JPH03253040A - Wafer adhering device - Google Patents
Wafer adhering deviceInfo
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- JPH03253040A JPH03253040A JP5209390A JP5209390A JPH03253040A JP H03253040 A JPH03253040 A JP H03253040A JP 5209390 A JP5209390 A JP 5209390A JP 5209390 A JP5209390 A JP 5209390A JP H03253040 A JPH03253040 A JP H03253040A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハを支持基板に貼り付ける装置に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an apparatus for attaching a wafer to a support substrate.
従来、上記のような貼り付け装置としては、例えば第４
図に示すようなものかある。同図において、（１）は、
例えばＧａＡｓのようなウェハ、（２）は、例えばガラ
スのような支持基板、（３）は、ウェハ（＋）と支持基
板（２）とを貼りつけるためのワックス、（４）は、ウ
ェハ（１）と支持基板（２）とを真空にするための第１
真空室、（５）は、ワックス（３）を加熱溶解させるた
めのヒータ、（６）は、ウェハ（１）と支持基板（２）
とを貼り付ける際に、大気圧て加圧するための第２真空
室、（７）は、第１真空室（４）と第２真空室（６）と
を分離するためのラバー、（８）は、第１真空室（４）
と第２真空室（６）とを外部から分離するための隔壁、
（９）は第１真空室（４）と第２真空室（６）とを真空
に排気するための真空ポンプ、（１０）は、第１真空室
（４）を真空にする際及びリークする際に開閉する第１
パルプ、（１１）は、第１真空室（４）をリークする際
及び真空にする際に開閉する第２ハルフ、（１２）は、
第２真空室（６）を真空にする際及びリークする際に開
閉する第３ハルフ、（１３）は、第２真空室（６）をリ
ークする際及び真空にする際に開閉する第４バルブ、（
１４）は、ウェハ（１）を冷却するための冷却パイプで
ある。Conventionally, as the above-mentioned pasting device, for example, a fourth pasting device has been used.
There is something like the one shown in the figure. In the same figure, (1) is
For example, a wafer such as GaAs, (2) a support substrate such as glass, (3) a wax for pasting the wafer (+) and the support substrate (2), and (4) a wafer ( 1) and the supporting substrate (2) in a vacuum.
A vacuum chamber (5) is a heater for heating and melting the wax (3), (6) is a wafer (1) and a support substrate (2)
A second vacuum chamber (7) is used to pressurize the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6) when pasting the two, and (8) a rubber is used to separate the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6). is the first vacuum chamber (4)
and a partition wall for separating the second vacuum chamber (6) from the outside,
(9) is a vacuum pump for evacuating the first vacuum chamber (4) and the second vacuum chamber (6), and (10) is a pump for evacuating the first vacuum chamber (4) and for leakage. The first part that opens and closes when
The pulp (11) is a second half that opens and closes when the first vacuum chamber (4) is leaked and evacuated, (12) is
The third half (13) opens and closes when the second vacuum chamber (6) is evacuated and leaks, and the fourth valve (13) opens and closes when the second vacuum chamber (6) is evacuated and evacuated. ,(
14) is a cooling pipe for cooling the wafer (1).
この貼り付け装置では、ヒータ（５）に通電していない
状態て、その上に支持基板（２）を置き、ワックス（３
）を塗布したウェハ（１）を、ワックス（３）か支持基
板（２）に接触するように載せる。そして、第１ハルフ
（１０）及び第３バルブ（１２）を開き、かつ真空ポン
プ（９）を作動させることによって、第１真空室（４）
及び第２真空室（６）を排気する。所定の真空度に到達
した後、ヒータ（５）に通電することによって、ワック
ス（３）をその融点まて加熱する。次に、第３バルブ（
１２）を閉し、かつ第４パルプ（１３）を開くことによ
って、第２真空室（６）をリークして、第２真空室（６
）を大気圧とし、この大気圧をラバー（７）を通して第
１真空室（４）に掛けることによって、支持基板（２）
にウェハ（１）を押圧する。その後、ヒータ（５）への
通電を停止し、冷却パイプ（１４）に水を流すことによ
って、ワックス（３）を冷却側化させる。次に、第４パ
ルプ（１３）を閉し、かつ第３ハルフ（１２）を開くこ
とによって、第２真空室（６）を再び真空にひく。In this pasting device, the support substrate (2) is placed on top of the heater (5) while the heater (5) is not energized, and the wax (3) is placed on top of the heater (5).
) is placed on the wax (3) or supporting substrate (2) so as to make contact with the wafer (1). Then, by opening the first half (10) and the third valve (12) and operating the vacuum pump (9), the first vacuum chamber (4) is opened.
and evacuating the second vacuum chamber (6). After reaching a predetermined degree of vacuum, the wax (3) is heated to its melting point by energizing the heater (5). Next, the third valve (
The second vacuum chamber (6) is leaked by closing the second vacuum chamber (6) and opening the fourth pulp (13).
) is set to atmospheric pressure, and by applying this atmospheric pressure to the first vacuum chamber (4) through the rubber (7), the supporting substrate (2)
Press the wafer (1). Thereafter, the wax (3) is cooled by stopping the power supply to the heater (5) and flowing water through the cooling pipe (14). The second vacuum chamber (6) is then evacuated again by closing the fourth pulp (13) and opening the third half (12).
そして第１パルプ（ｌＯ）を閉し、第２ハルフ（１１）
を開くことによって、第１真空室（４）を大気圧に戻し
、支持基板（２）に貼り付けられたウェハ（１）を第１
真空室（４）から取り出す。Then close the first pulp (lO) and close the second half (11).
By opening the first vacuum chamber (4), the first vacuum chamber (4) is returned to atmospheric pressure, and the wafer (1) attached to the support substrate (2) is transferred to the first vacuum chamber (4).
Remove from vacuum chamber (4).
一般に、ウェハ（１）は、この貼り付け装置に導入され
るまての過程て、絶縁膜や金属膜を積層することか多く
、これによって生したストレスによって反りか生してい
ることか多い。従って、この反りを矯正する必要かある
か、上述したような貼り付け装置では、支持基板（２）
とウェハ（１）との接着を強固にするために、大気圧を
両者に掛けているたけであるのて、充分に反りを矯正す
ることかてきない。さらに、ヒータ（５）によってワッ
クスを融解しているのて、ワックス（３）全体か融解す
る。このウェハ（１）の反りと、ワックス（３）の全面
融解とにより、ウェハ（１）面内てのワックス（３）の
厚さがばらついて、後に行なうウェハ（１）の薄板加工
の際のウェハ（１）の厚さのバラツキの原因となる。ま
た、ウェハ（１）の厚さか不均一になるため、製品の性
能面でのバラツキ、ストレスの局在によるウェハ（１）
割れの発生等の問題点か生していた。In general, the wafer (1) is often laminated with an insulating film or a metal film during the process of being introduced into the pasting device, and the resulting stress often causes the wafer to warp. Therefore, whether it is necessary to correct this warpage or not, in the above-mentioned pasting device, the support substrate (2)
In order to strengthen the adhesion between the wafer (1) and the wafer (1), atmospheric pressure is applied to both, so the warpage cannot be sufficiently corrected. Further, since the wax is melted by the heater (5), the entire wax (3) is melted. Due to the warpage of the wafer (1) and the melting of the wax (3) over the entire surface, the thickness of the wax (3) within the plane of the wafer (1) varies, which makes it difficult to process the wafer (1) into a thin plate later. This causes variations in the thickness of the wafer (1). In addition, the thickness of the wafer (1) becomes uneven, resulting in variations in product performance and localized stress on the wafer (1).
Problems such as cracking occurred.
本発明は上記の問題点を解決したウェハ貼り付け装置を
提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a wafer bonding apparatus that solves the above problems.
〔課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明は、支持基板を支
持する支持台と、この支持台と対向配置され上記支持台
側に向って進退可能に設けられ、一方の面倒にワックス
か塗布されたウェハの他方の面を真空吸着する真空チャ
ックと、上記支持台側に設けられ上記ワックスを溶融さ
せるための超音波振動手段とを、具備するものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention includes a support base that supports a support substrate, and a support base that is disposed opposite to the support base and is movable toward the support base. , a vacuum chuck for vacuum-chucking the other side of a wafer having one side coated with wax, and an ultrasonic vibration means provided on the support stand side for melting the wax.
（作用）
本発明による貼り付け装置ては、真空チャックによって
ウェハを真空吸着しているのて、ウェハは真空チャック
に大気圧によって押圧され、その反りか矯正される。反
りか矯正された状態てウェハは、真空チャックの支持台
側への移動によって支持基板に接触する。このとき支持
台側ては超音波振動手段か作動しているので、これによ
ってワックスか融解され、ウェハと支持基板とか接着さ
れる。しかも、このワックスの融解は、加熱ではなく超
音波振動によって行なわれるのて、ワックスの最表面の
みか融解する。従って、ワックスが再分布することかな
く、ワックスの層厚を一定に；することかてきる。(Function) In the pasting device according to the present invention, since the wafer is vacuum-adsorbed by the vacuum chuck, the wafer is pressed against the vacuum chuck by atmospheric pressure, and its warpage is corrected. The wafer with its warp corrected comes into contact with the support substrate by moving the vacuum chuck toward the support stand. At this time, since an ultrasonic vibration means is operating on the support stand side, the wax is melted and the wafer and support substrate are bonded together. Moreover, since the wax is melted by ultrasonic vibration rather than heating, only the outermost surface of the wax is melted. Therefore, it is possible to maintain a constant wax layer thickness without wax redistribution.
（実施例〕
第１の実施例を第１図に示す。第１図において、（１５
）は上側真空チャックで、ウェハ（１）を吸着するため
のものである。（１６）は支持台、例えば下側真空チャ
ックで、支持基板（２）を吸着固定するためのものであ
る。(Example) The first example is shown in Fig. 1. In Fig. 1, (15
) is an upper vacuum chuck that is used to adsorb the wafer (1). (16) is a support stand, for example, a lower vacuum chuck, for suctioning and fixing the support substrate (2).
上側真空チャック（１５）は、下側真空チャック（１６
）側に向って進退可能に設けられ、第３バルブ（１２）
を開いて真空ポンプ（９）を作動させることによって真
空にひかれ、ウェハ（１）を真空吸着する。また、第４
パルプ（１３）を開くことによって大気圧にリークされ
、ウェハ（１）を釈放する。The upper vacuum chuck (15) is connected to the lower vacuum chuck (16).
) side so that it can move forward and backward, and the third valve (12)
By opening the door and operating the vacuum pump (9), a vacuum is created and the wafer (1) is vacuum-adsorbed. Also, the fourth
By opening the pulp (13) it is leaked to atmospheric pressure and releases the wafer (1).
下側真空チャック（１６）も、第１バルブ（１０）を開
いて、真空ポンプ（９）を作動させることによって、支
持基板（２）を真空吸着し、第２バルブ（１１）を開く
ことによって大気圧にリークされ、支持基板（２）を釈
放する。The lower vacuum chuck (16) also vacuum-chucks the support substrate (2) by opening the first valve (10) and operating the vacuum pump (9), and by opening the second valve (11). It is leaked to atmospheric pressure and releases the supporting substrate (2).
さらに、下側真空チャック（１６）には、超音波振動子
（１８）か設けられ、これは、超音波コントロールユニ
ット（１７）から供給されるエネルギに基づいて超音波
振動する。Furthermore, the lower vacuum chuck (16) is provided with an ultrasonic vibrator (18), which vibrates ultrasonically based on the energy supplied from the ultrasonic control unit (17).
このウェハ貼り付け装置は、次のように動作する。まず
、ウェハ（１）におけるワックス（３）か塗布されてい
ない面側を、上側真空チャック（１５）によって吸着す
る。この際、ウェハ（１）は大気圧によって上側真空チ
ャック（１５）に押圧されるのて、たとえ反りかあった
としても、この反りは矯正される。そして、下側真空チ
ャック（１６）上に支持基板（２）を載せ、これを下側
真空チャック（１６）に吸着固定させる。そして、超音
波振動子（１８）を超音波コントロールユニット（１７
）によって振動させ、支持基板（２）に超音波振動を加
える。この状態で上側真空チャック（１５）を支持基板
（２）側に向って移動させ、ワックス（３）を支持基板
（２）に接触させる。このとき、支持基板（２）に加え
られている超音波振動によってワックス（３）か融解す
る。たたし、ワックス（３）は、支持基板（２）と接触
している最表面のみか融解し、ワックス（３）全体か融
解することはない。そして、超音波振動子（１８）の振
動を停止させ、ワックス（３）を自然冷却することによ
って、ウェハ（１）と支持基板（２）とを貼り付ける。This wafer pasting device operates as follows. First, the side of the wafer (1) that is not coated with wax (3) is suctioned by the upper vacuum chuck (15). At this time, the wafer (1) is pressed against the upper vacuum chuck (15) by atmospheric pressure, so even if there is a warp, this warp is corrected. Then, the support substrate (2) is placed on the lower vacuum chuck (16), and this is fixed to the lower vacuum chuck (16) by suction. Then, the ultrasonic transducer (18) is connected to the ultrasonic control unit (17).
) to apply ultrasonic vibration to the support substrate (2). In this state, the upper vacuum chuck (15) is moved toward the support substrate (2) to bring the wax (3) into contact with the support substrate (2). At this time, the wax (3) is melted by the ultrasonic vibrations applied to the support substrate (2). However, only the outermost surface of the wax (3) that is in contact with the supporting substrate (2) melts, and the entire wax (3) does not melt. Then, by stopping the vibration of the ultrasonic vibrator (18) and allowing the wax (3) to cool naturally, the wafer (1) and the support substrate (2) are attached.
その後、第３バルフ（１２）を閉し、第４ハルフ（１３
）を開いて、ウェハ（１）を上側真空チャック（Ｉ５）
から釈放し、第１ハルフ（ｌＯ）を閉し、第２バルフ（
１１）を開いて、支持基板（２）も下側真空チャック（
１６）から釈放する。そして、支持基板（２）に貼り付
けられたウェハ（１）を取り出す。After that, the third valve (12) is closed, and the fourth half (13) is closed.
) and place the wafer (1) on the upper vacuum chuck (I5).
, close the first half (lO), and close the second half (lO).
11), and the supporting substrate (2) is also attached to the lower vacuum chuck (
16). Then, the wafer (1) attached to the support substrate (2) is taken out.
第２の実施例を第２図に示す。この実施例は、ワックス
（３）の融解を援助するために、ヒータ（５）を下側真
空チャック（Ｉ６）に設けた以外、第１の実施例と同様
に構成されている。ただし、このヒータ（５）による加
熱は、ワックス（３）の融点よりも低い温度迄とする。A second embodiment is shown in FIG. This embodiment is constructed similarly to the first embodiment, except that a heater (5) is provided in the lower vacuum chuck (I6) to assist in melting the wax (3). However, heating by the heater (5) is performed to a temperature lower than the melting point of the wax (3).
第３の実施例を第４図に示す。この実施例は、上側真空
チャック（１５）、下側真空チャック（１６）をともに
、真空チェンバ（１９）内に入れである以外、第２の実
施例と同様に構成されている。このように構成すること
によって、支持基板（２）とウェハ（１）とを貼り付け
た際、ワックス（３）と支持基板（２）との間に気泡か
生しることかない。たたし真空チェンバ（１９）の真空
度は、上側真空チャック（１５）、下側真空チャック（
１６）に用いている真空度よりも高い真空度とする必要
がある。なお、同図に示す（２０）は真空度コントロー
ルハルツである。A third embodiment is shown in FIG. This embodiment has the same structure as the second embodiment except that both the upper vacuum chuck (15) and the lower vacuum chuck (16) are placed in a vacuum chamber (19). With this configuration, when the support substrate (2) and the wafer (1) are attached, air bubbles will not form between the wax (3) and the support substrate (2). The degree of vacuum in the vacuum chamber (19) is determined by the upper vacuum chuck (15) and the lower vacuum chuck (19).
It is necessary to use a higher degree of vacuum than that used in step 16). In addition, (20) shown in the same figure is a vacuum degree control Harz.
上記の第３の実施例では、第２の実施例と同様にヒータ
（５）を設けたか、これを除去することもできる。また
、上記の各実施例では、下側真空チャック（１６）を用
いたか、支持基板（２）を支持てき、超音波振動子を取
り付け可能なものであれば、他のものを使用することも
てきる。In the third embodiment described above, a heater (5) is provided as in the second embodiment, or it may be omitted. In addition, in each of the above embodiments, the lower vacuum chuck (16) was used, or other supports may be used as long as the support substrate (2) is supported and the ultrasonic transducer can be attached. I'll come.
塩４二のように、本発明によれば、ウェハを真空チャッ
クによって吸着するようにしているので、ウェハに反り
かあっても、その反りを矯正することかてきる。さらに
、ウェハと支持基板とを貼り付けるためのワックスを融
解させるのに、ヒータによる加熱ではなく超音波振動を
用いているので、ワックスの全てか融解することなく、
ワックスの最表面のみか融解する。従って、ワックスの
厚さか不均一になることがない。このように反りを矯正
した上に、ワックスの厚さを均一にすることかてきるの
て、高精度にウェハを支持基板に貼り付けることかてき
る。According to the present invention, as in Shio 42, since the wafer is suctioned by a vacuum chuck, even if the wafer is warped, the warp can be corrected. Furthermore, since ultrasonic vibration is used instead of heating with a heater to melt the wax used to bond the wafer and support substrate, all of the wax is not melted.
Only the outermost surface of the wax will melt. Therefore, the thickness of the wax will not be uneven. By correcting the warpage in this way and making the thickness of the wax uniform, it is possible to attach the wafer to the support substrate with high precision.
第１図は本発明によるウェハ貼り付け装置の第１の実施
例の縦断面側面図、第２図は同第２の実施例の縦断側面
図、第３図は同第３の実施例の縦断側面図、第４図は従
来のウェハ貼り付け装置の縦断側面図である。
（１）・・・・・ウェハ、（２）・・・・・支持基板、
（３）・・・・・ワックス、（１５）・・・・上側真空
チャック、（１６）・・・・下側真空チャック（支持台
） 、 （１８）・・・・超音波振動子
代 理 人 大 岩 増 雄第 １ 口
９【（てＬ灯；・７）・１６に４１・１重１ｔ９５ざ、
フ１０ 酪１ へ−］し１− １７ 定σ
１反づノド０−ルに小５−５２ノ＼１し′７°１５：＊
＠ｎ手第 ３ 目
Ｖコへ１しｒ
弔 ２ 閉
５ ヒ−７
９嗟窒爪・〉フ゛
０ｙ４１〆ｉし１−
１５２に１し１
６ ｆ硬」更ダイジ、７
７ だｆ普ｉつ、１０−レ１−ｒト８ 電動子
第 ４ （２）
手
続
補
正
ｔ
（自発）
１、事件の表示
発明の名称
特許に千２
５２０９３号
ウェハ貼り付け装置
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional side view of a first embodiment of a wafer bonding apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional side view of the second embodiment, and FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of a third embodiment of the same. A side view, FIG. 4 is a longitudinal sectional side view of a conventional wafer bonding apparatus. (1)...Wafer, (2)...Support substrate,
(3)...Wax, (15)...Upper vacuum chuck, (16)...Lower vacuum chuck (support stand), (18)...Ultrasonic transducer substitute Person Masuo Oiwa 1st mouth 9 [(te L light;・7)・16 to 41・1 weight 1t95,
F10 1 to -]shi1- 17 constant σ
Small 5-52 knots in 1 round hole \1 '7° 15: *
@n move 3rd eye V 1st r condolence 2 closed 5 hee-7 9 nitsuzume・〉゛0y41〆ishi 1- 152 to 1 1 6 f hard'' Saradaiji, 7 7 daf flat i 10-Ret 1-r 8 Motor element No. 4 (2) Procedural amendment t (Voluntary) 1. The name patent of the invention indicated in the case is No. 1252093 Wafer bonding device 3, the person making the amendment Related Patent Applicant Address 2-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Name (601) Mitsubishi Electric Corporation Representative Shiki
Moriya
Claims (1)
配置され上記支持台側に向って進退可能に設けられ、一
方の面側にワックスが塗布されたウェハの他方の面を真
空吸着する真空チャックと、上記支持台側に設けられた
上記ワックスを溶融させるための超音波振動手段とを、
具備するウェハ貼り付け装置。(1) A support stand that supports a support substrate, and a support stand that is arranged opposite to this support stand and is movable toward the support stand, and that vacuum suctions the other side of the wafer that has been coated with wax on one side. a vacuum chuck for melting the wax, and an ultrasonic vibration means for melting the wax provided on the supporting base side.
A wafer bonding device is provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5209390A JPH03253040A (en) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | Wafer adhering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5209390A JPH03253040A (en) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | Wafer adhering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253040A true JPH03253040A (en) | 1991-11-12 |
Family
ID=12905222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5209390A Pending JPH03253040A (en) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | Wafer adhering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03253040A (en) |
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1990
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