度
変化の態様を例示した図であり、この図９における読出
し光の強度Ｉｒａは人間の眼の残像特性によって平均化
された視覚平均光量を表わしている。また図１１は光ー
光変換素子から読出された読出し光の強度が、表示装置
で表示の対象にされている画像の３フレーム期間の経過
後に最初に読出された読出光の光強度の１０％に低下す
るような残像特性を有する光ー光変換素子を用いて、図
１０の（ｂ）に示されているような光強度がＩｗｃの書
込み光を１フレーム期間Ｔｆ毎にτの時間ずつの露光量
の光として光ー光変換素子に書込んだときに、光ー光変
換素子におけるある特定な１つの画素部分から読出され
た読出し光の時間軸上での強度変化の態様を例示した図
であり、この図１１における読出し光の強度Ｉｒａは人
間の眼の残像特性によって平均化された視覚平均光量を
表わしている。
し光の強度が、表示装置で表示の対象にされている画像
の３フレーム期間の経過後に最初に読出された読出光の
光強度の１０％に低下するような残像特性を有する光ー
光変換素子を用いて、図１０の（ａ）に示されているよ
うな光強度がＩｗｂの書込み光を１フレーム期間Ｔｆ毎
にτの時間ずつの露光量の光として光ー光変換素子に書
込んだときに、光ー光変換素子におけるある特定な１つ
の画素部分から読出された読出し光の時間軸上での強度
変化の態様を例示した図であり、この図９における読出
し光の強度Ｉｒａは人間の眼の残像特性によって平均化
された視覚平均光量を表わしている。また図１１は光ー
光変換素子から読出された読出し光の強度が、表示装置
で表示の対象にされている画像の３フレーム期間の経過
後に最初に読出された読出光の光強度の１０％に低下す
るような残像特性を有する光ー光変換素子を用いて、図
１０の（ｂ）に示されているような光強度がＩｗｃの書
込み光を１フレーム期間Ｔｆ毎にτの時間ずつの露光量
の光として光ー光変換素子に書込んだときに、光ー光変
換素子におけるある特定な１つの画素部分から読出され
た読出し光の時間軸上での強度変化の態様を例示した図
であり、この図１１における読出し光の強度Ｉｒａは人
間の眼の残像特性によって平均化された視覚平均光量を
表わしている。
【００２５】図７乃至図９及び図１１に示されているよ
うな動作を行なう本発明の光ー光変換方法による光ー光
変換素子を用いて構成されている図１の表示装置におい
てはＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイＲＥＡにお
ける各発光素子が前記した図９または図１１に示されて
いるような発光状態で発光されるように駆動回路ＤＣＴ
によって駆動される。発光素子アレイＲＥＡのＮ個の発
光素子から放射された書込み光が揺動鏡Ｍｇを介してレ
ンズＬに供給され、レンズＬに集光された状態の偏向光
が光ー光変換素子ＳＬＭにおける光導電層部材ＰＣＬに
集光される。光ー光変換素子ＳＬＭは書込み光の露光量
の変化に応じて図７乃至図９及び図１１に示されている
ような動作を行なうようになされているので、本発明の
光ー光変換方法による光ー光変換素子を用いて構成され
ている図１の表示装置においては、Ｎ個の発光素子を備
えた発光素子アレイＲＥＡから放射された書込み光によ
って情報が書込まれた光ー光変換素子ＳＬＭから読出さ
れた読出し光によって表示された画像は、明るく、しか
も残像の少ないものとなされるのである。すなわち、図
２に示されているような構成の光ー光変換素子ＳＬＭに
おける基板ＢＰ１ 側から入射した書込み光束がレンズ
Ｌにより光導電層部材ＰＣＬに集光すると、前記したＮ
本の書込み光束が集光された部分の光導電層部材ＰＣＬ
の電気抵抗値が、照射された露光量に応じ変化して光導
電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界には前記
した表示の対象にされている画像情報で強度変調されて
いるＮ本の書込み光による照射光量と対応している電荷
像、すなわち、時系列信号におけるＮ個の順次の画素情
報と対応している電荷量の電荷が配列されている状態の
電荷像が良好に形成され、それにより光ー光変換素子Ｓ
ＬＭの光変調材層部材ＰＭＬには、光導電層部材ＰＣＬ
と誘電体ミラーＤＭＬとの境界に形成されたＮ個の電荷
像による電界が印加される。
うな動作を行なう本発明の光ー光変換方法による光ー光
変換素子を用いて構成されている図１の表示装置におい
てはＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイＲＥＡにお
ける各発光素子が前記した図９または図１１に示されて
いるような発光状態で発光されるように駆動回路ＤＣＴ
によって駆動される。発光素子アレイＲＥＡのＮ個の発
光素子から放射された書込み光が揺動鏡Ｍｇを介してレ
ンズＬに供給され、レンズＬに集光された状態の偏向光
が光ー光変換素子ＳＬＭにおける光導電層部材ＰＣＬに
集光される。光ー光変換素子ＳＬＭは書込み光の露光量
の変化に応じて図７乃至図９及び図１１に示されている
ような動作を行なうようになされているので、本発明の
光ー光変換方法による光ー光変換素子を用いて構成され
ている図１の表示装置においては、Ｎ個の発光素子を備
えた発光素子アレイＲＥＡから放射された書込み光によ
って情報が書込まれた光ー光変換素子ＳＬＭから読出さ
れた読出し光によって表示された画像は、明るく、しか
も残像の少ないものとなされるのである。すなわち、図
２に示されているような構成の光ー光変換素子ＳＬＭに
おける基板ＢＰ１ 側から入射した書込み光束がレンズ
Ｌにより光導電層部材ＰＣＬに集光すると、前記したＮ
本の書込み光束が集光された部分の光導電層部材ＰＣＬ
の電気抵抗値が、照射された露光量に応じ変化して光導
電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界には前記
した表示の対象にされている画像情報で強度変調されて
いるＮ本の書込み光による照射光量と対応している電荷
像、すなわち、時系列信号におけるＮ個の順次の画素情
報と対応している電荷量の電荷が配列されている状態の
電荷像が良好に形成され、それにより光ー光変換素子Ｓ
ＬＭの光変調材層部材ＰＭＬには、光導電層部材ＰＣＬ
と誘電体ミラーＤＭＬとの境界に形成されたＮ個の電荷
像による電界が印加される。
【００２６】図１中の読出し光の光源ＬＳから放射され
た読出し光ＲＬが偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射す
ると、前記した読出し光ＲＬにおけるＳ偏光光成分が偏
光ビームスプリッタＰＢＳで光ー光変換素子ＳＬＭの読
出し側の方に反射されて、図２に示されている構成態様
の光ー光変換素子ＳＬＭの読出し側の透明基板ＢＰ２か
ら入射する。前記のように光ー光変換素子ＳＬＭの透明
基板ＢＰ２ 側から入射した読出し光ＲＬは図２を参照
して既述したように、透明基板ＢＰ２ →透明電極Ｅｔ
２→配向膜ＡＬＬ２→光変調材層部材ＰＭＬ→配向膜Ａ
ＬＬ１→誘電体ミラーＤＭＬの経路により誘電体ミラー
ＤＭＬに達して、そこで反射した読出し光の反射光は、
誘電体ミラーＤＭＬ→配向膜ＡＬＬ１→光変調材層部材
ＰＭＬ→配向膜ＡＬＬ２→透明電極Ｅｔ２→透明基板Ｂ
Ｐ２ →の経路で光ー光変換素子ＳＬＭから出射する。
た読出し光ＲＬが偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射す
ると、前記した読出し光ＲＬにおけるＳ偏光光成分が偏
光ビームスプリッタＰＢＳで光ー光変換素子ＳＬＭの読
出し側の方に反射されて、図２に示されている構成態様
の光ー光変換素子ＳＬＭの読出し側の透明基板ＢＰ２か
ら入射する。前記のように光ー光変換素子ＳＬＭの透明
基板ＢＰ２ 側から入射した読出し光ＲＬは図２を参照
して既述したように、透明基板ＢＰ２ →透明電極Ｅｔ
２→配向膜ＡＬＬ２→光変調材層部材ＰＭＬ→配向膜Ａ
ＬＬ１→誘電体ミラーＤＭＬの経路により誘電体ミラー
ＤＭＬに達して、そこで反射した読出し光の反射光は、
誘電体ミラーＤＭＬ→配向膜ＡＬＬ１→光変調材層部材
ＰＭＬ→配向膜ＡＬＬ２→透明電極Ｅｔ２→透明基板Ｂ
Ｐ２ →の経路で光ー光変換素子ＳＬＭから出射する。
【００２７】前記のようにして光ー光変換素子ＳＬＭか
ら同時に出射したＮ本の読出し光の光束は、Ｎ個の順次
の画素情報と対応している電荷量の電荷が配列されてい
る状態の電荷像による電界が印加されている光変調材層
部材ＰＭＬを往復した光束であるから、その光束は直線
的に配列されているＮ個の順次の画素情報と対応して偏
光面の状態が変化しているものになっている。そして、
前記の光ー光変換素子ＳＬＭから同時に出射したＮ本の
読出し光は偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射して、前
記の入射光におけるＰ偏光光成分が偏光ビームスプリッ
タＰＢＳから投影レンズＬｐに同時に与えられ、投影レ
ンズＬｐはそれをスクリーンＳ上に直線的に配列されて
いるＮ個の光点として同時に映出させる。
ら同時に出射したＮ本の読出し光の光束は、Ｎ個の順次
の画素情報と対応している電荷量の電荷が配列されてい
る状態の電荷像による電界が印加されている光変調材層
部材ＰＭＬを往復した光束であるから、その光束は直線
的に配列されているＮ個の順次の画素情報と対応して偏
光面の状態が変化しているものになっている。そして、
前記の光ー光変換素子ＳＬＭから同時に出射したＮ本の
読出し光は偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射して、前
記の入射光におけるＰ偏光光成分が偏光ビームスプリッ
タＰＢＳから投影レンズＬｐに同時に与えられ、投影レ
ンズＬｐはそれをスクリーンＳ上に直線的に配列されて
いるＮ個の光点として同時に映出させる。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明の光ー光変換素子による光ー光変換方法
と表示装置は、２つの電極間に光導電層部材と複屈折動
作モードで使用される光変調材層部材とを含んで構成し
てある光ー光変換素子における２つの電極間に予め所定
の動作電圧を供給している状態において、光導電層部材
側から最小露光量の状態から最大露光量の状態にまで露
光量が変化している書込み光を入射させたときに、前記
した２つの電極間に予め供給されている所定の動作電圧
から前記した書込み光の入射によって光導電層部材に単
調な変化状態で生じる電圧降下分だけ低下している状態
で光変調材層部材の両端へ印加される電圧値の内で、光
ー光変換素子に最大露光量の書込み光が入射している状
態のときに光変調材層部材の両端に印加される電圧値が
、光変調材層部材における印加電圧と光変調度との関係
を示す特性曲線における光変調度の極値と対応する電圧
値を単調に超えるような電圧値になされているために、
光ー光変換素子の光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材
ＰＭＬとからなる構成部分の本来の時定数を変化させな
い状態で、読出し光の平均光量を増大させることができ
るので、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光に
よって読出し、その光を投影光学系によりスクリーンに
投影して行なう画像の表示を、光源の光利用率が高い状
態で行なうことができるのであり、本発明により既述し
た従来の問題点は良好に解決できる。
なように本発明の光ー光変換素子による光ー光変換方法
と表示装置は、２つの電極間に光導電層部材と複屈折動
作モードで使用される光変調材層部材とを含んで構成し
てある光ー光変換素子における２つの電極間に予め所定
の動作電圧を供給している状態において、光導電層部材
側から最小露光量の状態から最大露光量の状態にまで露
光量が変化している書込み光を入射させたときに、前記
した２つの電極間に予め供給されている所定の動作電圧
から前記した書込み光の入射によって光導電層部材に単
調な変化状態で生じる電圧降下分だけ低下している状態
で光変調材層部材の両端へ印加される電圧値の内で、光
ー光変換素子に最大露光量の書込み光が入射している状
態のときに光変調材層部材の両端に印加される電圧値が
、光変調材層部材における印加電圧と光変調度との関係
を示す特性曲線における光変調度の極値と対応する電圧
値を単調に超えるような電圧値になされているために、
光ー光変換素子の光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材
ＰＭＬとからなる構成部分の本来の時定数を変化させな
い状態で、読出し光の平均光量を増大させることができ
るので、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光に
よって読出し、その光を投影光学系によりスクリーンに
投影して行なう画像の表示を、光源の光利用率が高い状
態で行なうことができるのであり、本発明により既述し
た従来の問題点は良好に解決できる。
【図１】本発明の光ー光変換素子による光ー光変換方法
を適用して構成した表示装置の実施例の斜視図である。
を適用して構成した表示装置の実施例の斜視図である。
【図２】光ー光変換素子の一例のものの側断面図である
。
。
【図３】書込光の光強度と光変調材層部材の両端に印加
される電圧との関係を示す特性曲線例図である。
される電圧との関係を示す特性曲線例図である。
【図４】光変調材層部材への印加電圧と光ー光変換素子
からの読出し光の強度との関係を示す特性曲線例図であ
る。
からの読出し光の強度との関係を示す特性曲線例図であ
る。
【図５】書込光の光強度と光変調材層部材の両端に印加
される電圧との関係及び光変調材層部材の両端に印加さ
れる電圧の時間的な変化特性を示す特性曲線例図である
。
される電圧との関係及び光変調材層部材の両端に印加さ
れる電圧の時間的な変化特性を示す特性曲線例図である
。
【図６】光ー光変換素子から読出された読出し光の強度
の時間的な変化特性の曲線図である。
の時間的な変化特性の曲線図である。
【図７】光ー光変換素子から読出された読出し光の強度
の時間的な変化特性の曲線図である。
の時間的な変化特性の曲線図である。
【図８】光ー光変換素子から読出された読出し光の強度
の時間的な変化特性の曲線図である。
の時間的な変化特性の曲線図である。
【図９】書込光の光強度と光ー光変換素子から読出され
た読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である。
た読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である。
【図１０】書込光の光強度と光ー光変換素子から読出さ
れた読出し光の時間平均値との関係を示す曲線図である
。
れた読出し光の時間平均値との関係を示す曲線図である
。
【図１１】書込光の光強度と光ー光変換素子から読出さ
れた読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である
。
れた読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である
。
【図１２】従来の光ー光変換素子を用いて構成した表示
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
【図１３】書込光の光強度と光ー光変換素子から読出さ
れた読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である
。
れた読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である
。
【図１４】書込光の光強度と光ー光変換素子から読出さ
れた読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である
。
れた読出し光の強度の時間的な変化特性の曲線図である
。
ＲＥＡ…発光素子アレイ、ＳＬＭ…光ー光変換素子、Ｐ
ＣＬ…光導電層部材、ＰＭＬ…光変調材層部材、Ｌ…レ
ンズ、Ｍｇ…揺動鏡、ＢＰ１，ＢＰ２…透明基板、Ｅｔ
１，Ｅｔ２…透明電極、ＤＭＬ…誘電体ミラー、ＡＬＬ
１，ＡＬＬ２…配向膜、Ｅ…電源、ＷＬ…書込み光、Ｐ
Ｌ１，ＰＬ２…偏光子、ＬＳ…読出し光の光源、ＲＬ…
読出し光、ＰＢＳ…偏光ビームスプリッタ、Ｌｐ…投影
レンズ、Ｓ…スクリーン、ＤＣＴ…駆動回路、
ＣＬ…光導電層部材、ＰＭＬ…光変調材層部材、Ｌ…レ
ンズ、Ｍｇ…揺動鏡、ＢＰ１，ＢＰ２…透明基板、Ｅｔ
１，Ｅｔ２…透明電極、ＤＭＬ…誘電体ミラー、ＡＬＬ
１，ＡＬＬ２…配向膜、Ｅ…電源、ＷＬ…書込み光、Ｐ
Ｌ１，ＰＬ２…偏光子、ＬＳ…読出し光の光源、ＲＬ…
読出し光、ＰＢＳ…偏光ビームスプリッタ、Ｌｐ…投影
レンズ、Ｓ…スクリーン、ＤＣＴ…駆動回路、
Claims (2)
- 【請求項１】 ２つの電極間に少なくとも光導電層部
材と複屈折動作モードで使用される光変調材層部材とを
含んで構成されている光ー光変換素子における２つの電
極に予め所定の動作電圧が供給されている状態において
、光導電層部材側から最小露光量の状態から最大露光量
の状態にまで露光量が変化している状態の書込み光を入
射させたとしたときに、前記した２つの電極間に予め供
給されている所定の動作電圧から前記した書込み光の入
射によって光導電層部材に単調な変化状態で生じる電圧
降下分だけ低下して光変調材層部材の両端へ印加される
電圧値の内で、光ー光変換素子に最大露光量の書込み光
が入射している状態のときに光変調材層部材の両端に印
加される電圧値が、光変調材層部材における印加電圧と
光変調度との関係を示す特性曲線における光変調度の極
値と対応する電圧値を単調に超えるような電圧値となさ
れるように光ー光変換素子における動作状態を設定する
ことを特徴とする光ー光変換素子による光ー光変換方法
。 - 【請求項２】 Ｎ個の画素と対応して直線的に配列さ
れたＮ個の発光素子を備えた発光素子アレイにおける前
記したＮ個の発光素子を、各発光素子と個別に対応する
画素の情報に従って発光させる手段と、前記した発光素
子アレイにおける各発光素子から放射された光の整列方
向と直交する方向に前記の各発光素子から放射された光
を同時に偏向する手段と、２つの電極間に少なくとも光
導電層部材と複屈折動作モードで使用される光変調材層
部材とを含んで構成されている光ー光変換素子における
２つの電極に予め所定の動作電圧が供給されている状態
において、光導電層部材側から最小露光量の状態から最
大露光量の状態にまで露光量が変化している状態の前記
した偏向手段によって偏向されている書込み光を入射さ
せたときに、前記した２つの電極間に予め供給されてい
る所定の動作電圧から前記した書込み光の入射によって
光導電層部材に単調な変化状態で生じる電圧降下分だけ
低下して光変調材層部材の両端へ印加される電圧値の内
で、光ー光変換素子に最大露光量の書込み光が入射して
いる状態のときに光変調材層部材の両端に印加される電
圧値が、光変調材層部材における印加電圧と光変調度と
の関係を示す特性曲線における光変調度の極値と対応す
る電圧値を単調に超えるような電圧値となされるような
動作状態として、前記した各発光素子から放射された光
が同時に偏向されている状態の光を光ー光変換素子にお
ける前記した光導電層部材に結像させるようにする手段
と、光ー光変換素子に書込まれた情報を読出し光によっ
て読出して投影光学系によってスクリーンに投影する手
段とを備えた表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3132009A JP2536694B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 光―光変換素子による光―光変換方法と表示装置 |
| US07/878,080 US5294992A (en) | 1991-05-08 | 1992-05-04 | Driving method for photoconductive-type SLM |
| DE69221663T DE69221663T2 (de) | 1991-05-08 | 1992-05-08 | Licht Modulationsverfahren unter Verwendung eines räumlichen Lichtmodulators und Anzeigevorrichtung |
| EP92304139A EP0512842B1 (en) | 1991-05-08 | 1992-05-08 | Method of modulating light by use of spatial light modulator and its display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3132009A JP2536694B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 光―光変換素子による光―光変換方法と表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333028A true JPH04333028A (ja) | 1992-11-20 |
| JP2536694B2 JP2536694B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=15071411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3132009A Expired - Fee Related JP2536694B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 光―光変換素子による光―光変換方法と表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5294992A (ja) |
| EP (1) | EP0512842B1 (ja) |
| JP (1) | JP2536694B2 (ja) |
| DE (1) | DE69221663T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP0762370A3 (en) * | 1995-08-02 | 1998-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for display apparatus including an optical modulation device |
| US6222509B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
| US7746681B2 (en) * | 2005-01-07 | 2010-06-29 | Invisage Technologies, Inc. | Methods of making quantum dot films |
| US7742322B2 (en) * | 2005-01-07 | 2010-06-22 | Invisage Technologies, Inc. | Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films |
| WO2005101530A1 (en) | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Edward Sargent | Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals |
| US7773404B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-08-10 | Invisage Technologies, Inc. | Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same |
| CA2519608A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-07 | Edward Sargent | Quantum dot-polymer nanocomposite photodetectors and photovoltaics |
| WO2012021968A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Dayan Ban | Organic/inorganic hybrid optical amplifier with wavelength conversion |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3957349A (en) * | 1974-07-29 | 1976-05-18 | Xerox Corporation | Imaging method |
| US4019807A (en) * | 1976-03-08 | 1977-04-26 | Hughes Aircraft Company | Reflective liquid crystal light valve with hybrid field effect mode |
| US4818983A (en) * | 1985-08-20 | 1989-04-04 | Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha | Optical image generator having a spatial light modulator and a display device |
| US5099261A (en) * | 1988-05-10 | 1992-03-24 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus for recording and reproducing charge latent image |
| US5003402A (en) * | 1988-11-10 | 1991-03-26 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus for recording and reproducing charge latent image |
| JPH02178612A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 光変調方法及び装置 |
-
1991
- 1991-05-08 JP JP3132009A patent/JP2536694B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-04 US US07/878,080 patent/US5294992A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-08 DE DE69221663T patent/DE69221663T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-08 EP EP92304139A patent/EP0512842B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69221663D1 (de) | 1997-09-25 |
| JP2536694B2 (ja) | 1996-09-18 |
| EP0512842A3 (en) | 1993-10-13 |
| US5294992A (en) | 1994-03-15 |
| DE69221663T2 (de) | 1998-01-02 |
| EP0512842B1 (en) | 1997-08-20 |
| EP0512842A2 (en) | 1992-11-11 |
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