JPH04326717A - 3次元露光方法 - Google Patents

3次元露光方法

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Publication number
JPH04326717A
JPH04326717A JP3097713A JP9771391A JPH04326717A JP H04326717 A JPH04326717 A JP H04326717A JP 3097713 A JP3097713 A JP 3097713A JP 9771391 A JP9771391 A JP 9771391A JP H04326717 A JPH04326717 A JP H04326717A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical fiber
processed
exposure method
microlens
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3097713A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kawai
高志 河合
Akihiro Murata
明弘 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP3097713A priority Critical patent/JPH04326717A/ja
Publication of JPH04326717A publication Critical patent/JPH04326717A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,3次元的な形状を有す
るマイクロ構造体の作製のための露光技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のICのプレーナープロセスでは,
露光方法としては例えば第5図に示すように平面の基板
1にレジスト2を塗布し,光源3からの光をレンズ4,
4´および平面のマスク5を介して露光していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,マイク
ロマシンのような3次元的な形状が必要とされる構造で
は,穴の底面,内壁,斜面,側面,曲面等の部分を加工
する必要があるが,従来の露光技術では対応できないた
め,作製可能な構造が制限を受けてきた。曲面を加工す
る方法としては,並進,回転ステージに対象物を取付,
これを移動させながらレーザ,電子ビーム,イオンビー
ム等で露光,加工する方法もあるが,穴の内壁や,溝の
側壁等の加工は困難である。本発明は,上記従来技術の
問題点に鑑みてなされたものであり,その目的は,ビー
ム加工では露光できないような部位の露光を可能にする
技術を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明は,先端にマイクロレンズを有する光ファイバ,
もしくはマイクロプリズムとマイクロレンズを組合せて
光の出射方向を直角方向にした光ファイバと,紫外線光
源と,穴部,突起部および斜辺の少なくとも一つを有す
る加工対象と,前記光ファイバまたは加工対象の少なく
とも一方を平行または垂直方向に移動させるとともに回
転させる移動・回転手段とを有し,前記紫外線光源から
の光を光ファイバに入射させ,加工対象を照射する様に
構成したものである。
【0005】
【作用】光ファイバーは非常に細いために,狭い空間に
差し込むことが可能で,先端にプリズムやレンズを付け
ることにより,光の出射方向を容易に変えることができ
る。このため,ファイバーの直径よりわずかに大きい空
間が有れば,穴の底面や内壁などに露光が可能になる。
【0006】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す構成図であり
,穴の内壁にパターンを形成する例である。図において
10はシリコンや化合物半導体からなる円筒状の加工対
象であり,11は加工すべき加工箇所に形成された酸化
膜や窒化膜等の絶縁膜,2は絶縁膜11上に形成された
レジストである。13は光ファイバで,一端にプリズム
14が配置され,そのプリズム14の一面にマイクロレ
ンズ15が形成されている。なお,図では省略するが光
ファイバおよび加工対象は,平行または垂直方向に移動
させるとともに回転させる移動・回転手段によって位置
が制御される。また,図では省略するが光ファイバ13
の他端には紫外線を入射させる装置が配置されている。
【0007】上記の構成において光ファイバの一端を加
工対象の所定の位置に配置して他端から紫外線を入射す
ると,レジスト2は光ファイバ13から出射し,内壁で
焦点を結んだ紫外線により照射される。そして予め定め
られた照射時間とスキャニングを行って目的の領域を露
光する。図3は露光後の概略工程を示す断面図であり,
現像工程(a),エッチング工程(b)により酸化膜に
窓16があけられ,この窓16を通して,不純物が拡散
されて,所定の位置に半導体素子を形成することができ
る。
【0008】図3は深い穴の底面にパターンを形成する
場合を示す他の実施例を示す構成図であり,図1と同一
要素には同一符号を付している。また,光ファイバ13
と加工対象の位置を平行または垂直方向に移動させると
ともに回転させる移動・回転手段によって制御するのも
図1の場合と同様である。この露光方法は例えば,圧力
センサのダイヤフラムの裏側にパターンや素子を形成す
る場合に利用できる。本実施例においても光ファイバの
一端を加工対象の所定の位置に配置して他端から紫外線
を入射する。そして予め定められた照射時間とスキャニ
ングを行って目的の領域を露光する。図4は露光後の概
略工程を示す断面図であり,現像工程(a),エッチン
グ工程(b)により酸化膜に窓16があけられ,この窓
16を通して,不純物が拡散されて,所定の位置に半導
体素子を形成することができる。
【0009】
【発明の効果】以上実施例とともに具体的に説明した様
に,本発明の3次元露光方法によれば,通常の露光技術
では露光が不可能な,複雑な3次元形状の表面に電極パ
ターンや半導体素子を形成することが可能であり,マイ
クロマシンの機構部品の上に電子回路を形成することに
より,マイクロメカニカルエレクトロデバイスを実現す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の3次元露光方法の一実施例を示す構成
図である。
【図2】露光後の概略工程を示す断面図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図4】露光後の概略工程を示す断面図である。
【図5】従来例を示す図である。
【符号の説明】
10  加工対象 11  絶縁膜。 13  光ファイバ 14  プリズム 15  レンズ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  先端にマイクロレンズを有する光ファ
    イバ,およびマイクロプリズムとマイクロレンズを組合
    せて光の出射方向を直角方向にした光ファイバと,紫外
    線光源と,穴部,突起部および斜辺の少なくとも一つを
    有する加工対象と,前記光ファイバまたは加工対象の少
    なくとも一方を平行または垂直方向に移動させるととも
    に回転させる移動・回転手段とを有し,前記紫外線光源
    からの光を光ファイバに入射させ,加工対象を照射する
    様に構成したことを特徴とする3次元露光方法。
JP3097713A 1991-04-26 1991-04-26 3次元露光方法 Pending JPH04326717A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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