JPH0432483Y2

JPH0432483Y2 -

Info

Publication number: JPH0432483Y2
Application number: JP1986154139U
Authority: JP
Priority date: 1986-10-07
Filing date: 1986-10-07
Publication date: 1992-08-05
Also published as: JPS6359284U

Description

【考案の詳細な説明】（産業上の利用分野）本考案は、ブームを昇降させるようにしたフロ
ントローダの制御装置に関する。

（従来の技術）トラクタ車体に装着して作業を行なうフロント
ローダには、トラクタ車体にブームを昇降自在に
枢支し、このブームを操作するブームシリンダの
油圧回路に、上げ用ソレノイドに流れる励磁電流
に略比例する速度でブームを上昇させかつ下げ用
ソレノイドに流れる励磁電流に略比例する速度で
ブームを下降させるブーム制御用の電磁弁を介装
したものがある。

この種の従来のフロントローダの制御装置に
は、第９図に示すように操作レバー等の操作部の
操作に応じてパルス幅が変化するブーム制御信号
H₁，H₂を入力する一対の比較器１０１，１０２
を前記上げ用ソレノイド１０３及び下げ用ソレノ
イド１０４に対応して設け、各ソレノイド１０
３，１０４に、ダーリントン接続したトランジス
タ等から成るスイツチ回路１０５，１０６と抵抗
１０７，１０８とを接続して、これらを介してソ
レノイド１０３，１０４に励磁電流が流れるよう
に構成し、また比較器１０１，１０２の一端子
を、抵抗１０７，１０８の電圧信号を入力するよ
うに、スイツチ回路１０５，１０６と抵抗１０
７，１０８との間に接続し、ソレノイド１０３，
１０４に流れる励磁電流を検出して、それが一定
となるようにスイツチ回路１０５，１０６の電流
増幅値を制御すべく構成し、これによりソレノイ
ド１０３，１０４の抵抗値が温度変化等によつて
変動した場合にも、ソレノイド１０３，１０４の
励磁電流が一定電流値で流れ、操作部の操作量に
略比例する速度でブームを昇降できるようにした
ものがある（例えば特願昭61−29667（特開昭62−
188874））。この場合ソレノイド１０３，１０４の
励磁電流は対応する抵抗１０７，１０８の抵抗値
に略反比例した一定電流値となるが、従来は抵抗
１０７，１０８に単にソレノイド１０３，１０４
の励磁電流を検出するために用いており、下げ用
ソレノイド１０４側の抵抗１０８と上げ用ソレノ
イド１０３側の抵抗１０７とは略同一の抵抗値の
ものが使用されていた。

（考案が解決しようとする問題点）ところで、フロントローダでは、一般にブーム
の下降はブームの上昇に比べて作業の危険防止の
ために速度を遅くする必要があるが、従来の場合
抵抗１０７，１０８の抵抗値が略同一であるか
ら、各ソレノイド１０３，１０４に流れる励磁電
流は互いに略同一の電流値であり、この同一電流
値の励磁電流が流れる期間が、操作部の操作量に
対応するブーム制御信号のパルス幅に比例して変
化するので、従来ではブームの下降速度を抑制す
るために、ブームシリンダの油圧回路の下降側に
絞り弁を設け、これにより、作業の安全を図つて
いた。従つて、油圧回路に絞り弁を要し、これが
ためにブームシリンダの油圧回路が非常に複雑に
なり、油圧回路の製造が面倒で、また製造費も高
く付くという問題があつた。

本考案は上記問題点に鑑み、ブームシリンダの
油圧回路に、ブームの下降速度を抑えるための絞
り弁を不要にし、該油圧回路の構成が簡単になる
ようにしたものである。

（問題点を解決するための手段）この技術的課題を解決する本考案の技術的手段
は、上げ用ソレノイド１３に流れる励磁電流に略
比例する速度でブーム７を上昇させかつ下げ用ソ
レノイド１４に流れる励磁電流に略比例する速度
でブーム７を下降させるブーム制御用の電磁弁１
１を備え、操作部７６の操作に応じてパルス幅が
変化するブーム制御信号を入力する一対の比較器
４６ａ，４７ａが前記各ソレノイド１３，１４に
対応して設けられ、前記ソレノイド１３，１４
に、スイツチ回路４２ａ，４３ａと抵抗５１，５
２とがこれらを介して励磁電流が流れるように接
続され、前記比較器４６ａ，４７ａにより、該比
較器４６ａ，４７ａにブーム制御信号が入力する
間に、対応するソレノイド１３，１４の励磁電流
が対応する抵抗５１，５２の抵抗値に略反比例し
た一定電流値で流れるようにスイツチ回路４２
ａ，４３ａをオンオフ制御し、操作部７６の操作
量に略比例する速度でブーム７を昇降させるよう
にしたフロントローダの制御装置において、ブー
ム７の下降速度を抑えるように、前記下げ用ソレ
ノイド１４側の抵抗５２の抵抗値が上げ用ソレノ
イド１３側の抵抗５１の抵抗値よりも大に設定さ
れていることを特徴とする点にある。

（作用）操作部７６の操作により、ブーム制御信号H₁，
H₂が比較器４６ａ又は比較器４７ａに入力し、
該ブーム制御信号H₁，H₂を入力した側のスイツ
チ回路４２ａ，４３ａがブーム制御信号H₁，H₂
に同期してオンオフ動作する。そしてスイツチ回
路４２ａのオンオフ動作により、上げ用ソレノイ
ド１３に抵抗５１の抵抗値に略反比例した一定値
の励磁電流が間欠的に流れ、またスイツチ回路４
３ａ，のオンオフ動作により、下げ用ソレノイド
１４に抵抗５２の抵抗値に略反比例した一定値の
励磁電流、即ち前記上げ用ソレノイド１３の励磁
電流よりも小さい値の励磁電流が間欠的に流れ
る。従つて、ブーム７の下降速度が上昇速度より
に小さくなり、下降速度が抑制された状態でブー
ム７が昇降される。

（実施例）以下、図示の実施例について本考案を詳述する
と、第３図において、１はトラクタ車体、２は前
輪、３は後輪である。４は油圧装置で、トラクタ
車体１の後方に装着された作業機を昇降するため
のものである。５はフロントローダで、トラクタ
車体１に取付けるための取付フレーム６と、取付
フレーム６に枢着された左右一対のブーム７と、
ブーム７を昇降させるための左右一対のブームシ
リンダ８と、ブーム７の先端部に枢着されたバケ
ツト９と、バケツト９を操作するバケツトシリン
ダ１０とから構成されている。

ブームシリンダ８はブーム制御用の比例電磁弁
１１、バケツトシリンダ１０はバケツト制御用の
比例電磁弁１２により制御可能である。これら比
例電磁弁１１，１２は第４図に示すように直列状
に接続される。ブーム制御用の比例電磁弁１１は
上げ用ソレノイド１３及び下げ用ソレノイド１４
を有し、これらソレノイド１３，１４の励磁によ
つて中立位置から上げ位置及び下げ位置までの任
意の位置に操作可能である。またバケツト制御用
の比例電磁弁１２はすくい用ソレノイド１５及び
ダンプ用ソレノイド１６を有し、これらソレノイ
ド１５，１６の励磁によつて中立位置からすくい
位置及びダンプ位置までの任意の位置に操作可能
である。なお、第４図において、１８はポンプ、
１９はリリーフ弁である。

第１図及び第２図は比例電磁弁１１，１２の制
御回路を示す。なお比例電磁弁１１，１２は略同
様な方法で制御されるようになつており、ブーム
用の比例電磁弁１１の制御側とバケツト用の比例
電磁弁１２の制御側とは回路その他の構成部材が
大部分対応関係にあるので、対応するものについ
ては同一の番号を付すと共に、その番号の後に比
例電磁弁１１側のものには符号ａを付し、比例電
磁弁１２側のものについては符号ｂを付して説明
する。第１図及び第２図において、２６はメイン
スイツチ、２７はNOT回路、２８，２９は
NAND回路である。

３１は第１パルス発生回路、３２ａ，３２ｂは
第２パルス発生回路、３３ａ，３３ｂは第３パル
ス発生回路であり、これら各パルス発生回路３
１，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂは、単安定
マルチバイブレータにより、入力端Ａへの入力信
号の立上りによつて立上ると共に、回路３１，３
２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂは接続されたコン
デンサと抵抗とによつて決定される時定数で立下
がるパルス信号を出力端Ｑから出力するように構
成されている。而して、第１パルス発生回路３１
は、NOT回路２７が高電圧を出力しているとき、
出力端Ｑから第５図イに示す如くコンデンサC₁
と抵抗R₂との時定数によつて決定されるパルス
幅T₁を有する一定周波数のパルス信号E₁を出力
すると共に、出力端から第５図ロに示す如くパ
ルス信号E₁が反転したパルス信号E₂を出力する
ようになつている。第２パルス発生回路３２ａ，
３２ｂは、第１パルス発生回路３１のパルス信号
E₁を入力端Ａに入力し、出力端Ｑから第５図ハ
に示す如くパルス信号E₁の立上りから立上り、
かつコンデンサC₂と抵抗R₂及び可変抵抗３５ａ，
３５ｂによつて決定されるパルス幅T₂を有する
パルス信号F₁を出力すると共に、出力端から
第５図ニに示す如くパルス信号F₁が反転したパ
ルス信号F₂を出力端から出力するようになつ
ている。可変抵抗３５ａ，３５ｂは摺動子３４
ａ，３４ｂの摺動によつて可変される。第３パル
ス発生回路３３ａ，３３ｂは、第１パルス発生回
路３１のパルス信号E₁を入力端Ａに入力し、出
力端Ｑから第５図ホに示す如くパルス信号E₁の
立上りで立上がりかつコンデンサC₃と抵抗R₃に
よつて決定されるパルス幅T₃を有するパルス信
号G₁を出力すると共に、出力端から第５図ヘ
に示す如くパルス信号G₁が反転したパルス信号
G₂を出力するようになつている。

３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂは比較器で、
可変抵抗３５ａ，３５ｂの摺動子３４ａ，３４ｂ
からの出力電圧と1/2V_DDの電圧とを比較し、摺
動子３４ａ，３４ｂが可変抵抗３５ａ，３５ｂの
中点に位置する中立位置ｎよりも矢印ａ，ｃ方向
に摺動したとき比較器３６ａ，３６ｂが高電圧を
出力し、摺動子３４ａ，３４ｂが中立位置よりも
矢印ｂ，ｄ方向に摺動したとき比較器３７ａ，３
７ｂが高電圧を出力するようになつている。

３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂは排他的OR
回路、４０ａ，４０ｂ，４１ａ，４１ｂはAND
回路であり、後述する如くAND回路４０ａ，４
１ａは操作レバー７６の操作量に応じてパルス幅
が変化するブーム制御信号であるパルス信号H₁，
H₂を出力し、AND回路４０ｂ，４１ｂは、操作
レバー７６の操作量に応じてパルス幅が変化する
バケツト制御信号であるパルス信号H₁，H₂を出
力する。

４６ａ，４６ｂ，４７ａ，４７ｂはスイツチ回
路で、夫々２個のトランジスタをダーリントン接
続して成り、これらスイツチ回路４６ａ，４６
ｂ，４７ａ，４７ｂにはソレノイド１３，１４，
１５，１６が夫々直列接続されている。スイツチ
回路４２ｂ，４３ｂには抵抗５０が接続され、ダ
ンプ用ソレノイド１６にはスイツチ回路４２ｂ及
び抵抗５０を介して励磁電流が流れ、すくい用ソ
レノイド１５にはスイツチ回路４３ｂ及び抵抗５
０を介して励磁電流が流れるようになつている。
スイツチ回路４２ａ，４３ａには夫々抵抗５１，
５２が接続され、ソレノイド１３，１４にはスイ
ツチ回路４２ａ，４３ａ及び抵抗５１，５２を介
して励磁電流が流れるようになつている。４６
ａ，４６ｂ，４７ａ，４７ｂはアンド回路４０
ａ，４０ｂ，４１ａ，４１ｂとスイツチ回路４２
ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂのゲートとの間に介
装した比較器で、アンド回路４０ａ，４０ｂ，４
１ａ，４１ｂからのパルス信号H₁，H₂によりス
イツチ回路４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂを間
欠的に駆動するように構成されている。また比較
器４６ａ，４７ａの一端子は、抵抗５１，５２の
電圧信号を入力するように、スイツチ回路４２
ａ，４３ａと抵抗５１，５２との間に接続されて
おり、ソレノイド１３，１４に流れる励磁電流の
変化を検出して、それが一定となるようにスイツ
チ回路４２ａ，４３ａの電流増幅値を制御すべく
構成され、従つてソレノイド１３，１４の抵抗値
が温度変化等によつて変動しても、ソレノイド１
３，１４に流れる励磁電流は対応する抵抗５１，
５２の抵抗値に略反比例した一定電流値になるよ
うになつている。そして、下げ用ソレノイド１４
側の抵抗５２の抵抗値は、ブーム７の下降速度を
上昇速度に比べて小さく抑えるように上げ用ソレ
ノイド１３側の抵抗５１の抵抗値よりも大に設定
されている。また比較器４６ｂ，４７ｂの一端子
は、抵抗５０の電圧信号を入力するように、スイ
ツチ回路４２ｂ，４３ｂと抵抗５０との間に接続
され、ソレノイド１５，１６に流れる励磁電流の
変化を検出して、それが一定となるようにスイツ
チ回路４２ｂ，４３ｂの電流増幅値を制御すべく
構成されている。

５７は圧力スイツチで、第４図に示すようにバ
ケツトシリンダ１０のすくい側の油圧回路に設け
られ、バケツトシリンダ１０内の圧力が所定以上
（過負荷）になつたときオンするように構成され
ている。５８はモード切替スイツチである。５
９，６０はNOT回路、６１，６２，６３，６４，
６５，６６，６７，６８，６９はNAND回路、
７０はAND回路である。

第６図及び第７図は可変抵抗３５ａ，３５ｂの
操作部を示し、７６は操作レバーで、制御ボツク
ス７７の天板部に、球状の枢支部７８を介して支
持されており、この操作レバー７６の上端にはグ
リツプ部７９が、下端には作動板８０が夫々設け
られている。８１ａ，８２ａは摺動式可変抵抗器
であつて、制御ボツクス７７内に前後対称位置で
上下方向に設けられ、８１ｂ，８２ｂは摺動式可
変抵抗器であつて、制御ボツクス７７内に左右対
称位置で上下方向に設けられている。抵抗器８１
ａ，８１ｂ，８２ａ，８２ｂは上下摺動自在な摺
動体８５ａ，８５ｂ，８６ａ，８６ｂを有し、そ
の摺動体８５ａ，８５ｂ，８６ａ，８６ｂはコイ
ルバネ８７ａ，８７ｂ，８８ａ，８８ｂによつて
上下に付勢され、かつ作動板８０の下側面に押圧
せしめられている。抵抗器８１ａ，８１ｂ，８２
ａ，８２ｂは摺動体８５ａ，８５ｂ，８６ａ，８
６ｂの出し入れによつて抵抗値が変化するもので
あつて、回路基板８９のリード線を介して接続さ
れており、抵抗値８１ａ，８２ａで可変抵抗３５
ａを抵抗器８１ｂ，８２ｂで可変抵抗３５ｂを
夫々構成する。即ち、操作レバー７６を垂直方向
に向いた中立位置Ｎにセツトしておけば、第１図
における摺動子３４ａ，３５ｂが中立位置ｎにあ
り、この状態から操作レバー７６を矢印Ａで示す
前方向に揺動すると摺動子３４ａが矢印ａ方向に
摺動すると共に、矢印Ｂで示す後方向に揺動する
と摺動子３４ａが矢印ｂ方向に摺動するように構
成されている。また操作レバー７６を矢印Ｃで示
す左方向に揺動すると摺動子３４ｂが矢印Ｃ方向
に摺動すると共に、矢印Ｄで示す右方向に揺動す
ると摺動子３４ｂが矢印ｄ方向に摺動するように
構成されている。さらに操作レバー７６を左前方
向に揺動すれば摺動子３４ａ，３４ｂが矢印ａ，
ｃ方向に、右前方向に揺動すれば矢印ａ，ｂ方向
に夫々摺動する。また操作レバー７６を左後方向
に揺動すれば摺動子３４ａ，３４ｂが矢印ｂ，ｃ
方向に、右後方向に揺動すれば矢印ｂ，ｄ方向に
夫々摺動するようになつている。操作レバー７６
のグリツプ部７９上端には前記モード切替スイツ
チ５８が突設され、該スイツチ５８は押圧操作に
よりオンするように構成されている。

なお、この実施例の場合、パルス発生回路３
１，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂに接続した
コンデンサC₁，C₂，C₃は同一容量とされ、抵抗
R₃は抵抗R₁の抵抗値の1/2の抵抗値とされてい
る。また抵抗R₂及び可変抵抗３５ａ，３５ｂの
全抵抗（最大抵抗）は夫々抵抗R₁の1/3の抵抗値
に設定されている。従つて、第３パルス発生回路
３３ａ，３３ｂのパルス信号G₁のパルス幅T₃は
第１パルス発生回路３１のパルス信号E₁のパル
ス幅T₁の1/2の幅である。また第２パルス発生回
路３２ａ，３２ｂのパルス信号F₁のパルス幅T₂
は、摺動子３４ａ，３４ｂが中立位置ｎにあると
きパルス信号E₁のパルス幅T₁1/2の幅になり、こ
の状態から摺動子３４ａ，３４ｂを矢印ａ，ｃ方
向に摺動するとパルス信号F₁の立下りが遅れて
パルス幅T₂が徐々に増大し、摺動子３４ａ，３
４ｂを矢印ｂ，ｄ方向に摺動すると、パルス信号
F₁の立下りが早くなつてパルス幅T₂が徐々に縮
小する。

次に動作を第５図の電圧波形図を参照しながら
説明する。メインスイツチ２６をオンすると、
NAND回路２９から第１パルス発生回路３１に
高電圧が入力し、第１パルス発生回路３１は出力
端Ｑからパルス信号E₁を出力すると共に、出力
端からパルス信号E₂を出力する。また第２パ
ルス発生回路３２ａ，３２ｂ及び第３パルス発生
回路３３ａ，３３ｂは第１パルス発生回路３１か
らパルス信号E₁を入力し、第２パルス発生回路
３２ａ，３２ｂは出力端Ｑからパルス信号F₁を
出力端からパルス信号F₂を出力する。第３パ
ルス発生回路３３ａ，３３ｂは出力端Ｑからパル
ス信号G₁を出力端からパルス信号G₂を出力す
る。

このとき、操作レバー７６を中立位置Ｎにセツ
トしていれば、摺動子３４ａ，３４ｂは中立位置
ｎにあり、第２パルス発生回路３２ａ，３２ｂの
パルス信号F₁，F₂は第３パルス発生回路３３ａ，
３３ｂのパルス信号G₁，G₂と同一のパルス幅に
なり、排他的OR回路３８ａ，３８ｂ，３９ａ，
３９ｂからパルス信号が出力しない。また摺動子
３４ａ，３４ｂが中立位置ｎにあるため、比較器
３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂからも信号が出
力せず、従つてAND回路４０ａ，４０ｂ，４１
ａ，４１ｂ及び比較回路４６ａ，４６ｂ，４７
ａ，４７ｂはパルス信号を出力せず、ソレノイド
１３，１４，１５，１６は消磁状態を保つ。

まず、比例電磁弁１１側の制御動作について説
明する。操作レバー７６を中立位置Ｎから前方
向、右前方向或いは左前方向に揺動すると、操作
レバー７６は中立位置Ｎより前側（矢印Ａ側）に
揺動するので、摺動子３４ａが矢印ａ方向に摺動
する。その結果第２パルス発生回路３２ａのパル
ス信号F₁のパルス幅T₂が操作レバー７６の操作
量に比例して増大し、このためパルス信号F₁の
パルス幅T₁は第３パルス発生回路３３ａのパル
ス信号G₁のパルス幅T₃より大になり、排他的OR
回路３８ａから第５図トに示すようなパルス信号
H₁を出力する。一方摺動子３４ａの矢印ａ方向
への摺動により摺動子３４ａからの電圧信号は低
くなるため、比較器３６ａから高電圧の信号が出
力し、AND回路４０ａのゲートを開く。その結
果AND回路４０ａからパルス信号H₁が出力し、
該パルス信号H₁が比較器４６ａを介してスイツ
チ回路４２ａに入力し、該スイツチ回路４２ａが
パルス信号H₁に同期してオンオフ動作を繰返す。
従つて、上げ用ソレノイド１３に抵抗５１の抵抗
値に略反比例した一定値の励磁電流が間欠的に流
れ、デイザー効果によつて比例電磁弁１１のポー
トが操作レバー７６の前側への操作量に応じて流
量制御され、その結果ブーム７が操作レバー７６
の前側への操作量に比例する速さで上昇する。

操作レバー７６の中立位置Ｎから後方向、右後
方向或いは左後方向に揺動すると、操作レバー７
６は中立位置Ｎより後側（矢印Ｂ側）に揺動する
ので摺動子３４ａが矢印ｂ方向に摺動し、その結
果第２パルス発生回路３２ａのパルス信号F₂の
パルス幅が大になり、排他的OR回路３９ａから
第５図チに示す如く、パルス信号H₂が出力する。
また摺動子３４ａの矢印ｂ方向への摺動により比
較器３７ａから信号を出力し、AND回路４１ａ
のゲートを開く。その結果スイツチ回路４３ａが
前記と同様にオンオフ動作を繰り返し、下げ用ソ
レノイド１４に抵抗５２の抵抗値に略反比例した
一定値の励磁電流が間欠的に流れ、デイザー効果
によつて操作レバー７６の後側への操作量に応じ
て比例電磁弁１１のポートが流量制御され、ブー
ム７が操作レバー７６の後側への操作量に比例す
る速さで下降する。

次に、比例電磁弁１２側の制御動作を説明す
る。操作レバー７６を中立位置Ｎから左方向、左
前方向あるいは左後方向、即ち左（矢印Ｃ方向）
側に揺動すると、摺動子３４ｂが矢印Ｃ方向に摺
動し、その結果前記と同様に動作して、排他的
OR回路３８ｂから第５図トに示すようなパルス
信号H₁を出力すると共に、AND回路４０ｂがゲ
ートを開き、該AND回路４０ｂからパルス信号
H₁が出力する。また操作レバー７６を中立位置
Ｎから右方向、右前方向或いは右後方向、即ち右
（矢印Ｄ）側に揺動すると、摺動子３４ｂが矢印
ｄ方向に摺動し、その結果排他的OR回路３９ｂ
から第５図チに示すようなパルス信号H₂を出力
すると共に、AND回路４１ｂがゲートを開き、
該AND回路４１ｂからパルス信号H₁が出力す
る。

モード切替スイツチ５８がオフ状態のとき、
NOT回路６０からNAND回路６２，６３及び
NAND回路６６，６７に低電圧が出力し、
NAND回路６４からAND回路７０の出力信号が
反転した信号が出力すると共に、NAND回路６
３からAND回路４１ａのパルス信号H₂の反転し
た信号が出力する。またNAND回路６８を介し
てAND回路４０ｂのパルス信号H₁がNAND回
路６９からそのまま出力する状態になる。

またモード切替スイツチ５８がオン状態のと
き、NOT回路６０からNAND回路６２，６３及
びNAND回路６６，６７に高電圧が入力し、
NAND回路６２の出力が低電圧になつてNAND
回路６４の出力が高電圧になり、NAND回路６
３を介してAND回路４１ａのパルス信号H₂が
NAND回路６５からそのまま出力する。また同
様にNAND回路６７を介してAND回路４０ａの
パルス信号H₁がNAND回路６９からそのまま出
力する。

圧力スイツチ５７がオフ状態のとき、NOT回
路５９の出力が低電圧になつてNAND回路６１
の出力が高電圧になるので、AND回路７０がゲ
ートを開いた状態になり、該AND回路７０から
AND回路４１ｂのパルス信号H₂がそのまま出力
する。

また圧力スイツチ５７がオン状態のとき、
NOT回路５９の出力が高電圧になるので、比較
器３６ａが高電圧を出力即ち操作レバー７６を前
側に揺動していれば、NAND回路６１の出力が
低電圧、NAND回路６４の出力が高電圧になる。
この場合比較器３７ａの出力が低電圧であるか
ら、NAND回路６３の出力は高電圧であり、
NAND回路６５は低電圧を出力する。一方比較
器３６ａの出力が低電圧即ち操作レバー７６を前
側に揺動していなければ、AND回路７０から
AND回路４１ｂのパルス信号H₂がそのまま出力
する。

従つて、モード切替スイツチ５８がオフのと
き、NAND回路６０からAND回路４０ｂのパル
ス信号H₂が出力すると共に、NAND回路６５か
らAND回路４１ｂのパルス信号H₂が出力する状
態になる。またモード切替スイツチ５８がオンの
とき、NAND回路６９からAND回路４０ａのパ
ルス信号H₁が出力すると共に、NAND回路６５
からAND回路４１ａのパルス信号H₂が出力する
状態となる。ただし、圧力スイツチ５７がオンで
かつ操作レバー７６が前側に揺動していれば、モ
ード切替スイツチ５８のオンオフに拘らず
NAND回路６５から低電圧が出力する。

而して、モード切替スイツチ５８をオフにして
おけば、操作レバー７６を左側に揺動したとき、
AND回路４０ｂからパルス信号H₁がNAND回
路６８，６９及び比較器４６ｂを介してスイツチ
回路４２ｂに入力し、該トランジスタ４２ａがパ
ルス信号H₁に同期してオンオフ動作を繰返す。
従つてダンプ用ソレノイド１３に一定値の励磁電
流が間欠的に流れ、デイザー効果によつて比例電
磁弁１２のポートが操作レバー７６の左側への操
作量に応じて流量制御され、その結果バケツト９
が操作レバー７６の左側への操作量に比例する速
さでダンプ動作する。また操作レバー７６を右側
に揺動したとき、AND回路４１ｂからパルス信
号H₂がAND回路７０、NAND回路６４，６５
及び比較器４７ｂを介してスイツチ回路４３ｂに
入力し、該トランジスタ４３ｂがオンオフ動作を
繰り返し、すくい用ソレノイド１５に一定値の励
磁電流が間欠的に流れ、デイザー効果によつて操
作レバー７６の右側への操作量に応じて比例電磁
弁１２のポートが流量制御され、バケツト９が操
作レバー７６の右側への操作量に比例する速さで
すくい動作する。ただし、操作レバー７６を右前
方向に揺動してバケツト９のすくい動作と共に、
ブーム７を上昇させている場合には、バケツト９
の先端が硬い土中に食込んだり岩等に引掛かつた
りしてバケツトシリンダ１０内の圧力が一定以上
に達すると、圧力スイツチ５７のオンにより、
NAND回路６５から低電圧が出力するようにな
り、バケツト９はすくい動作を停止している。

一方、モード切替スイツチ５８を押圧によりオ
ンしておけば、操作レバー７６を前側に揺動した
とき、AND回路４０ａからパルス信号H₁が
NAND回路６７，６９及び比較器４６ｂを介し
てスイツチ回路４２ｂに入力し、該トランジスタ
４２ｂがパルス信号H₁に同期してオンオフ動作
を繰返す。その結果、操作レバー７６の前側への
操作量に比例する速さでブーム７が上昇すると同
時に、これに対応する速さでバケツト９がダンプ
動作し、バケツト９が水平面に対して略一定の傾
斜角度を保持したままでブーム７が上昇する。ま
た、操作レバー７６を後側に揺動したとき、
AND回路４１ａからパルス信号H₂がNAND回
路６３，６５及び比較器４７ｂを介してスイツチ
回路４３ｂに入力し、該トランジスタ４３ｂがオ
ンオフ動作を繰り返す。その結果操作レバー７６
の後側への操作量を比例する速さでブーム７が下
降すると同時に、これに対応する速さでバケツト
９がすくい動作し、バケツト９が水平面に対して
一定の傾斜角度を保持したままでブーム７が下降
する。

なお、前記実施例ではブーム用電磁弁１１を駆
動するブーム制御信号は、AND回路４０ａ，４
１ａから出力するパルス信号H₁，H₂により構成
され、バケツト用電磁弁１２を駆動するバケツト
制御信号、AND回路４０ｂ，４１ｂから出力す
るパルス信号H₁，H₂により構成されている。

第８図は他の実施例を示し、スイツチ回路４２
ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂを、ダーリントン接
続したトランジスタに代えて、電界効果トランジ
スタにより構成している。またダイオード９１
ａ，９１ｂ，９２ａ，９２ｂ、コンデンサ９３
ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ及び抵抗９５ａ，９
５ｂ，９６ａ，９６ｂにより構成した保護回路９
７ａ，９７ｂ，９８ａ，９８ｂを設け、この保護
回路９７ａ，９７ｂ，９８ａ，９８ｂによりソレ
ノイド１３，１４，１５，１６を保護するように
している。その他の点は前記実施例と同様の構成
である。

なお、前記実施例ではブーム７を昇降させ、バ
ケツト９をすくい、ダンプ動作させる操作部とし
て操作レバー７６を用いているが、この操作部は
操作レバー７６に限定されず、例えばダイヤル式
の操作部であつてもよいし、また操作部はブーム
７を昇降操作するためのものと、バケツト９をす
くい、ダンプ動作させるものとを別体に構成する
ようにしてもよい。

（考案の効果）本考案によれば、ブーム７の下降速度を抑える
ように下げ用ソレノイド５４側の抵抗５２の抵抗
値が上げ用ソレノイド１３側の抵抗５１の抵抗値
よりも大に設定されているので、ブーム７の下降
速度を抑制するためにブームシリンダの油圧回路
に絞り弁を設ける必要がなくなり、従つて下降速
度を抑制するための絞り弁を省略して油圧回路を
非常に簡単に構成することができ、油圧回路を容
易かつ安価に製造できる。しかも単に抵抗５２の
抵抗値を大に設定するのみであるから、フロント
ローダの制御装置の構成が従来に比して複雑にな
るようなこともなく、ブームの下降速度を抑制し
て作業の安全を図ることができ、その実用的効果
は著大である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図は本考案の一実施例を示し、
第１図及び第２図は回路図、第３図は全体の側面
図、第４図は油圧回路図、第５図は作用説明用の
電圧波形図、第６図は操作レバー部分の側断面
図、第７図は操作レバー部分の背断面図である。
第８図は夫々他の実施例を示す回路図、第９図は
従来例を示す回路図である。７……ブーム、１１……電磁弁、１３……上げ
用ソレノイド、１４……下げ用ソレノイド、４２
ａ，４３ａ……スイツチ回路、４６ａ，４７ａ…
…比較器、５１，５２……抵抗、７６……操作
部。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

上げ用ソレノイド１３に流れる励磁電流に略比
例する速度でブーム７を上昇させかつ下げ用ソレ
ノイド１４に流れる励磁電流に略比例する速度で
ブーム７を下降させるブーム制御用の電磁弁１１
を備え、操作部７６の操作に応じてパルス幅が変
化するブーム制御信号を入力する一対の比較器４
６ａ，４７ａが前記各ソレノイド１３，１４に対
応して設けられ、前記ソレノイド１３，１４に、
スイツチ回路４２ａ，４３ａと抵抗５１，５２と
がこれらを介して励磁電流が流れるように接続さ
れ、前記比較器４６ａ，４７ａにより、該比較器
４６ａ，４７ａにブーム制御信号が入力する間
に、対応するソレノイド１３，１４の励磁電流が
対応する抵抗５１，５２の抵抗値に略反比例した
一定電流値で流れるようにスイツチ回路４２ａ，
４３ａをオンオフ制御し、操作部７６の操作量に
略比例する速度でブーム７を昇降させるようにし
たフロントローダの制御装置において、ブーム７
の下降速度を抑えるように、前記下げ用ソレノイ
ド１４側の抵抗５２の抵抗値が上げ用ソレノイド
１３側の抵抗５１の抵抗値よりも大に設定されて
いることを特徴とするフロントローダの制御装
置。