JPH0432229A - Wafer-application method - Google Patents
Wafer-application methodInfo
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- JPH0432229A JPH0432229A JP13940690A JP13940690A JPH0432229A JP H0432229 A JPH0432229 A JP H0432229A JP 13940690 A JP13940690 A JP 13940690A JP 13940690 A JP13940690 A JP 13940690A JP H0432229 A JPH0432229 A JP H0432229A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体ウェハ特にＧａ Ａｓウェハのように
割れやすいウェハを薄く加工する際にウェハを支持基板
に貼付けるウェハ貼付方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a wafer attachment method for attaching a wafer to a support substrate when thinning a semiconductor wafer, particularly a easily breakable wafer such as a GaAs wafer.
第３図は従来のウェハ貼付装置の断面図で、図において
、（１）はウェハ、（２）は支持基板、（３）はウェハ
（１）と支持基板（２）を貼付けるためのワックス、（
４）はウェハ（１）、支持基板（２）を真空にするため
の第１真空室、（５）はウェハ（１）と支持基板（２）
とを貼付けるワックスを加熱し溶解するためのヒーター
、（６）はウェハ（１）と支持基板（２）を貼付ける際
に大気圧で加圧するための第２真空室、（７）は第１真
空室（４）と第２真空室（６）を分離するためのラバー
、（８）は第１真空室（４）と第２真空室（６）を外部
と分離するための隔壁、（９）は第１真空室（４）及び
第２真空室（６）を真空に排気するための真空ポンプ、
（１０）は第１真空室（４）を真空にする際及びリーク
する際に開閉する第１バルブ、（１１）は第１真空室（
４）をリークする際及び真空に引く際に開閉する第２バ
ルブ、（１２）は第２真空室（６）を真空にする際及び
リークする際に開閉する第３パルプ、（１３）は第２真
空室（６）をリークする際及び真空に引く際に開閉する
第４バルブ、（１４）はウェハを冷却するための冷却パ
イプであ＆次に動作について説明する。第１真空室（４
）内にあるヒーター（５）の上に支持基板（２）を置く
。この時ヒーター（５）は加熱されていない。次に１ワ
ツクス（３）を塗布したウェハ（１）を支持基板（２）
の上に、ワックス（３）側と支持基板（２）が接するよ
うに置く。次糺第１真空室（４）と第２真空室（６）を
真空に真空ポンプ（９）を用いて排気する。その際、第
１パルプ（１０）及び第３パルプ（１２）を開いて置く
。所定の真空度に到達した後、ヒーター（５）により使
用しているワックスの融点まで加熱する。次に、第３パ
ルプ（１２）を閉じ第４バルブ（１３）を開き、第２真
空室（６）をリークし、フパー（７）を通して大気圧で
支持基板（２）上のウェハ（１）を加圧する。ついでヒ
ーター（５）を切り、冷却バイブ（１４）に水を流して
ワックス（３）を固化させる。次に、第４バルブ（１３
）を閉１′、、第３パルプ（１２）を開き、第２真空室
（６）を真空に引き、第１パルプ（１０）を閉じ、第２
バルブ（１１）を開き、第１真空室を大気にて、支持基
板に貼付けられたウェハ（１）を取り出す。Figure 3 is a cross-sectional view of a conventional wafer bonding device. In the figure, (1) is the wafer, (2) is the support substrate, and (3) is the wax for bonding the wafer (1) and the support substrate (2). ,(
4) is the first vacuum chamber for evacuating the wafer (1) and support substrate (2), and (5) is the wafer (1) and support substrate (2).
(6) is a second vacuum chamber for applying atmospheric pressure when bonding the wafer (1) and supporting substrate (2); (7) is a second vacuum chamber for heating and melting the wax to be attached; Rubber for separating the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6), (8) is a partition wall for separating the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6) from the outside, ( 9) is a vacuum pump for evacuating the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6);
(10) is the first valve that opens and closes when the first vacuum chamber (4) is evacuated and when there is a leak; (11) is the first valve (
(12) is the third pulp valve that opens and closes when the second vacuum chamber (6) is evacuated and leaked; (13) is the third valve The fourth valve (14), which opens and closes when the second vacuum chamber (6) is leaked and when it is evacuated, is a cooling pipe for cooling the wafer, and its operation will be explained next. First vacuum chamber (4
) Place the support substrate (2) on top of the heater (5) inside the heater (5). At this time, the heater (5) is not heated. Next, transfer the wafer (1) coated with wax (3) to the support substrate (2).
Place it on top of the substrate so that the wax (3) side and the supporting substrate (2) are in contact with each other. Next, the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6) are evacuated using a vacuum pump (9). At that time, the first pulp (10) and the third pulp (12) are placed open. After reaching a predetermined degree of vacuum, the wax used is heated to its melting point by a heater (5). Next, close the third pulp (12) and open the fourth valve (13) to leak the second vacuum chamber (6) and apply atmospheric pressure to the wafer (1) on the support substrate (2) through the fuper (7). Pressurize. Next, the heater (5) is turned off and water is flowed through the cooling vibrator (14) to solidify the wax (3). Next, the fourth valve (13
) is closed 1', the third pulp (12) is opened, the second vacuum chamber (6) is evacuated, the first pulp (10) is closed, and the second
The valve (11) is opened, the first vacuum chamber is exposed to the atmosphere, and the wafer (1) attached to the support substrate is taken out.
従来のウェハ貼付装置は以上のように行なわれていたの
で、ウェハ自体がプロセスを通過する時に生じる反りを
十分矯正することができず、ウニ八面内でのワックス厚
のばらつきが大きくな抄。Conventional wafer pasting equipment operates as described above, but it is not possible to sufficiently correct the warping that occurs when the wafer itself passes through the process, resulting in large variations in wax thickness within the 8 sides of the wafer.
後に行なうウェハの薄板加工の際のウェハ厚のばちつき
が生じ、また、ウェハ厚が不均一になる丸め、製品の性
能面でのばらつき、ストレスの局在によるウェハ割れの
発生などの問題点があった。Problems include variations in wafer thickness during subsequent wafer thinning, rounding that results in uneven wafer thickness, variations in product performance, and wafer cracking due to localized stress. was there.
この発明は上記のような問題点を解消するためＫなされ
たもので、ウェハの反りを矯正できるようにするととも
に、ワックスの加熱方法を光エネルギーを用いることＫ
より、貼付けた際のワックス分布を減少させることがで
きるウェハ貼付方法を得ることを目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and in addition to making it possible to correct the warpage of wafers, it also improved the wax heating method by using light energy.
It is an object of the present invention to provide a wafer pasting method that can reduce wax distribution during pasting.
［課題を解決するための手段］
この発明に係るウェハ貼付方法は、ワックスを塗布した
ウェハを真空チャックによって吸着し、ワックスを光（
ランプ）を用いて溶解することにより、ウェハと支持基
板を接着するようにしたものである。[Means for Solving the Problems] A wafer pasting method according to the present invention includes sucking a wafer coated with wax using a vacuum chuck, and exposing the wax to light (
The wafer and supporting substrate are bonded together by melting the wafer using a lamp.
この発明におけるウェハを吸着するための真空チャック
は、ウェハがプロセス途上種々の絶縁膜あるいは金属膜
等を積層することにより生じるストレスにより反るため
、その反りを矯正し、さらにウェハを支持基板にワック
ス厚を一定に接着するために、ヒーター加熱のかわりに
光を用いることにより、光を加えたたとえば支持基板と
その支持基板と接するウェハ表面上のワックスの極表面
のみが溶解することにより、接着した後冷却するまでに
ワックスが再分布することを防ぎ、接着後のワックスの
均一性を保つことができ、安定したワックス厚を得るこ
とができる。The vacuum chuck for adsorbing a wafer in the present invention corrects the warpage because the wafer warps due to the stress caused by laminating various insulating films or metal films during the process, and then attaches the wafer to a supporting substrate with wax. In order to bond to a constant thickness, light is used instead of heating with a heater. For example, only the support substrate and the extreme surface of the wax on the wafer surface that is in contact with the support substrate are melted, resulting in bonding. It is possible to prevent the wax from being redistributed before post-cooling, maintain the uniformity of the wax after adhesion, and obtain a stable wax thickness.
［実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はウェハ、（２）はウェハ（１）を
貼付けるための支持基板、（３）はウェハ（１）を支持
基板（２）Ｋ接着するためのワックス、（１５）はワッ
クス（３）を塗布したウェハ（１）を吸着するための上
側真空チャック、 （１６）は支持基板（２）を吸着す
るための下側真空チャック、（１７）はワックス（３）
を溶解させるために加える光エネルギーをコントロール
するためのコントロールユニツ）、（１８）は光を発生
するランプである。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. 1st
In the figure, (1) is the wafer, (2) is the support substrate for attaching the wafer (1), (3) is the wax for bonding the wafer (1) to the support substrate (2), and (15) is (16) is the lower vacuum chuck for adsorbing the wafer (1) coated with wax (3), (16) is the lower vacuum chuck for adsorbing the support substrate (2), and (17) is the wax (3)
(18) is a lamp that generates light.
次に動作について説明する。ワックス（３）を塗布し九
反抄を有するウェハ（１）を矯正するために、上側真空
チャック（１５）Ｋよってウェハ側を吸着し固定する。Next, the operation will be explained. In order to straighten the wafer (1) which has been coated with wax (3) and has a nine-sided paper, the wafer side is suctioned and fixed by the upper vacuum chuck (15)K.
その際、第３パルプ（１２）を開き上側真空チャック（
１５）に真空を送る。次に下側真空チャック（１６）に
支持基板（２）を載せ、第１パルプ（１０）を開き支持
基板（２）を吸着固定する。次にその状頗で、上側真空
チャック（１５）で固定したウェハ（１）を支持基板（
２）へゆっくり下ろし接触させる。そこで、ウェハ表面
を覆うワックス（３）を溶解するため、コントロールユ
ニット（１７）からランプ（１８）にエネルギーを供給
する。ワックス（３）は光を主に表面で吸収するため、
支持基板と接触した表面のみが溶解するため、ワックス
の厚さコントロールが容易となる。ついでワックス（３
）を冷却した後、上側真空チャック（１５）の真空を第
４バルブ（１３）を開き大気圧に戻す。その際第３パル
プ（１２）は閉じて置く。次に、第１パルプ（ｌＯ）を
閉じ、第２パルプ（１１）を開き、下側真空チャック（
１６）の真空を大気圧に戻しウェハ（１）を取抄出す。At that time, open the third pulp (12) and open the upper vacuum chuck (
15) Send vacuum to. Next, the support substrate (2) is placed on the lower vacuum chuck (16), the first pulp (10) is opened, and the support substrate (2) is fixed by suction. Next, in this state, the wafer (1) fixed with the upper vacuum chuck (15) is placed on the supporting substrate (
2) Slowly lower it to make contact. Energy is then supplied from the control unit (17) to the lamp (18) in order to melt the wax (3) covering the wafer surface. Wax (3) absorbs light mainly on its surface, so
Since only the surface in contact with the supporting substrate is melted, the thickness of the wax can be easily controlled. Then wax (3
), the vacuum in the upper vacuum chuck (15) is returned to atmospheric pressure by opening the fourth valve (13). At this time, the third pulp (12) is kept closed. Next, the first pulp (lO) is closed, the second pulp (11) is opened, and the lower vacuum chuck (
16) Return the vacuum to atmospheric pressure and take out the wafer (1).
第２図はこの発明の他の実施例を示すウェハ貼付装置の
断面側面図で、図において、（１９）は真空チェンバー
、（２０）は真空チェンバー（１９）内の真空をコント
ロールするバルブである。その他の符号は上記！！施例
と同一である。FIG. 2 is a cross-sectional side view of a wafer bonding apparatus showing another embodiment of the present invention. In the figure, (19) is a vacuum chamber, and (20) is a valve that controls the vacuum in the vacuum chamber (19). . Other codes are above! ! Same as Example.
第２図に示す他の実施例は、下側真空チャック（１６）
、上側真空チャック（１５）ともに真空チェンバー （
１９）の中に入れるようにしたもので、そうすることに
より支持基板（２）とウェハ（１）を貼付けた際、ウェ
ハ（１）と支持基板（正確にはウェハ（１）上のワック
ス（３）と支持基板（２））の間に気泡を生じないよう
にしたものである。ただし、真空チャックに用いている
真空度より、高い真空度とする必要がある。Another embodiment shown in FIG. 2 is a lower vacuum chuck (16).
, upper vacuum chuck (15) are both vacuum chambers (
19), so that when the supporting substrate (2) and wafer (1) are attached, the wafer (1) and the supporting substrate (more precisely, the wax ( This is to prevent air bubbles from forming between the support substrate (2) and the support substrate (2). However, the degree of vacuum needs to be higher than the degree of vacuum used for the vacuum chuck.
以上のようにこの発明によれば、反りを有するウェハを
真空チャックで吸着するようにしたのでウェハの反りを
矯正できるとともに、ウェハ表面を覆うワックスを支持
基板側から光を照射して溶解させるようにしたので、ワ
ックスの最表面のみが溶解し、精度高くウェハを支持基
板に貼ることができ、またウェハと支持基板を真空チェ
ンバーの中に入れるためワックスが凸凹している場合、
気泡の発生を低減させることが出来、精度高くウェハを
支持基板に貼付けることができる。As described above, according to the present invention, since a warped wafer is adsorbed by a vacuum chuck, the warp of the wafer can be corrected, and the wax covering the wafer surface can be melted by irradiating light from the supporting substrate side. Because only the outermost surface of the wax melts, the wafer can be attached to the support substrate with high precision.Also, if the wax is uneven because the wafer and support substrate are placed in a vacuum chamber,
The generation of air bubbles can be reduced, and the wafer can be attached to the support substrate with high precision.
第１図はこの発明の一実施例であるウェハ貼付装置の断
面側面図、第２図はこの発明の他の第２の実施例を示す
ウェハ貼付装置の断面側面図、第３図は従来のウェハ貼
付装置を示す断面図である。
図において、（１）はウェハ、（２）は支持基板、（３
）はワックス、（９）は真空ポンプ、（１０）は第１バ
ルブ、（１１）は第２バルブ、（１２）は第３バルブ、
（１３）は第４バルブ、（１５）は下側真空チャック、
（１６）は上側真空チャック、（１７）は光エネルギ
ーコントロールユニット、（１８）はランプ、（１９）
ｔｉ 真空４− ｘ ン／＜ −（２０）は真空コント
ロールバルプヲ示ス。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a cross-sectional side view of a wafer pasting apparatus which is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional side view of a wafer pasting apparatus showing another second embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a wafer pasting device. In the figure, (1) is a wafer, (2) is a support substrate, and (3) is a wafer.
) is wax, (9) is a vacuum pump, (10) is the first valve, (11) is the second valve, (12) is the third valve,
(13) is the fourth valve, (15) is the lower vacuum chuck,
(16) is the upper vacuum chuck, (17) is the optical energy control unit, (18) is the lamp, (19)
ti vacuum 4- x n/< - (20) indicates the vacuum control valve. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
ハを真空チャックによつて吸着し、この吸着した前記ウ
ェハを支持基板に貼付ける際に光を照射することにより
前記ワックスを溶解して貼付けたことを特徴とするウェ
ハ貼付方法。In order to straighten a wafer coated with wax, the wafer is adsorbed by a vacuum chuck, and when the adsorbed wafer is attached to a support substrate, the wax is melted and attached by irradiating it with light. Characteristic wafer attachment method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940690A JPH0432229A (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Wafer-application method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940690A JPH0432229A (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Wafer-application method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432229A true JPH0432229A (en) | 1992-02-04 |
Family
ID=15244515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13940690A Pending JPH0432229A (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Wafer-application method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432229A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004064040A (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | Laminate including substrate to be ground, method of manufacturing the same, method of manufacturing ultrathin substrate using the laminate, and apparatus therefor |
| JP2010062269A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Three M Innovative Properties Co | Method and apparatus for manufacturing wafer laminate, wafer laminate manufacturing method, method for exfoliating support layer, and method for manufacturing wafer |
| JP2011119578A (en) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Sticking apparatus |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13940690A patent/JPH0432229A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004064040A (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | Laminate including substrate to be ground, method of manufacturing the same, method of manufacturing ultrathin substrate using the laminate, and apparatus therefor |
| JP4565804B2 (en) * | 2002-06-03 | 2010-10-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Laminate including ground substrate, method for producing the same, method for producing ultrathin substrate using laminate, and apparatus therefor |
| JP2010062269A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Three M Innovative Properties Co | Method and apparatus for manufacturing wafer laminate, wafer laminate manufacturing method, method for exfoliating support layer, and method for manufacturing wafer |
| JP2011119578A (en) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Sticking apparatus |
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