JPH04324219A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents

真空バルブ用接点材料

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JPH04324219A
JPH04324219A JP9393591A JP9393591A JPH04324219A JP H04324219 A JPH04324219 A JP H04324219A JP 9393591 A JP9393591 A JP 9393591A JP 9393591 A JP9393591 A JP 9393591A JP H04324219 A JPH04324219 A JP H04324219A
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JP
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contact material
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vacuum
vacuum valve
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JP9393591A
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English (en)
Inventor
Keisei Seki
経世 関
Isao Okutomi
功 奥冨
Atsushi Yamamoto
敦史 山本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、遮断性能及び再点弧発
生頻度を改良した真空バルブ用接点材料に関する。
【0002】
【従来の技術】真空バルブ用接点材料に要求される特性
としては、耐溶着、耐電圧、遮断に対する各性能で示さ
れる基本三要件と、この他に温度上昇、接触抵抗が低く
安定していることが重要な要件となっている。しかしな
がら、これらの要件の中には相反するものがある関係上
、単一の金属種によって全ての要件を満足させることは
不可能である。このため、実用されている多くの接点材
料においては、不足する性能を相互に補えるような2種
以上の元素を組合せ、かつ大電流用又は高電圧用などの
ように特定の用途に合った接点材料の開発が行われ、そ
れなりに優れた特性を有するものが開発されているが、
さらに強まる高耐圧化および大電流化の要求を充分満足
する真空バルブ用接点材料は未だ得られていないのが実
状ある。
【0003】例えば、大電流化を指向した接点材料とし
てBiのような溶着防止成分を5%以下の量で含有する
Cu−Bi合金材料が知られている(特公昭41−12
131 号公報)がCu母相に対するBiの溶解度が極
めて低いため、しばしば偏析を生じ、遮断後の表面荒れ
が大きく、加工成形が困難であるなどの問題点を有して
いる。
【0004】また、大電流化を指向した他の接点材料と
して、Cu−Te合金材料も知られている(特公昭44
−23751 号公報)。この合金は、Cu−Bi系合
金材料が持つ上記問題点を緩和してはいるが、Cu−B
i系合金材料に比較して雰囲気に対し、より敏感なため
接触抵抗などの安定性に欠ける。
【0005】さらに、これらCu−Te、Cu−Bi等
の接点材料の共通的特徴として、耐溶着性に優れている
ものの、耐電圧特性が従来の中電圧クラスへの適用には
充分であるとしても、これ以上高い電圧分野への適用に
対しては、必ずしも満足でないことが明らかとなってき
た。
【0006】一方、Crを含有したCu−Cr合金材料
が真空バルブ用接点材料として、知られている。この接
点材料は、高温下でのCrとCuとの熱特性が好ましい
状態で発揮されるため高耐圧大電流用として優れた特性
を有している。すなわち、Cu−Cr合金材料は、高耐
圧特性と、大容量遮断とを両立させ得る接点として多用
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このようなCu−Cr
系真空バルブ用接点材料は、遮断によって接点表面が溶
融しCu−Cr溶液を形成して冷却凝固を行っている。 ところが、Crは溶融Crにほとんど固溶せず、Cu−
Cr溶液が二相分離状態を形成するので、Crを多量に
含有した微粒子が接点表面に析出する。このため、再点
弧が発生することがあった。本発明の目的は、再点弧発
生を抑制するとともに遮断性能に優れた真空バルブ用接
点材料を提供することにある。 [発明の構成]
【0008】
【課題を解決するための手段と作用】上記目的を達成す
るために本発明は、Cuから成る高導電性成分と、Mn
とCrから成りMnとCrとの総計量(Mn+Cr)が
20〜60重量%である耐弧性成分から成るので、再点
弧発生を抑制し遮断性能も良好になる。さらに、Bi,
Pb,Te,Sb,Seの少なくとも1種から成る補助
成分を1重量%以下含有させて、耐容着性も良好になる
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的実施態様に基
づいて説明するが、はじめに本発明の接点材料が適用さ
れる真空バルブの構成を図1および図2を参照して説明
する。
【0010】図1は、本発明の接点材料を適用する真空
バルブの構成例を示すもので、同図に於いて、1は遮断
室を示し、この遮断室1は、絶縁材料によりほぼ円筒状
に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具3a,
3bを介して設けた金属性の蓋体4a,4bとで真空気
密に構成されている。しかして、上記遮断室1内には、
導電棒5,6の対向する端部に取付けられた1対の電極
7,8が配設され、上部の電極7を固定電極、下部の電
極8を可動電極としている。また、この可動電極8の電
極棒6には、ベローズ9が取付けられ遮断室1内を真空
気密に保持しながら電極8の軸方向の移動を可能にし、
このベローズ9上部には金属性のアークシールド10が
設けられ、ベローズ9がアーク蒸気で覆われることを防
止している。11は、上記電極7,8を覆うようにして
遮断室1内に設けられた金属性のアークシールドで、絶
縁容器2がアーク蒸気で覆われることを防止している。 さらに、電極8は、第2図に拡大して示すように、導電
棒6にろう付部12によって固定されるか、またかしめ
によって圧着接続されている。接点13aは、電極8に
ろう付け14で固着されている。なお、第1図における
13bは固定側接点である。本発明に係る接点材料は、
上記したような接点13a,13bの双方または何れか
一方を構成するのに適したものである。
【0011】次に、本発明に係る接点材料の製造方法に
ついて説明する。本発明のCu−Cr−Mn接点材料は
次に述べる固相焼結法によって製造するのが望ましい。 一例について記す。
【0012】所定のMn粉末とCr粉末とCu粉末を混
合した後、プレス機にて圧粉体を成形し、次いで露点が
−50℃以下の水素雰囲気または、1×10−5Pa以
下の真空雰囲気にて例えば850 ℃×1Hrの条件で
焼結する。 場合によってはプレス工程、焼結工程を複数回繰り返し
、目的とするCu−Cr−Mn接点材料を得る。
【0013】この様にして製造された接点材料はCuマ
トリクス内にMn粒子とCr粒子が均一分散しており、
遮断特性がCu−Cr接点と同等で、かつ、再点弧発生
率がCu−Cr接点よりも少なく真空バルブ用接点材料
として最適である。以下にその理由を説明する。
【0014】まず、再点弧発生率の抑制について記す。 前述した様に、Cu−Cr接点の遮断後の接点表面には
Crを主成分とした微粒デンドライトが析出し、これが
再点弧の引き金となる。この微粒デンドライトの析出は
CuとCrが固溶せず、かつ、Cu融点(1356K)
とCr融点(2130K)の温度差が有る事に起因する
。これに対し、第3の元素を添加したCu−Cr−Mn
系ではMnがCuにもCrにも固溶する為、遮断後の接
点表面溶融部には、顕著な耐弧組成の微粒子析出が認め
られず、Cu−Cr系に比して再点弧発生率も少なくな
る。
【0015】一方、遮断性能については、Cu−Cr接
点が遮断能力に優れているのは、Crのゲッター作用に
よるところが大である。また、MnもCrと同等のゲッ
ター作用を有し、Crの一部をMnに置き換えても従来
接点と同等の遮断能力を有する。
【0016】以上の様にして製造された各接点材料を比
較例と対比しながら、表1および表2を参照して説明す
る。なお、この各例において評価したときの条件方法は
、次の通りである。 (1)遮断試験
【0017】内径φ110 のセラミック円筒を絶縁円
筒とし、接点寸法φ40×5t とし、所定のアークシ
ールド、ベローズ等の部品とともに、ほぼ図1に示す形
状の真空バルブを製作し、供試バルブとした。同バルブ
を遮断器に取りつけ、閉状態にて7.2 KV,31.
5KAの遮断電流にてJEC4号の遮断試験を実施し、
その結果にて遮断能力を評価した。 (2)再点弧試験
【0018】進み小電流試験にて評価した。前述の遮断
試験と同様の遮断器を使用し、給与電圧12KV、遮断
電流100 Aとし、“0”責務100 回での再点弧
発生回数にて評価した。 (比較例−1)
【0019】従来のCu−Cr接点(Cr%  50w
t%)をバルブに組込み、遮断試験及び、再点弧発生状
態を試験した結果、良好な遮断試験結果を得たが、数回
の再点弧の発生が認められた。 (実施例−1〜3、比較例2〜3)
【0020】Cr+Mn含有量の有効範囲について検討
する。Mn+Cr含有量を11.6wt%(比較例−2
)、20.8wt%(実施例−1)、47.8wt%(
実施例−2)、59.3wt%(実施例−3)、82.
8wt%(比較例−3)と変化させたCu−Cr−Mn
合金の接点を製作し、各々の接点を真空バルブに取付け
て各特性を評価した。遮断試験に於いて、Cr+Mn%
の少ないもの(Mn=3.4 %、Cr=8.2 %、
Mn+Cr=11.6%、比較例−2)は、耐弧材のゲ
ッター作用が少なく遮断不能となり、一方、Cr+Mn
%の多いもの(Mn=32.1%、Cr=50.7%、
Mn+Cr=82.8%、比較例−3)は導電率の低下
が著しく、溶着が発生した。他のCr+Mn%=20.
8,47.8,59.7wt%(各々実施例−1,2,
3)は遮断試験合格であった。
【0021】また、再点弧発生率に於いては、Mn+C
r%の著しいもの(Mn+Cr=82.8%、比較例−
3)に数回の発生が認められた他は、全て、従来のCu
−Cr接点よりも良好な特性を示した。以上の実験結果
からCr+Mn%=20〜60wt%が望ましい。 (実施例−2,4、比較例−4)
【0022】次に、Mnの存在形態について検討する。 前述した様にMnはCuへ固溶し、その結果、著しい導
電率の低下をきたす。本実験例は、そのMnの存在形態
の影響につき検討したものであり、表中の(Cuへの固
溶Mn)/(全Mn)とは、組成分析によって得られた
Mn%に対するCu相へ固溶しているMn%の比率を示
したものである。このCu相へ固溶しているMn%は、
組成分析によって得られたCr+Mn%から、画像処理
装置を用いて求めたCr+Mn粒子%を差し引く事によ
って得たものである。
【0023】Cr+Mn  50wt%一定として(C
uへの固溶Mn)/(全Mn)をパラメータとした3種
類の接点につき評価した。即ち、(Cuへの固溶Mn)
/(全Mn)が各々1%,9%,31%(各々実施例−
2,4、比較例−4)のCu−Cr−Mn接点である。
【0024】遮断試験を実施したところ、(Cuへの固
溶Mn)/(全Mn)=1%,9%(実施例−2,4)
は合格であったが、(Cuへの固溶Mn)/(全Mn)
=31%のものは、開極時に溶着を発生し、遮断試験不
合格であった。一方、再点弧発生回数は3接点全て1回
ずつで従来のCu−Cr接点よりも良好な特性を得た。 以上の結果から(Cuへの固溶Mn)/(全Mn)は1
0%以下が望ましい。 (実施例−2,5、比較例−5)
【0025】Cu−Cr−Mn接点の相対密度について
検討する。Mn+Cr%50wt%一定として、相対密
度が95.6,85.7,73.6%(各々実施例−2
,5、比較例−5)の3種類の接点を製作し、評価した
。いずれの接点も遮断試験は合格であったが、相対密度
が低下するにつれて再点弧発生回数が増加する傾向に有
り、相対密度95.6%(実施例−2)では1回、同8
5.7%(実施例−5)では2回と、従来のCu−Cr
接点よりも良好な特性を示したが、相対密度73.6%
(比較例−5)では5回の再点弧発生を示した。以上よ
り、85%以上の相対密度が望ましいと言える。 (実施例−6,2,7)
【0026】Cu−Cr−Mn接点のCrとMnの組成
比について検討する。Cr+Mn%50wt%一定とし
て、Cr/Mn=8.5 (実施例−6)、Cr/Mn
=2.0 (実施例−2)、Cr/Mn=0.15(実
施例−7)の種類の接点を製作し、評価した。いずれの
接点も遮断試験合格かつ、再点弧発生回数が少なく、良
好な特性を示した。以上より、CrとMnの組成比につ
いて特に限定する必要はない。 (実施例−8)
【0027】Cu−Cr−Mn系への溶着防止成分の添
加について検討する。実施例−8に示す様に33.6C
r−14.3Mn−0.2 Bi−Cuの成分を得た接
点につき、同様の評価を行ったところ、遮断試験、再点
弧発生回数ともに満足するものであり、更に遮断試験に
於いては、機構部の開極力を弱めて合格であった。以上
の実験結果から、Cu−Cr−Mn系接点へのBi,T
e,Se,Sb,Pbの溶着防止成分の添加は有効であ
ると言える。
【0028】
【表1】
【0029】
【表2】
【0030】
【発明の効果】このように本発明は、Cuから成る高導
電性成分と、MnとCrから成りMnとCrとの総計量
(Mn+Cr)が20〜60重量%である耐弧性成分か
ら成るので、再点弧発生を抑制し且つ遮断性能も良好に
なる。さらに、Bi,Pb,Te,Sb,Seの少なく
とも1種から成る補助成分を1重量%以下含有すること
により、耐溶着性も良好になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空バルブ用接点材料が適用される真
空バルブの断面図。
【図2】[図1]の接点部の拡大断面図。
【符号の説明】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  Cuから成る高導電性成分と、Mnと
    Crから成りMnとCrとの総計量(Mn+Cr)が2
    0〜60%である耐弧性成分から成ることを特徴とする
    真空バルブ用接点材料。
  2. 【請求項2】  前記耐弧性成分であるMnの前記高導
    電性成分であるCuへの固溶量が、前記Mnの含有量の
    10%以下であることを特徴とする請求項1記載の真空
    バルブ用接点材料。
  3. 【請求項3】  該接点の相対密度が85%以上である
    ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の真空バ
    ルブ用接点材料。
  4. 【請求項4】  前記接点材料が、Bi,Pb,Te,
    Sb,Seの少なくとも1種から成る補助成分を1重量
    %以下含有することを特徴とする請求項1〜請求項3記
    載の真空バルブ用接点材料。
JP9393591A 1991-04-24 1991-04-24 真空バルブ用接点材料 Pending JPH04324219A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法

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