JPH04324227A - 透過型光電面とその製造方法 - Google Patents
透過型光電面とその製造方法Info
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- JPH04324227A JPH04324227A JP3092229A JP9222991A JPH04324227A JP H04324227 A JPH04324227 A JP H04324227A JP 3092229 A JP3092229 A JP 3092229A JP 9222991 A JP9222991 A JP 9222991A JP H04324227 A JPH04324227 A JP H04324227A
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Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体からなる透過型光電面と、その製造方法に関するもの
である。
体からなる透過型光電面と、その製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】 低照度の条件下で使用されるイメー
ジ管に用い得る透過型光電面としては、ＧａＡｓ透過型
光電面が知られており、これの製造方法として特開昭５
１−７３３７９が公知である。これを第３図に示す。ま
ず、ＧａＡｓ基板１を用意し、この上に液相成長法を用
いてＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２、ＧａＡｓ活性
層３およびＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４を堆積し、
次いでスパッタ法などにより反射防止ＳｉＯ２ 膜５を
堆積する（図３（ａ）参照）。しかる後、図示の積層構
造体を反射防止ＳｉＯ２ 膜５側でガラス窓材６に熱圧
着し（同図（ｂ）参照）、ＧａＡｓ基板１およびＡｌＸ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２を選択的にエッチングし、
ガラス窓材６上に反射防止ＳｉＯ２ 膜５およびＡｌＸ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４を介してＧａＡｓ活性層３が
積層されたＧａＡｓ透過型光電面を得ることができる（
同図（ｃ）参照）。
ジ管に用い得る透過型光電面としては、ＧａＡｓ透過型
光電面が知られており、これの製造方法として特開昭５
１−７３３７９が公知である。これを第３図に示す。ま
ず、ＧａＡｓ基板１を用意し、この上に液相成長法を用
いてＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２、ＧａＡｓ活性
層３およびＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４を堆積し、
次いでスパッタ法などにより反射防止ＳｉＯ２ 膜５を
堆積する（図３（ａ）参照）。しかる後、図示の積層構
造体を反射防止ＳｉＯ２ 膜５側でガラス窓材６に熱圧
着し（同図（ｂ）参照）、ＧａＡｓ基板１およびＡｌＸ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２を選択的にエッチングし、
ガラス窓材６上に反射防止ＳｉＯ２ 膜５およびＡｌＸ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４を介してＧａＡｓ活性層３が
積層されたＧａＡｓ透過型光電面を得ることができる（
同図（ｃ）参照）。
【０００３】しかし、上記の透過型光電面をイメージ管
などに用いると、解像度の低下や局所的な像の歪み等の
問題が発生していた。これは、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａ
ｓ窓層４と反射防止ＳｉＯ２ 膜５の界面にダストが存
在していたり、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の表面
に傷があったりすることが原因として考えられる。また
、上記従来技術では、液相成長法により構成しているた
め、表面に波状の模様が生じ、これが局所的な像の歪み
を招いていることも考えられる。
などに用いると、解像度の低下や局所的な像の歪み等の
問題が発生していた。これは、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａ
ｓ窓層４と反射防止ＳｉＯ２ 膜５の界面にダストが存
在していたり、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の表面
に傷があったりすることが原因として考えられる。また
、上記従来技術では、液相成長法により構成しているた
め、表面に波状の模様が生じ、これが局所的な像の歪み
を招いていることも考えられる。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、イメージ管に応用したときに、高解
像度でかつ歪みのない画像を得ることのできる透過型光
電面と、これに好適な製造方法を提供することを目的と
している。
てなされたもので、イメージ管に応用したときに、高解
像度でかつ歪みのない画像を得ることのできる透過型光
電面と、これに好適な製造方法を提供することを目的と
している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る透過型光電
面は、Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る活性層、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る窓層および反射防止膜を順次に堆積した積層構造体を
、反射防止膜でガラス製の窓材に固着したものにおいて
、窓層と反射防止膜の間には、窓層に比べて十分に薄い
Ａｌ酸化膜が介在されている。
面は、Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る活性層、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る窓層および反射防止膜を順次に堆積した積層構造体を
、反射防止膜でガラス製の窓材に固着したものにおいて
、窓層と反射防止膜の間には、窓層に比べて十分に薄い
Ａｌ酸化膜が介在されている。
【０００６】また、本発明に係るの第１の製造方法は、
基板上にエッチングの停止層、Ａｌを含まないＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる活性層、Ａｌを含むＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる窓層およびＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の保護層を堆積して積層構造体を形成する第１
のステップと、窓層の表面に薄いＡｌ酸化膜が形成され
るエッチング条件で保護層を選択的に除去する第２のス
テップと、Ａｌ酸化膜の表面に反射防止膜を形成する第
３のステップと、積層構造体を反射防止膜でガラス製の
窓材に固着し、基板および停止層を選択的に除去する第
４のステップとを備える。
基板上にエッチングの停止層、Ａｌを含まないＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる活性層、Ａｌを含むＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる窓層およびＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の保護層を堆積して積層構造体を形成する第１
のステップと、窓層の表面に薄いＡｌ酸化膜が形成され
るエッチング条件で保護層を選択的に除去する第２のス
テップと、Ａｌ酸化膜の表面に反射防止膜を形成する第
３のステップと、積層構造体を反射防止膜でガラス製の
窓材に固着し、基板および停止層を選択的に除去する第
４のステップとを備える。
【０００７】さらに、透過型光電面の第２の製造方法は
、基板上にエッチングの停止層、Ａｌを含まないＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる活性層、Ａｌを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる窓層、Ａｌを含まないＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなり上記窓層に比べて十分に
薄い層、およびこの薄い層と選択エッチングが可能なＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の保護層を堆積して積層構造体
を形成する第１のステップと、保護層を選択的に除去す
る第２のステップと、上記薄い層の表面に反射防止膜を
形成する第３のステップと、積層構造体を反射防止膜で
ガラス製の窓材に固着し、基板および停止層を選択的に
除去する第４のステップとを備えることを特徴とする。
、基板上にエッチングの停止層、Ａｌを含まないＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる活性層、Ａｌを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる窓層、Ａｌを含まないＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなり上記窓層に比べて十分に
薄い層、およびこの薄い層と選択エッチングが可能なＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の保護層を堆積して積層構造体
を形成する第１のステップと、保護層を選択的に除去す
る第２のステップと、上記薄い層の表面に反射防止膜を
形成する第３のステップと、積層構造体を反射防止膜で
ガラス製の窓材に固着し、基板および停止層を選択的に
除去する第４のステップとを備えることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明では、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の窓層と反射防止膜の間に、極めて薄い層を介在さ
せ、この層をＡｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
もしくはＡｌと酸素が強く結びついたＡｌ酸化膜として
いるので、窓層と反射防止膜の界面は極めて良好な光学
特性を有する。さらに、上記の製造工程において、気相
成長法を用いることで、液相成長法に固有の波状の模様
をなくし得る。
導体の窓層と反射防止膜の間に、極めて薄い層を介在さ
せ、この層をＡｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
もしくはＡｌと酸素が強く結びついたＡｌ酸化膜として
いるので、窓層と反射防止膜の界面は極めて良好な光学
特性を有する。さらに、上記の製造工程において、気相
成長法を用いることで、液相成長法に固有の波状の模様
をなくし得る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例に係る透過型光電
面の構造と製法を、図１の工程別断面図により説明する
。
面の構造と製法を、図１の工程別断面図により説明する
。
【００１０】まず、ＧａＡｓ基板１を用意し、この上に
気相成長法を用いて、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層
２、ＧａＡｓ活性層３およびＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ
窓層４およびＧａＡｓ保護層７をエピタキシャル成長す
る（図１（ａ）参照）。ここで、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ停止層２についてはＮＨ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ に
よるＧａＡｓ基板１の選択エッチングを考慮して、Ａｌ
の組成比Ｘ＝０．５、膜厚は２μｍ程度とされる。また
、ＧａＡｓ活性層３の厚さは電子の拡散長程度とされ、
約２μｍとされる。ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の
組成比Ｘおよび膜厚は、透過型光電面の短波長側しきい
値を決定し、実施例ではＸ＝０．５、厚さは２μｍ程度
とされる。ＧａＡｓ保護層７は本発明に特徴的なもので
、後の工程により最終的には除去され、表面保護および
汚染防止が実現できればよい。したがって薄くてもよく
、実施例では０．８μｍ程度とする。
気相成長法を用いて、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層
２、ＧａＡｓ活性層３およびＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ
窓層４およびＧａＡｓ保護層７をエピタキシャル成長す
る（図１（ａ）参照）。ここで、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ停止層２についてはＮＨ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ に
よるＧａＡｓ基板１の選択エッチングを考慮して、Ａｌ
の組成比Ｘ＝０．５、膜厚は２μｍ程度とされる。また
、ＧａＡｓ活性層３の厚さは電子の拡散長程度とされ、
約２μｍとされる。ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の
組成比Ｘおよび膜厚は、透過型光電面の短波長側しきい
値を決定し、実施例ではＸ＝０．５、厚さは２μｍ程度
とされる。ＧａＡｓ保護層７は本発明に特徴的なもので
、後の工程により最終的には除去され、表面保護および
汚染防止が実現できればよい。したがって薄くてもよく
、実施例では０．８μｍ程度とする。
【００１１】次に、上記の積層構造体をエピタキシャル
成長装置から取り出し、ＧａＡｓ保護層７を選択的にエ
ッチングする。この場合、エッチャントとして例えばＮ
Ｈ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ を用いると、ＧａＡｓに対す
るエッチング速度は約１６μｍ／ｍｉｎであるのでＧａ
Ａｓ保護層７は数秒で除去され、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ窓層４の表面に数オングストロームの均一な厚さの
Ａｌ２ Ｏ３ 膜８が自動的に形成され、エッチングは
ストップする（図１（ｂ）参照）。そこで、水洗、乾燥
によって洗浄な表面を露出させ、直ちに反射防止ＳｉＯ
２ 膜５を堆積する（同図（ｃ）参照）。そして、ガラ
ス窓材に熱圧着する（同図（ｄ）参照）。ここで、反射
防止ＳｉＯ２ 膜５は接着の媒介と反射防止のために用
いられるから、例えば０．２μｍ程度のＣＶＤ膜でよい
。また、ガラス窓材としてはＧａＡｓとの熱膨張率差の
小さいものが望ましい。
成長装置から取り出し、ＧａＡｓ保護層７を選択的にエ
ッチングする。この場合、エッチャントとして例えばＮ
Ｈ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ を用いると、ＧａＡｓに対す
るエッチング速度は約１６μｍ／ｍｉｎであるのでＧａ
Ａｓ保護層７は数秒で除去され、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ窓層４の表面に数オングストロームの均一な厚さの
Ａｌ２ Ｏ３ 膜８が自動的に形成され、エッチングは
ストップする（図１（ｂ）参照）。そこで、水洗、乾燥
によって洗浄な表面を露出させ、直ちに反射防止ＳｉＯ
２ 膜５を堆積する（同図（ｃ）参照）。そして、ガラ
ス窓材に熱圧着する（同図（ｄ）参照）。ここで、反射
防止ＳｉＯ２ 膜５は接着の媒介と反射防止のために用
いられるから、例えば０．２μｍ程度のＣＶＤ膜でよい
。また、ガラス窓材としてはＧａＡｓとの熱膨張率差の
小さいものが望ましい。
【００１２】次に、ＮＨ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ エッチ
ャントなどを用いてＧａＡｓ基板１を選択的に除去し、
次いでＨＦ（弗酸）などを用いてＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ停止層２をエッチングすると、洗浄なＧａＡｓ活性
層３が露出した透過型光電面がえられる。なお、ＡｌＸ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の表面に自動的にＡｌ２ Ｏ
３ 膜８を形成し、かつその上の保護層を選択的に除去
可能とするためには、Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体であればよい。 したがって、保護層７には、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ
、ＧａＡｓＳｂなどを代用することができる。
ャントなどを用いてＧａＡｓ基板１を選択的に除去し、
次いでＨＦ（弗酸）などを用いてＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ停止層２をエッチングすると、洗浄なＧａＡｓ活性
層３が露出した透過型光電面がえられる。なお、ＡｌＸ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の表面に自動的にＡｌ２ Ｏ
３ 膜８を形成し、かつその上の保護層を選択的に除去
可能とするためには、Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体であればよい。 したがって、保護層７には、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ
、ＧａＡｓＳｂなどを代用することができる。
【００１３】実施例によれば、Ａｌ２ Ｏ３ 膜８が介
在する界面は極めて洗浄かつ平坦であり、欠陥密度も１
０個／ｃｍ２（従来は１００個／ｃｍ２）に抑えられる
ため、解像度の極めて高いイメージ管が実現される。ま
た、Ａｌ２ Ｏ３ 膜８においてはＡｌ原子は酸素原子
と強く結びついているので、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ
窓層４中のＡｌ原子が反射防止ＳｉＯ２ 膜５に拡散し
て劣化するようなこともなくなる。
在する界面は極めて洗浄かつ平坦であり、欠陥密度も１
０個／ｃｍ２（従来は１００個／ｃｍ２）に抑えられる
ため、解像度の極めて高いイメージ管が実現される。ま
た、Ａｌ２ Ｏ３ 膜８においてはＡｌ原子は酸素原子
と強く結びついているので、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ
窓層４中のＡｌ原子が反射防止ＳｉＯ２ 膜５に拡散し
て劣化するようなこともなくなる。
【００１４】次に、本発明の第２実施例に係わる透過型
光電面の構造とその製法を、図２の工程別断面図により
説明する。
光電面の構造とその製法を、図２の工程別断面図により
説明する。
【００１５】まず、ＧａＡｓ基板１を用意し、第１実施
例と同様にして、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２、
ＧａＡｓ活性層３およびＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層
４をエピタキシャル成長する。そして、ＡｌＸ Ｇａ１
−Ｘ Ａｓ窓層４上に、Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体、例えばＧａＡｓ窓層４１を数１０オングス
トロームの厚さ形成する。なお、このＧａＡｓ窓層４１
は入射光を吸収するので、できるだけ薄いことが望まし
いが、あまり薄いとこの上のＡｌＧａＡｓ膜エッチング
のストッパとなり得ないので、例えば数１０オングスト
ロームの厚さが望ましい、そして、この上にＡｌＧａＡ
ｓ保護層７１を堆積し、その上にＧａＡｓ保護層７２を
堆積する（図２（ａ）参照）。
例と同様にして、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２、
ＧａＡｓ活性層３およびＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層
４をエピタキシャル成長する。そして、ＡｌＸ Ｇａ１
−Ｘ Ａｓ窓層４上に、Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体、例えばＧａＡｓ窓層４１を数１０オングス
トロームの厚さ形成する。なお、このＧａＡｓ窓層４１
は入射光を吸収するので、できるだけ薄いことが望まし
いが、あまり薄いとこの上のＡｌＧａＡｓ膜エッチング
のストッパとなり得ないので、例えば数１０オングスト
ロームの厚さが望ましい、そして、この上にＡｌＧａＡ
ｓ保護層７１を堆積し、その上にＧａＡｓ保護層７２を
堆積する（図２（ａ）参照）。
【００１６】上記の有機金属気相成長法などによる積層
構造体は、成長装置から取り出され、エッチング液とし
てＮＨ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ が用いられてＧａＡｓ保
護層７２が除去され、次いでＨＦがエッチャントとして
用いられ、ＡｌＧａＡｓ保護層７１が除去される。する
と、極薄のＧａＡｓ窓層４１が露出し、エッチングは自
動停止する（同図（ｂ）参照）。
構造体は、成長装置から取り出され、エッチング液とし
てＮＨ４ ＯＨ＋Ｈ２ Ｏ２ が用いられてＧａＡｓ保
護層７２が除去され、次いでＨＦがエッチャントとして
用いられ、ＡｌＧａＡｓ保護層７１が除去される。する
と、極薄のＧａＡｓ窓層４１が露出し、エッチングは自
動停止する（同図（ｂ）参照）。
【００１７】水洗、乾燥を行うと、ＧａＡｓ窓層４１の
表面は極めて清浄となり、ＡｌＧａＡｓなどを窓層とし
て用いた場合のように、酸化膜が自然形成されることも
ない、そこで、この積層構造体をＣＶＤ装置などにセッ
トし、約０．２μｍの反射防止ＳｉＯ２ 膜５を形成す
る（同図（ｃ）参照）。ここで、反射防止膜の材料とし
ては、ＳｉＯ２ のみならずＳｉ３ Ｎ４ などとして
もよいし、ＳｉＯ２ とＳｉＮｘ の混合膜あるいは積
層膜としてもよい。しかる後、第１実施例と同様にして
積層構造体を反射防止ＳｉＯ２ 膜５においてガラス窓
材６と熱圧着し（同図（ｄ）参照）、ＧａＡｓ基板１と
ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２をエッチングしてＧ
ａＡｓ活性層３を露出させる（同図（ｅ）参照）。これ
により、目的とする透過型光電面が得られる。
表面は極めて清浄となり、ＡｌＧａＡｓなどを窓層とし
て用いた場合のように、酸化膜が自然形成されることも
ない、そこで、この積層構造体をＣＶＤ装置などにセッ
トし、約０．２μｍの反射防止ＳｉＯ２ 膜５を形成す
る（同図（ｃ）参照）。ここで、反射防止膜の材料とし
ては、ＳｉＯ２ のみならずＳｉ３ Ｎ４ などとして
もよいし、ＳｉＯ２ とＳｉＮｘ の混合膜あるいは積
層膜としてもよい。しかる後、第１実施例と同様にして
積層構造体を反射防止ＳｉＯ２ 膜５においてガラス窓
材６と熱圧着し（同図（ｄ）参照）、ＧａＡｓ基板１と
ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層２をエッチングしてＧ
ａＡｓ活性層３を露出させる（同図（ｅ）参照）。これ
により、目的とする透過型光電面が得られる。
【００１８】この第２実施例の透過型光電面についても
、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４と反射防止ＳｉＯ２
膜５の界面に極薄のＧａＡｓ窓層４１が介存している
ので、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の表面の光学特
性を良好にできる。このため、イメージ管の解像度の向
上が可能になる。なお、上記実施例に用いられるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体材料についても、各種の組み合わせ
が可能であり、これをまとめると、次のようになる。
、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４と反射防止ＳｉＯ２
膜５の界面に極薄のＧａＡｓ窓層４１が介存している
ので、ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層４の表面の光学特
性を良好にできる。このため、イメージ管の解像度の向
上が可能になる。なお、上記実施例に用いられるＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体材料についても、各種の組み合わせ
が可能であり、これをまとめると、次のようになる。
【００１９】（第１の組み合わせ）
基板…ＧａＡｓ
停止層…Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ
活性層…Ｇａ１−ｘ Ｉｎｘ Ａｓ
窓層…ＡｌＧａＩｎＡｓ
極薄膜…ＧａＡｓ
保護層…ＡｌＧａ（Ｉｎ）Ａｓ
（第２の組み合わせ）
基板…ＧａＡｓ
停止層…Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂ
活性層…ＧａＡｓｙ Ｓｂ１−ｙ
窓層…ＡｌＧａＡｓＳｂ
極薄膜…ＧａＡｓ
保護層…ＡｌＧａＡｓ（Ｓｂ）
（第３の組み合わせ）
基板…ＩｎＰ
停止層…Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓＰ
活性層…Ｉｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓｙ Ｐ１−ｙ窓層…
ＡｌＩｎＡｓＰ 極薄膜…ＩｎＰ 保護層…ＡｌＩｎＰ （第４の組み合わせ） 基板…ＧａＡｓ 停止層…Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＰ 活性層…ＧａＡｓｙ Ｐ１−ｙ 窓層…ＡｌＧａＡｓＰ 極薄膜…ＧａＡｓ 保護層…Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＰ
ＡｌＩｎＡｓＰ 極薄膜…ＩｎＰ 保護層…ＡｌＩｎＰ （第４の組み合わせ） 基板…ＧａＡｓ 停止層…Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＰ 活性層…ＧａＡｓｙ Ｐ１−ｙ 窓層…ＡｌＧａＡｓＰ 極薄膜…ＧａＡｓ 保護層…Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＰ
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明によれ
ば、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の窓層と反射
防止膜の間に、極めて薄い層を介在させ、この層をＡｌ
を含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体もしくはＡｌを酸
素が強く結びついたＡｌ酸化膜としているので、窓層と
反射防止膜の界面は極めて良好な光学特性を有する。さ
らに、上記の製造工程において、気相成長法を用いるこ
とで、液相成長法に固有の波状の模様をなくし得る。こ
のため、イメージ管に応用したときに、高解像度でかつ
歪みのない画像を得ることのできる透過型光電面と、こ
れに好適な製造方法を提供することができる。
ば、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の窓層と反射
防止膜の間に、極めて薄い層を介在させ、この層をＡｌ
を含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体もしくはＡｌを酸
素が強く結びついたＡｌ酸化膜としているので、窓層と
反射防止膜の界面は極めて良好な光学特性を有する。さ
らに、上記の製造工程において、気相成長法を用いるこ
とで、液相成長法に固有の波状の模様をなくし得る。こ
のため、イメージ管に応用したときに、高解像度でかつ
歪みのない画像を得ることのできる透過型光電面と、こ
れに好適な製造方法を提供することができる。
【図１】第１実施例に係わる透過型光電面の製造工程別
断面図である。
断面図である。
【図２】第２実施例に係わる透過型光電面の製造工程別
断面図である。
断面図である。
【図３】従来例に係わる透過型光電面の製造工程別断面
図である。
図である。
１…ＧａＡｓ基板
２…ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ停止層
３…ＧａＡｓ活性層
４…ＡｌＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ窓層
５…反射防止ＳｉＯ２ 膜
６…ガラス窓材
７，７１，７２，…保護層
８…Ａｌ２ Ｏ３ 膜
４１…ＧａＡｓ窓層
Claims (6)
- 【請求項１】 Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる活性層、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる窓層および反射防止膜を順次に堆積した積
層構造体を、前記反射防止膜でガラス製の窓材に固着し
た透過型光電面において、前記窓層と前記反射防止膜の
間には、前記窓層に比べて十分に薄いＡｌ酸化膜が介在
されていることを特徴とする透過型光電面。 - 【請求項２】 基板上にエッチングの停止層、Ａｌを
含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層、Ａ
ｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる窓層および
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の保護層を堆積して積層構造
体を形成する第１のステップと、前記窓層の表面に薄い
Ａｌ酸化膜が形成されるエッチング条件で前記保護層を
選択的に除去する第２のステップと、前記Ａｌ酸化膜の
表面に反射防止膜を形成する第３のステップと、前記積
層構造体を前記反射防止膜でガラス製の窓材に固着し、
前記基板および停止層を選択的に除去する第４のステッ
プとを備えることを特徴とする透過型光電面の製造方法
。 - 【請求項３】 前記第１の工程は、気相成長法により
行うことを特徴とする請求項２記載の透過型光電面の製
造方法。 - 【請求項４】 Ａｌを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる活性層、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる窓層および反射防止膜を順次に堆積した積
層構造体を、前記反射防止膜でガラス製の窓材に固着し
た透過型光電面において、前記窓層と前記反射防止膜の
間には、前記窓層に比べて十分に薄く、Ａｌを含まない
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層が介在されている
ことを特徴とする透過型光電面。 - 【請求項５】 基板上にエッチングの停止層、Ａｌを
含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層、Ａ
ｌを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる窓層、Ａｌ
を含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり前記窓層
に比べて十分に薄い層、および前記薄い層と選択エッチ
ングが可能なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の保護層を堆積
して積層構造体を形成する第１のステップと、前記保護
層を選択的に除去する第２のステップと、前記薄い層の
表面に反射防止膜を形成する第３のステップと、前記積
層構造体を前記反射防止膜でガラス製の窓材に固着し、
前記基板および停止層を選択的に除去する第４のステッ
プとを備えることを特徴とする透過型光電面の製造方法
。 - 【請求項６】 前記第１の工程は、気相成長法により
行う請求項５記載の透過型光電面の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222991A JPH07120512B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 透過型光電面とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222991A JPH07120512B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 透過型光電面とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324227A true JPH04324227A (ja) | 1992-11-13 |
| JPH07120512B2 JPH07120512B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=14048611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222991A Expired - Fee Related JPH07120512B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 透過型光電面とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120512B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123176A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電陰極 |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP9222991A patent/JPH07120512B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123176A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電陰極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120512B2 (ja) | 1995-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |