JPH04328715A

JPH04328715A - 光走査装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH04328715A
Application number: JP3124527A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Ota; 好紀太田
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1991-04-30
Filing date: 1991-04-30
Publication date: 1992-11-17
Anticipated expiration: 2015-09-11
Also published as: JP3086003B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシンを応用
して製作される静電マイクロモータを使用した光走査装
置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ　ｏｎ
　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　ｖｏｌ．　３
５，　Ｎｏ．６，　７２４〜７３０，１９８８に掲載さ
れたＭｕｌｌｅｒらによるマイクロ機械の一製法であり
、機械的可動部分に当たるロータの製作に関する基本的
な製作工程を示している。この機械構造物は、ロータ３
、ジョイント６ともＣＶＤ　（化学気相堆積：Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で堆
積したポリシリコンで製作される。基板上に堆積された
薄膜をフォトリソグラフィーによりエッチング加工して
、機械的構造物を製作する方法をサーフェスマイクロマ
シンと言う。

【０００３】図１１（ａ）　において、１は基板であり
、シリコン基板あるいは石英等のガラス基板でも良い。シリコン基板の場合、その結晶面方位はいかなるもので
も良い。２は第１ＳｉＯ２（二酸化シリコン）あるいは
ＰＳＧ　（リン珪酸ガラス：Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉ
ｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）　であり、工程の最後に静電マ
イクロモータのロータ等の機械的可動部をリフトオフす
る時の第１犠牲層である。３は第１ポリシリコンであり
、機械的可動部となる。実際の製作では、フォトレジス
トマスク（図示せず）で第１ポリシリコン３、下地の第
１犠牲層２をＲＩＥ　（反応性イオンエッチング：Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）　で加工し、
基板１の表面が露出までエッチングする。図１１（ｂ）
　において、４は第２ＳｉＯ２あるいはＰＳＧ　からな
る第２犠牲層であり、可動部３をピン止めするジョイン
ト部にレジストマスク（図示せず）で、ＲＩＥ　等によ
りエッチングし、窓開けする。さらに、図１１（ｃ）　において、６は第２ポリシリコ
ンであり、可動部３をピン止めするベアリングを構成す
る。加工には、同様にフォトレジストとＲＩＥ　を用い
る。

【０００４】図１２はＬａｎｇらの提案（Ｔｒａｎｓｄ
ｕｃｅｒ’８９講演番号Ｂ５．３，　Ｊｕｎｅ　１９８
９）による静電マイクロモータの外観図（ａ）　及び断
面構造（ｂ）　である。ロータ２１、ベアリング２２、
ステータ２３は、減圧ＣＶＤ　法で堆積されたポリシリ
コンで形成されている。ＣＶＤ　法は、下地によらず簡
単に膜堆積が可能であり、シリコンＩＣの電極材料ある
いは浅い拡散層形成の為の拡散源として広く用いられて
いるので、シリコンベースの薄膜マイクロマシンの構造
体用材料として便利な材料である。

【０００５】しかし、機械材料としてポリシリコンを用
いた場合、ポリシリコンが粒径数μｍ　〜数１０μｍ　
の単結晶の集合体であり、粒径が熱処理で変わり、これ
に対応して内部応力も熱処理の影響を受けることや、機
械的耐摩耗性が単結晶に比べて低いなどの点が、長寿命
化を考えた場合に問題となる。一方、現在のシリコン単
結晶引き上げ技術では、ＩＣのデバイスやプロセス上有
害となる転位の抑制が達成できる。さらに、最近では、
点欠陥の制御に関する研究が行われつつあり、熱処理に
よるバルク欠陥と溶存酸素、溶存炭素濃度との関係も明
らかにされつつある。これに伴い、機械材料としての単
結晶シリコンの重要性が益々増加しつつあり、その為、
マイクロマシンの分野でも、可動部分を単結晶で構成す
ることが必要とされる。

【０００６】図１３は大阪大学西原教授らの提案（ＩＥ
ＥＥ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ，　ｖｏｌ．　ＱＥ−２２，　Ｎｏ．
　６，　８４５〜８６７）による、強誘電体基板を伝播
する表面弾性波で形成される回折格子での光偏向を利用
した光走査装置である。図１３に示す例において、３１
はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）であり、表面層に
光導波路を形成する為にＴｉドープ層３２が形成されて
いる。レーザダイオード（ＬＤ）３３から光導波路３２
へ端面結合で入力された光３４は、フレネルレンズ３５
で平行光となった後、くし形電極３６で発生した表面弾
性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗ
ａｖｅ）３７で強誘電体基板３１の表面３８に形成され
る回折格子により偏向された後、集光グレーティングカ
プラー（ＦＧＣ：Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　Ｇｒａｔｉｎｇ　
Ｃｏｕｐｌｅｒ）３９　へ入射し、光感応紙４０上へ集
光される。ＳＡＷ　電極３６へ加える印加電圧の周波数を掃引する
ことで、光ビーム４１は水平方向へ走査される。この光
の水平走査と光感応紙４０の送りを同期させることで、
光感応紙４０上での光の二次元走査を行うことができる
。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来から公知
の技術では、表面マイクロマシンで用いられるポリシリ
コンは、その機械特性がプロセスの熱処理条件等で変わ
る点やポリシリコン自身が粒径数μｍ　〜数１０μｍ　
の多結晶体である為、粒界での機械的はく離の問題で、
耐摩耗性が単結晶シリコンに比べて劣る欠点があった。また、静電マイクロモータはポリシリコン膜（数μｍ　
厚）を反応性イオンエッチングなどの方法で垂直に近い
形状に加工して製作される。この時のエッチング端面は
、ドライエッチング中の反応生成物の端面側壁への付着
や斜目入射イオンによる衝撃などにより、縦縞状の凹凸
が入るため光学的鏡面を得るまでには至っていない問題
があった。

【０００８】一方で、ＳＡＷ　回折格子を用いる光偏向
器が提案されその実用化が検討されているが、これによ
る偏向角が小さい為、光プリンタ等の広範囲の光走査を
行う用途には適していない問題があった。さらに、西原
型の光走査装置は、従来のポリゴンミラーを利用した機
械的回転鏡での光偏向、光走査装置に比べ、小型軽量、
精密な光走査が可能である反面、光偏向角が数度程度に
限られる為、広範囲での光走査を行う用途には、ＳＡＷ
　デバイスを直列に接続し、総合的な偏向角を大きくす
る工夫などが必要となる。しかし、ＳＡＷ　デバイスを
直列接続する方法は、素子の大型化につながる他、各Ｓ
ＡＷ　デバイスの駆動に同期をとる必要がある為駆動回
路系が複雑になる欠点があった。

【０００９】本発明の目的は上述した課題を解消して、
静電マイクロモータの機械的強度の確保および耐摩耗性
の向上ができるとともに、静電マイクロモータのロータ
端面の光学的鏡面の確保ができる光走査装置およびその
製造方法を提供しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の光走査装置は、
基板と、この基板上に浮遊状態で回転可能に支持され端
面が光学的に平坦である回転体と、この回転体を回転駆
動させる静電マイクロモーターとからなることを特徴と
するものである。

【００１１】また、本発明の光走査装置の製造方法の第
１発明は、基板上に第１犠牲層絶縁膜を形成する工程と
、この第１犠牲層絶縁膜上に半導体単結晶層を形成する
工程と、この半導体単結晶層をフォトリソグラフィーに
よりエッチングし、前記第１犠牲層絶縁膜を除去するこ
とにより前記回転体及び、静電マイクロモータを作成す
る工程とを有することを特徴とするものである。

【００１２】さらに、本発明の光走査装置の製造方法の
第２発明は、半導体単結晶からなる第１の基板をフォト
リソグラフィーによりエッチングする工程と、第２の基
板上に第１犠牲層絶縁膜を形成する工程と、前記第１の
基板のエッチングされた表面と前記第２の基板を陽極接
合する工程と、前記第１の基板をエッチングされた表面
層を残して研磨により除去する工程と、前記第１犠牲層
絶縁膜を除去して前記回転体及び静電マイクロモータを
作成する工程とを有することを特徴とする。

【００１３】

【作用】上述した構成において、静電マイクロモータと
回転体好ましくは回転反射鏡とを同一基板上に一体また
は別体に設けたため、微小な光偏向装置を備えた光走査
装置を構成することができる。従って、本発明の光走査
装置を使用した画像形成装置も、小型化を達成すること
ができる。また、本発明の光走査装置は、上述した本発
明の製造方法の第１発明および第２発明の構成のように
、同一基板上に犠牲層絶縁膜の使用およびエッチング工
程により静電マイクロモータと回転体を同時に形成する
ことにより、簡単に得ることができる。

【００１４】

【実施例】本発明では、例えば静電マイクロモータのロ
ータ端面等に光学的鏡面を形成する必要がある。そのた
めの技術として有効な結晶面依存性のある異方性エッチ
ングについて、まず最初に説明する。図１はシリコン異
方性エッチングの概略を説明するための図である（佐藤
、計測と制御　ｖｏｌ．　２８，　Ｎｏ．　６，　４８
１〜４８４，　１９８９）。図１（ａ）　は結晶面が（
１１０）　面のシリコン基板を異方性エッチングした場
合のエッチング形状、図１（ｂ）　は同（１００）　面
のシリコン基板のエッチング形状をそれぞれ示す。図１
（ｃ）　は（１００）　シリコン基板を異方性エッチン
グで穴状に加工（図ではダイヤフラムを形成）した時の
基板断面形状である。図１（ｃ）　で、エッチングマス
クとしてＳｉＯ２　２０１を用いマスク端部の方位を＜
１１０＞　方向に合わせた時、エッチング速度が（１０
０）＞＞（１１１）となる結晶面依存性を持つ為、（１
１１）　面２０２　が見掛け上エッチング停止面として
働き、この面は（１００）面２０３　に対して５４．７
°に正確に決まる。又、この時のエッチング面２０２　
は鏡面となる。図１（ａ）　で、結晶面（１１０）を持
つシリコン基板を用い、＜１１０＞　方向にマスク方位
を合わせると（１１０）　面と（１１１）　面が直交す
る為、この時のエッチング端面２０４　は基板に対して
垂直になり、かつ鏡面である。シリコン異方性エッチン
グで作られる図１（ａ），　（ｂ）の（１１１）　面は
、光の反射面として優れた平坦性を持つ為、マイクロマ
シンで製作する回転ミラー面として理想的である。

【００１５】光学的鏡面のロータを持つ静電マイクロモ
ータで構成される光偏向器光走査装置の概念図を図２に
示す。図２（ａ）　は、異方性エッチングにより端面を
（１１１）　面で鏡面仕上げとし、かつ、端面が垂直に
なっている回転反射鏡３０１　と、これに接続されてい
るポリシリコンロータ３０２　、駆動ポリシリコン電極
（ステータ）３０３、Ｓｉ３Ｎ４　からなるガイド層３
０４　、回転鏡３０１　とロータ３０２　との連結部３
０５　からなる静電モータ系と、回転鏡３０１　に光軸
合わせされている光導波路３０６　の第１クラッド層３
０７　、コア３０８　、第２クラッド層３０９　を、基
板３１５　上に構成した反射鏡付静電モータと導波路と
が一体化されたシステムの断面である。図２（ｂ）は図
２（ａ）　に示すシステムを上面から見た一例である。ポリシリコンロータ３０２　の下には、反射鏡３０１　
を連絡する為の連結部３０５　、Ｓｉ３Ｎ４　ガイド層
３０４　の端３１５　、駆動用電極（ステータ）３０３
　、光導波路３０６　の端３１６　をそれぞれ示す。図
２（ｃ）　は、異方性エッチングで形成した（１１１）
端面３０９　を持つ回転反射鏡３０１　で、矢印３１０
　の方向に回転しているとする。この時、回転中心３１
１　へ向かうレーザ光３１２　の最大偏向角は、回転反
射鏡３０１　の回転に伴い、端面３０９−１　で反射し
た光３１３　と端面３０９−２　で反射した光３１４と
のなす角度と考えて良いから、一点鎖線に示した角度と
なる。実際には、（１１０）　面上での＜１１０＞　方向のな
す角度は、α＝７０．５°、β＝１１０．５　°である
から、最大偏向角は２×（１８０　°−α）か２×（１
８０　°−β）のいずれか大きい方で与えられ、２×（
１８０　°−７０．５°）　＝２１９　°となる。

【００１６】図３（ａ）　〜（ｋ）　に本発明による第
１実施例の各工程を示す。同実施例では、回転鏡４１３
　は結晶面（１１０）　の単結晶シリコンで形成し、静
電マイクロモータのロータ４２０　とステータ４２１　
をポリシリコンで形成しているところに特徴がある。単
結晶回転鏡４１３　とポリシリコンロータ４２０　は、
結晶学的に部分的にエピタキシャル成長あるいは薄い自
然酸化膜を介して接続されている。

【００１７】以下に、第１実施例の製作工程の概略を説
明する。図３（ａ）　では、結晶面（１１０）　を有す
る単結晶シリコン基板４０１　にマスク（レジスト等）
４０２　を用いて、酸素あるいは酸素とリン４０３　を
イオン注入し、基板４０１　の表面から所定の深さｘ：
４０４に所定のピーク濃度ｃ：４０５−１を得る。この
時、マスク領域４０６−１　の下のシリコン基板４０１
　には、酸素あるいはリン４０３　のイオンは注入され
ず、本プロセスで製作されて静電モータ駆動、制御系Ｉ
Ｃを同一シリコン基板４０１　上に製作することができ
る。図３（ｂ）　では、マスク４０２　を除去し、熱処
理により注入イオン（酸素・リン）とシリコンとの反応
によりシリコン基板４０１　の所定の深さｘ：４０４に
ＳｉＯ２層あるいはＰＳＧ　層からなる第１犠牲層４０
５　を形成し、同時にシリコン基板４０１　の表面層４
０６　の結晶性の回復を行い単結晶化する。ＳｉＯ２層
あるいはＰＳＧ　層４０５　は、以後の製作工程で単結
晶シリコン４０６　の回転反射鏡をシリコン基板４０１
　から浮遊させる為の犠牲層となる。

【００１８】図３（ｃ）　では、回転反射鏡４１３　の
厚みは、酸素あるいはリン４０３　のイオン注入深さ４
０４　等（実際にはイオン射影飛程、標準偏差、熱処理
での酸素、リン元素の拡散等）で決まる。しかし、イオ
ンの注入深さ４０４　が浅く、回転鏡４１３　の厚みと
して不十分な場合には、図３（ｂ）　の工程で単結晶化
したシリコン表面４０７　上に、エピタキシャル成長法
で単結晶層４０８　を追加することもできる（この追加
層４０８と再結晶層４０６　を含めて結晶層４０９　と
呼ぶことにする）　。図３（ｄ）　では、図３（ｃ）　
に示した埋込み絶縁層（第１犠牲層）４０５　の領域の
一部を拡大して示す。熱酸化により結晶層４０９　表面
にＳｉＯ２（第２犠牲層）４１０　を形成する。熱酸化
膜４１０　は次のシリコン異方性エッチングのマスクと
なるものである。又、熱酸化膜４１０　以外の例えばＣ
ＶＤ　ＳｉＯ２，　Ｓｉ３Ｎ４　等の絶縁膜、Ａｕ／Ｃ
ｒ　等の金属膜等、異方性エッチングのマスクとして適
当な材料であれば如何なるものでも良い。

【００１９】図３（ｅ）　では、マスク４１０　の少な
くとも四方を＜１１０＞　方向に合わせた形状に例えば
図３（ｌ）　に示すひし形にフォトリソグラフィーで加
工し、レジスト除去後にマスク４１０　を用いて単結晶
層４０９　をエッチングする。単結晶層４０９　の表面
４１１　は（１１０）　面に選んであるので、異方性エ
ッチング後の単結晶層４０９　の端面４１２　は（１１
１）　面になる為、基板４０１　に対して垂直である。異方性エッチング後の単結晶層４０９　は回転反射鏡と
なるので、特に回転反射鏡４１３　と呼称する。又、異
方性エッチングは埋込み絶縁層４０５　で停止し、基板
シリコン４０１　まで達することはない。図３（ｆ）　
では、第３の犠牲層４１４　例えばＰＳＧ　を堆積し、
図３（ｇ）　に示すように回転反射鏡４１３　の中心４
１５　と同心の円で、かつ反射鏡４１３　を含む形状（
例えば図３（ｍ）　でＤ＞Ｌ）に、ＰＳＧ　４１４　及
び埋込みの絶縁層４０５　をフォトリソグラフィーで除
去する。

【００２０】図３（ｈ）　では、ＣＶＤ　Ｓｉ３Ｎ４　
膜４１６　を堆積し、反射鏡４１３　の中央部に反射鏡
４１３内に納まる第１開口部４１７　をフォトリソグラ
フィーで形成する。この開口部４１７は円形とし直径を
ａとする。図３（ｉ）　では、第４犠牲層４１８　例え
ばＰＳＧ　を堆積し、第１開口部４１７　より小さい（
直径をｂとしｂ＜ａ）第２開口部４１９　をフォトリソ
グラフィーで形成する。この時第２開口部４１９　は回
転反射鏡４１３　に達するようにエッチングする。図３
（ｊ）　では、ポリシリコンをＣＶＤ　法により堆積し
、フォトリソグラフィーにより、ロータ４２０　とステ
ータ４２１　を形成する。図３（ｋ）　では、第１〜第
４犠牲層４０５，　４１０，　４１４，　４１８をＨＦ
系溶液で除去し、反射鏡４１３　、ポリシリコンロータ
４２０　、ステータ４２１　の一部４２２　及びＳｉ３
Ｎ４　４１６　の一部４１７−１　をシリコン基板４０
１　から浮遊させる。

【００２１】上述した第１実施例では、ロータ４２０　
と反射鏡４１３　の回転中の固定は、ロータ４１３　と
わずかに離れて設置されているＳｉ３Ｎ４　４１６　で
行われる。回転鏡４１３　の形状は図３（ｌ）　に示す
ような矩形をなしているが、回転に際し図３（ｍ）　に
示すようにＤ＞Ｌで円形に第１犠牲層４０５　、第３犠
牲層４１４　をパターン形成することで問題はない。ま
た、単結晶反射鏡４１３　の加工に異方性エッチングと
ＲＩＥ　等のドライエッチングを併用し、より鏡面に近
い異方性エッチングで形成した端面を光の反射面として
用い、回転運動する時にバランスをとるのに都合の良い
形状にＲＩＥ　（任意の形状に加工が可能）で加工する
こともできる。この時のエッチングの手順は、ＳｉＯ２
等のマスクで単結晶シリコンを異方性エッチングし、然
る後に、レジストマスクで単結晶シリコンをＲＩＥ　で
加工する。

【００２２】図４に示す本発明の第２実施例は、第１実
施例の回転鏡付静電マイクロモータに光入力の為の導波
路を同一基板上に形成するものであり、入射光の光軸と
回転鏡の反射面との位置合わせが容易に行える。製作工
程を以下に示す。第２実施例の製作工程において、図３
（ａ）　〜（ｇ）　の回転反射鏡４１２　を形成するま
では同一なので省略する。その後、以下の工程を実施す
る。

【００２３】第４（ａ）　では、５０１　は（１１０）
　シリコン基板、５０５　は埋込み絶縁膜（第１犠牲層
）、５１３　は端面垂直となる異方性エッチングで形成
した回転反射鏡、５１０　は熱酸化膜（第２犠牲層）、
４１４　は第３犠牲層である。この上にＣＶＤ　によりＳｉ３Ｎ４　５１５を堆積する
。このＳｉ３Ｎ４　５１５　は、次の光導波路を形成す
る際に犠牲層を保護する為のものである。図４（ｂ）　
では、光導波路の第１クラッド層５１６　、コア層５１
７　、第２クラッド層５１８　を順次堆積し、レジスト
マスクで回転反射鏡５１３を取り囲む形にＲＩＥ　ある
いはＲＩＢＥ（反応性イオンビームエッチング：Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）、Ｉ
ＢＥ　（イオンビームエッチング：Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　
Ｅｔｃｈｉｎｇ）　等でＣＶＤ　Ｓｉ３Ｎ４　５１５　
が露出するまでエッチングする。図４（ｃ）　では、Ｓ
ｉ３Ｎ４　５１５　をＲＩＥ　等で選択的にエッチング
し、再度第２のＳｉ３Ｎ４　５１９　を堆積する。第２
のＳｉ３Ｎ４　５１９　は、次の犠牲層除去の際、エッ
チング液（ＨＦ系溶液）　から光導波路５２０　を保護
する為のものである。尚、第２のＳｉ３Ｎ４　５１５　
は工程上支障がなければ、第１のＳｉ３Ｎ４　５１９　
をエッチングせずに、重ねて堆積しても良い。図４（ｄ
）　では、レジストマスクで光導波路５２０　領域以外
の（第１Ｓｉ３Ｎ４　５１５）、第２Ｓｉ３Ｎ４　５１
９　を除去する。

【００２４】第４（ｅ）　では、第４の犠牲層５２１　
を堆積し、回転反射鏡５１３　と、光導波路５２０の端
部を含む領域を残すように、フォトリソグラフィーによ
り、第４犠牲層５２１をエッチングする。第４犠牲層５
２１　堆積の目的は、光導波路５２０　のコア層５１７
　から回転反射鏡５１３　へ入射する光５２２　に対し
て光学的界面（反射屈折面）を作らないことである。ま
た、第４犠牲層５２１　は光導波路端面５２３　と回転
反射鏡５１３　の間を充填すれば良いので、第４犠牲層
５２１　を堆積後にＲＩＥ　等でエッチバックし、回転
反射鏡５１３　上の第４犠牲層の厚みを薄くしても良い
。こうすることでポリシリコンで形成する静電マイクロ
モータのロータ５２９　と回転反射鏡５１３　の接続孔
のエッチングを最小にすることができる。図４（ｆ）　
では、第３のＳｉ３Ｎ４　５２４　を堆積し、回転反射
鏡５１３　の中央部をフォトリソグラフィーによりエッ
チングし、回転反射鏡５１３　に達する第１の開口部５
２５　を開ける。図４（ｇ）　では、第５の犠牲層５２
６を堆積し、回転反射鏡５１３　の中央部をフォトリソ
グラフィーによりエッチングし、第２の開口部５２７　
を開け、同時に静電マイクロモータのロータとステータ
の一部を形成する領域以外の第５犠牲層５２６　を除去
する。図４（ｈ）　では、ポリシリコン５２８　を堆積
し、フォトリソグラフィーにより静電マイクロモータの
ロータ５２９及びステータ５３０　を形成する。図４（
ｉ）　では、第１〜第５犠牲層５０５，　５１０，　５
１４，５２１，　５２６　をＨＦ系エッチング液で除去
し、静電マイクロモータのロータ５２９　及び回転反射
鏡５１３　を浮遊状態にする。

【００２５】上述した第２実施例において、第２Ｓｉ３
Ｎ４　５１９は光導波路の端面に当り、コア５１７　、
第２Ｓｉ３Ｎ４　５１９　の屈折率を適当に選び、反射
による回転反射鏡への入射光の損失を最少にする必要が
ある。例えばコア５１７　の屈折率と第２　Ｓｉ３Ｎ４
の屈折率（実際にはＳｉＯｘ　Ｎｙ　とし、酸素と窒素
の組成化によりｎＳｉＯ２＝１．４６０　〜ｎＳｉ３Ｎ
４　＝２．００まで屈折率は可変となる）　を同一とし
、光導波路の出射端面にｎ＝（ｎｓｉＯｘＮｙ×１）１
／２　の屈折率を有し、かつλ／４ｎ　層の光学薄膜を
堆積すれば、原理的には反射損失はなくなる。一方、回
転反射鏡５１３　の反射率Ｒはシリコンの屈折率がｎ＝
３．８５であるので、ＲはＲ＝｛（ｎ−１）／（ｎ＋１
）｝２　＝｛（３．８５−１）／（３．８５＋１）｝２
　＝０．３４５　となる。回転反射鏡５１３　の高反射
率化を行うには、反射鏡５１３　にＡｌ，　Ａｕ／Ｃｒ
，　Ａｇ／Ｃｒなどの高反射率金属を用いるか、高屈折
率層と低屈折率層の多層膜からなり、各膜厚がλ／４ｎ
　となるように設定することで、９０％以上の反射率を
容易に得ることができる。静電マイクロモータはステー
タ５３０　に印加する電圧をパルス的に切り換えること
により、ロータ５２９　に連続回転するトルクを与えた
り、ある特定の位置で静止させたりすることができる。ロータ５２９　が連続回転する時は光偏向、光走査を連
続的に行うことができ、ロータ５２９が静止している時
は光を特定の方向へ出射することができる。また、ロー
タ５２９の静止位置をステップ状に変えることで、光の
出射方向をステップ状に変えることができ、光のディジ
タル偏向も可能となる。

【００２６】第３の実施例は静電マイクロ回転鏡と光導
波路と光源とがハイブリッドあるいはモノリシックに一
体化された光走査システム構成に関するものである。図
５は上記の一体化走査システムの概略である。図５（ａ
）　は、静電マイクロモータと回転反射鏡を一体にした
本発明による光走査系をレーザプリンタへ応用した例の
模式図である。図５（ｂ）　は同光走査系の断面である
。図５（ａ），（ｂ）　において、ＬＤ（レーザダイオ
ード：Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）　６０１の活性層６０
２　から出射される光６０３　は光学系６０４　で集光
され、光導波路６０５　のコア層６０６　へ入射し回転
反射鏡６０７　へ向けて出射される。光導波路の出射端
面には反射防止膜６０８　がコーティングされており、
回転反射鏡端面には高反射膜６０９　がコーティングさ
れている。回転反射鏡６０７へ入射する光６１０　は、
反射鏡端面６０９　で反射され、静電マイクロモータの
ロータ６１１　の回転に伴い、角度θの方向へ反射され
光走査が行われる（出射光６１２）。実際には、反射鏡
で反射された光は、再度光導波路６０５　へ入射し、光
導波路の他の端面から出射されることになる。上記光走
査系は、光の水平方向の走査を行うことができ、走査光
（出射光）６１２　を感光紙６１３　に集光し、感光紙
６１３　をローラ６１４　により垂直走査することで光
の二次元走査を行うことができる。この光のｘ−ｙ走査
とＬＤのＯＮ−ＯＦＦを同期させることで、特定のキャ
ラクターの印字ができ、レーザプリンタへの応用が可能
となる。

【００２７】第４実施例は、静電マイクロモータと回転
反射鏡ともポリシリコンで製作する例である。図６（ａ
）　〜（ｇ）　にその製作工程を示す。図６（ａ）　で
は、単結晶シリコン基板７０１　上にＣＶＤ　法にてＳ
ｉ３Ｎ４　７０２　を堆積し、続いて第１犠牲層７０３
　、第１ポリシリコン７０４　を堆積する。Ｓｉ３Ｎ４
　７０２　は、次のエッチング工程の基板保護層、７０
４　は回転反射鏡となる。図６（ｂ）　では、フォトリ
ソグラフィーにて第１ポリシリコン７０４　、続いて第
１犠牲層７０３　を連続的にエッチングする。第１ポリ
シリコン７０４　の端面７０５　は垂直かつ光学的に平
滑である必要があり、その為第１ポリシリコン７０４　
のエッチング加工には、ＲＩＥ，　ＲＩＢＥ，　ＩＢＥ
などのドライエッチング法の中で上記の条件を満足する
エッチング方法とエッチング条件を用いる。第１ポリシ
リコン７０４　の平面形状は、マスク形状を変えること
で、正方形、八角形など任意の形状とすることができる
。

【００２８】図６（ｃ）　では、第２の犠牲層７０６　
を堆積し、回転反射鏡７０４　を同心で、該反射鏡７０
４　を含む円形にフォトリソグラフィーでパターン形成
する。図６（ｄ）　では、第２のＳｉ３Ｎ４　７０７　
を堆積し、回転反射鏡７０４　の中央部に第１開口部７
０８　を窓開けする。図６（ｅ）　では、第３犠牲層７
０９　を堆積し、回転反射鏡７０４　の中央部に第２開
口部７１０　を第１開口部７０８　の内側に窓開けする
。この時、同時にロータ７１２　とステータ７１３　の
一部を含む領域以外の第３犠牲層７０９　も除去する。図６（ｆ）　では、第２ポリシリコン７１１　を堆積し
、フォトリソグラフィーによりロータ７１２　とステー
タ７１３　を形成する。図６（ｇ）　では、ＨＦ系溶液
に浸漬し、第１犠牲層７０３　、第２犠牲層７０６　、
第３犠牲層７０９　を除去し、回転反射鏡７０４　と静
電マイクロモータのロータ７１２　を浮遊状態にする。

【００２９】第５実施例を図７に示す。本実施例では、
回転反射鏡に用いる（１１０）　単結晶シリコン８０１
　と第１犠牲層８０３　を堆積したガラス基板８０２　
、あるいはシリコン基板８０４　とを陽極接合した後、
単結晶シリコン８０１　を研磨することで、所定の厚み
の単結晶シリコン層８０５　を得るものである。まず、
図７（ａ）　では、（１１０）　結晶面を有する単結晶
基板８０１　と、ＰＳＧ　等の犠牲層８０３　を被着し
たガラス基板８０２　、あるいは同犠牲層８０３　を被
着したシリコン基板８０４　を用意する。以下、ガラス
基板、シリコン基板上での製作も同一なので以下では基
板８０２，　８０４を区別せず８０４　と呼称する。図
７（ｂ）　では、（１００）　単結晶基板８０１　と基
板８０４　を接触させ、４００　〜５００　℃程度の温
度で犠牲層８０４　が被着してある基板８０４　側に負
電位を印加し、単結晶基板８０１　と基板８０４　とを
陽極接合にて張り合わせる。図７（ｃ）　では、単結晶
基板８０１　側を機械的あるいは化学・機械的に研磨し
、第１犠牲層８０３　上に数μｍ　の単結晶層８０５　
を残す。この単結晶層８０５　が回転反射鏡の厚みとな
る。

【００３０】図７（ｄ）　では、熱酸化により、単結晶
層８０５　上にＳｉＯ２（第２犠牲層）８０６　を形成
し、フォトリソグラフィーによりシリコン異方性エッチ
ングのマスクを形成し、単結晶層８０５　を異方性エッ
チングにより回転反射鏡８０７　を形成する。図７（ｅ
）では、第３犠牲層８０８　を全面に堆積し、図７（ｆ
）　に示すように、フォトリソグラフィーにより第３犠
牲層８０８　と第１犠牲層８０３　をエッチングし、回
転反射鏡８０７の中心と同心で回転反射鏡８０７　を含
む円形に残す。図７（ｇ）　では、Ｓｉ３Ｎ４　８０９
　を堆積した後、フォトリソグラフィーで回転反射鏡８
０７　の中央部に第１開口部８１０を窓開けする。図７
（ｈ）　では、第４犠牲層８１１　を堆積し、フォトリ
ソグラフィーで回転反射鏡８０７　の中央部に第２開口
部８１２　を、第１開口部８１０　の内側に窓開けする
。図７（ｉ）では、ポリシリコン８１３　を堆積し、フ
ォトリソグラフィーで静電マイクロモータのロータ８１
４　及びステータ８１５　を形成する。図７（ｊ）　で
は、ＨＦ系溶液で第１〜第４犠牲層８０３，　８０６，
　８０８，　８１１を除去し、回転反射鏡８０７　及び
静電マイクロモータのロータ８１４　を浮遊状態にする
。

【００３１】上述した第５実施例では、陽極接合にて、
シリコン基板と、ガラス基板あるいはガラス付きシリコ
ン基板を接着する為、両基板とも平滑な表面を有するこ
とが重要である。また、接合したシリコン基板を図７（
ｃ）　の工程で研磨により数μｍの厚さに薄くする加工
があるが、ガラス基板上に接着したシリコン基板の厚み
の測定法としてガラス基板側から光を入射させ、シリコ
ン基板側での透過光強度から求める方法が簡便である。

【００３２】第６実施例は、図８（ａ）　の構造図に示
すように、回転反射鏡９０２　の反射端面９０３　に逆
テーパをつけ、光導波路９０４　から透明基板９０１　
に平行に回転反射鏡９０２　へ入射する光９０５　を、
透明基板９０１　側へ反射させるものである（９０８　
は反射光）　。９０６　は静電マイクロモータのロータ
９０７　は同ステータである。以下に、製法を示す。ま
ず、図８（ｂ）　では、（１００）　結晶面を持つ単結
晶シリコン９１０　に熱酸化膜９１１　を形成し、フォ
トリソグラフィーにより四辺が＜１１０＞　方向に一致
する回転反射鏡９０２　の形状にパターン形成後、異方
性エッチングによりシリコン基板９１０　にメサ形状９
１２　を堀り込む。このメサ形状は順メサであり、斜面
が（１１１）　面となることより、（１００）　シリコ
ン基板９１０　とは５４．７°の角度９１３　で交わる
。図８（ｃ）では、マスク酸化膜９１１　を除去し、第１
犠牲層（ＰＳＧ　等）９１４を堆積したガラス基板（石
英、パイレックスガラス等）９１５　上に順メサ９１２
　を形成した面を合わせて乗せる。

【００３３】図８（ｄ）　では、シリコン基板９１０　
とガラス基板９１５　間にシリコン基板９１０　側が正
となるように数１００　Ｖの電圧を印加しながら４００
　〜５００　℃に加熱し、両基板を接合する（陽極接合
）。図８（ｅ）　では、シリコン基板９１０　を機械的
あるいは機械・化学的に研磨し、メサ部９１２　の一部
９１６　を残し、すべて除去する。９１６　は回転反射
鏡９０２　となる。その後、第２犠牲層９１７　を堆積
する。図８（ｆ）　では、フォトリソグラフィーにより、第２
犠牲層９１７　、第１犠牲層９１４　を、回転反射鏡９
１６　を含む円形にパターン形成する。その後、全面に
第１Ｓｉ３Ｎ４　９１８　を堆積し、続いて第１クラッ
ド層９１９　、ＩＰ層９２０　、第２クラッド層９２１
　から成る光導波路層９２２　を堆積する。フォトリソ
グラフィーにより光導波路層９２２　をパターン形成し
、回転反射鏡９１６　を含む第１，第２犠牲層９１４，
　９１７の外側に光導波路端９２３　が位置するように
する。第１Ｓｉ３Ｎ４　９１８　は、光導波路層９２２
　のパターン形成を行う時に、第２犠牲層９１７　と第
１犠牲層９１４　を保護する為のものである。図８（ｇ
）　では、第２Ｓｉ３Ｎ４　９２４　を堆積し、フォト
リソグラフィーにて、第１，第２犠牲層９１４，　９１
７上の第１，第２Ｓｉ３Ｎ４　９１８，　９２４を除去
する。

【００３４】図８（ｈ）　では、第３犠牲層９２５　を
堆積し、光導波路９２２　と第１，第２犠牲層９１４，
　９１７の間を充填し、必要に応じてエッチバックによ
り第３犠牲層９２５　を薄くした後、フォトリソグラフ
ィーにより第３犠牲層９２５　の端部が光導波路層９２
２　上に位置するようにパターン形成する。図８（ｉ）
　では、第３Ｓｉ３Ｎ４　９２７　を堆積し、フォトリ
ソグラフィーにより第３Ｓｉ３Ｎ４　９２７　、第３犠
牲層９２５　、第２犠牲層９１７　をエッチングし、回
転反射鏡９１６　の中央部に第１開口部を形成する。次
に、第４犠牲層９２８　を堆積し、フォトリソグラフィ
ーにより第４犠牲層９２８をエッチングし、回転反射鏡
９１６　の中央部に回転反射鏡９１６　に達し第１開口
部より小さい第２開口部９２９　を形成する。図８（ｊ
）では、ポリシリコン９３０　を堆積し、フォトリソグ
ラフィーによりポリシリコン９３０　をエッチングし、
第４犠牲層９２８　の内側に静電マイクロモータのロー
タ９３１　を形成し、第４犠牲層９２８　に一部かかり
、その外側にステータ９３２　を形成する。図８（ｋ）
　では、ＨＦ系溶液にて第４，３，２，１犠牲層９２８
，　９２５，　９１７，　９１４をエッチングし、回転
反射鏡９１６　、静電マイクロモータのロータ９３１　
を浮遊状態にする。図８（ｌ）　に示すように、回転反
射鏡９１６　となるメサ９１２　端面９３３　に反射率
を上げる為に金属のコーティング、Ａｌ２Ｏ３／ａ−Ｓ
ｉ等の低屈折率層と高屈折率層のλ／４ｎ　膜厚からな
る誘電体多層膜や半導体多層膜９３４　のコーティング
を施しても良い。

【００３５】第７実施例を図９に示す。第７実施例は、
回転反射鏡１００２の反射面が、光導波路１００５から
入射する光１０２４を基板１００１と反対方向（上方）
へ反射するように傾斜をつけたものである。光を上方へ
出射するので、基板１００１が光に対して透明である必
要がないので、基板選択の自由度が高い。また、上方へ
光を出射できるので実装が容易などの利点もある。図９
（ａ）　は、本実施例の断面構造である。１００１は基
板、１００２は回転反射鏡、１００３は静電マイクロモ
ータのロータ、１００４は同ステータ、１００５は光導
波路で、第１クラッド１００６、コア１００７、第２ク
ラッド１００８からなる。１００９は静電マイクロモー
タのロータ１００３と回転反射鏡１００２からなる機械
的可動物の支持体（ガイド層）　である。

【００３６】図９（ｂ）−１　では、結晶面（１００）
　を有するシリコン基板１００１−１に、酸素あるいは
酸素とリンのイオン注入と、その後のアニールで形成さ
れる第１犠牲層１０１０と、同アニールで回復する結晶
層あるいは必要に応じて形成されるエピタキシャル成長
層を含む結晶層１０１１とからなる。図９（ｃ）−１　
では、熱酸化により結晶層１０１１表面に熱酸化膜（Ｓ
ｉＯ２）１０１２を形成し、フォトリソグラフィーによ
り四辺を＜１１０＞　方向に合わせた長方形あるいは正
方形の回転反射鏡１００２のパターンを形成する。シリ
コン異方性エッチングにて、結晶層１０１１を第１犠牲
層１０１０に達するまでエッチングする。

【００３７】図９（ｂ）−２　では、結晶面（１００）
　のシリコン基板１００１−２の全面あるいは一部に、
化合物半導体、例えばＧａＡｓ等をヘテロエピタキシャ
ル成長する。マスクエッジの方向を＜１１０＞　方向に
合わせたフォトレジストマスクにて、化合物半導体層１
０１３を選択エッチング（例えばＨ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２
系、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２系）　すると、順メサ方向に
は順メサが、逆メサ方向には逆メサが形成される。図９
（ｃ）−２　には、化合物半導体の逆メサ１０１４を示
してある。図９（ｄ）−２　では、全面に第１犠牲層（
ＰＳＧ等）１０１５　を堆積する。図９（ｅ）−２　で
は、任意の結晶面を有するシリコン基板１０１６と図９
（ｄ）−２　に示す基板の第１犠牲層１０１５が接触す
るように載せ、陽極接合法によって両基板を張り合わせ
る。

【００３８】図９（ｂ）−３　では、（１００）　面を
有する化合物半導体基板１００１−３に、図９（ｃ）−
３　に示すようにマスク四辺を＜１１０＞　方向に合わ
せたフォトレジストマスクでエッチングし、順メサ方向
に順メサを、逆メサ方向に逆メサを形成する。図には逆
メサ１０１８を示している。図９（ｄ）−３　では、第
１犠牲層（ＰＳＧ等）１０１９　を堆積する。図９（ｅ
）−３　では、任意の結晶面を有するシリコン基板１０
２０と、図９（ｄ）−３　の基板の第１犠牲層１０１９
側を接触させ、陽極接合により両基板を接着する。

【００３９】図９（ｆ）　では、図９（ｅ）−２　に示
すシリコン基板１００１−２、図９（ｅ）−３　に示す
化合物半導体基板を機械あるいは機械・化学研磨し、メ
サ部１０１４あるいは１０１８を残す。メサ部１０１４
，　１０１８以外の基板１００１−２，　１００１−３
はすべて研磨で除去される。残されたメサ部１０１４，
　１０１８をマスクに、第１犠牲層１０１５，　１０１
９の回転反射鏡１０１４，　１０１８の下の第１犠牲層
１０１５，　１０１９以外の第１犠牲層１０１５，　１
０１９を除去する。以降の製作工程は、図８（ｅ）　以
降と全く同様であるので、ここでは省略する。なお、図
９（ｇ）　は図９（ａ）　に示した回転反射鏡（四端面
とも順メサ形状の場合）１００２付き静電マイクロモー
タのロータ１００３の平面図の一例である。正方形回転
反射鏡１００２の順メサ端面１０２１に入射する光１０
２４は四極ロータ１００３（４枚の翼１０２２の中線１
０２３が反射鏡１００２の対角線と一致する方向に選ん
である）　のすき間を通過して上方へ出射される。

【００４０】図１０に本発明の第８実施例を示す。図１
０に示す第８実施例において、静電マイクロモータの可
動部であるロータの機械的強度を確保する為に、ＳＩＭ
ＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅ
ｄ　Ｏｘｙｇｅｎ）　を用いて、単結晶シリコン基板表
面下にＳｉＯ２あるいはＰＳＧ　の構成元素となる酸素
並びにリンから成る層をイオン注入で形成し、これを浮
遊構造体を形成する為の犠牲層として熱処理によりシリ
コン基板表面層の再結晶化とし、イオン注入層のガラス
化を図り図１０のプロセスで単結晶シリコンから成るロ
ータを形成する。図１０（ａ）　は、本発明で製作され
る静電モータの概念図である。１０１　は（１１０）　
面シリコン基板、１０２　は同１０１　基板の表面層を
使って形成されるロータ、１０３　はステータ、１０４
　はポリシリコンで形成されるベアリング、１０５　は
間隙である。

【００４１】以下に単結晶ロータ１０２　、ポリシリコ
ンベアリング１０４　の部分の製作工程を示す。まず図
１０（ｂ）　では、（１１０）　シリコン基板に例えば
数１０ＫｅＶ　〜数ＭｅＶ　の加速エネルギーで酸素イ
オン１０６　、リンイオン１０７　をイオン注入し、基
板１０１　表面から所定の深さに高濃度に酸素，　リン
から成る注入層１０８　を形成する。これが第１犠牲層
となる。図１０（ｃ）　では、熱処理によりイオン注入
層１０８　をガラス化し、ＳｉＯ２あるいはＰＳＧ　層
１０９　を形成し、同一熱処理あるいは追加熱処理によ
り、イオン１０６，　１０７が通過したシリコン基板１
０１　の表面層を再結晶化し、結晶層１１０　に戻す。図１０（ｄ）　では、ＰＳＧ　等の第２犠牲層１１１　
を堆積し、図１０（ｅ）　に示すようにロータ１１２　
の形状にフォトリソグラフィーにより犠牲層１１１　の
パターン形成を行い、続いて結晶面異方性エッチング液
で再結晶シリコン層１１０　を第１犠牲層１０９　が露
出するまでエッチングする。この時、第２犠牲層１１１
　はシリコン異方性エッチングのマスクとなり、このマ
スクの端部１１３　の方位の少なくとも四方向を＜１１
０＞　方向に一致させることで、垂直端面が得られる。

【００４２】図１０（ｆ）　では、フォトリソグラフィ
ーにより、ロータ１０２　の中央部にベアリング１０４
　を形成するための開口１１４　を形成する。図１０（
ｇ）　では、第３犠牲層１１５　を堆積し、ベアリング
１０４　を形成するための窓口１１７　を開ける。これ
に続き図１０（ｈ）　に示すベアリング１０４　となる
ポリシリコン１１６を堆積し、フォトリソグラフィーに
よりベアリング形状に加工する。図１０（ｉ）　では、
第１，第２，第３犠牲層１０９，　１１１，　１１５　
をＨＦ系溶液で除去し、ロータ１０２　を浮遊状態にす
る。尚、図１０で用いるシリコン基板１０１　は、端面
１１３　が垂直なロータ１０２　を得る為に（１１０）
　基板を用いているが、（１００）　基板を用いている
ことで図１０（ｅ）　の異方性エッチングによりロータ
１０２　を形成する工程で順メサ形状を得ることもでき
る。

【００４３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、静電マイクロモータと回転体とを同一基板上
に設けているため、微小な光偏向装置を備えた光走査装
置を得ることができるとともに、これを使用した画像形
成装置の小型化を達成することができる。また、本発明
の光走査装置は、犠牲層絶縁膜の使用およびエッチング
工程により同時に形成することにより、簡単に得ること
ができる。

【００４４】また、単結晶シリコンで静電マイクロモー
タの可動部であるロータを形成するので、機械的強度、
耐摩耗性の高い静電マイクロモータが実現できる為、高
速回転に耐え、長寿命化が達成できる。さらに異方性エ
ッチングにより可動部端面を形成すると、この面は結晶
学的に（１１１）　面に定まり、光学的に平坦（光学的
鏡面）な端面となる。この端面を光走査用反射鏡として
用いると理想的な反射鏡となる。

【００４５】さらにまた、反射鏡を形成する結晶の面方
位を（１１０）　とすることで垂直端面が得られ（１０
０）　とすることで順メサ状端面あるいは逆メサ状端面
が得られる。反射鏡端面の傾斜方向に応じて反射光の光軸を入射光の
光軸方向と同一（垂直端面の場合）、上方（順メサ端面
の場合）、下方（逆メサ端面の場合）と変えることがで
きる。反射鏡として機能する構造体（回転反射鏡）と静
電マイクロモータのロータとして機能する構造体を分離
することで、両者の機能を向上させることができる。具
体的には単結晶からなる反射鏡（異方性エッチングによ
り鏡面の端面）、静電モータとして最適形状のロータが
作製でき、両者とも独立に設計の自由度が向上する。静
電マイクロモータと、反射鏡を上下方向に分離するので
、下の反射鏡の高さに位置合わせして光導波路を同一基
板上に集積できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】シリコン異方性エッチングを説明するための図
である。

【図２】本発明の光走査装置の一例の構成を示す概念図
である。

【図３】本発明の光走査装置の第１実施例の製造工程を
示す図である。

【図４】本発明の光走査装置の第２実施例の製造工程を
示す図である。

【図５】本発明の光走査装置の第３実施例を示す図であ
る。

【図６】本発明の光走査装置の第４実施例の製造工程を
示す図である。

【図７】本発明の光走査装置の第５実施例の製造工程を
示す図である。

【図８】本発明の光走査装置の第６実施例の製造工程を
示す図である。

【図９】本発明の光走査装置の第７実施例の製造工程を
示す図である。

【図１０】本発明の光走査装置の第８実施例の製造工程
を示す図である。

【図１１】従来のマイクロモータの製造工程を示す図で
ある。

【図１２】従来の静電マイクロモータの構成を示す図で
ある。

【図１３】従来の光走査装置の一例の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

３１５　　　基板３０１　　　回転体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　基板と、この基板上に浮遊状態で回転
可能に支持され端面が光学的に平坦である回転体と、こ
の回転体を回転駆動させる静電マイクロモータとからな
ることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】　　前記回転体が、前記基板上に浮遊状態
で回転可能に支持され端面が光学的に平坦である回転反
射鏡と、この回転反射鏡上に形成された前記静電マイク
ロモータのロータと、このロータと前記回転反射鏡とを
接続する連結部からなることを特徴とする請求項１記載
の光走査装置。
【請求項３】　　前記静電マイクロモータの周囲に前記
回転体の端面と光軸が一致する光導波路を形成したこと
を特徴とする請求項１または２記載の光走査装置。
【請求項４】　　請求項３記載の光走査装置と、レーザ
光源と、光学系と、感光体とを備えたことを特徴とする
光走査装置を有する画像形成装置。
【請求項５】　　前記回転体、または、前記回転反射鏡
は、半導体からなり、その結晶面が（１００）　または
（１１０）　であることを特徴とする請求項１または２
記載の光走査装置。
【請求項６】　　前記回転体、または、前記回転反射鏡
の断面形状が、順メサ、逆メサ、あるいは垂直のいずれ
かであることを特徴とする請求項１または２記載の光走
査装置。
【請求項７】　　基板上に第１犠牲層絶縁膜を形成する
工程と、この第１犠牲層絶縁膜上に半導体単結晶層を形
成する工程と、この半導体単結晶層をフォトリソグラフ
ィーによりエッチングし、前記第１犠牲層絶縁膜を除去
することにより前記回転体及び、静電マイクロモータを
作成する工程とを有することを特徴とする請求項１記載
の光走査装置の製造方法。
【請求項８】　　前記半導体単結晶層が、ＳＩＭＯＸ　
法あるいは陽極接合法により形成されたことを特徴とす
る請求項７記載の光走査装置の製造方法。
【請求項９】　　半導体単結晶からなる第１の基板をフ
ォトリソグラフィーによりエッチングする工程と、第２
の基板上に第１犠牲層絶縁膜を形成する工程と、前記第
１の基板のエッチングされた表面と前記第２の基板を陽
極接合する工程と、前記第１の基板をエッチングされた
表面層を残して研磨により除去する工程と、前記第１犠
牲層絶縁膜を除去して前記回転体及び静電マイクロモー
タを作成する工程とを有することを特徴とする請求項１
記載の光走査装置の製造方法。