JPH04332927A

JPH04332927A - 光ディスクの表面処理用液、表面処理方法、帯電防止方法および表面クリーニング方法

Info

Publication number: JPH04332927A
Application number: JP3100777A
Authority: JP
Inventors: Masato Karaiwa; 岩正人唐
Original assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Current assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority date: 1991-05-02
Filing date: 1991-05-02
Publication date: 1992-11-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、静電気の発生を防止する
ための光ディスクの表面処理用液、該処理溶液を用いた
表面処理方法および表面クリーニング方法に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】光ディスクメモリーは、大容量で
可搬性があるなどの特徴から将来非常に多くの分野で用
いられる可能性があり、近年その開発が盛んに行われて
いる。光ディスクとしては、コンパクトディスク（ＣＤ
）やＣＤ−ＲＯＭなどのような再生専用型のものと、情
報の記録は可能であるが消去不可能な追記型のもの（Ｗ
ｒｉｔｅ−Ｏｎｃｅ）とが実用化されている。また情報
の書換えが自由にできる書換え型のもの（Ｒｅ−Ｗｒｉ
ｔａｂｌｅ　）も実用間近になっている。

【０００３】このような光ディスクは光ディスクドライ
ブ（以下、単に「ドライブ」と言う）内で情報の記録や
再生が行われるが、光ディスクは、ドライブ内で高速（
９００〜３６００ｒｐｍ）で回転するため、表面の空気
の流れにより静電気を帯びる。この静電気は、光ディス
ク表面に空気中のホコリなどを付着させる原因となるが
、光ディスク表面にホコリなどが多量に付着すると、情
報の書き込みおよび読み取り時にエラーが発生する原因
となる。

【０００４】また、光ディスクは必ずしもクリーンな状
況で使用されるとは限らないので、取扱中または使用中
に光ディスクの表面にゴミやホコリなどの異物が付着す
ることがある他、光ディスクを取扱う際に光ディスク表
面に手を触れると、この光ディスク表面に指紋などの汚
れが付着してやはり読取り時でのエラー発生の原因とな
る。したがって、ゴミ、ホコリなどの異物や、汚れを取
るためのクリーニングが必要となる。

【０００５】光ディスク表面のクリーニングを行う材料
に要求される性能としては、まず、光ディスクに付着し
た汚れや異物を取り除くことができることが挙げられる
。次に、その材料で光ディスク表面を拭く際に、光ディ
スク表面に傷などを付けないことが要求される。

【０００６】光ディスク表面に傷を付けずに、表面の汚
れを取り除く性能を満足するクリーニング用の布材料と
しては、現在ザヴィーナ（鐘紡（株）製）、トレシー（
東レ（株）製）、ベンコット（旭化成（株）製）などが
考えられる。

【０００７】しかしながら、これら布材料で光ディスク
表面を拭くと、静電気が発生するため、光ディスク表面
に新たにホコリなどを付着させる原因となる他、このよ
うな布材料で光ディスク表面を拭き取った後では、やは
り光ディスクのドライブ内で静電気が発生し、ホコリが
付着するという問題があった。

【０００８】

【発明の目的】本発明は、このような実情に鑑みてなさ
れ、光ディスクの表面における静電気の発生を有効に防
止することができる光ディスクの表面処理用液、表面処
理方法および静電気の発生を伴わない表面クリーニング
方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【発明の概要】本発明に係る光ディスクの表面処理用液
は、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アル
キルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアル
コール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、
ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエー
テルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤と
を含むことを特徴としている。

【００１０】本発明に係る光ディスクの表面処理方法は
、光ディスクの表面に、帯電防止剤と、エタノールと、
塩化ベンジル、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、
フェニルエチルアルコール、ジエチルフタレート、ブル
シン、リナロール、ヘキサン、イソプロピルアルコール
、工業用エチルエーテルからなる群から選ばれる少なく
とも１種の変性剤とを含む表面処理用液を塗布すること
を特徴としている。

【００１１】本発明に係る光ディスクの帯電防止方法は
、光ディスクの表面に、帯電防止剤と、エタノールと、
塩化ベンジル、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、
フェニルエチルアルコール、ジエチルフタレート、ブル
シン、リナロール、ヘキサン、イソプロピルアルコール
、工業用エチルエーテルからなる群から選ばれる少なく
とも１種の変性剤とを含む表面処理液を塗布するか、ま
たは帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アル
キルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアル
コール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、
ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエー
テルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤と
を含む表面処理液を塗布した後に該表面を拭くことを特
徴としている。

【００１２】また、本発明に係る光ディスクの表面クリ
ーニング方法は、汚れまたは異物が付着した光ディスク
の表面に、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル
、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチ
ルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロ
ール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチ
ルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変
性剤とを含む表面処理用液を塗布し、該表面を拭くこと
を特徴としている。

【００１３】本発明に係る光ディスクの表面処理用液は
、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アルキ
ルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコ
ール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、ヘ
キサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエーテ
ルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤とを
含んでおり、表面処理用液を塗布した光ディスク表面に
静電気が発生するのを有効に防止できる。

【００１４】本発明に係る光ディスクの表面処理方法お
よび帯電防止方法によれば、光ディスクの表面に塗布さ
れる液は、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル
、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチ
ルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロ
ール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチ
ルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変
性剤とを含んでいるため、表面処理液を塗布した光ディ
スク表面に静電気が発生することが有効に防止でき、従
ってクリーニングなどの取扱中あるいはドライブ内で光
ディスク表面にホコリなどの異物が付着することを有効
に防止できる。

【００１５】また、本発明に係る光ディスクの表面クリ
ーニング方法によれば、光ディスクの表面に塗布される
液は、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル、ア
ルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルア
ルコール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール
、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエ
ーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤
とを含んでいるため、光ディスク表面に付着した異物や
指紋などの汚れを拭き取る際に静電気を発生させること
がなく、さらには光ディスク表面に帯電防止剤が残存す
るためクリーニング後の静電気の発生も防止できるので
、静電気により光ディスク表面にホコリが再付着するこ
とがない。

【００１６】また、本発明に係る表面処理液と、本発明
に係る表面処理方法、帯電防止方法および表面クリーニ
ング方法で用いられる液とは、上記帯電防止剤、エタノ
ールおよび変成剤に加えて、水を含んでいてもよい。

【００１７】

【発明の具体的説明】以下、本発明を具体的に説明する
。本発明に係る光ディスクの表面処理用液は、帯電防止
剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アルキルベンゼン
スルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコール、ジエ
チルフタレート、ブルシン、リナロール、ヘキサン、イ
ソプロピルアルコール、工業用エチルエーテルからなる
群から選ばれる少なくとも１種の変性剤とを含んでいる
。

【００１８】本発明に係る光ディスクの表面処理用液は
、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アルキ
ルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコ
ール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、ヘ
キサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエーテ
ルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤と、
さらに水とを含んでいてもよい。

【００１９】本発明で用いられる帯電防止剤としては、
界面活性剤、導電性高分子剤、電荷移動錯体などが用い
られる。本発明で帯電防止剤として用いられる界面活性
剤としては、陽イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤
、両性界面活性剤、非イオン界面活性剤などを用いるこ
とができる。

【００２０】このような陽イオン界面活性剤としては、
具体的には脂肪族４級アモンニウム塩、ベンザルコニウ
ム塩などの脂肪族アミン塩が用いられ、陰イオン界面活
性剤としては、アルキルエーテルリン酸エステル塩など
のリン酸エステル塩が用いられ、また両性界面活性剤と
しては、カルボキシルベタイン型両性界面活性剤が用い
られる。

【００２１】非イオン界面活性剤としては、ポリグリセ
リン脂肪酸エステルなどのエステル型非イオン界面活性
剤、およびポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキ
ルアミンオキサイドなどの含チッ素型非イオン界面活性
剤などが用いられる。

【００２２】以上、疎水性基として炭化水素基を有する
界面活性剤を例示したが、本発明では、上記界面活性剤
の疎水性基をフッ素化したフッ素系界面活性剤を用いる
こともできる。

【００２３】導電性高分子剤としては、具体的には、ポ
リパラスチレンスルフォネート、ポリビニルカルバゾー
ルなどが用いられる。電荷移動錯体としては、具体的に
はＴＣＮＱ−ピリジンなどが用いられる。

【００２４】このような帯電防止剤は、各々単独で用い
ても、複数種を混合して用いてもよい。また、本発明で
用いられる市販の帯電防止剤としては、エレカット　Ｎ
（北広油研（株）製）、エレクトロストリッパー　ＱＥ
　（花王（株）製）、ＣＹＡＳＴＡＴ−ＳＮ（ＣＹＡＮ
ＡＭＩＤ社製）、エレクトロストリッパー　Ｆ（花王（
株）製）、エマゾール　Ｌ−１０Ｆ（花王（株）製）、
レオドール　ＳＰ−Ｌ１０　（花王（株）製）、アンヒ
トール　８６Ｂ（花王（株）製）、ＷＩＰＥ（ＭＥＲＩ
Ｘ　社製）、ＡＰ−１（大八化学製）、ＭＰ−４（大八
化学製）などが用いられる。

【００２５】本発明で用いられる変性剤としては、塩化
ベンジル、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェ
ニルエチルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン
、リナロール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工
業用エチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも
１種が挙げられる。このような変性剤は、２種以上組合
わせて用いることもできる。

【００２６】このようなエタノールと変性剤とを用いる
ことにより、光ディスクの表面に本発明の処理液を塗布
した後、または処理液を塗布し、光ディスクの表面を拭
いた後に速やかに乾燥させることができる。

【００２７】本発明に係る光ディスクの表面処理用液で
用いられる上記したような帯電防止剤と、エタノールと
、変性剤とは、相溶性、塗布後の表面抵抗、光ディスク
基板とのぬれ性などに優れている。

【００２８】このような帯電防止剤とエタノールと変性
剤との組み合わせとしては、具体的には、エレカット−
Ｎ（１重量％）／エタノール／塩化ベンジル、ＣＹＡＳ
ＴＡＴ−ＳＮ（１重量％）／エタノール／塩化ベンジル
、ＷＩＰＥ（５重量％）／エタノール／塩化ベンジル、
エレクトロストリッパー　ＱＥ　（２重量％）／エタノ
ール／塩化ベンジルなどを好ましい例として挙げること
ができる。

【００２９】また、本発明に係る光ディスクの表面処理
用液および帯電防止方法では、帯電防止剤は、帯電防止
剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アルキルベンゼン
スルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコール、ジエ
チルフタレート、ブルシン、リナロール、ヘキサン、イ
ソプロピルアルコール、工業用エチルエーテルからなる
群から選ばれる少なくとも１種の変性剤との合計重量に
対して、通常０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜
５重量％の量で用いられる。

【００３０】またエタノールは、上記合計重量に対して
、通常８０〜９９．８９重量％、好ましくは８５〜９９
重量％の量で用いられる。さらに塩化ベンジル、アルキ
ルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコ
ール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、ヘ
キサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエーテ
ルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤は、
上記合計重量に対して、通常０．０１〜１０重量％、好
ましくは０．５〜１０重量％の量で用いられる。

【００３１】さらにクリーニング液中に水が含まれる場
合には、帯電防止剤は、帯電防止剤とエタノールと、塩
化ベンジル、アルキルベンゼンスルホン酸水溶液、フェ
ニルエチルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン
、リナロール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工
業用エチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも
１種の変性剤との合計重量に対して通常０．１〜１０重
量％、好ましくは０．５〜５重量％の量で用いられる。

【００３２】またエタノールは、上記合計重量に対して
通常１９〜９９．８９重量％、好ましくは１９〜９９重
量％の量で用いられる。また、塩化ベンジル、アルキル
ベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコー
ル、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、ヘキ
サン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエーテル
からなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤は上記
合計重量に対して、０．０１〜１０重量％、好ましくは
０．５〜１０重量％の量で用いられる。

【００３３】さらに水は上記合計重量に対して０〜８０
重量％の量で用いられる。このような量で帯電防止剤と
エタノールと変性剤、または帯電防止剤とエタノールと
水と変性剤とを用いることにより、表面処理用液を塗布
した光ディスク表面に適量の帯電防止剤を付着させて有
効に光ディスク表面の帯電を防止することかできる。

【００３４】本発明に係る光ディスクの表面処理方法は
、上記したような光ディスクの表面処理用液を光ディス
ク表面に塗布することによって行われる。表面処理用液
の光ディスク表面への塗布方法としては、具体的には、
表面処理用液を光ディスク表面に噴霧あるいは滴下し適
当な布材料で拭く、布材料に表面処理用液を染み込ませ
て光ディスク表面を拭いて塗布する、あるいは表面処理
用液をスピンコート法により塗布するなどの方法がある
。

【００３５】本発明の方法で用いられる布材料は、光デ
ィスク表面を傷を付けずに拭くことができるような材料
であればよく、このような布材料としては、例えば、ザ
ヴィーナ（鐘紡（株）製）、トレシー（東レ（株）製）
、ベンコット（旭化成（株）製）などを用いることがで
きる。

【００３６】このような表面処理を光ディスクに予め施
しておくことにより、光ディスクのドライブ中あるいは
クリーニングなどの取扱中での静電気の発生を有効に防
止できる。

【００３７】本発明に係る光ディスク表面のクリーニン
グ方法は、上記したような表面処理用液を汚れおよびゴ
ミ、ホコリなどの異物が付着した光ディスク表面に塗布
し、次いでこの表面を拭き取るかあるいは表面処理液を
染み込ませた布材料で光ディスク表面を拭くことによっ
て行われる。

【００３８】表面処理用液の光ディスク表面への塗布お
よび拭き取りは、具体的には、表面処理用液を光ディス
ク表面に噴霧あるいは滴下し、次いで適当な布材料で汚
れ、異物とともに拭き取る、表面処理用液を染み込ませ
た布材料で光ディスク表面を拭くなどして行うことがで
きる。

【００３９】本発明に係る光ディスクの表面クリーニン
グ方法では、上記表面処理方法と同様の布材料を好まし
く用いることができる。このようにして光ディスクの表
面を拭くことにより、クリーニング中に発生する静電気
を有効に防止できる他、光ディスクの表面に帯電防止剤
が残存するため、光ディスクドライブ中での静電気の発
生をも有効に防止できる。

【００４０】本発明に係る表面処理方法、帯電防止方法
および表面クリーニング方法は、ガラスやアルミニウム
等の無機材料、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボ
ネート、ポリカーボネートとポリスチレンとのポリマー
アロイ、米国特許第４６１４７７８号明細書に示される
ようなエチレン−環状オレフィン共重合体たとえばエチ
レンと１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４
ａ，５，８，８ａ−　オクタヒドロナフタレン（テトラ
シクロドデセン）との共重合体、エチレンと２−メチル
−１，４，５，８−　ジメタノ−１，２，３，４，４ａ
，５，８，８ａ−　オクタヒドロナフタレン（メチルテ
トラシクロドデセン）との共重合体、エチレンと２−エ
チル−１，４，５，８−　ジメタノ−１，２，３，４，
４ａ，５，８，８ａ−　オクタヒドロナフタレン（メチ
ルテトラシクロドデセン）との共重合体など、特開昭６
０−２６０２４号公報に示されるようなテトラシクロド
デセン類の単独重合体やノルボルネン類との開環共重合
体を水添したもの、ポリ４−メチル−１−　ペンテンな
どの有機材料など様々な材料からなる基板を有する光デ
ィスクの表面処理に用いることができるが、特に有機材
料からなる基板を有する光ディスクの表面処理に好まし
い。

【００４１】本発明で表面処理、帯電防止またはクリー
ニングされる光ディスクの部位は、主に光ディスクの基
板の表面であるが、この基板の表面には基板材料そのも
のの表面のみならず基板にハードコートを施し、または
保護層等を積層した面の表面も含む。さらに本発明は光
ディスクのカートリッジの表面処理、表面帯電防止、表
面クリーニングにも適用できる。また、本発明はコンパ
クトディスク（ＣＤ）などの再生専用型の光ディスク以
外に、情報の記録は可能であるが消去不可能な追記型や
、情報の書換えが自由にできる書換え型など、その他全
ての光ディスクに適用することが可能である。

【００４２】

【発明の効果】本発明に係る光ディスクの表面処理用液
は、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル、アル
キルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチルアル
コール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロール、
ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチルエー
テルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変性剤と
を含んでおり、表面処理用液を塗布した光ディスク表面
に静電気が発生するのを有効に防止できる。

【００４３】本発明に係る光ディスクの表面処理方法お
よび帯電防止方法によれば、光ディスクの表面に塗布さ
れる表面処理用液が帯電防止剤とエタノールと特定の変
性剤とを含んでいるため、光ディスクドライブ中および
クリーニングなどの取扱中に光ディスク表面にホコリな
どが付着することを有効に防止できる。

【００４４】また、本発明に係る光ディスクの表面クリ
ーニング方法によれば、光ディスクの表面に塗布される
表面処理用液が帯電防止剤と、エタノールと、特定の変
性剤とを含んでいるため、光ディスク表面のホコリなど
の異物や指紋などの汚れを取り除く際に静電気を発生さ
せることがなく、さらには光ディスク表面に帯電防止剤
が残存するためクリーニング後の静電気の発生も防止で
きるので、静電気により光ディスク表面にホコリが再付
着することがない。

【００４５】以下本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００４６】

【実施例１】以下に示される組成の表面処理用液■〜■
を調製した。なお、以下の表面処理用液■〜■の帯電防
止剤含有量は表面処理用液（溶媒＋帯電防止剤）に対す
る帯電防止剤の含有割合である。（表面処理用液■）溶媒・・・エタノール帯電防止剤・・・ＣＹＡＳＴＡＴ−ＳＮ（カチオン系：
ＣＹＡＮＡＭＩＤ社製）帯電防止剤含有量・・・１重量％変性剤・・・塩化ベンジル変性剤含有量・・・１重量％（表面処理用液■）溶媒・・・エタノール帯電防止剤・・・エレカット　Ｎ（リン酸エステル塩系
：北広油研（株）製）帯電防止剤含有量・・・１重量％変性剤・・・塩化ベンジル変性剤含有量・・・１重量％（表面処理用液■）溶媒・・・エタノール帯電防止剤・・・エレクトロストリッパー　ＱＥ　（花
王（株）製）帯電防止剤含有量・・・１重量％変性剤・・・塩化ベンジル変性剤含有量・・・１重量％（表面処理用液■）溶媒・・・エタノール帯電防止剤・・・ＷＩＰＥ（フッ素系：ＭＥＲＩＸ　社
製）帯電防止剤含有量・・・５重量％変性剤・・・塩化ベンジル変性剤含有量・・・１重量％次いで、これらの表面処理用液■〜■のそれぞれについ
て以下の実験を行った。

【００４７】マジックで汚したエチレン−テトラシクロ
ドデセン共重合体からなる光ディスク基板の表面に表面
処理用液を３〜５滴滴下し、クリーニングクロス（商品
名：ザヴィーナ、鐘紡（株）製）で３〜５回拭き取り、
自然乾燥後、表面のクリーニング状態および表面での静
電気の発生状態を評価した。

【００４８】本実施例では、表面のクリーニング状態は
外観より判定した。また、静電気の発生状態は、クリー
ニング後の光ディスク基板表面に上方から１ｃｍまで接
近させたタバコの灰が、該基板表面に付着するか否かを
判定した。また、帯電防止能を表面抵抗を測定すること
により評価した。

【００４９】なお、表面抵抗の測定は、ＡＳＴＭ規格Ｄ
２５７−７８に従って行った。結果を表１に示す。

【００５０】

【表１】

【００５１】

【実施例２】上記表面処理用液■〜■を用い低下の実験
を行った。マジックで汚したエチレン−テトラシクロド
デセン共重合体製光ディスク基板の表面を表面処理用液
が染込んだクリーニングクロス（商品名：ザヴィーナ、
鐘紡（株）製）で３〜５回拭いてクリーニングを行ない
、実施例１と同様にして表面のクリーニング状態、表面
での静電気の発生状態および帯電防止能を評価した。

【００５２】結果を表２に示す。

【００５３】

【表２】

【００５４】

【実施例３】上記表面処理用液■を用い以下の実験を行
った。スピンコーターを用い、５０ｒｐｍで回転するエ
チレン−テトラシクロドデセン共重合体製光ディスク基
板に２ｍｌの表面処理用液を滴下することにより、光デ
ィスク全面に表面処理用液を塗布した後、さらに光ディ
スク基板を５０００ｒｐｍで１０秒間回転させた。

【００５５】次に、光ディスク基板の表面を、クリーニ
ングクロス（商品名：ザヴィーナ、鐘紡（株）製）で３
〜５回拭き、実施例１と同様にして表面のクリーニング
状態、表面での静電気の発生状態および帯電防止能を評
価した。

【００５６】結果を表３に示す。

【００５７】

【比較例１】マジックで汚したエチレン−テトラシクロ
ドデセン共重合体製光ディスク基板の表面を、クリーニ
ングクロス（商品名：ザヴィーナ、鐘紡（株）製）でク
リーニング液を用いずに３〜５回から拭きした後、実施
例１と同様にして、表面のクリーニング状態、表面での
静電気の発生状態および帯電防止能を評価した。

【００５８】結果を表３に示す。

【００５９】

【表３】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベ
ンジル、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニ
ルエチルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン、
リナロール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業
用エチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１
種の変性剤とを含むことを特徴とする光ディスクの表面
処理用液。
【請求項２】　　上記帯電防止剤、エタノールおよび変
性剤に加えて、水を含むことを特徴とする請求項１記載
の光ディスクの表面処理用液。
【請求項３】　　光ディスクの表面に、帯電防止剤と、
エタノールと、塩化ベンジル、アルキルベンゼンスルホ
ン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコール、ジエチルフ
タレート、ブルシン、リナロール、ヘキサン、イソプロ
ピルアルコール、工業用エチルエーテルからなる群から
選ばれる少なくとも１種の変性剤とを含む表面処理用液
を塗布することを特徴とする光ディスクの表面処理方法
。
【請求項４】　　上記表面処理液が上記帯電防止剤、エ
タノールおよび変性剤に加えて、水を含むことを特徴と
する請求項３記載の光ディスクの表面処理用方法。
【請求項５】　　光ディスクの表面に、帯電防止剤と、
エタノールと、塩化ベンジル、アルキルベンゼンスルホ
ン酸塩水溶液、フェニルエチルアルコール、ジエチルフ
タレート、ブルシン、リナロール、ヘキサン、イソプロ
ピルアルコール、工業用エチルエーテルからなる群から
選ばれる少なくとも１種の変性剤とを含む表面処理液を
塗布するか、または帯電防止剤と、エタノールと、塩化
ベンジル、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェ
ニルエチルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン
、リナロール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工
業用エチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも
１種の変性剤とを含む液を塗布した後に該表面を拭くこ
とを特徴とする光ディスクの帯電防止方法。
【請求項６】　　上記表面処理液または液が上記帯電防
止剤、エタノールおよび変性剤に加えて、水を含むこと
を特徴とする請求項５記載の光ディスクの帯電防止方法
。
【請求項７】　　汚れまたは異物が付着した光ディスク
の表面に、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル
、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチ
ルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロ
ール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチ
ルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変
性剤とを含む液を塗布し、該表面を拭くことを特徴とす
る光ディスクの表面クリーニング方法。
【請求項８】　　上記液が上記帯電防止剤、エタノール
および変性剤に加えて、水を含むことを特徴とする請求
項７記載の光ディスクの表面クリーニング方法。
【請求項９】　　汚れまたは異物が付着した光ディスク
の表面を、帯電防止剤と、エタノールと、塩化ベンジル
、アルキルベンゼンスルホン酸塩水溶液、フェニルエチ
ルアルコール、ジエチルフタレート、ブルシン、リナロ
ール、ヘキサン、イソプロピルアルコール、工業用エチ
ルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の変
性剤とを含む液を染み込ませた布材料で拭くことを特徴
とする光ディスクの表面クリーニング方法。
【請求項１０】　　上記液が上記帯電防止剤、エタノー
ルおよび変性剤に加えて、水を含むことを特徴とする請
求項７記載の光ディスクの表面クリーニング方法。