JPH04330755A - 半導体集積回路およびそのエージング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、エージングが容易に
できる半導体集積回路およびそのエージング装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図６，図７は従来の半導体集積回路のエ
ージング装置を示す図である。エージング用基板２３上
にソケット２２が複数設けられている。ソケット２２に
はエージングを施すためのパッケージングされた半導体
集積回路（以下ＩＣという）２１が装着されている。エ
ージング用基板２３には電源２４から所定電圧が与えら
れている。２５は接地電位である。ＩＣ２１にはソケッ
ト２２，エージング用基板２３を介して電源２４から所
定電圧が与えられている。

【０００３】複数のＩＣ２１が装着されたエージング用
基板２３は、図７に示すように恒温槽２６に収納される
。加熱手段（図示せず）により恒温槽２６内を加熱し、
かつ温度調整手段（図示せず）により恒温槽２６内の温
度を例えば１２５℃に調整するとともにに、電源２４に
よりＩＣ２１に例えば９Ｖを印加し、所定時間保持する
。この様にして、ＩＣ２１にエージングを施す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
のエージング装置は以上のように構成されているので、
ＩＣ２１をソケット２２に脱着する作業が必要で、ＩＣ
２１の脱着の際、ＩＣの外部リードに不具合が生じたり
、また、ＩＣ２１の脱着に時間がかかるなどの問題点が
あった。さらに、エージングにより発見される不良品も
既にパッケージングされてしまっているという問題点も
あった。

【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、エージング時のソケットへの脱
着が必要なく、不良品がパッケージングンされることが
ない半導体集積回路およびそのエージング装置を得るこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路は、ウエハ上に複数のチップを有する半導体集積
回路において、各前記ウエハの裏面に形成され、第１の
電位を前記チップに供給するための導電層と、各前記チ
ップ上に形成されたパッドと、前記複数のチップ間のス
クライブ領域に沿って前記ウエハ上に形成された配線と
、前記配線上の所定位置に形成され、前記配線に第２の
電位を供給するための電圧供給用パッドと、前記ウエハ
上において前記配線と前記パッドとの間に形成され、前
記電圧供給用パッドに供給される第２の電位の大きさを
調整して前記パッドに供給するための抵抗を備えている
。

【０００７】この発明に係る半導体集積回路のエージン
グ装置は、上記に示した半導体集積回路のエージングを
行う半導体集積回路のエージング装置であって、前記導
電層に前記第１の電位を供給するための第１の電圧供給
手段と、前記電圧供給用パッドにプローブ針を接触させ
、前記電圧供給用パッドに前記第２の電位を供給するた
めの第２の電圧供給手段とを備えたことを特徴とする。

【０００８】

【作用】この発明に係る半導体集積回路においては、ウ
エハの裏面に形成され、第１の電位を各チップに供給す
るための導電層と、ウエハ上において配線とパッドとの
間に形成され、電圧供給用パッドに供給される第２の電
位の大きさを調整してパッドに供給するための抵抗を設
けたので、ウエハ状態でエージングを施すことができる
。また、第１の電位をプローブ針を介さずチップに供給
することができる。さらに、パッドには抵抗により調整
された所定の電圧が供給される。

【０００９】この発明に係る半導体集積回路のエージン
グ装置においては、ウエハの裏面に第１の電位を供給す
るための第１の電圧供給手段と、電圧供給用パッドにプ
ローブ針を接触させ、電圧供給用パッドに第２の電位を
供給するための第２の電圧供給手段とを設けたので、半
導体集積回路のエージングをウエハ状態のままでするこ
とができる。また、従来のようにソケットを設ける必要
がなくなるとともに、第１の電位を供給するためのプロ
ーブ針を設ける必要がなくなる。

【００１０】

【実施例】図１は、この発明に係る半導体集積回路の一
実施例を示す平面図である。この図はウエハ状態の半導
体集積回路の一部拡大図である。複数のチップ１はスク
ライブ領域１３により区画されている。スクライブ領域
１３に沿って配線６が形成されている。電圧供給用パッ
ド５は配線６の交点に設けられている。各チップ１上に
は接地電位が供給される接地パッド４とそれ以外の電位
が供給されるパッド３が形成されている。パッド３は、
抵抗２を介して配線６に接続されている。接地パッド４
はウエハの裏面の導電層（後に述べる図２を参照）に電
気的に接続されている。接地パッド４には前記導電層を
介して接地電位が供給される。

【００１１】図２は図１のＡ−Ａ線付近での平面図（図
２（ａ））およびＡ−Ａ線での断面図（図２（ｂ））で
ある。この図は、パッド３と抵抗２の一構成例を説明す
るための図である。１１は基板、１２は基板１１の裏面
に形成された導電層である。基板１１上の所定領域には
基板１１と同一導電型のウエル領域９ａ，９ｂが形成さ
れ、ウエル領域９ａ，９ｂに挟まれるように基板１１と
逆導電型のウエル抵抗７（図１における抵抗２に相当す
る）が形成されている。ウエル領域９ａ上には分離領域
１４が形成されている。ウエル抵抗７上には拡散領域８
ａおよび分離領域１４が形成されている。ウエル領域９
ｂ上には拡散領域８ｂ，ウエル領域９ｂと同一導電型の
拡散領域１０および分離領域１４が形成されている。分
離領域１４上，拡散領域１０上および拡散領域８ｂ上の
一部には層間膜１５が形成されている。パッド３，層間
膜１５上にはパッシベーション膜１６が形成されている
。パッド３はコンタクト領域２６，拡散領域８ａを介し
てウエル抵抗７に電気的に接続されている。配線６はコ
ンタクト領域２６，拡散領域８ｂを介してウエル抵抗７
電気的に接続されている。つまり、パッド３と配線６は
ウエル抵抗７を介して電気的に接続されていることにな
る。

【００１２】図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図であり、接
地パッド４が導電層１２と電気的に接続されている様子
を説明するための図である。基板１１の裏面には導電層
１２が形成されている。基板１１上には基板１１と同一
導電型のウエル領域９が形成され、その上にはウエル領
域９と同一導電型の拡散領域１０が形成されている。拡
散領域１０の両側には分離領域１４が形成され、その上
には層間膜１５が形成されている。そして、拡散領域１
０上には接地パッド４が形成されている。層間膜１５，
接地パッド４上の一部にはパッシベーション膜１６が形
成されている。接地パッド４は拡散領域１０，ウエル領
域９，基板１１を介して導電層１２と電気的に接続され
ている。

【００１３】図４は、この発明に係る半導体集積回路の
エージング装置の主要部の一実施例を示す図である。図
１，図２に示した裏面に導電層１２が形成された基板１
１（ウエハ）を接地電位供給手段３０上に設置する。そ
して、複数本のプローブ針３１を有するプローブカード
３２を下方に移動させ、プローブ針３１を基板１１上に
形成されている電圧供給用パッド５に接触させる。そし
て、プローブ針３１を介して電源３７から所定の電源電
圧を電圧供給用パッド５に、接地電位供給手段３０から
導電層１２を介して基板１１上に形成された各チップ１
の接地パッド４（図４参照）に接地電位を供給すること
によりエージングを行う。電圧供給用パッド５に供給さ
れた電圧は、配線６および抵抗２（ウエル抵抗７）（図
１，図２参照）を介してに各チップ１のパッド３に供給
される。このとき、抵抗２の抵抗値を所望の値に設定し
ておけば各パッド３各々に所望の電圧，電流を供給する
ことができるので、供給する電圧等をエージング装置側
で調整する必要がなくなる。また、ウエハ状態でエージ
ングができるので、不良品はウエハ状態で除去すること
ができ、不良品が不要にパッケージングされることがな
くなる。また、従来のようにソケットを設けることなく
エージングを行うことができるので、ＩＣの脱着の必要
がなくなり、ＩＣの外部リードに不具合が生じない。さ
らに、接地電位をプローブ針３１を介して供給せず、導
電層１２を介して基板１１の裏面から供給するようにし
たので、すべての電位をプローブ針を介して供給する場
合に比べプローブ針の本数が少なくなる。このため、プ
ローブ針との接触による誤差が、すべての電位をプロー
ブ針を介して供給する場合に比べて減少する。

【００１４】図５はこの発明に係る半導体集積回路のエ
ージング装置の全体の構成の一実施例を示す図である。 図において、基板１１を収納するためのウエハケース４
０ａ，４０ｂ、基板１１を加熱するための加熱手段４１
、基板１１を搬送するため搬送手段４２が設けられてい
る。その他の構成は図４と同様である。

【００１５】ウエハケース４０ａから取り出された基板
１１（ウエハ）は搬送手段４２により接地電位供給手段
３０上に搬送される。接地電位供給手段３０上に設置さ
れた基板１１には図４で説明したような動作により電圧
が供給される。このとき、加熱手段４１により基板１１
が加熱され、エージングが施される。エージングが終了
した基板１１は再び搬送手段４２により搬送され、ウエ
ハケース４０ｂに収納される。この様な構成にすると、
加熱しつつに連続してエージングを施すことができると
いう利点がある。

【００１６】なお、上記に示した半導体集積回路の実施
例では抵抗２にウエル抵抗７を用いたが、ポリシリコン
抵抗を用いてもよい。また、上記に示した半導体集積回
路のエージング装置の実施例では、一度に一枚の基板１
１（ウエハ）に対してエージングを行うようにしたが、
一度に複数枚の基板１１（ウエハ）に対して同時にエー
ジングを行ってよい。

【００１７】

【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体集積
回路によれば、ウエハの裏面に形成され、第１の電位を
各チップに供給するための導電層と、ウエハ上において
配線とパッドとの間に形成され、電圧供給用パッドに供
給される第２の電位の大きさを調整してパッドに供給す
るための抵抗を設けたので、ウエハ状態でエージングを
施すことができる。また、第１の電位をウエハの裏面か
ら供給することができる。さらに、パッドには抵抗によ
り調整された所定の電圧が供給される。その結果、該半
導体集積回路にエージング装置を用いてエージングを施
す場合、エージング装置にソケットを設ける必要がなく
なり、エージング時、ソケットへの脱着の必要がなく、
従来のように半導体集積回路の外部リードに不具合が生
じることがなくなる。また、エージング装置の電圧を供
給するためのプローブ針の本数が少なくなり、接触抵抗
が小さくなる。さらに第２の電位を供給するエージング
装置側で電圧の調整をする必要がなくなる。加えて、エ
ージング後ウエハ検査により不良品をウエハ段階で排除
できるので、不良品が不要にパッケージングされること
を防止できるという効果がある。

【００１８】また、この発明に係る半導体集積回路のエ
ージング装置によれば、導電層に第１の電位を供給する
ための第１の電圧供給手段と、電圧供給用パッドにプロ
ーブ針を接触させ、電圧供給用パッドに第２の電位を供
給するための第２の電圧供給手段とを設けたので、上記
に示した半導体集積回路のエージングをウエハ状態のま
まですることができる。また、従来のようにソケットを
設ける必要がなくなるとともに、第１の電位を供給する
ためのプローブ針を設ける必要がなくなる。その結果、
エージング時に半導体集積回路の外部リードに不具合が
生じることがなくなり、かつプローブ針の本数が少なく
なり電圧供給時のプローブ針の接触抵抗が減少し、加え
て不良品をウエハ段階で排除できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る半導体集積回路の一実施例を示
す図である。

【図２】図１に示した半導体集積回路のＡ−Ａ線付近で
の平面図およびＡ−Ａ線での断面図である。

【図３】図１に示した半導体集積回路のＢ−Ｂ線での断
面図である。

【図４】この発明に係る半導体集積回路のエージング装
置の主要部の一実施例を示す図である。

【図５】この発明に係る半導体集積回路のエージング装
置の全体構成の一実施例を示す図である。

【図６】従来の半導体集積回路のエージング装置を示す
図である。

【図７】従来の半導体集積回路のエージング装置を示す
図である。

【符号の説明】

１　　チップ ２　　抵抗 ３　　パッド ４　　接地パッド ５　　電圧供給用パッド ６　　配線 １２　　導電層 １３　　スクライブ領域 ３０　　接地電位供給手段 ３１　　プローブ針 ３７　　電源

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ウエハ上に複数のチップを有する半導
   体集積回路において、前記ウエハの裏面に形成され、第
   １の電位を各前記チップに供給するための導電層と、各
   前記チップ上に形成されたパッドと、前記複数のチップ
   間のスクライブ領域に沿って前記ウエハ上に形成された
   配線と、前記配線上の所定位置に形成され、前記配線に
   第２の電位を供給するための電圧供給用パッドと、前記
   ウエハ上において前記配線と前記パッドとの間に形成さ
   れ、前記電圧供給用パッドに供給される第２の電位の大
   きさを調整して前記パッドに供給するための抵抗を備え
   た半導体集積回路。
2. 【請求項２】　　請求項１の半導体集積回路のエージン
   グを行う半導体集積回路のエージング装置であって、前
   記導電層に前記第１の電位を供給するための第１の電圧
   供給手段と、前記電圧供給用パッドにプローブ針を接触
   させ、前記電圧供給用パッドに前記第２の電位を供給す
   るための第２の電圧供給手段とを備えたことを特徴とす
   る半導体集積回路のエージング装置。