JPH0432301A - 移相器 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 59
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
によp切替える通路長切替形の移相器に係わり、特に移
相器における損失特性の改善に関するものである。
路長切替形移相器には種々のものがあるが、ここではシ
リコン、 GaAs などの半導体基板に構成した電界
効果トランジスタ(以下、FETと称す)をスイッチと
して用い、同一の半導体基板に構成したマイクロストリ
ップ線路の経路を切替えてマイクロ波の位相を変える半
導体移相器を例にとって説明する。
@Mono−11thic X−Band Pha
se Elhifter ’ GaAs 工C8
ymposium 1981 pp、 37に示され
た従来の半導体移相器の原理を説明するための模式図で
ある。
3)は電気長θ、の第1の分岐線路、(4)は電気長θ
2の第2の分岐線路、(5)は第1の単極双投スイッチ
(以下、8PDTスイツチと称す)i6)は第2のE3
PDTスイッチである。第11図では、第1゜第2のE
IPDTスイッチ(5) 、 (6)は第1の分岐線路
(3)側に切り換えられた状態であるので、入力線路+
1)よシ入射した電波はθ、の位相遅れを受けて第1の
分岐線路(3)を通過して出力線路(2)にあられれる
。ここで、第1.第2の8PDTスイツチ(5)。
はθ2の位相遅れを受けて第2の分岐線路(4)を通過
して出力線路(2)にあられれることになる。従って。
シ換えることによp、第1.第2の分岐線路(3) 、
+41の電気長の差Δθ(△θ−θ2−01)だけ電
波の位相か変化することになシ移相器が構成される。
る。図において、(1)〜(6)は第11図に示したも
のと同様のものであ、?i7)は半導体基板。
する第1゜第2のFEiTであシ、αI(11)は第2
のSFD?スイッチ(6)を構成する第3.第4OFE
Tである。また、aさ(13a4iはそれぞれ第1.第
2.第3.第4のF E T (81f91 QOai
lのドレイン電極、ゲート電極、ソース電極である。ゲ
ート電極(2)にはバイアス抵抗(149を介して、バ
イアス端子ae↓シバイアス電圧が印加される。なお、
第1.第2.第3.第4のFE T (81(91al
lIa1)のスイッチ動作のために2通常はドレイン電
極αり、ソース電極Iを直流的に同電位として用いるが
、第12図ではそのための回路は省略している。今、ド
レイン電極α2.ソース電極α着を直流的に同電位たと
えばOvにしたとすると。
に切シ換えることによp、FITのドレイン電極a湯と
ソース電極α◆間は電波が通過・遮断となる単極単投ス
イッチの動作をする。従って、第1゜第2のF ICT
(81(9)、および、第31第4のFET(IIα
υのそれぞれ2個のFI[iTをドレイン電極を共通に
して配置し、かつ、上記2個のFETのゲートバイアス
電圧を一方はOv、他方はピンチオフ電圧とし、同時に
上記のバイアス電圧を切シ換えることによ#)2個の単
極単投スイッチからなる5PDTスイツチを構成してi
る。この5PI)Tスイッチを用すて第1の分岐線路(
3)と第2の分岐線路(4)の2つの異なる伝搬経路を
切替えることにょシ第11図についての説明と同様にし
て移相器として動作させることができる。
3) 、 (4)の長さの差で移相量が決まるため。
す移相量特性が得られる。
替えKは伝送線路の入力端と出力端との2箇所にスイッ
チが必要であシ、かつ、FETなどのスイッチング素子
が電波の伝搬経路に挿入される構成であることから、ス
イッチによる挿入損失が大きいという問題点があった。
れたもので、低損失な移相器を得ることを目的とする。
る通路長切替形の移相器において、入力端子と、出力端
子と、所定の通路長差を有し、それぞれ一端が上記入力
端子に接続され、他端が上記出力端子に接続された第1
の伝送線路および第2の伝送線路と、遮断と導通が切シ
替わシ、導通状態のとき上記入力端子および上記出力端
子から見て高インピーダンスに見える上記第1の伝送線
路の位置および上記第2の伝送線路の位置にそれぞれ接
続されたスイッチとを備えたものである。
が切シ替わるスイッチが、導通状態のとき入力端子およ
び出力端子から見て高インピーダンスに見える第1の伝
送線路の位置および第2の伝送線路の位置にそれぞれ設
けられているので。
し、第2の伝送線路に接続されたスイッチを導通とする
と、入力端子および出方端子から第2の伝送線路のスイ
ッチ側をみたインピーダンスは高インピーダンス、すな
わち開放状態となシ。
で、電波は第1の伝送線路を通過する。なお、スイッチ
の遮断と導通を切シ替ると電波は第2の伝送線路を通過
する。このように、スイッチの遮断と導通を切り替ると
電波が通過する伝送線路にスイッチを挿入せずに2つの
伝送線路を切シ替え、電波の位相を変化させる。
模式図である。ここでは9所定の周波数で概略1110
度の電気長の差を有する通路長の異なる2つの伝送線路
をスイッチによシ切り替る通路長切替形の180度移相
器を例としてこの発明の技術的思想を説明する。図にお
いて、αηは移相器ノ入力端子、α瞭は移相器の出力端
子、aioIJは一端が入力端子(1カに接続され、他
端が出力端子asに接続された上記所定の周波数で概略
180度の電気長を有する第1の伝送線路および上記所
定の周波数で概略380度の電気長を有する第2の伝送
線路、CIは第1の伝送線路α優の入力端子αηから上
記所定の周波数で概略90度の電気長の位置と接地との
間に設けられた第1のスイッチ、口は第2の伝送線路■
の入力端子α力から上記所定の周波数で概略90度の電
気長の位置と接地との間に設けられた第2のスイッチで
ある。なお、ここで、第1のスイッチc11)および第
2のスイッチ@は遮断と導通が切υ替わるものである。
実施例の動作説明図である。第2図(a)は第1のスイ
ッチQυを遮断、第2のスイッチ(2)を導通とした場
合を示し、第2図(b)はこのときの動作を示す等価回
路である。この場合には、第1のスイッチQωの影響は
無視でき、第2のスイッチ@は短絡と考えることができ
るので、第2図(1))のように表すことができ、入力
端子aηおよび出力端子帥から第2のスイッチ(2)側
をみたインピーダンスは高インピーダンス、すなわち開
放状態となるので。
Jを通過する。また、第3図ta)は第1のスイッチ(
2)を導通、第2のスイッチ口を遮断とした場合を示し
、第3図(1)Jはこのときの動作を示す等価回路であ
る。この場合には、第1のスイッチ0pは短絡と考える
ことができ、第2のスイッチ四の影響は無視できるので
、第3図(1))のように表すことができ、入力端子a
ηおよび出力端子α樽から第1のスイッチQ珍側をみた
インピーダンスは高インピーダンス、すなわち開放状態
となるので、電波は360度の位相遅れを受けて第2の
伝送線路(至)を通過する。
)とを遮断・導通と切シ替ることによシ、電波の伝搬位
相は180度変化し、180度移相器が構成できる。
具体的構成を示す斜視図であシ、この実施例では半導体
素子と線路とが同一の半導体基板を用いて構成されたモ
ノリシック構造の場合について一例を示している。図に
おいて、(2)は第1のスイッチ(財)を形成するFl
CT、(財)は第2のスイッチ(2)を形成するFlC
T、c!9@■はそれぞれPET@(財)のドレイン電
極、ゲート電極、および、ソース電極、@はバイ7ホー
ル、@はバイアス抵抗。
で、IPET@のドレイン電極(ハ)は第1の伝送線路
翰に接続されておシ、ソース電極勾はパイ7ホール(至
)を介して接地され、かつ、ゲート電極(至)はバイア
ス抵抗−を介して、バイアス端子(至)に接続されてい
る。なお、バイアス抵抗■とバイアス端子(至)との間
には、一端をバイアホール(2)を介して接地したキャ
パシタCIDが接続されており、バイアス端子(至)へ
の電波の漏洩を防止している。同様にして、FET(財
)のドレイン電極(至)は第2の伝送線路(至)に接続
されておシ、ソース電極(財)はバイアホール(至)を
介して接地され、かつ、ゲート電極(2)はバイアス抵
抗−を介して、バイアス端子(至)に接続されている。
には、一端をバイアホール(至)を介して接地したキャ
パシタclυが接続されておシ、バイアス端子(至)へ
の電波の漏洩を防止している。
明の移相器の一実施例について行った動作説明と同様で
あ、9.FE’llおよびFIT(至)のゲートバイア
スをOvとピンチオフ電圧とに切シ替ることによシ第1
のスイッチQのと第2のスイッチ(2)とを遮断・導通
と切夛替ることができ、電波の通路を第1の伝送線路員
と第2の伝送線路■とに切シ替て伝搬位相を180度変
化させることができ、180度移相器が構成できる。
伝送線路を切シ替ることができ、低損失な移相器が得ら
れるという効果がある。ここで、上記実施例で示した1
80度移相器は従来通路長切替形以外の方式の移相器で
低損失なものが得難いものであシ、この発明の180度
移相器の利用価値は高いと考えられる。また、この実施
例では半導体素子と線路とが同一の半導体基板を用いて
構成されたモノリシック構造であシ、小形の半導体移相
器が得られ、かつ、用いる半導体素子の数を削減できる
効果がある。
に構成されるモノリシック構造の移相器の例について説
明したが、この発明はこれに限らず、第5図に示す他の
実施例のように、半導体素子としてP工Nダイオード(
2)等のダイオードを用い9基板として誘電体基板(至
)を用いたディスクリートなハイブリッド構造のマイク
ロ波ICとしてもよい。第5図において、(至)(至)
は先端開放の1/4波長線路で形成されている高インピ
ーダンス線路および低インピーダンス線路であシ、高イ
ンピーダンス線路(ロ)と低インピーダンス線路(至)
はP工Nダイオード(至)にバイアスを印加するための
回路である。ここで、上記バイアスを印加するための回
路ではP工Nダイオード(至)の接続点で等測的に接地
と見えるもので、P工Nダイオード(至)が接続されて
いないものは浮かせたグランドとなっている。
)にバイアスを印加し、このバイアスを変化させること
で遮断・導通と切シ替ることができ、電波が通過する伝
送線路にスイッチを挿入せずに2つの伝送線路を切シ替
ることができ、低損失な移相器が得られるという効果が
ある。さらに、この実施例においては、ダイオードへの
バイアス印加において、線路にDCカットが不要となシ
、低損失化がはかれる効果がある。
視図であシ、この実施例はスイッチの遮断状態を良好に
するための構成を付加したものである。図において、c
@は共振用のインダクタであシ、インダクタ(至)をそ
れぞれFKT@およびFIT(至)のソース電極(財)
とドレイン電極(ハ)との間にそれぞれのFET(2)
(2)に並列装荷した回路構成である。
ことにより、PETのもつ容量を打ち消してスイッチの
遮断状態を良好にする効果がある。
説明するための模式図である。この実施例は導通状態と
された第1のスイッチ31)あるいは第2のスイッチ(
至)による反射を打ち消すための構成を付加したもので
ある。(支)は第1のスイッチI2υあるいは第2のス
イッチ@から概略90度の奇数倍の電気長離れた位置の
入力線路(1)に接続した反射補償用素子である。ここ
で1反射補償用素子(ロ)としては1例えば、先端を開
放あるいは短絡した線路でなる分布定数回路や2M工M
キャパシタ等でなる集中定数回路が用いられる。このよ
うな構成にすることによシ、1つの反射補償用素子(財
)を装荷するだけで第1のスイッチ(2υおよび第2の
スイッチ(2)のいずれにも有効に整合が取れ9反射特
性の曳好な移相器が得られる効果がある。
た実施例の動作と同様であシ、低損失な移相器が得られ
るという効果がある。
電気長の差を有する通路長の異なる2つの伝送線路をス
イッチによυ切り替る通路長切替形の180度移相器を
例として説明したが、この発明はこれに限らず、電気長
の差をその他の値に設定した移相器にも適用できる。
器の一実施例を説明するだめの模式図である。図におい
て、 (22!L) (z2b)は第2の伝送線路■
の入力端子aηおよび出力端子asから所定の周波数で
概略90度の電気長の位置と接地との間に設けられた第
2のスイッチおよび第3のスイッチである。なお、ここ
で、第1のスイッチQυ、第2のスイッチ(22a)
、第3のスイッチ(22b)は遮断と導通が切シ替わる
ものである。ここで、第2の伝送線路■における第2の
スイッチ(22a)と第3のスイッチ(221))の接
続点の間が所定の電気長の差△θに設定されている。な
お、所定の周波数で概略90度の電気長の位置は90度
の奇数倍の電気長の位置であってもよい。
一実施例の動作説明図である。第9図(a)は第1のス
イッチCa1lを遮断、第2のスイッチ(22a) 。
。
第2のスイッチ(22a) 、第3のスイッチ(22’
o)は短絡と考えることができるので、第9図(b)の
ように表すことができ、入力端子αηおよび出力端子α
梯から第2のスイッチ(22a) 、第3のスイッチ(
221))側をみたインピーダンスは高インピーダンス
、すなわち開放状態となるので、電波は180度の位相
遅れを受けて第1の伝送線路(lIJを通過する。
第2のスイッチ(22a)、第3のスイッチ(22b)
を遮断とした場合を示し、第10図(b)はこのときの
動作を示す等価回路である。この場合には、第1のスイ
ッチQυは短絡と考えることができ、第2のスイッチ(
22a) 、第3のスイッチ(221))の影響は無視
できるので、第10図<b)のように表すことができ2
入力端子αηおよび出力端子α梯から第1のスイッチc
21>側をみたインピーダンスは高インピーダンス、す
なわち開放状態となるので、電波は(180+θ)度の
位相遅れを受けて第2の伝送線路(2)を通過する。従
って、第1のスイッチQυと第2のスイッチ(22a)
および第3のスイッチ(22b)とを遮断・導通と切シ
替ることによシ、電波の伝搬位相はθ度変化し、任意の
値の0度移相器が構成できる。
た実施例と同様にできるため、ここでは構成図を省略す
る。
効果を有することは言うまでもなく、電波が通過する伝
送線路にスイッチを挿入せずに2つの伝送線路を切夛替
ることができ、低損失な移相器が得られるという効果が
ある。
切シ替わるスイッチを導通状態のとき入力端子および出
力端子から見て開放状態に見える第1の伝送線路の位置
および第2の伝送線路の位置にそれぞれ設けたので、電
波が通過する伝送線路にスイッチを挿入せずに2つの伝
送線路を切シ替ることができ、低損失な移相器が得られ
るという効果がある。
模式図、第2図tKs図は第1図に示したこの発明の移
相器の実施例の動作説明図、第4図は第1図に示したこ
の発明の移相器の実施例の構成を示す斜視図、第5図は
この発明の移相器の他の実施例の構成を示す斜視図、第
6図はこの発明の移相器のまた他の実施例の構成を示す
斜視図。 第7図はこの発明の移相器のさらに他の実施例を説明す
るための模式図、第8図はこの発明の移相器のさらにま
た他の実施例を説明するための模式図、第9図、第10
図は第8図に示したこの発明の移相器の実施例の動作説
明図、第11図は従来の移相器を説明するための模式図
、第12図は従来の移相器の動作説明図である。 図において、(1)は入力線路、(2)は出力線路、(
3)は第1の分岐線路、(4)は第2の分岐線路、(5
)は第1の5PDTスイツチ、(6)は第2の8PDT
スイツチ、(7)は半導体基板、 (81(91は第1
.第2のFICT。 a・αυは第3.第4のFET、 αりoa4はドレイ
ン電極、ゲート電極、ソース電極、 Q5はバイアス
抵抗。 aeはバイアス端子、aηは入カ端子、α梯は出力端子
。 α9は第1の伝送線路、 cIDir、第2の伝送線路
、 I2nは第1のスイッチ、 (23(22a)は
第2のスイッチ。 (z2b)は第3のスイッチf (21(2)はFET
、(ハ)(ホ)鋤はドレイン電極、ゲート電極、ソース
電極、@はバイアホール、@はバイアス抵抗、(至)は
バイアス端子、 01)はキャパシタ、鏝はP工Nダイ
オード。 鰻は誘電体基板2 図は高インピーダンス線路、@は低
インピーダンス線路、@はインダクタ、@は反射補償用
素子である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 通路長の異なる2つの伝送線路をスイツチにより切り替
る通路長切替形の移相器において,入力端子と,出力端
子と,所定の通路長差を有し,それぞれ一端が上記入力
端子に接続され,他端が上記出力端子に接続された第1
の伝送線路および第2の伝送線路と,遮断と導通が切り
替わり,導通状態のとき上記入力端子および上記出力端
子から見て高インピーダンスに見える上記第1の伝送線
路の位置および上記第2の伝送線路の位置にそれぞれ接
続されたスイツチとを備えたことを特徴とする移相器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2138732A JP2962771B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2138732A JP2962771B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 移相器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0432301A true JPH0432301A (ja) | 1992-02-04 |
JP2962771B2 JP2962771B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=15228873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2138732A Expired - Lifetime JP2962771B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 移相器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2962771B2 (ja) |
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