JPH04322219A - ブラックマトリクスとその製法 - Google Patents
ブラックマトリクスとその製法Info
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- JPH04322219A JPH04322219A JP3090381A JP9038191A JPH04322219A JP H04322219 A JPH04322219 A JP H04322219A JP 3090381 A JP3090381 A JP 3090381A JP 9038191 A JP9038191 A JP 9038191A JP H04322219 A JPH04322219 A JP H04322219A
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- ZVADOHBJTZCNEM-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[Pr+4] Chemical compound [O-2].[O-2].[Pr+4] ZVADOHBJTZCNEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置用基板に
関する。特に基板上に構成されるブラックマトリクスと
その製法に関する。
関する。特に基板上に構成されるブラックマトリクスと
その製法に関する。
【0002】
【従来の技術】ブラックマトリクスは、大きくはカラー
フィルターの範疇に含まれる。この技術については、日
経BP社、電子グループ編「フラットパネル・ディスプ
レイ1990」に詳しい。
フィルターの範疇に含まれる。この技術については、日
経BP社、電子グループ編「フラットパネル・ディスプ
レイ1990」に詳しい。
【0003】ブラックマトリクスとしては、典型的には
、クロム金属、染色された可染性高分子、結合媒体を有
する顔料等がある。
、クロム金属、染色された可染性高分子、結合媒体を有
する顔料等がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】クロム金属は、電気抵
抗が極端に低く、これを用いたブラックマトリクスには
、適用範囲に大いに限定が加わる。現実にはアクティブ
マトリクスにしか使用され得ない。
抗が極端に低く、これを用いたブラックマトリクスには
、適用範囲に大いに限定が加わる。現実にはアクティブ
マトリクスにしか使用され得ない。
【0005】染色された可染性高分子、結合媒体を有す
る顔料からブラックマトリクスを構成した場合には、こ
のブラックマトリクスの厚みが、工法上の制約や、材料
制約、必要光遮断性能のてんから、約0.5ミクロン以
上とならざるを得ない。これは、配向膜の形成における
ムラや、ラビング時のラビング不良を招来する可能性が
大である。
る顔料からブラックマトリクスを構成した場合には、こ
のブラックマトリクスの厚みが、工法上の制約や、材料
制約、必要光遮断性能のてんから、約0.5ミクロン以
上とならざるを得ない。これは、配向膜の形成における
ムラや、ラビング時のラビング不良を招来する可能性が
大である。
【0006】本発明は前記課題を解決するために、非電
極部のみに、厚みが従来の製造法に支障ない程度に小さ
く出来、しかも光遮断特性が優れ、しかも電気抵抗が十
分大きく、しかも簡易に製造し得るブラックマトリクス
を提供することを目的とする。
極部のみに、厚みが従来の製造法に支障ない程度に小さ
く出来、しかも光遮断特性が優れ、しかも電気抵抗が十
分大きく、しかも簡易に製造し得るブラックマトリクス
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のブラックマトリ
クスは、二酸化プラセオジムを主成分とする層から構成
することを特徴とするものである。
クスは、二酸化プラセオジムを主成分とする層から構成
することを特徴とするものである。
【0008】また、二酸化プラセオジムに二酸化マンガ
ンを添加してなる混晶層から構成することを特徴とする
ものである。
ンを添加してなる混晶層から構成することを特徴とする
ものである。
【0009】さらに、本発明のブラックマトリクスの製
法は、導電層を主面上に有する基板に、所望のパターン
のレジスト層を形成し、つぎに露出した前記導電層を除
去し、更に主面全面に二酸化プラセオジムを主成分とす
る層を形成し、更に前記レジスト層を除去することを特
徴とするものである。
法は、導電層を主面上に有する基板に、所望のパターン
のレジスト層を形成し、つぎに露出した前記導電層を除
去し、更に主面全面に二酸化プラセオジムを主成分とす
る層を形成し、更に前記レジスト層を除去することを特
徴とするものである。
【0010】
【作用】我々が作製した二酸化プラセオジムの層は、1
09Ωcm以上の体積電気抵抗率を示す。この値は、ク
ロム金属をブラックマトリクスに使用した場合と異なり
、液晶パネルにおいては、ほとんどすべての場合、例え
ば単純マトリクス表示装置にも使用可能となる。
09Ωcm以上の体積電気抵抗率を示す。この値は、ク
ロム金属をブラックマトリクスに使用した場合と異なり
、液晶パネルにおいては、ほとんどすべての場合、例え
ば単純マトリクス表示装置にも使用可能となる。
【0011】なお、前記二酸化プラセオジムは、X線回
折により同定した。光の透過率は、約0.3μmの膜厚
で、数%以下になった。これは、ブラックマトリクスに
は十分なものである。すなわち、十分薄い層で、ブラッ
クマトリクスが構成し得ることを示している。
折により同定した。光の透過率は、約0.3μmの膜厚
で、数%以下になった。これは、ブラックマトリクスに
は十分なものである。すなわち、十分薄い層で、ブラッ
クマトリクスが構成し得ることを示している。
【0012】二酸化プラセオジムに数w%の二酸化マン
ガンを添加した混晶からブラックマトリクスを構成する
と、光の透過率はさらに下げられた。但し、二酸化マン
ガンの比率を更に上げると、体積電気抵抗率は下がる傾
向を有する。
ガンを添加した混晶からブラックマトリクスを構成する
と、光の透過率はさらに下げられた。但し、二酸化マン
ガンの比率を更に上げると、体積電気抵抗率は下がる傾
向を有する。
【0013】前述の様な工程、すなわちリフトオフ法に
より、本発明のブラックマトリクスを形成すれば、二酸
化プラセオジムを主成分とする層を形成する工程を一段
追加するだけでよく、製造コストの上昇は僅かである。
より、本発明のブラックマトリクスを形成すれば、二酸
化プラセオジムを主成分とする層を形成する工程を一段
追加するだけでよく、製造コストの上昇は僅かである。
【0014】ちなみに、従来の導電層(この場合、IT
O層)の微細加工の手順は、導電層を主面上に有する基
板に、所望のパターンのレジスト層を形成し、つぎに露
出した前記導電層を除去し、更に前記レジスト層を除去
することからなる。
O層)の微細加工の手順は、導電層を主面上に有する基
板に、所望のパターンのレジスト層を形成し、つぎに露
出した前記導電層を除去し、更に前記レジスト層を除去
することからなる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0016】ITOを主面全面に有する基板を入手した
。これの上に公知のフォトリソグラフィー法で所望のレ
ジストパターンを形成した。
。これの上に公知のフォトリソグラフィー法で所望のレ
ジストパターンを形成した。
【0017】次に、酸化プラセオジムからなるターゲッ
トを使用し、RF−スパッター法で主面全面に約0.2
μmの二酸化プラセオジム層を形成した。二酸化プラセ
オジムからなっていることは、X線回折により確認した
。
トを使用し、RF−スパッター法で主面全面に約0.2
μmの二酸化プラセオジム層を形成した。二酸化プラセ
オジムからなっていることは、X線回折により確認した
。
【0018】また、二酸化マンガンを約3w%含むプラ
セオジムからなるターゲットを使用し、RF−スパッタ
ー法で主面全面に約0.2μmの層を形成した。
セオジムからなるターゲットを使用し、RF−スパッタ
ー法で主面全面に約0.2μmの層を形成した。
【0019】これらの層の光透過率は、数%であり、二
酸化マンガンを含むターゲットに対応する層のほうが、
光遮断特性は良かった。また、この層のシート抵抗は1
013Ω/□以上であった。
酸化マンガンを含むターゲットに対応する層のほうが、
光遮断特性は良かった。また、この層のシート抵抗は1
013Ω/□以上であった。
【0020】次に、アルカリ系剥離液により、レジスト
をこの上の二酸化プラセオジムを主成分とする層ごと、
除去した。勿論、基板に直接、付着している二酸化プラ
セオジムを主成分とする層は、強固に基板に残留してい
る。この過程はいわゆるリフトオフ・プロセスである。
をこの上の二酸化プラセオジムを主成分とする層ごと、
除去した。勿論、基板に直接、付着している二酸化プラ
セオジムを主成分とする層は、強固に基板に残留してい
る。この過程はいわゆるリフトオフ・プロセスである。
【0021】ここまでの経過から分かるように、ITO
の無い部分にのみブラックマトリクスが選択的に、しか
もセルフ・アライメントに形成される。
の無い部分にのみブラックマトリクスが選択的に、しか
もセルフ・アライメントに形成される。
【0022】次に、公知の如く、配向膜を塗布し、ラビ
ング処理をなし、1対の基板を所望の間隙に保って貼り
合わせ、この間隙に液晶を注入し、さらに公知の数工程
を経て液晶表示装置を得る。
ング処理をなし、1対の基板を所望の間隙に保って貼り
合わせ、この間隙に液晶を注入し、さらに公知の数工程
を経て液晶表示装置を得る。
【0023】表示特性において、コントラストは従来に
比べ、50%以上向上した。また、二酸化マンガンを含
むターゲットに対応する液晶表示装置における方が、コ
ントラストの上昇が大きかった。この現象は、黒表示の
沈み込みが、より改善されたことに起因することが分か
った。
比べ、50%以上向上した。また、二酸化マンガンを含
むターゲットに対応する液晶表示装置における方が、コ
ントラストの上昇が大きかった。この現象は、黒表示の
沈み込みが、より改善されたことに起因することが分か
った。
【0024】この結果は、また、約0.2μmのブラッ
クマトリクスの厚みが、配向膜形成や、ラビング処理に
悪影響を及ぼさないことを示している。
クマトリクスの厚みが、配向膜形成や、ラビング処理に
悪影響を及ぼさないことを示している。
【0025】
【発明の効果】以上本発明は、非電極部のみに、厚みが
従来の製造法に支障ない程度に小さく出来、しかも光遮
断特性が優れ、しかも電気抵抗が十分大きく、しかも簡
易に製造し得るブラックマトリクスを提供するものであ
り、これにより、優れた液晶素子をコスト安く得ること
が出来、産業に貢献するところ大である。
従来の製造法に支障ない程度に小さく出来、しかも光遮
断特性が優れ、しかも電気抵抗が十分大きく、しかも簡
易に製造し得るブラックマトリクスを提供するものであ
り、これにより、優れた液晶素子をコスト安く得ること
が出来、産業に貢献するところ大である。
Claims (3)
- 【請求項1】 液晶表示装置用基板に用いるブラック
マトリクスであって、二酸化プラセオジムを主成分とす
る層から構成することを特徴とするブラックマトリクス
。 - 【請求項2】 二酸化プラセオジムに二酸化マンガン
を添加してなる混晶層から構成することを特徴とする請
求項1記載のブラックマトリクス。 - 【請求項3】 導電層を主面上に有する基板に、所望
のパターンのレジスト層を形成し、露出した前記導電層
を除去し、主面全面に二酸化プラセオジムを主成分とす
る層を形成し、前記レジスト層を除去することを特徴と
する請求項1記載のブラックマトリクスの製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3090381A JPH04322219A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | ブラックマトリクスとその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3090381A JPH04322219A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | ブラックマトリクスとその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04322219A true JPH04322219A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=13996995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3090381A Pending JPH04322219A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | ブラックマトリクスとその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04322219A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997043781A3 (en) * | 1996-05-14 | 1998-02-26 | Micron Display Tech Inc | Praseodymium-manganese oxide layer for use in field emission displays |
US6413577B1 (en) | 1996-05-14 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Process for operating a field emission display with a layer of praseodymium-manganese oxide material |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02190819A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-26 | Konica Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH02230126A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示デバイス |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3090381A patent/JPH04322219A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02190819A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-26 | Konica Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH02230126A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示デバイス |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997043781A3 (en) * | 1996-05-14 | 1998-02-26 | Micron Display Tech Inc | Praseodymium-manganese oxide layer for use in field emission displays |
US6413577B1 (en) | 1996-05-14 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Process for operating a field emission display with a layer of praseodymium-manganese oxide material |
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