JPH04329352A - 酸素センサ - Google Patents
酸素センサInfo
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- JPH04329352A JPH04329352A JP3099101A JP9910191A JPH04329352A JP H04329352 A JPH04329352 A JP H04329352A JP 3099101 A JP3099101 A JP 3099101A JP 9910191 A JP9910191 A JP 9910191A JP H04329352 A JPH04329352 A JP H04329352A
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- oxygen sensor
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- porous ceramic
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Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば内燃機関や各種
燃焼機器等の排ガス中における酸素濃度を測定する酸素
センサに関する。
燃焼機器等の排ガス中における酸素濃度を測定する酸素
センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、公害防止、燃費向上を目的と
して、内燃機関の排ガス中の酸素分圧を測定し、該測定
値に基づいた内燃機関の空燃比フィードバック制御が行
われている。この様な排ガス中の酸素分圧の測定は、例
えば、ジルコニアーイットリア固溶体等の酸素イオン伝
導性の固体電解質層からなる検出素子を備えた酸素セン
サにより行われている。
して、内燃機関の排ガス中の酸素分圧を測定し、該測定
値に基づいた内燃機関の空燃比フィードバック制御が行
われている。この様な排ガス中の酸素分圧の測定は、例
えば、ジルコニアーイットリア固溶体等の酸素イオン伝
導性の固体電解質層からなる検出素子を備えた酸素セン
サにより行われている。
【0003】前記酸素センサとしては、低温においても
センサの能力を発揮するために、例えば固体電解質の内
部に絶縁層を介してヒータを形成したものが提案されて
いる(特開平2−276957号公報又は特開平2−2
98859号公報等参照)。
センサの能力を発揮するために、例えば固体電解質の内
部に絶縁層を介してヒータを形成したものが提案されて
いる(特開平2−276957号公報又は特開平2−2
98859号公報等参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な酸素センサでは、固体電解質に電極が形成された検出
素子基板を十分に加熱するには、ヒータと固体電解質と
の絶縁抵抗が低く、必ずしも好適ではなかった。
な酸素センサでは、固体電解質に電極が形成された検出
素子基板を十分に加熱するには、ヒータと固体電解質と
の絶縁抵抗が低く、必ずしも好適ではなかった。
【0005】つまり、前記の様な従来のヒータは、電極
とかなり離れた固体電解質層の内部に配置されているが
、低温時にこのヒータに電圧を印加して加熱する場合、
前記絶縁抵抗が低いため電極にヒータ電圧の漏洩電位が
重畳されてしまい、検出精度が悪くなってしまうという
問題があった。また、その対策として、ヒータ印加電圧
を低くするか或はヒータ電圧を間欠的に印加すると、電
極近傍の検出素子基板を迅速に十分な温度まで加熱でき
ず、その結果、センサの低温時の応答性が悪くなるとい
う別な問題が生じてしまう。
とかなり離れた固体電解質層の内部に配置されているが
、低温時にこのヒータに電圧を印加して加熱する場合、
前記絶縁抵抗が低いため電極にヒータ電圧の漏洩電位が
重畳されてしまい、検出精度が悪くなってしまうという
問題があった。また、その対策として、ヒータ印加電圧
を低くするか或はヒータ電圧を間欠的に印加すると、電
極近傍の検出素子基板を迅速に十分な温度まで加熱でき
ず、その結果、センサの低温時の応答性が悪くなるとい
う別な問題が生じてしまう。
【0006】本願は、低温時にヒータを使用する場合、
迅速に検出素子基板を加熱してセンサの作動に十分な温
度にすることによって、低温時の応答性を向上すること
ができる酸素センサを提供することを目的とする。
迅速に検出素子基板を加熱してセンサの作動に十分な温
度にすることによって、低温時の応答性を向上すること
ができる酸素センサを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項1の発明は、酸素イオン伝導性の固体電解質層
に一対の電極が形成された検出素子基板と、発熱部を有
するヒータ基板とを備えた酸素センサにおいて、前記検
出素子基板とヒータ基板とを間隙を介して配置するとと
もに、該間隙に被測定ガスが流出入可能な孔を有する多
孔質セラミックス層を配置したことを特徴とする酸素セ
ンサを要旨とする。
の請求項1の発明は、酸素イオン伝導性の固体電解質層
に一対の電極が形成された検出素子基板と、発熱部を有
するヒータ基板とを備えた酸素センサにおいて、前記検
出素子基板とヒータ基板とを間隙を介して配置するとと
もに、該間隙に被測定ガスが流出入可能な孔を有する多
孔質セラミックス層を配置したことを特徴とする酸素セ
ンサを要旨とする。
【0008】また、請求項2の発明は、前記請求項1の
酸素センサであって、前記ヒータ基板に、前記多孔質セ
ラミックス層と外界とつなぐ連通孔を形成したことを特
徴とする酸素センサを要旨とする。
酸素センサであって、前記ヒータ基板に、前記多孔質セ
ラミックス層と外界とつなぐ連通孔を形成したことを特
徴とする酸素センサを要旨とする。
【0009】ここで、前記多孔質セラミックス層の材料
としては、例えばポーラスセラミックスセメント等が利
用できる。また、この多孔質セラミックス層の形成方法
としては、揮発・発泡成分或は炭素等の燃焼成分を含ん
だグリーンシートを、前記間隙に配置した後に、焼成し
て多孔質とする方法がある。更に、揮発・発泡成分或は
燃焼成分を含んだペーストを、間隙に充填した後に、焼
成して多孔質とする方法も採用できる。
としては、例えばポーラスセラミックスセメント等が利
用できる。また、この多孔質セラミックス層の形成方法
としては、揮発・発泡成分或は炭素等の燃焼成分を含ん
だグリーンシートを、前記間隙に配置した後に、焼成し
て多孔質とする方法がある。更に、揮発・発泡成分或は
燃焼成分を含んだペーストを、間隙に充填した後に、焼
成して多孔質とする方法も採用できる。
【0010】前記固体電解質としては、酸素イオン伝導
性を有するもので、例えばZrO2−Y2O3,ZrO
2−CaO等が用いられる。また、前記電極は、例えば
、白金等の貴金属又はこれらにセラミック粉末を混合し
たガス透過質のものによって実現できる。
性を有するもので、例えばZrO2−Y2O3,ZrO
2−CaO等が用いられる。また、前記電極は、例えば
、白金等の貴金属又はこれらにセラミック粉末を混合し
たガス透過質のものによって実現できる。
【0011】
【作用】本発明の酸素センサでは、 検出素子基板と
ヒータ基板とを間隙を介して配置しており、更にこの間
隙に、被測定ガスが流出入可能な孔を有する多孔質セラ
ミックス層を形成してある。
ヒータ基板とを間隙を介して配置しており、更にこの間
隙に、被測定ガスが流出入可能な孔を有する多孔質セラ
ミックス層を形成してある。
【0012】従って、低温時において、発熱部に電圧を
印加して検出素子基板を加熱する場合には、発熱部の熱
が間隙に配置された多孔質セラミックス層を迅速に伝わ
るので、検出素子基板も迅速に加熱されて、短時間でセ
ンサの機能を発揮できる温度となる。それによって、セ
ンサの低温時の応答性が向上する。
印加して検出素子基板を加熱する場合には、発熱部の熱
が間隙に配置された多孔質セラミックス層を迅速に伝わ
るので、検出素子基板も迅速に加熱されて、短時間でセ
ンサの機能を発揮できる温度となる。それによって、セ
ンサの低温時の応答性が向上する。
【0013】特に、前記ヒータ基板に、多孔質セラミッ
クス層と外界とつなぐ連通孔を形成したものでは、被測
定ガスがその連通孔を通って迅速に検出素子基板側に達
するので、一層応答性が向上する。
クス層と外界とつなぐ連通孔を形成したものでは、被測
定ガスがその連通孔を通って迅速に検出素子基板側に達
するので、一層応答性が向上する。
【0014】
【実施例】以下本発明の第1実施例を図に基づいて説明
する。尚、説明上各図は部分毎の縮尺が異なる。
する。尚、説明上各図は部分毎の縮尺が異なる。
【0015】図1及び図1のA−A端面図である図2に
示す様に、第1実施例の酸素センサ1は、検出部2,多
孔質セラミックス層3,スペーサ4及びヒータ基板5が
積層されたものである。
示す様に、第1実施例の酸素センサ1は、検出部2,多
孔質セラミックス層3,スペーサ4及びヒータ基板5が
積層されたものである。
【0016】前記検出部2は、平板状の検出素子基板7
と、同様な平板状の支持体8と、この検出素子基板7及
び支持体8の間に配置されたコの字状の応力緩和層9と
を備え、これらの部材7,8,9によって、内部に基準
大気が導入される通路11が形成されている。
と、同様な平板状の支持体8と、この検出素子基板7及
び支持体8の間に配置されたコの字状の応力緩和層9と
を備え、これらの部材7,8,9によって、内部に基準
大気が導入される通路11が形成されている。
【0017】この検出素子基板7は、Y2O3によって
安定化又は部分安定化されたZrO2系の固体電解質層
14と、その外側に形成された測定電極15と、通路1
1側に形成された標準電極16とから構成されている。 また、外壁となる支持体8は、Al2O3からなり、応
力緩和層9は、Al2O3/ZrO2が1.0であるA
l2O3及びY2O3によって安定化又は部分安定化さ
れたZrO2の混合焼結物から構成されている。
安定化又は部分安定化されたZrO2系の固体電解質層
14と、その外側に形成された測定電極15と、通路1
1側に形成された標準電極16とから構成されている。 また、外壁となる支持体8は、Al2O3からなり、応
力緩和層9は、Al2O3/ZrO2が1.0であるA
l2O3及びY2O3によって安定化又は部分安定化さ
れたZrO2の混合焼結物から構成されている。
【0018】前記多孔質セラミックス層3は、厚さが約
0.05mmの薄い層であり、例えばAl2O3,Al
2O3セメント或はムライト等のセラミックスから構成
されている。そして、その内部と外部とを連通して被測
定ガスが流出及び流入可能な多数の孔18が形成されて
いる。 また、多孔質セラミックス層3と同じ平面に配置される
スペーサ4は、多孔質セラミックス層3と同じ厚さの板
材であり、Al2O3から構成されている。
0.05mmの薄い層であり、例えばAl2O3,Al
2O3セメント或はムライト等のセラミックスから構成
されている。そして、その内部と外部とを連通して被測
定ガスが流出及び流入可能な多数の孔18が形成されて
いる。 また、多孔質セラミックス層3と同じ平面に配置される
スペーサ4は、多孔質セラミックス層3と同じ厚さの板
材であり、Al2O3から構成されている。
【0019】更に、前記ヒータ基板5は、Al2O3製
の基板上に発熱部21が形成されたもので、その発熱部
21の表面は薄膜の絶縁層23で覆われている。次に、
前記構成の酸素センサ1の製造方法を、図3に基づいて
説明する。
の基板上に発熱部21が形成されたもので、その発熱部
21の表面は薄膜の絶縁層23で覆われている。次に、
前記構成の酸素センサ1の製造方法を、図3に基づいて
説明する。
【0020】■まず、ZrO2粉末と適当量のY2O3
粉末とバインダとを混練し、公知の方法によって固体電
解質層14用の生シート14aを形成する。■また、A
l2O3を用い、前記■と同様にして、支持板8用,ヒ
ータ基板5用,スペーサ4用の生シート8a,5a,4
aを作成する。
粉末とバインダとを混練し、公知の方法によって固体電
解質層14用の生シート14aを形成する。■また、A
l2O3を用い、前記■と同様にして、支持板8用,ヒ
ータ基板5用,スペーサ4用の生シート8a,5a,4
aを作成する。
【0021】■Al2O3/ZrO2が重量比で1.0
である、ZrO2にY2O3を5mol%添加した安定
化ZrO2とAl2O3との混合物を用い、前記■と同
様にして、応力緩和層11用の生シート11aを作成す
る。
である、ZrO2にY2O3を5mol%添加した安定
化ZrO2とAl2O3との混合物を用い、前記■と同
様にして、応力緩和層11用の生シート11aを作成す
る。
【0022】■Al2O3粉末に炭化物粒子を混入した
ペーストを作成する。■前記■〜■によって製造された
生シートに、スルーホール25,26,27を設ける。
ペーストを作成する。■前記■〜■によって製造された
生シートに、スルーホール25,26,27を設ける。
【0023】■固体電解質板14用の生シート14aの
両側には、共素地を20%添加したPtペーストをスク
リーン印刷して、測定電極15及び標準電極16,導体
路15a,16a及び端子28を形成する。また、ヒー
タ基板5用の生シート5aの一方の側には、Al2O3
粉末を含むPtペーストをスクリーン印刷して、発熱部
21及び発熱部導体路21aを形成する。尚、前記両電
極15,16の表面には、多孔質の保護層(図示せず)
を形成し、発熱部21の表面には稠密な絶縁層23を形
成する。
両側には、共素地を20%添加したPtペーストをスク
リーン印刷して、測定電極15及び標準電極16,導体
路15a,16a及び端子28を形成する。また、ヒー
タ基板5用の生シート5aの一方の側には、Al2O3
粉末を含むPtペーストをスクリーン印刷して、発熱部
21及び発熱部導体路21aを形成する。尚、前記両電
極15,16の表面には、多孔質の保護層(図示せず)
を形成し、発熱部21の表面には稠密な絶縁層23を形
成する。
【0024】■更に、絶縁層23の上に、前記■で作成
したペーストを用いて、厚さ約50μmの多孔形成層3
aをスクリーン印刷する。■そして、前記固体電解質板
14用,支持体8用,ヒータ基板5用,スペーサ4用に
加え、コの字状に成形した応力緩和層11用の生シート
を、積層圧着して積層体を形成する。
したペーストを用いて、厚さ約50μmの多孔形成層3
aをスクリーン印刷する。■そして、前記固体電解質板
14用,支持体8用,ヒータ基板5用,スペーサ4用に
加え、コの字状に成形した応力緩和層11用の生シート
を、積層圧着して積層体を形成する。
【0025】■この積層体を、1400〜1600℃で
約4時間焼成し、本実施例の酸素センサ1を完成するが
、この焼成の加熱の際に、前記多孔形成層3aに含まれ
ていた炭化物粒子が燃焼し、CO2等のガスとなって出
て行くので、その後に多数の孔18が形成されることに
なる。
約4時間焼成し、本実施例の酸素センサ1を完成するが
、この焼成の加熱の際に、前記多孔形成層3aに含まれ
ていた炭化物粒子が燃焼し、CO2等のガスとなって出
て行くので、その後に多数の孔18が形成されることに
なる。
【0026】この様に、本実施例の酸素センサ1は、ヒ
ータ基板5と検出素子基板7とに挟まれた間隙に、多孔
質セラミックス層3を形成してある。従って、被測定ガ
スは、その多孔質セラミックス層3の内部に形成された
多くの孔18を支障なく通過して、容易に測定電極15
に到達することができるので、正確に被測定ガス、即ち
酸素ガスの濃度を検出することができる。
ータ基板5と検出素子基板7とに挟まれた間隙に、多孔
質セラミックス層3を形成してある。従って、被測定ガ
スは、その多孔質セラミックス層3の内部に形成された
多くの孔18を支障なく通過して、容易に測定電極15
に到達することができるので、正確に被測定ガス、即ち
酸素ガスの濃度を検出することができる。
【0027】更に、ヒータ基板5と検出素子基板7とは
多孔質セラミックス層3で接続されているので、単に空
隙が形成されているときよりも熱伝導率が高くなってい
る。従って、低温時に発熱部21に電圧を印加すると、
その発熱部21によって発生した熱は、多孔質セラミッ
クス層3を介して速やかに検出素子基板7側に伝達され
るので、固体電解質層14は迅速にかつ十分に加熱され
ることになる。これによって、本実施例の酸素センサ1
は、低温時の応答性が向上するという顕著な効果を奏す
る。
多孔質セラミックス層3で接続されているので、単に空
隙が形成されているときよりも熱伝導率が高くなってい
る。従って、低温時に発熱部21に電圧を印加すると、
その発熱部21によって発生した熱は、多孔質セラミッ
クス層3を介して速やかに検出素子基板7側に伝達され
るので、固体電解質層14は迅速にかつ十分に加熱され
ることになる。これによって、本実施例の酸素センサ1
は、低温時の応答性が向上するという顕著な効果を奏す
る。
【0028】次に、第2実施例について説明する。図4
に示す様に、本実施例の酸素センサ30は、ヒータ基板
31に形成された連通孔32以外は、前記第1実施例と
ほぼ同様である。
に示す様に、本実施例の酸素センサ30は、ヒータ基板
31に形成された連通孔32以外は、前記第1実施例と
ほぼ同様である。
【0029】つまり、本実施例では、検出素子基板33
の電極と対応する様に、ヒータ基板31の中央部に、外
界と多孔質セラミックス層34とをつなぐ連通孔32が
形成されている。従って、被測定ガスの多孔質セラミッ
クス層34への流入及び流出が容易であるので、一層セ
ンサの応答性が向上するという利点がある。
の電極と対応する様に、ヒータ基板31の中央部に、外
界と多孔質セラミックス層34とをつなぐ連通孔32が
形成されている。従って、被測定ガスの多孔質セラミッ
クス層34への流入及び流出が容易であるので、一層セ
ンサの応答性が向上するという利点がある。
【0030】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明はこの様な実施例に何等限定されるものではなく
、この要旨を逸脱しない範囲内に於て種々なる態様で実
施し得ることは勿論である。
本発明はこの様な実施例に何等限定されるものではなく
、この要旨を逸脱しない範囲内に於て種々なる態様で実
施し得ることは勿論である。
【0031】例えば、多孔質セラミックス層を形成する
方法として、固体電解質層側に多孔形成層を印刷して、
ヒータ基板と積層してもよい。また、多孔形成層として
、例えば厚さ0.2〜0.4mm程度の生シートを形成
して使用してもよい。
方法として、固体電解質層側に多孔形成層を印刷して、
ヒータ基板と積層してもよい。また、多孔形成層として
、例えば厚さ0.2〜0.4mm程度の生シートを形成
して使用してもよい。
【0032】更に、センサの種類として、外界から通路
を介して標準大気を導入するものに限らず、内部基準の
酸素源を有するものであってもよいことは勿論である。 その上、第2実施例において、ヒータ基板に形成する連
通孔は、1個に限らず多数形成してもよい。
を介して標準大気を導入するものに限らず、内部基準の
酸素源を有するものであってもよいことは勿論である。 その上、第2実施例において、ヒータ基板に形成する連
通孔は、1個に限らず多数形成してもよい。
【0033】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明では、検出素
子基板とヒータ基板とを間隙を介して配置し、この間隙
に被測定ガスが流出入可能な孔を有する多孔質セラミッ
クス層を形成してある。従って、低温時に、発熱部に通
電して発熱させて検出素子基板を加熱する場合には、検
出素子基板は迅速に加熱されて短時間でセンサの機能を
発揮できる温度となるので、センサの低温時の応答性が
向上するという効果がある。
子基板とヒータ基板とを間隙を介して配置し、この間隙
に被測定ガスが流出入可能な孔を有する多孔質セラミッ
クス層を形成してある。従って、低温時に、発熱部に通
電して発熱させて検出素子基板を加熱する場合には、検
出素子基板は迅速に加熱されて短時間でセンサの機能を
発揮できる温度となるので、センサの低温時の応答性が
向上するという効果がある。
【0034】特に、ヒータ基板に、多孔質セラミックス
層と外界とつなぐ連通孔を形成したものでは、被測定ガ
スがその連通孔を通って迅速に検出素子基板側に達する
ので、一層応答性が向上するという利点がある。
層と外界とつなぐ連通孔を形成したものでは、被測定ガ
スがその連通孔を通って迅速に検出素子基板側に達する
ので、一層応答性が向上するという利点がある。
【図1】本発明の第1実施例の酸素センサを一部破断し
て示す斜視図である。
て示す斜視図である。
【図2】第1実施例の酸素センサのA−A端面図である
。
。
【図3】第1実施例の酸素センサを分解して示す斜視図
である。
である。
【図4】第2実施例の酸素センサを一部破断して示す斜
視図である。
視図である。
1,30…酸素センサ 7,3
3…検出素子基板 3,34…多孔質セラミックス層 5,31…ヒータ
基板
3…検出素子基板 3,34…多孔質セラミックス層 5,31…ヒータ
基板
Claims (2)
- 【請求項1】 酸素イオン伝導性の固体電解質層に一
対の電極が形成された検出素子基板と、発熱部を有する
ヒータ基板とを備えた酸素センサにおいて、前記検出素
子基板とヒータ基板とを間隙を介して配置するとともに
、該間隙に被測定ガスが流出入可能な孔を有する多孔質
セラミックス層を配置したことを特徴とする酸素センサ
。 - 【請求項2】 前記請求項1の酸素センサであって、
前記ヒータ基板に、前記多孔質セラミックス層と外界と
つなぐ連通孔を形成したことを特徴とする酸素センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3099101A JPH04329352A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 酸素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3099101A JPH04329352A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 酸素センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04329352A true JPH04329352A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14238459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3099101A Pending JPH04329352A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 酸素センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04329352A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002107335A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層型ガスセンサ素子の製造方法 |
JP2017223488A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子およびガスセンサ |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3099101A patent/JPH04329352A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002107335A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層型ガスセンサ素子の製造方法 |
JP2017223488A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子およびガスセンサ |
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