JPH04321910A - 薄膜磁気トランスジューサ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気トランスジューサ及びその製造方法Info
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- JPH04321910A JPH04321910A JP3279999A JP27999991A JPH04321910A JP H04321910 A JPH04321910 A JP H04321910A JP 3279999 A JP3279999 A JP 3279999A JP 27999991 A JP27999991 A JP 27999991A JP H04321910 A JPH04321910 A JP H04321910A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明は、薄膜磁気トランスジューサ（
すなわち、ヘッド）に関する。図１を参照して、記録媒
体１２、たとえば、磁気ディスクについての情報の書き
込み、読み出しを行うための代表的な薄膜磁気ヘッド１
０は、まわりにコイル１６を巻き付けた強磁性材料（た
とえば、ニッケル鉄）の馬蹄形ヨーク１４に似ている。 ヨーク１４は一対の磁極片１８を包含し、これらの磁極
片の先端は磁気媒体１２に密接して位置している。
すなわち、ヘッド）に関する。図１を参照して、記録媒
体１２、たとえば、磁気ディスクについての情報の書き
込み、読み出しを行うための代表的な薄膜磁気ヘッド１
０は、まわりにコイル１６を巻き付けた強磁性材料（た
とえば、ニッケル鉄）の馬蹄形ヨーク１４に似ている。 ヨーク１４は一対の磁極片１８を包含し、これらの磁極
片の先端は磁気媒体１２に密接して位置している。
【０００２】情報は、コイル１６を通して電流を流して
ヨーク１４に電流に相当する磁束を発生させることによ
って磁気媒体１２に書き込まれる。磁束は、一方の磁極
片１６を通し、この磁極片の先端から磁気媒体１２に導
かれる。電流を変えることによって生じる磁束の変化が
媒体１２上に磁気過渡部として記録される。磁気回路は
、他方の磁極片を経由して薄膜磁気ヘッド１０に磁束が
戻ることによって完成する。読取中、ヘッド１０が媒体
１２上の一対の磁気過渡部１５、１６（ダイビットとし
て知られている）の上を通過するとき、正の過渡部１５
から発する磁束は一方の磁極片１８を通して上方へ導か
れ、他方の磁極片によって負の過渡部１６へ戻される。 ヨーク１４を通る磁束電導はコイル１６にそれに相当す
る電気信号を発生させる。
ヨーク１４に電流に相当する磁束を発生させることによ
って磁気媒体１２に書き込まれる。磁束は、一方の磁極
片１６を通し、この磁極片の先端から磁気媒体１２に導
かれる。電流を変えることによって生じる磁束の変化が
媒体１２上に磁気過渡部として記録される。磁気回路は
、他方の磁極片を経由して薄膜磁気ヘッド１０に磁束が
戻ることによって完成する。読取中、ヘッド１０が媒体
１２上の一対の磁気過渡部１５、１６（ダイビットとし
て知られている）の上を通過するとき、正の過渡部１５
から発する磁束は一方の磁極片１８を通して上方へ導か
れ、他方の磁極片によって負の過渡部１６へ戻される。 ヨーク１４を通る磁束電導はコイル１６にそれに相当す
る電気信号を発生させる。
【０００３】書き込み中にコイルによってヨークに与え
られる磁束の量は、主として、書き込み電流レベル、コ
イルの捲回数および磁極の磁気抵抗に依存する。同様に
、読取中にコイルに誘導される電圧のレベルは、コイル
の捲回数、磁束がヨークを通って流れるときにコイルに
与えられる磁束の強さ、ヨークの磁気抵抗のようなファ
クタに依存する。磁気ヘッドの磁束・電流関係は、ヨー
クとコイルの間の誘導結合と呼ばれる。
られる磁束の量は、主として、書き込み電流レベル、コ
イルの捲回数および磁極の磁気抵抗に依存する。同様に
、読取中にコイルに誘導される電圧のレベルは、コイル
の捲回数、磁束がヨークを通って流れるときにコイルに
与えられる磁束の強さ、ヨークの磁気抵抗のようなファ
クタに依存する。磁気ヘッドの磁束・電流関係は、ヨー
クとコイルの間の誘導結合と呼ばれる。
【０００４】図２の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、磁極片
１８の強磁性材料は数多くのきわめて小さい領域（定義
域２０と呼ぶ）を包含し、これらの定義域内に、材料の
磁気ダイポール２２が整列している。材料は、（蒸着あ
るいは焼きなましによって）指向性磁界の存在の下に形
成されて、定義域２０のうちのいくつかのダイポール２
２を磁界方向と一致させる（すなわち、磁界方向に対し
て０度あるいは１８０度の角度の向きする）。ダイポー
ルが一致する方向は、磁極片の好ましい磁化軸線を表わ
しており、これは易磁化軸線２４と呼ばれる。材料内部
の定義域および材料の縁付近の定義域のダイポール整列
により、ダイポール２２によって発生した磁束は外部か
ら加えられる磁界がない限り材料内に留まる［図２の（
Ａ）］。
１８の強磁性材料は数多くのきわめて小さい領域（定義
域２０と呼ぶ）を包含し、これらの定義域内に、材料の
磁気ダイポール２２が整列している。材料は、（蒸着あ
るいは焼きなましによって）指向性磁界の存在の下に形
成されて、定義域２０のうちのいくつかのダイポール２
２を磁界方向と一致させる（すなわち、磁界方向に対し
て０度あるいは１８０度の角度の向きする）。ダイポー
ルが一致する方向は、磁極片の好ましい磁化軸線を表わ
しており、これは易磁化軸線２４と呼ばれる。材料内部
の定義域および材料の縁付近の定義域のダイポール整列
により、ダイポール２２によって発生した磁束は外部か
ら加えられる磁界がない限り材料内に留まる［図２の（
Ａ）］。
【０００５】磁束が（書き込み中にコイルを電流が通る
か、あるいは、読み出し中に媒体上の磁束過渡部を磁極
が通過することによって）ヨークに与えられると、磁束
は２つの方法のうちの１つの方法で材料を通って導かれ
る。１つの方法はいわゆる「壁運動」によるものであり
、磁束２６が易磁化軸線２４に平行な方向に加えられた
ときに生じる［図２の（Ｂ）］。磁束２６は、隣接の定
義域からの磁気ダイポールが磁束伝導方向と一致するよ
うに向きを（たとえば、１８０度）変えたときに、磁束
伝導方向と一致したダイポール２２を有する定義域２０
の寸法（ダイポールが磁束方向と反対の方向に配置され
ている定義域の範囲のところの寸法）を増大させる。 各定義域の寸法が増大するにつれて、壁２１が動いて定
義域間に新しい境界を構成する。
か、あるいは、読み出し中に媒体上の磁束過渡部を磁極
が通過することによって）ヨークに与えられると、磁束
は２つの方法のうちの１つの方法で材料を通って導かれ
る。１つの方法はいわゆる「壁運動」によるものであり
、磁束２６が易磁化軸線２４に平行な方向に加えられた
ときに生じる［図２の（Ｂ）］。磁束２６は、隣接の定
義域からの磁気ダイポールが磁束伝導方向と一致するよ
うに向きを（たとえば、１８０度）変えたときに、磁束
伝導方向と一致したダイポール２２を有する定義域２０
の寸法（ダイポールが磁束方向と反対の方向に配置され
ている定義域の範囲のところの寸法）を増大させる。 各定義域の寸法が増大するにつれて、壁２１が動いて定
義域間に新しい境界を構成する。
【０００６】壁運動による磁束伝導はいくつかの理由の
ために望ましくない。まず、材料の欠陥、たとえば、不
純物は定義域壁２１の動きを妨害する。或る定義域壁が
不純物を含むとき、この不純物はそれの側に壁を保持（
すなわち、「ピン止め」）し、壁が不純物の接触点のと
ころで動くのを妨げる。残りの壁部分は動き続けている
ので、壁に「伸び」を生じさせ、壁にエネルギを蓄積さ
せることになる。壁が不純物の保持から自由になるに充
分なエネルギを蓄えると、壁は急激に離れ、蓄えたエネ
ルギを、電気的ノイズ（「バルクハウゼン・ノイズ」と
して知られる）のバーストとして放出し、これは情報信
号をあいまいにしてしまう。
ために望ましくない。まず、材料の欠陥、たとえば、不
純物は定義域壁２１の動きを妨害する。或る定義域壁が
不純物を含むとき、この不純物はそれの側に壁を保持（
すなわち、「ピン止め」）し、壁が不純物の接触点のと
ころで動くのを妨げる。残りの壁部分は動き続けている
ので、壁に「伸び」を生じさせ、壁にエネルギを蓄積さ
せることになる。壁が不純物の保持から自由になるに充
分なエネルギを蓄えると、壁は急激に離れ、蓄えたエネ
ルギを、電気的ノイズ（「バルクハウゼン・ノイズ」と
して知られる）のバーストとして放出し、これは情報信
号をあいまいにしてしまう。
【０００７】印加された磁束は、閾値を超えて、壁２１
が不純物を通って移動するに充分なエネルギを集めるこ
とができるようにしなければならない。その結果、壁運
動による磁束伝導は、薄膜ヘッドが読み出し作動中に普
通に用いられる低い磁束レベルに対して幾分鈍感となる
（すなわち、材料の低磁束レベルでの透磁率が低くなる
）。
が不純物を通って移動するに充分なエネルギを集めるこ
とができるようにしなければならない。その結果、壁運
動による磁束伝導は、薄膜ヘッドが読み出し作動中に普
通に用いられる低い磁束レベルに対して幾分鈍感となる
（すなわち、材料の低磁束レベルでの透磁率が低くなる
）。
【０００８】加えて、定義域壁２１は急速に動くことが
できない。その結果、壁運動による磁束伝導は、磁束の
変化頻度の高い用途には不適である。磁束が磁性材料を
通って伝導する第１のメカニズムは、定義域の磁気ダイ
ポール２２の回転によるものである。これは、易磁化軸
線２４に対して横方向（たとえば、直角方向）に磁束２
６を印加することによって行われる。磁束を伝導するの
に定義域壁運動に依存しないため、「ピン止め」が生ぜ
ず、バルクハウゼン・ノイズも排除される。さらに、定
義域ダイポール２２は材料を通して磁束を伝導するのに
ほんの少し回転するだけでよい。その結果、回転による
磁束伝導は、高頻度の磁束変化にも、そして、低印加磁
束レベルにも応答する（すなわち、印加磁束レベルが低
くても透磁率は高い）。
できない。その結果、壁運動による磁束伝導は、磁束の
変化頻度の高い用途には不適である。磁束が磁性材料を
通って伝導する第１のメカニズムは、定義域の磁気ダイ
ポール２２の回転によるものである。これは、易磁化軸
線２４に対して横方向（たとえば、直角方向）に磁束２
６を印加することによって行われる。磁束を伝導するの
に定義域壁運動に依存しないため、「ピン止め」が生ぜ
ず、バルクハウゼン・ノイズも排除される。さらに、定
義域ダイポール２２は材料を通して磁束を伝導するのに
ほんの少し回転するだけでよい。その結果、回転による
磁束伝導は、高頻度の磁束変化にも、そして、低印加磁
束レベルにも応答する（すなわち、印加磁束レベルが低
くても透磁率は高い）。
【０００９】
【発明の概要】本発明の一特徴によれば、薄膜磁気トラ
ンスジューサは多重層に形成し、複数のアームを有する
ヨークを包含し、アームのうちの少なくとも１つが個別
の層に位置し、移行層を介して連結している部分を有し
、このヨークには多重捲回コイルが巻き付けてあり、ヨ
ークとコイルの間に少なくとも２つの磁束相互作用部を
設けている。
ンスジューサは多重層に形成し、複数のアームを有する
ヨークを包含し、アームのうちの少なくとも１つが個別
の層に位置し、移行層を介して連結している部分を有し
、このヨークには多重捲回コイルが巻き付けてあり、ヨ
ークとコイルの間に少なくとも２つの磁束相互作用部を
設けている。
【００１０】多重磁束相互作用部は、ヨークとコイルの
間の誘導結合をかなり増大させる。したがって、ただ１
つの磁束相互作用部をを有するトランスジューサに比べ
て、読み出し中にヨークによって伝導させられる或る一
定の磁束量がコイルにより大きな電気信号を誘導し、書
き込み中には、コイルに印加される書き込み信号に応答
してヨークに増大したレベルの磁束が発生する。一般に
、誘導電気信号（読み出し中）と誘導磁束（書き込み中
）は、磁束相互作用部の増えた数に等しい因数増大する
。
間の誘導結合をかなり増大させる。したがって、ただ１
つの磁束相互作用部をを有するトランスジューサに比べ
て、読み出し中にヨークによって伝導させられる或る一
定の磁束量がコイルにより大きな電気信号を誘導し、書
き込み中には、コイルに印加される書き込み信号に応答
してヨークに増大したレベルの磁束が発生する。一般に
、誘導電気信号（読み出し中）と誘導磁束（書き込み中
）は、磁束相互作用部の増えた数に等しい因数増大する
。
【００１１】好ましい実施例は以下の特徴を有する。コ
イルは複数の捲回部を包含し、少なくとも部分的に、移
行層内に位置する。磁束相互作用部の数をさらに増やす
には多数のコイルを使用し得る。層は通路によって接続
している。本発明は、また、薄膜磁気トランスジューサ
が多数の磁束・コイル相互作用部を包含し、回転による
ヨークの磁束伝導を高め、壁運動による磁束伝導を最小
限に抑えるように構成したことも特徴とする。好ましく
は、回転による磁束伝導は壁運動による磁束伝導に優先
する。一層好ましくは、壁運動による磁束伝導は全磁束
伝導の２５％（一層好ましくは、１０％以下）に制限す
るとよい。その結果、このトランスジューサは、磁束の
高頻度の変化が生じる用途で使用するのに良く適したも
のとなる。このトランスジューサは、また、低磁束レベ
ルにも非常に応答性がよくなる（すなわち、このトラン
スジューサは低磁束レベルでも高い透磁率を有する）。 壁運動による磁束伝導の回避により、バルクハウゼン・
ノイズがかなり低減する。
イルは複数の捲回部を包含し、少なくとも部分的に、移
行層内に位置する。磁束相互作用部の数をさらに増やす
には多数のコイルを使用し得る。層は通路によって接続
している。本発明は、また、薄膜磁気トランスジューサ
が多数の磁束・コイル相互作用部を包含し、回転による
ヨークの磁束伝導を高め、壁運動による磁束伝導を最小
限に抑えるように構成したことも特徴とする。好ましく
は、回転による磁束伝導は壁運動による磁束伝導に優先
する。一層好ましくは、壁運動による磁束伝導は全磁束
伝導の２５％（一層好ましくは、１０％以下）に制限す
るとよい。その結果、このトランスジューサは、磁束の
高頻度の変化が生じる用途で使用するのに良く適したも
のとなる。このトランスジューサは、また、低磁束レベ
ルにも非常に応答性がよくなる（すなわち、このトラン
スジューサは低磁束レベルでも高い透磁率を有する）。 壁運動による磁束伝導の回避により、バルクハウゼン・
ノイズがかなり低減する。
【００１２】この概念の一特徴によれば、ヨークは複数
の比較的長いアームを有し、これらのアームはほぼ第１
方向に沿って延び、この第１方向に対して横方向に配置
した易磁化軸線を有する。したがって、磁束は回転によ
って優先的にアーム内を伝播する。また、アームは比較
的短い横方向部分によって連結してある。磁束は少なく
とも部分的に横方向部分の壁運動によって伝導するが、
横方向部分の長さのため、ヨークを通る回転伝導はいつ
でも少ない方がよい。
の比較的長いアームを有し、これらのアームはほぼ第１
方向に沿って延び、この第１方向に対して横方向に配置
した易磁化軸線を有する。したがって、磁束は回転によ
って優先的にアーム内を伝播する。また、アームは比較
的短い横方向部分によって連結してある。磁束は少なく
とも部分的に横方向部分の壁運動によって伝導するが、
横方向部分の長さのため、ヨークを通る回転伝導はいつ
でも少ない方がよい。
【００１３】好ましい実施例は次の特徴を包含する。易
磁化軸線は第１方向に対して直角である。これは、アー
ムにおける壁運動による伝導をかなり排除する。横方向
部分は第１方向に対して斜めに向いていて磁束がそこの
壁運動によって伝導する必要性を減らす。壁運動による
伝導を低減する別の方法は、ヨークとコイルの間にほん
の２つの磁束相互作用部を持つということである。これ
は、細長いアームの数を２つに制限することによって行
われる。その結果、アームを連結する横方向部分の数（
そして長さ）もまた制限される。
磁化軸線は第１方向に対して直角である。これは、アー
ムにおける壁運動による伝導をかなり排除する。横方向
部分は第１方向に対して斜めに向いていて磁束がそこの
壁運動によって伝導する必要性を減らす。壁運動による
伝導を低減する別の方法は、ヨークとコイルの間にほん
の２つの磁束相互作用部を持つということである。これ
は、細長いアームの数を２つに制限することによって行
われる。その結果、アームを連結する横方向部分の数（
そして長さ）もまた制限される。
【００１４】本発明のまた別の特徴によれば、壁運動に
よる磁束伝導は、異なった方向に向いた易磁化軸線を有
する複数の積層した副層から横方向ヨーク・アーム・部
分を構成することによって低減される。磁束は壁運動よ
りも回転によってより容易に伝導できるので、横方向部
分を通る磁束は副層の間で前後に転送され、回転によっ
て伝導できる経路を見出すことができる。
よる磁束伝導は、異なった方向に向いた易磁化軸線を有
する複数の積層した副層から横方向ヨーク・アーム・部
分を構成することによって低減される。磁束は壁運動よ
りも回転によってより容易に伝導できるので、横方向部
分を通る磁束は副層の間で前後に転送され、回転によっ
て伝導できる経路を見出すことができる。
【００１５】好ましい実施例は次の特徴を包含する。副
層のうちの１つの易磁化軸線は、部分が延びる方向に対
して直角である。副層の易磁化軸線は、好ましくは、互
いに直角であるが、斜めであってもよい。ヨークは、同
じ薄膜層に位置した部分がすべて第１方向において整列
し、横方向の積層部分がすべて上方の薄膜層に位置する
ように配置される（コイルは２つの薄膜層間の移行層内
に置かれる）。その結果、積層した副層は、コイルの製
造中に用いられる高温の後に形成される（したがって、
高温にさらされない）。積層した副層の易磁化軸線の方
向性についての高温処理の悪影響の可能性を避けること
ができる。
層のうちの１つの易磁化軸線は、部分が延びる方向に対
して直角である。副層の易磁化軸線は、好ましくは、互
いに直角であるが、斜めであってもよい。ヨークは、同
じ薄膜層に位置した部分がすべて第１方向において整列
し、横方向の積層部分がすべて上方の薄膜層に位置する
ように配置される（コイルは２つの薄膜層間の移行層内
に置かれる）。その結果、積層した副層は、コイルの製
造中に用いられる高温の後に形成される（したがって、
高温にさらされない）。積層した副層の易磁化軸線の方
向性についての高温処理の悪影響の可能性を避けること
ができる。
【００１６】壁運動に伴う問題を避ける本発明の別の特
徴は、ヨーク・アームのうちの少なくとも一方（好まし
くは、両方）に、互いに斜めであり、易磁化軸線がそれ
ぞれを通る磁束流の方向に対して横方向である細長い部
分を設けることである。斜めの部分のうちの１つは他方
のヨーク・アームに結合してあり、いずれかの部分の易
磁化軸線に対して完全に平行に流れることなくアーム間
を磁束が通ることができるようになっている。
徴は、ヨーク・アームのうちの少なくとも一方（好まし
くは、両方）に、互いに斜めであり、易磁化軸線がそれ
ぞれを通る磁束流の方向に対して横方向である細長い部
分を設けることである。斜めの部分のうちの１つは他方
のヨーク・アームに結合してあり、いずれかの部分の易
磁化軸線に対して完全に平行に流れることなくアーム間
を磁束が通ることができるようになっている。
【００１７】その結果、磁束は、ヨークの磁気定義域の
易磁化軸線に対して完全に平行になることがないので、
少なくとも部分的に、回転によって伝導するように、常
に拘束されることになる。以下の特徴が好ましい実施例
に含まれる。斜めの部分は個別の薄膜層内に位置し、部
分と他のアームとが、たとえば、層間の通路を介して結
合される。各アームの斜めの部分は、異なった薄膜層内
にも位置する。同じ薄膜層内に位置する部分は、すべて
、大体同じ方向に延び、この方向に対して直角の易磁化
軸線を有する。
易磁化軸線に対して完全に平行になることがないので、
少なくとも部分的に、回転によって伝導するように、常
に拘束されることになる。以下の特徴が好ましい実施例
に含まれる。斜めの部分は個別の薄膜層内に位置し、部
分と他のアームとが、たとえば、層間の通路を介して結
合される。各アームの斜めの部分は、異なった薄膜層内
にも位置する。同じ薄膜層内に位置する部分は、すべて
、大体同じ方向に延び、この方向に対して直角の易磁化
軸線を有する。
【００１８】上記の特徴のいずれかと一緒に用いること
のできる本発明の別の特徴は、ヨーク・アームの少なく
とも一方に、アームから他方のヨーク・アームに優先的
に伝導されることになっているトランスジューサに隣接
した領域に磁束を放射させる比較的大きな表面積の部分
（すなわち、「磁気テイル」）を設けることにある。好
ましくは、ヨークの他方のアームはも磁気テイルを包含
し、この磁気テイルはトランスジューサに隣接した、記
憶媒体に戻すためにアームに結合することになっている
領域から磁束を受ける。
のできる本発明の別の特徴は、ヨーク・アームの少なく
とも一方に、アームから他方のヨーク・アームに優先的
に伝導されることになっているトランスジューサに隣接
した領域に磁束を放射させる比較的大きな表面積の部分
（すなわち、「磁気テイル」）を設けることにある。好
ましくは、ヨークの他方のアームはも磁気テイルを包含
し、この磁気テイルはトランスジューサに隣接した、記
憶媒体に戻すためにアームに結合することになっている
領域から磁束を受ける。
【００１９】その結果、ヨーク・アームは、磁束がヨー
クから記憶媒体へ戻されるときに、磁束伝導方向を反転
させるように相互に連結する必要がない。磁束伝導方向
の反転では、しばしば、磁束の少なくとも若干量をヨー
クの易磁化軸線に対して平行に伝導させる必要がある。 したがって、磁気テイルの使用により、さらに、定義域
壁運動による磁束伝導を回避することができる。
クから記憶媒体へ戻されるときに、磁束伝導方向を反転
させるように相互に連結する必要がない。磁束伝導方向
の反転では、しばしば、磁束の少なくとも若干量をヨー
クの易磁化軸線に対して平行に伝導させる必要がある。 したがって、磁気テイルの使用により、さらに、定義域
壁運動による磁束伝導を回避することができる。
【００２０】本発明の他の特徴および利点は、以下の詳
細な説明および特許請求の範囲から明らかになろう。
細な説明および特許請求の範囲から明らかになろう。
【００２１】
【構造および動作】図３を参照して、薄膜磁気ヘッド３
０は、強磁性材料（たとえば、ニッケル鉄合金）のヨー
ク３２を包含し、このヨークには、多重捲回の平面コイ
ル３４（パンケーキ・コイルとも呼ばれている）が巻き
付けてあり、ヨーク３２とコイル３４との間に多数の磁
束相互作用部を与え、それによって、普通の薄膜磁気ヘ
ッド（図１）に比べて、それらの間の誘導結合を有意に
増大するようになっている。特に、ヨーク３２は、コイ
ル３４を通して織った磁極片３６、３８（すなわち、ア
ーム）で構成してあり、磁束が磁気記憶媒体４０へ、あ
るいは、そこから磁極３６、３８を通して伝導されると
きに、２回、コイル３４と相互作用するようになってい
る。
０は、強磁性材料（たとえば、ニッケル鉄合金）のヨー
ク３２を包含し、このヨークには、多重捲回の平面コイ
ル３４（パンケーキ・コイルとも呼ばれている）が巻き
付けてあり、ヨーク３２とコイル３４との間に多数の磁
束相互作用部を与え、それによって、普通の薄膜磁気ヘ
ッド（図１）に比べて、それらの間の誘導結合を有意に
増大するようになっている。特に、ヨーク３２は、コイ
ル３４を通して織った磁極片３６、３８（すなわち、ア
ーム）で構成してあり、磁束が磁気記憶媒体４０へ、あ
るいは、そこから磁極３６、３８を通して伝導されると
きに、２回、コイル３４と相互作用するようになってい
る。
【００２２】磁極３６は、一対の細長い部分４２、４４
を包含し、これらの部分は、それぞれ、平面（すなわち
、層）Ａ、Ｃ内に位置する。これらの平面は、コイル３
４が配置して或る平面（すなわち、層）Ｂの上下に位置
する。同様に、磁極片３８は一対の細長い部分４６、４
８を包含し、これらの部分は、それぞれ、層Ｃ、Ａに位
置する。層Ｂは、部分３６、４８を部分３８、４４から
磁気的に分離する移行層として作用する。記憶媒体４０
に隣接して位置する部分４２、４６の端は、それぞれ、
磁極片３６、３８の先端３７、３９として作用する。先
端３７、３９は所定幅のギャップによって隔てられてい
る。
を包含し、これらの部分は、それぞれ、平面（すなわち
、層）Ａ、Ｃ内に位置する。これらの平面は、コイル３
４が配置して或る平面（すなわち、層）Ｂの上下に位置
する。同様に、磁極片３８は一対の細長い部分４６、４
８を包含し、これらの部分は、それぞれ、層Ｃ、Ａに位
置する。層Ｂは、部分３６、４８を部分３８、４４から
磁気的に分離する移行層として作用する。記憶媒体４０
に隣接して位置する部分４２、４６の端は、それぞれ、
磁極片３６、３８の先端３７、３９として作用する。先
端３７、３９は所定幅のギャップによって隔てられてい
る。
【００２３】部分４２の反対端は、層Ｂの通路５０を通
して部分４４に接続しており、この通路は、コイル３４
に取り囲まれた磁極片３６を通る磁束の流れの経路とな
る。磁極片３８の部分４６、４８も同様に、通路５２に
よってコイル３４の内部を通して相互に接続している。 磁極片３６、３８は、層Ｂを通過して部分４４、４８の
端を結合する第３の通路５４によって相互に接続してい
る。
して部分４４に接続しており、この通路は、コイル３４
に取り囲まれた磁極片３６を通る磁束の流れの経路とな
る。磁極片３８の部分４６、４８も同様に、通路５２に
よってコイル３４の内部を通して相互に接続している。 磁極片３６、３８は、層Ｂを通過して部分４４、４８の
端を結合する第３の通路５４によって相互に接続してい
る。
【００２４】使用にあたって、記憶媒体４０（ヘッド３
０の下を矢印４１の方向へ移動している）への一対の磁
気移行部４０ａ、４０ｂ（まとめてダイビットと呼ぶ）
の読み出し動作を考えた場合、正の移行部４０ａから発
する磁束は、磁極片３６の先端３７に入り、ヨーク３２
を通って移動し、磁極片３８の先端３９から負の移行部
４０ｂに戻る。磁束が磁極片３６、３８を通って伝導す
るとき、磁束は、同じ方向で（すなわち、図３で見て下
向きへ）２回コイル３４の内部を通過する。すなわち、
磁束が部分４２から部分４４へ通路５０によって結合さ
れるときに一度通過し、部分４８から部分４６へ磁束が
通路５２を通して伝導するときに再び通過する。
０の下を矢印４１の方向へ移動している）への一対の磁
気移行部４０ａ、４０ｂ（まとめてダイビットと呼ぶ）
の読み出し動作を考えた場合、正の移行部４０ａから発
する磁束は、磁極片３６の先端３７に入り、ヨーク３２
を通って移動し、磁極片３８の先端３９から負の移行部
４０ｂに戻る。磁束が磁極片３６、３８を通って伝導す
るとき、磁束は、同じ方向で（すなわち、図３で見て下
向きへ）２回コイル３４の内部を通過する。すなわち、
磁束が部分４２から部分４４へ通路５０によって結合さ
れるときに一度通過し、部分４８から部分４６へ磁束が
通路５２を通して伝導するときに再び通過する。
【００２５】磁極片３６を磁束が通過することによって
コイル３４に誘導された電気信号は、磁極片３８におけ
る同じ磁束の伝導によりコイル３４に発生した電気信号
に加わり、磁束が一度だけコイルを通過するヘッドに対
して増大した信号を与えることになる。図３に示す２回
通過式形態は、捲回部の数を物理的に増やすことなく、
コイル３４の有効捲回数を２倍にしたと同じことになる
。一般的に、コイル捲回数の数を（ｎ）だけ増大し、コ
イルの通過数を（ｍ）で示すと、本発明により、単一捲
回コイルと信号通過ヨーク以上の（ｎ×ｍ）の改良が実
現される。
コイル３４に誘導された電気信号は、磁極片３８におけ
る同じ磁束の伝導によりコイル３４に発生した電気信号
に加わり、磁束が一度だけコイルを通過するヘッドに対
して増大した信号を与えることになる。図３に示す２回
通過式形態は、捲回部の数を物理的に増やすことなく、
コイル３４の有効捲回数を２倍にしたと同じことになる
。一般的に、コイル捲回数の数を（ｎ）だけ増大し、コ
イルの通過数を（ｍ）で示すと、本発明により、単一捲
回コイルと信号通過ヨーク以上の（ｎ×ｍ）の改良が実
現される。
【００２６】コイル３４に直列に接続して１つ以上のコ
イル３５（図３に破線で示す）を追加することによって
、ヨーク３２への誘導結合をまたさらに増大させること
ができる。たとえば、それぞれ１４の捲回部を有する２
つのコイル３４、３５で構成したヘッド３０は、５６個
の捲回部を持つ単一のコイルを有する従来のヘッドと同
じ電気信号を発生することになる（２コイル×１４捲回
数／コイル×磁束のコイル通過回数２＝５７捲回数−磁
束相互作用部）。
イル３５（図３に破線で示す）を追加することによって
、ヨーク３２への誘導結合をまたさらに増大させること
ができる。たとえば、それぞれ１４の捲回部を有する２
つのコイル３４、３５で構成したヘッド３０は、５６個
の捲回部を持つ単一のコイルを有する従来のヘッドと同
じ電気信号を発生することになる（２コイル×１４捲回
数／コイル×磁束のコイル通過回数２＝５７捲回数−磁
束相互作用部）。
【００２７】コイルに物理的により多くの捲回部を設け
る必要なしに有効捲回部数を増大するということは数多
くの利点を与える。コイルの実際の長さを増大させる必
要がないので、処理の複雑さを増したり、全体的なコイ
ルのインダクタンスを高めたり、全コイル抵抗を高めた
りすることがない。図４は薄膜磁気ヘッド１００の頂面
図であり、これは、積み重ねる代わりに、図３のコイル
３４、３５と同様に、層Ｂの同じ平面に横に並べて配置
した一対の平面コイル１０２、１０４を包含する。（コ
イル１０２、１０４が同じ平面にあるので、同じ処理段
階で蒸着することができ、３つのハードベーク絶縁層、
１つの導電銅層、いくつかの通路露光など多くの層を排
除することができる。）一対の細長い強磁性磁極片１０
６、１０８が、各々、各コイル１０２、１０４を通過し
ている。後に説明するように、各磁極片１０６、１０８
は、磁界の存在の下に、易磁化軸線１１０を持つように
形成される。この易磁化軸線１１０は、磁極片の平面内
にあり、磁極片１０６、１０８がほぼ位置する長手方向
軸線１１２に対して直角である。
る必要なしに有効捲回部数を増大するということは数多
くの利点を与える。コイルの実際の長さを増大させる必
要がないので、処理の複雑さを増したり、全体的なコイ
ルのインダクタンスを高めたり、全コイル抵抗を高めた
りすることがない。図４は薄膜磁気ヘッド１００の頂面
図であり、これは、積み重ねる代わりに、図３のコイル
３４、３５と同様に、層Ｂの同じ平面に横に並べて配置
した一対の平面コイル１０２、１０４を包含する。（コ
イル１０２、１０４が同じ平面にあるので、同じ処理段
階で蒸着することができ、３つのハードベーク絶縁層、
１つの導電銅層、いくつかの通路露光など多くの層を排
除することができる。）一対の細長い強磁性磁極片１０
６、１０８が、各々、各コイル１０２、１０４を通過し
ている。後に説明するように、各磁極片１０６、１０８
は、磁界の存在の下に、易磁化軸線１１０を持つように
形成される。この易磁化軸線１１０は、磁極片の平面内
にあり、磁極片１０６、１０８がほぼ位置する長手方向
軸線１１２に対して直角である。
【００２８】磁極片１０６、１０８は、それらの長さの
ほとんどにわたって、距離Ｗで側方へ隔たっていて間か
らの磁束漏れを制限すると共に、コイル１０２、１０４
を２回通過するに充分な余裕を与える。しかしながら、
磁極片１０６の先端１１４は、磁極片１０８の先端１１
６の下に位置し、そこからギャップ分（図３参照）だけ
隔たっている。先端１１４、１１６は、長手方向軸線１
１２に対して平行であり、部分１１８、１２０によって
それぞれの磁極片１０６、１０８の残部に結合されてい
る。これらの部分１１８、１２０は、長手軸線１１２に
関して互いに反対の角度で位置している。ヘッド１００
の反対端で、磁極片１０８の傾斜部１２２が磁極片１０
６の反対向きの傾斜部１２４に重なっており、通路１２
６で連結してある。傾斜部１１８、１２０、１２２、１
２４は、また、長手軸線１１２に対して直角に向いた易
磁化軸線を有する。
ほとんどにわたって、距離Ｗで側方へ隔たっていて間か
らの磁束漏れを制限すると共に、コイル１０２、１０４
を２回通過するに充分な余裕を与える。しかしながら、
磁極片１０６の先端１１４は、磁極片１０８の先端１１
６の下に位置し、そこからギャップ分（図３参照）だけ
隔たっている。先端１１４、１１６は、長手方向軸線１
１２に対して平行であり、部分１１８、１２０によって
それぞれの磁極片１０６、１０８の残部に結合されてい
る。これらの部分１１８、１２０は、長手軸線１１２に
関して互いに反対の角度で位置している。ヘッド１００
の反対端で、磁極片１０８の傾斜部１２２が磁極片１０
６の反対向きの傾斜部１２４に重なっており、通路１２
６で連結してある。傾斜部１１８、１２０、１２２、１
２４は、また、長手軸線１１２に対して直角に向いた易
磁化軸線を有する。
【００２９】薄膜磁気ヘッド１００が、製作中に順次に
蒸着された３つの層（層Ａ−層Ｃ）で配置してある。ま
ず、層ｐ１は磁界の存在の下に蒸着され、層Ａの絶縁基
板（図示せず）上で磁極片１０６の部分１３０、１３４
および磁極片１０８の部分１３８を形成する。部分１３
０は傾斜領域１１８と先端１１４を含む。薄い絶縁層（
図示せず）を層Ａ上に置いた後、銅の層を蒸着して層Ｂ
にコイル１０２、１０４を形成する。各コイル１０２、
１０４は、多数の捲回部（図では複雑になるのを避けて
、各コイルに２つだけの捲回部があるように示してある
）を包含する。特に、コイル１０２は相互接続した経路
１５０、１５２を包含し、経路１５６、１５８、１６０
がコイル１０４を形成している。経路１５０、１５６は
経路１６２によって相互接続している。経路１５４、１
６０はそれぞれパッド１６６、１６８で終わっている。 これらのパッド１６６、１６８は処理回路１７０に接続
しており、この処理回路は、書き込み中にコイル１０２
、１０４を駆動し、読み出し中に磁束によってコイル上
に生じた信号を検知する。
蒸着された３つの層（層Ａ−層Ｃ）で配置してある。ま
ず、層ｐ１は磁界の存在の下に蒸着され、層Ａの絶縁基
板（図示せず）上で磁極片１０６の部分１３０、１３４
および磁極片１０８の部分１３８を形成する。部分１３
０は傾斜領域１１８と先端１１４を含む。薄い絶縁層（
図示せず）を層Ａ上に置いた後、銅の層を蒸着して層Ｂ
にコイル１０２、１０４を形成する。各コイル１０２、
１０４は、多数の捲回部（図では複雑になるのを避けて
、各コイルに２つだけの捲回部があるように示してある
）を包含する。特に、コイル１０２は相互接続した経路
１５０、１５２を包含し、経路１５６、１５８、１６０
がコイル１０４を形成している。経路１５０、１５６は
経路１６２によって相互接続している。経路１５４、１
６０はそれぞれパッド１６６、１６８で終わっている。 これらのパッド１６６、１６８は処理回路１７０に接続
しており、この処理回路は、書き込み中にコイル１０２
、１０４を駆動し、読み出し中に磁束によってコイル上
に生じた信号を検知する。
【００３０】次に、別の薄い絶縁層をコイル１０２、１
０４上に蒸着し、磁界の存在の下に層ｐ２を蒸着して磁
極片１０６の部分１３２と磁極片１０４の部分１３６（
先端１１６および傾斜部１２０を含む）、１４０を層Ｃ
に形成する。磁極片１０６の部分１３０、１３２、１３
４は、層Ｂを貫く層ｐ１、ｐ２間の通路１８０、１８２
を形成することによって相互に接続してある。通路１８
４、１８６を同様に形成して磁極片１０８の部分１３６
、１３８、１４０を相互接続する。この時点で、通路１
２６が同様に形成されて磁極片１０６、１０８を相互に
接続する。
０４上に蒸着し、磁界の存在の下に層ｐ２を蒸着して磁
極片１０６の部分１３２と磁極片１０４の部分１３６（
先端１１６および傾斜部１２０を含む）、１４０を層Ｃ
に形成する。磁極片１０６の部分１３０、１３２、１３
４は、層Ｂを貫く層ｐ１、ｐ２間の通路１８０、１８２
を形成することによって相互に接続してある。通路１８
４、１８６を同様に形成して磁極片１０８の部分１３６
、１３８、１４０を相互接続する。この時点で、通路１
２６が同様に形成されて磁極片１０６、１０８を相互に
接続する。
【００３１】作動にあたって、ダイビットの読み出し動
作を考えた場合、正の移行部（図示せず）から発した磁
束Ｆは磁極片の１つ、たとえば、磁極片１０６にその先
端１１４を通って入る。磁束は、磁極片１０６、１０８
を通って伝導するにつれて２回コイル１０２、１０４を
通る。すなわち、部分１３０、１３２、１３４を通ると
きに１回、そして、部分１４０、１３８、１３６を通っ
て伝導するときに２回目を通る。磁束経路は、磁極片１
０８の先端１１６から負の移行部（図示せず）へ磁束が
戻ることによって完成する。各コイル１０２、１０４に
磁束によって誘導される電気信号がこうして強化される
。
作を考えた場合、正の移行部（図示せず）から発した磁
束Ｆは磁極片の１つ、たとえば、磁極片１０６にその先
端１１４を通って入る。磁束は、磁極片１０６、１０８
を通って伝導するにつれて２回コイル１０２、１０４を
通る。すなわち、部分１３０、１３２、１３４を通ると
きに１回、そして、部分１４０、１３８、１３６を通っ
て伝導するときに２回目を通る。磁束経路は、磁極片１
０８の先端１１６から負の移行部（図示せず）へ磁束が
戻ることによって完成する。各コイル１０２、１０４に
磁束によって誘導される電気信号がこうして強化される
。
【００３２】層ｐ１、ｐ２の蒸着中に印加される磁界は
、各平面において長手軸線１１２に対して直角となって
おり、磁極片１０６、１０８に、それらの細長い部分（
すなわち、部分１３０〜１４０）に対して直角の易磁化
軸線１１０を与える。こうして、磁極片１０６、１０８
の長さのほとんどを通じて、磁束Ｆは、易磁化軸線１１
０に対して直角に移動し、回転によって伝導される。 （ここで、通路が磁極片の平面に対して直角（すなわち
、紙面に対して直角）に配置してあるため、磁束が回転
によって通路１２６、１８０〜１８６を通して伝導する
ことに注目されたい。）しかしながら、磁束伝導方向は
傾斜部１１８、１２０、１２２、１２４の易磁化軸線１
１０に対して直角となっていない。その結果、磁極片１
０６、１０８のこれらの領域は、部分的に、壁運動によ
って磁束Ｆを伝導する。しかしながら、磁極片１０６、
１０８は、壁運動よりもむしろ回転によって優先的に磁
束がこれら磁極片を伝導するように構成、配置してある
。好ましくは、壁運動による磁束伝導は全磁束伝導の２
５％に制限する（最も好ましくは、１０％以下に制限す
る）。その結果、壁運動による磁束伝導の悪影響は最小
限に抑えられる。
、各平面において長手軸線１１２に対して直角となって
おり、磁極片１０６、１０８に、それらの細長い部分（
すなわち、部分１３０〜１４０）に対して直角の易磁化
軸線１１０を与える。こうして、磁極片１０６、１０８
の長さのほとんどを通じて、磁束Ｆは、易磁化軸線１１
０に対して直角に移動し、回転によって伝導される。 （ここで、通路が磁極片の平面に対して直角（すなわち
、紙面に対して直角）に配置してあるため、磁束が回転
によって通路１２６、１８０〜１８６を通して伝導する
ことに注目されたい。）しかしながら、磁束伝導方向は
傾斜部１１８、１２０、１２２、１２４の易磁化軸線１
１０に対して直角となっていない。その結果、磁極片１
０６、１０８のこれらの領域は、部分的に、壁運動によ
って磁束Ｆを伝導する。しかしながら、磁極片１０６、
１０８は、壁運動よりもむしろ回転によって優先的に磁
束がこれら磁極片を伝導するように構成、配置してある
。好ましくは、壁運動による磁束伝導は全磁束伝導の２
５％に制限する（最も好ましくは、１０％以下に制限す
る）。その結果、壁運動による磁束伝導の悪影響は最小
限に抑えられる。
【００３３】壁運動で生じる磁束伝導量は、磁束伝導方
向と易磁化軸線１１０のなす角度が零に近づくにつれて
増大するため、傾斜部１１８、１２０、１２２、１２４
は長手軸線１１２に対して比較的小さい角度（たとえば
、互いに向きが逆の１５度の角度）で配置する。磁束は
、傾斜部１１８、１２０、１２２の定義域壁に沿って（
長手軸線１１２に対して）側方へ伝導し、各部分が長手
軸線となす小さい角度により、磁束は一度にいくつかの
定義域壁に沿って側方へ伝導することが許される。磁束
が不純物によって「ピン止め」された定義域壁に遭遇す
ると、磁束は自由に別の壁に移り、伝導を続けることが
できる。
向と易磁化軸線１１０のなす角度が零に近づくにつれて
増大するため、傾斜部１１８、１２０、１２２、１２４
は長手軸線１１２に対して比較的小さい角度（たとえば
、互いに向きが逆の１５度の角度）で配置する。磁束は
、傾斜部１１８、１２０、１２２の定義域壁に沿って（
長手軸線１１２に対して）側方へ伝導し、各部分が長手
軸線となす小さい角度により、磁束は一度にいくつかの
定義域壁に沿って側方へ伝導することが許される。磁束
が不純物によって「ピン止め」された定義域壁に遭遇す
ると、磁束は自由に別の壁に移り、伝導を続けることが
できる。
【００３４】また、傾斜部の長さは短くて、磁束が長手
軸線１１２に対して側方へ伝導させられる範囲を最小限
に抑えることができる。これは、それ相当に、磁束が壁
運動によって伝導される長さも短くする。たとえば、磁
極片１０６、１０８で与えられる全磁束経路長は、ほぼ
４００ミクロンであるが、長手軸線１１２に関する磁束
経路の側方距離は３０ミクロン未満である（したがって
、これらの長さの比率は１０対１よりも大きい）。
軸線１１２に対して側方へ伝導させられる範囲を最小限
に抑えることができる。これは、それ相当に、磁束が壁
運動によって伝導される長さも短くする。たとえば、磁
極片１０６、１０８で与えられる全磁束経路長は、ほぼ
４００ミクロンであるが、長手軸線１１２に関する磁束
経路の側方距離は３０ミクロン未満である（したがって
、これらの長さの比率は１０対１よりも大きい）。
【００３５】加えて、ヨークは、各コイル１０２、１０
４についての複数回の通過を達成しながらも、磁束が長
手軸線１１２に関して側方へ伝導させられる回数を最小
限に抑えるように構成してある。すなわち、従来は、よ
り多くの磁極片を加えて、磁束が各コイルを通って伝導
させられる回数を増やすことができたが、そうすること
によって、磁束が長手軸線１１２に対して（また、易磁
化軸線１１０に対して直角ではなく）側方へ伝導される
回数が増え、壁運動による磁束伝導の量を増やすことに
なっていた。本出願人は、コイル１０２、１０４に２回
通すことによって、誘導結合の増大と壁運動による磁束
伝導の増大との間に許容できるバランスを得ることがで
きることを見出したのである。
４についての複数回の通過を達成しながらも、磁束が長
手軸線１１２に関して側方へ伝導させられる回数を最小
限に抑えるように構成してある。すなわち、従来は、よ
り多くの磁極片を加えて、磁束が各コイルを通って伝導
させられる回数を増やすことができたが、そうすること
によって、磁束が長手軸線１１２に対して（また、易磁
化軸線１１０に対して直角ではなく）側方へ伝導される
回数が増え、壁運動による磁束伝導の量を増やすことに
なっていた。本出願人は、コイル１０２、１０４に２回
通すことによって、誘導結合の増大と壁運動による磁束
伝導の増大との間に許容できるバランスを得ることがで
きることを見出したのである。
【００３６】他の実施例は特許請求の範囲内にある。た
とえば、易磁化軸線は、磁界の存在の下に磁極片を蒸着
あるいは焼きなましすることによる以外の方法でも誘導
することができる。たとえば、易磁化軸線は、強磁性材
料を視射角で蒸着して蒸着角で易磁化軸線を誘導するい
わゆる「入射角」法で形成することもできる。あるいは
、材料の磁気ひずみ特性、蒸着中に材料に誘導される応
力場および磁極片の幾何学的形状、配置の選択、組み合
わせによって易磁化軸線を作り出すこともできる。
とえば、易磁化軸線は、磁界の存在の下に磁極片を蒸着
あるいは焼きなましすることによる以外の方法でも誘導
することができる。たとえば、易磁化軸線は、強磁性材
料を視射角で蒸着して蒸着角で易磁化軸線を誘導するい
わゆる「入射角」法で形成することもできる。あるいは
、材料の磁気ひずみ特性、蒸着中に材料に誘導される応
力場および磁極片の幾何学的形状、配置の選択、組み合
わせによって易磁化軸線を作り出すこともできる。
【００３７】図５を参照して、薄膜磁気ヘッド２００は
、またさらに壁運動による磁束伝導の影響を減らすよう
に構成してある。磁極片２０２、２０４は、それぞれ、
ヘッド２００の長手軸線２０６に対して斜めに配置した
一対の部分を包含し、これらの部分は直角に向いた異な
る易磁化軸線２０８、２１０を有する。その結果、磁束
Ｆは易磁化軸線２０８、２１０に対して直角に流れ、磁
極片２０２、２０４の全長にわたって回転によって伝導
される。
、またさらに壁運動による磁束伝導の影響を減らすよう
に構成してある。磁極片２０２、２０４は、それぞれ、
ヘッド２００の長手軸線２０６に対して斜めに配置した
一対の部分を包含し、これらの部分は直角に向いた異な
る易磁化軸線２０８、２１０を有する。その結果、磁束
Ｆは易磁化軸線２０８、２１０に対して直角に流れ、磁
極片２０２、２０４の全長にわたって回転によって伝導
される。
【００３８】ヘッド２００は、磁極片２０２の部分２１
４と磁極片２０４の部分２１６を互いに平行に、かつ、
長手軸線２０６に対して約１５度の角度で配置した線２
２０に沿って形成することによって作られる。部分２１
４、１２６は、それらの平面内でこれら部分の長さ方向
に対して直角（すなわち、線２２０に対して直角）の向
きの磁界の存在の下に形成される。コイル２３０を形成
した後、磁極片２０２の部分２１２および磁極片２０４
の部分２１８は、互いに平行に、線２２０と長手軸線２
０６の間の角度と反対向きの、長手軸線２０６に対する
斜めの角度で位置する線２２２に沿って蒸着される。部
分２１２、２１８は、その平面内で線２２２に対して直
角である磁界の存在の下に蒸着され、その結果、部分２
１２、２１８の易磁化軸線２０８はこれらの部分の長さ
方向に対して直角となる。
４と磁極片２０４の部分２１６を互いに平行に、かつ、
長手軸線２０６に対して約１５度の角度で配置した線２
２０に沿って形成することによって作られる。部分２１
４、１２６は、それらの平面内でこれら部分の長さ方向
に対して直角（すなわち、線２２０に対して直角）の向
きの磁界の存在の下に形成される。コイル２３０を形成
した後、磁極片２０２の部分２１２および磁極片２０４
の部分２１８は、互いに平行に、線２２０と長手軸線２
０６の間の角度と反対向きの、長手軸線２０６に対する
斜めの角度で位置する線２２２に沿って蒸着される。部
分２１２、２１８は、その平面内で線２２２に対して直
角である磁界の存在の下に蒸着され、その結果、部分２
１２、２１８の易磁化軸線２０８はこれらの部分の長さ
方向に対して直角となる。
【００３９】磁極片２０２、２０４を通る磁束経路は、
通路２２４を介して部分２１２、２１４を相互に接続し
、通路２２６を介して部分２１６、２１８を相互接続し
、通路２２８を介して部分２１４、２１８を相互接続す
ることによって完成する。こうして、作動にあたって、
たとえば磁極片２０２の先端に入った磁束Ｆは、易磁化
軸線２０８に対して直角であるため、回転によって部分
２１２の長さに沿って伝導させられる。磁束は、部分２
１４に移るとき（そして、最初にコイル２３０を通ると
き）易磁化軸線（２１０）に対して直角に留まり、した
がって、磁束は部分２１４を通して回転によって部分２
１８へ伝導し、コイル２３０を通って戻る。磁束は、部
分２１８、２１６を通るとき易磁化軸線２０８、２１０
に対して直角に留まり、回転による磁極片２０４を通し
ての伝導を完了する。
通路２２４を介して部分２１２、２１４を相互に接続し
、通路２２６を介して部分２１６、２１８を相互接続し
、通路２２８を介して部分２１４、２１８を相互接続す
ることによって完成する。こうして、作動にあたって、
たとえば磁極片２０２の先端に入った磁束Ｆは、易磁化
軸線２０８に対して直角であるため、回転によって部分
２１２の長さに沿って伝導させられる。磁束は、部分２
１４に移るとき（そして、最初にコイル２３０を通ると
き）易磁化軸線（２１０）に対して直角に留まり、した
がって、磁束は部分２１４を通して回転によって部分２
１８へ伝導し、コイル２３０を通って戻る。磁束は、部
分２１８、２１６を通るとき易磁化軸線２０８、２１０
に対して直角に留まり、回転による磁極片２０４を通し
ての伝導を完了する。
【００４０】磁極片２０２、２０４の先端２３２付近で
、磁束は、部分的に、壁運動によって伝導する。これは
、各磁極片の磁束伝導方向が易磁化軸線２０８、２１０
に対して厳密に直角となっていないからである。しかし
ながら、壁運動の全体的な影響は、先端２３２の長さが
短い（たとえば、５ミクロン）ことにより、僅かなもの
である。
、磁束は、部分的に、壁運動によって伝導する。これは
、各磁極片の磁束伝導方向が易磁化軸線２０８、２１０
に対して厳密に直角となっていないからである。しかし
ながら、壁運動の全体的な影響は、先端２３２の長さが
短い（たとえば、５ミクロン）ことにより、僅かなもの
である。
【００４１】ここで再び図４および図６を参照して、回
転による磁束伝導を薄膜磁気ヘッド１００において強化
することができる（壁運動による磁束伝導を回避できる
）別の方法は、異なった向きの易磁化軸線を有する２つ
またはそれ以上の積層した層から磁極片１０６、１０８
を形成することである。薄膜磁気ヘッドにおいて、積層
した層を用いることは、Ｍａｌｌａｒｙ 等が、１９８
８年 ８月 ３日に出願した、「 ＦｌｕｘＳｐｒｅａ
ｄｉｎｇ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ 」 なる名称の米国特許出願第０７／２
２７，８０９号の主題である。この出願は本願と同じ譲
受人に譲渡されており、本文で参考資料として援用する
。
転による磁束伝導を薄膜磁気ヘッド１００において強化
することができる（壁運動による磁束伝導を回避できる
）別の方法は、異なった向きの易磁化軸線を有する２つ
またはそれ以上の積層した層から磁極片１０６、１０８
を形成することである。薄膜磁気ヘッドにおいて、積層
した層を用いることは、Ｍａｌｌａｒｙ 等が、１９８
８年 ８月 ３日に出願した、「 ＦｌｕｘＳｐｒｅａ
ｄｉｎｇ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ 」 なる名称の米国特許出願第０７／２
２７，８０９号の主題である。この出願は本願と同じ譲
受人に譲渡されており、本文で参考資料として援用する
。
【００４２】図６は、一対の積層した層２５２、２５４
として形成した磁極片１０６の部分１３０を示している
。磁極片１０６の他の部分および磁極片２０８の部分が
同様に積層されていることは了解されたい。層２５２は
、磁界の存在の下に形成される。この磁界の向きは、部
分１３０の長さ方向に対して直角に位置した易磁化軸線
１１０ａを層２５２に設けるように選ばれる。層２５４
が形成するときの磁界の方向は、層２５４の易磁化軸線
１１０ｂが部分１３０の長さ方向に対して非直角である
ようにシフトされる。理想的には、易磁化軸線１１０ｂ
は易磁化軸線１１０ａに対して直角の向きである（そし
て、図６に示すように、部分１３０の長さ方向に平行に
配置してある）が、易磁化軸線１１０ｂを易磁化軸線１
１０ａに対してもっと小さい角度（たとえば、４５度あ
るいはできるならば２０度未満）で配置してもよい。
として形成した磁極片１０６の部分１３０を示している
。磁極片１０６の他の部分および磁極片２０８の部分が
同様に積層されていることは了解されたい。層２５２は
、磁界の存在の下に形成される。この磁界の向きは、部
分１３０の長さ方向に対して直角に位置した易磁化軸線
１１０ａを層２５２に設けるように選ばれる。層２５４
が形成するときの磁界の方向は、層２５４の易磁化軸線
１１０ｂが部分１３０の長さ方向に対して非直角である
ようにシフトされる。理想的には、易磁化軸線１１０ｂ
は易磁化軸線１１０ａに対して直角の向きである（そし
て、図６に示すように、部分１３０の長さ方向に平行に
配置してある）が、易磁化軸線１１０ｂを易磁化軸線１
１０ａに対してもっと小さい角度（たとえば、４５度あ
るいはできるならば２０度未満）で配置してもよい。
【００４３】作動にあたって、磁束は、定義域壁運動よ
りも回転によってより容易に伝導する。先に述べたよう
に、定義域壁運動による伝導は、回転による伝導の場合
よりも磁束伝導に対してより高いインピーダンスを与え
る。磁束Ｆは、先端１１４のところで部分１３０に入る
と、層２５２内を完全に回転によって伝導する（易磁化
軸線１１０ａに対して直角であるため）。したがって、
磁束のすべてが先端１１４のところで層２５２内に留ま
る。磁束は、傾斜部１１８に入ると、易磁化軸線１１１
０ａにも易磁化軸線１１０ｂにも直角ではなくなり、純
粋に層２５２あるいは層２５４内を回転により伝導する
ことができない。しかしながら、層２５２、２５４の定
義域構造の故に、磁束は、層の定義域構造が壁運動によ
る磁束伝導を要求する前の短距離にわたって各層（たと
えば、層２５２）の易磁化軸線に対して直角の回転によ
って伝導できる。この時点で、磁束は、隣接の層２５４
の易磁化軸線に対して直角の回転によって伝導すること
ができる。その結果、磁束は隣接層にジャンプし、最低
のインピーダンスの経路を通って移動できる。磁束は、
傾斜部１１８の長さに沿って層２５２、２５４の間で前
後にジャンプを繰り返す。最終的には、磁束は、部分１
３０の、易磁化軸線１１０ａに直角に向いた領域に到達
する。このとき、磁束は、層２５２内のみを回転により
伝導することができ、したがって、部分１３０の残りの
領域を通過するとき層２５２内に留まる。
りも回転によってより容易に伝導する。先に述べたよう
に、定義域壁運動による伝導は、回転による伝導の場合
よりも磁束伝導に対してより高いインピーダンスを与え
る。磁束Ｆは、先端１１４のところで部分１３０に入る
と、層２５２内を完全に回転によって伝導する（易磁化
軸線１１０ａに対して直角であるため）。したがって、
磁束のすべてが先端１１４のところで層２５２内に留ま
る。磁束は、傾斜部１１８に入ると、易磁化軸線１１１
０ａにも易磁化軸線１１０ｂにも直角ではなくなり、純
粋に層２５２あるいは層２５４内を回転により伝導する
ことができない。しかしながら、層２５２、２５４の定
義域構造の故に、磁束は、層の定義域構造が壁運動によ
る磁束伝導を要求する前の短距離にわたって各層（たと
えば、層２５２）の易磁化軸線に対して直角の回転によ
って伝導できる。この時点で、磁束は、隣接の層２５４
の易磁化軸線に対して直角の回転によって伝導すること
ができる。その結果、磁束は隣接層にジャンプし、最低
のインピーダンスの経路を通って移動できる。磁束は、
傾斜部１１８の長さに沿って層２５２、２５４の間で前
後にジャンプを繰り返す。最終的には、磁束は、部分１
３０の、易磁化軸線１１０ａに直角に向いた領域に到達
する。このとき、磁束は、層２５２内のみを回転により
伝導することができ、したがって、部分１３０の残りの
領域を通過するとき層２５２内に留まる。
【００４４】磁束は、傾斜部１２４に到達するまで、部
分１３２、１３４を通って伝導するとき、上方層（すな
わち、直角の易磁化軸線１１０ａを有する層）内に留ま
る。このとき、磁束は、完全に回転によって伝導できる
経路を捜して、上下の積層した層２５２、２５４の間で
ジャンプする。磁束は、部分１４０の、長手軸線１１２
に対して平行に位置した領域に達したときにのみ、上方
層内で伝導を再開する。磁束は、磁極片１０８の傾斜部
１２０に達したとき、再び、上下の積層した層を通って
伝導する。
分１３２、１３４を通って伝導するとき、上方層（すな
わち、直角の易磁化軸線１１０ａを有する層）内に留ま
る。このとき、磁束は、完全に回転によって伝導できる
経路を捜して、上下の積層した層２５２、２５４の間で
ジャンプする。磁束は、部分１４０の、長手軸線１１２
に対して平行に位置した領域に達したときにのみ、上方
層内で伝導を再開する。磁束は、磁極片１０８の傾斜部
１２０に達したとき、再び、上下の積層した層を通って
伝導する。
【００４５】図７を参照して、薄膜磁気ヘッド３００の
磁極片３０２、３０４の位相は、たとえば層Ａ（図３）
の磁極片部分の積層が不要となるように選定してある。 層Ａに蒸着した部分３０４、３０６、３０８は、すべて
、互いに、そして、軸線３１０に対して平行に位置する
。これらの部分は、軸線３１０に対して直角に向いた磁
界の存在の下に形成され、部分３０４、３０６、３０８
のすべてがそれらの長さ方向に対して直角に位置した易
磁化軸線３１２を有する。
磁極片３０２、３０４の位相は、たとえば層Ａ（図３）
の磁極片部分の積層が不要となるように選定してある。 層Ａに蒸着した部分３０４、３０６、３０８は、すべて
、互いに、そして、軸線３１０に対して平行に位置する
。これらの部分は、軸線３１０に対して直角に向いた磁
界の存在の下に形成され、部分３０４、３０６、３０８
のすべてがそれらの長さ方向に対して直角に位置した易
磁化軸線３１２を有する。
【００４６】直列に接続したコイル３１４、３１６を（
層Ｂに）作った後、磁極片３０２、３０４の残りの部分
３１８、３２０、３２２は、それぞれ、一対の積層した
層から形成する。各部分３１８、３２０、３２２の積層
した層は直交磁界の存在の下に形成され、それぞれ、直
交する易磁化軸線３２４、３２６を持たされる。易磁化
軸線３２４は易磁化軸線３１２に対して平行であり、易
磁化軸線３２６は軸線３１０に対して平行であるが、こ
れらの向きは絶対ではない。
層Ｂに）作った後、磁極片３０２、３０４の残りの部分
３１８、３２０、３２２は、それぞれ、一対の積層した
層から形成する。各部分３１８、３２０、３２２の積層
した層は直交磁界の存在の下に形成され、それぞれ、直
交する易磁化軸線３２４、３２６を持たされる。易磁化
軸線３２４は易磁化軸線３１２に対して平行であり、易
磁化軸線３２６は軸線３１０に対して平行であるが、こ
れらの向きは絶対ではない。
【００４７】ヘッド３００の製造は、図示したように磁
極片部分を相互接続する通路を形成することによって完
了する。作動にあたって、磁束Ｆは、長手軸線３１０に
沿って磁極片３０２に入り、磁束伝導の方向は分３０４
の易磁化軸線３１２および部分３２０の易磁化軸線３２
４に対して直角である。したがって、磁束は、磁極片３
０２の全長に沿って回転による磁束伝導を行う。
極片部分を相互接続する通路を形成することによって完
了する。作動にあたって、磁束Ｆは、長手軸線３１０に
沿って磁極片３０２に入り、磁束伝導の方向は分３０４
の易磁化軸線３１２および部分３２０の易磁化軸線３２
４に対して直角である。したがって、磁束は、磁極片３
０２の全長に沿って回転による磁束伝導を行う。
【００４８】磁束が磁極片３０４を通して戻るとき、磁
束はまた完全に回転によって伝導する。これは、積層し
た部分３１８、３２２の直交する易磁化軸線３２４、３
２６が磁束を積層した層の間で前後にジャンプさせて（
上述したように）最低抵抗の伝導経路を見出すようにす
るためであるし、また、部分３０６における磁束伝導方
向が易磁化軸線３２２に対して直角だからである。
束はまた完全に回転によって伝導する。これは、積層し
た部分３１８、３２２の直交する易磁化軸線３２４、３
２６が磁束を積層した層の間で前後にジャンプさせて（
上述したように）最低抵抗の伝導経路を見出すようにす
るためであるし、また、部分３０６における磁束伝導方
向が易磁化軸線３２２に対して直角だからである。
【００４９】すべての層が積層されているヘッド上での
図７の配置の一利点は、磁極片を形成するのに処理段階
が少なくて済むということである。加えて、コイル３１
４、３１６の下に配置した磁極片部分が積層されておら
ず、異なった易磁化軸線の向きを有する層を含まないた
め、相対的な易磁化軸線の向きがコイルを製造するのに
用いられる高い処理温度によって損なわれるというリス
クはまったくない。
図７の配置の一利点は、磁極片を形成するのに処理段階
が少なくて済むということである。加えて、コイル３１
４、３１６の下に配置した磁極片部分が積層されておら
ず、異なった易磁化軸線の向きを有する層を含まないた
め、相対的な易磁化軸線の向きがコイルを製造するのに
用いられる高い処理温度によって損なわれるというリス
クはまったくない。
【００５０】図８を参照して、薄膜磁気ヘッド４００の
磁極片４０２、４０４は、磁気「テイル」として知られ
ている領域４０６、４０８を備えている。磁気テイルは
、１９９０年 ６月 ５日に許された「 Ａｐｐａｒａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｔｏ Ｓｕｐｐｒｅ
ｓｓ ＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒＦｉｅｌｄ ｉｎ
Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ 」
なる名称の本出願人の米国特許第４，９３１，８８６
号に記載されており、この米国特許を参考資料として本
文に援用する。各磁気テイル４０６、４０８は、対応す
る磁極片４０２、４０４の他の部分よりもかなり大きい
表面積を有する。たとえば、各テイルと磁極片の残部と
の表面積比は少なくとも５：１であり、好ましくは、１
０：１以上である。
磁極片４０２、４０４は、磁気「テイル」として知られ
ている領域４０６、４０８を備えている。磁気テイルは
、１９９０年 ６月 ５日に許された「 Ａｐｐａｒａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｔｏ Ｓｕｐｐｒｅ
ｓｓ ＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒＦｉｅｌｄ ｉｎ
Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ 」
なる名称の本出願人の米国特許第４，９３１，８８６
号に記載されており、この米国特許を参考資料として本
文に援用する。各磁気テイル４０６、４０８は、対応す
る磁極片４０２、４０４の他の部分よりもかなり大きい
表面積を有する。たとえば、各テイルと磁極片の残部と
の表面積比は少なくとも５：１であり、好ましくは、１
０：１以上である。
【００５１】その結果、各テイルはその磁極片から周囲
空気へ低インピーダンス漏洩経路を与え、遠い端（すな
わち、先端４０５と反対側の端）で磁極片を相互に接続
することによって磁極片４０２、４０４の間に磁束経路
を完成する必要性を排除できる。作動にあたって、磁束
Ｆは、記憶媒体（図示せず）から磁極片４０２に入り、
磁極片によってコイル４１０を通して伝導させられる。 次に、磁束は、磁極片４０２からテイル４０６を経由し
て周囲空気に接続４１２する。テイル４０８は、アンテ
ナと同様に作用して、周囲空気から磁束４１４を引き込
み、記憶媒体に磁束を戻し、ヘッド４００を通る磁気経
路を完成する。磁束は、磁極片４０４を通って伝導する
につれて、コイル４１０を通り、磁極片４０２、４０４
と上述のコイルとの間の誘導結合を強化することになる
。
空気へ低インピーダンス漏洩経路を与え、遠い端（すな
わち、先端４０５と反対側の端）で磁極片を相互に接続
することによって磁極片４０２、４０４の間に磁束経路
を完成する必要性を排除できる。作動にあたって、磁束
Ｆは、記憶媒体（図示せず）から磁極片４０２に入り、
磁極片によってコイル４１０を通して伝導させられる。 次に、磁束は、磁極片４０２からテイル４０６を経由し
て周囲空気に接続４１２する。テイル４０８は、アンテ
ナと同様に作用して、周囲空気から磁束４１４を引き込
み、記憶媒体に磁束を戻し、ヘッド４００を通る磁気経
路を完成する。磁束は、磁極片４０４を通って伝導する
につれて、コイル４１０を通り、磁極片４０２、４０４
と上述のコイルとの間の誘導結合を強化することになる
。
【００５２】磁極片４０２、４０４は、回転による磁束
伝導を強化すべく上述した技術のうちの任意の技術に従
って構成、配置してある。たとえば、磁極片４０６、４
０８は、磁極片を通る磁束伝導方向に対して直角に向い
た易磁化軸線を有する。磁束Ｆがヘッド４０を通るとき
に方向転換（すなわち、磁極片４０２から磁極片４０４
への方向転換）を必要としないので、定義域壁運動によ
る磁束伝導をさらに回避することができる。
伝導を強化すべく上述した技術のうちの任意の技術に従
って構成、配置してある。たとえば、磁極片４０６、４
０８は、磁極片を通る磁束伝導方向に対して直角に向い
た易磁化軸線を有する。磁束Ｆがヘッド４０を通るとき
に方向転換（すなわち、磁極片４０２から磁極片４０４
への方向転換）を必要としないので、定義域壁運動によ
る磁束伝導をさらに回避することができる。
【図１】従来の磁気ヘッドの概略側面図である。
【図２】（Ａ）は静止時の強磁性材料の定義域構造を示
す図、（Ｂ）は壁運動による磁束伝導中の定義域構造を
示す図、（Ｃ）は回転による磁束伝導中の定義域構造を
示す図である。
す図、（Ｂ）は壁運動による磁束伝導中の定義域構造を
示す図、（Ｃ）は回転による磁束伝導中の定義域構造を
示す図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の概略側面
図である。
図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施例の頂面図
である。
である。
【図５】図３の構造を有する薄膜磁気ヘッドの頂面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施例による積
層磁極片を示す図である。
層磁極片を示す図である。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドのまた別の実施例の頂
面図である。
面図である。
【図８】磁極片が磁気テイルを備えた本発明の別の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
３０ 薄膜磁気ヘッド
３２ ヨーク
３４ コイル
３６ 磁極片
３８ 磁極片
４０ 記憶媒体
４２ 細長い部分
４４ 細長い部分
４６ 細長い部分
４８ 細長い部分
５０ 通路
１００ 薄膜磁気ヘッド
１０２ コイル
１０４ コイル
１０６ 磁極片
１０８ 磁極片
１１４ 先端
１１６ 先端
１１８ 傾斜部分
１２０ 傾斜部分
１２２ 傾斜部分
１２４ 傾斜部分
１２６ 通路
２００ 薄膜磁気ヘッド
２０２ 磁極片
２０４ 磁極片
２０６ 長手軸線
２０８ 易磁化軸線
２１０ 易磁化軸線
Claims (37)
- 【請求項１】 複数の層で形成した薄膜磁気トランス
ジューサであって、複数のアームを有するヨークを包含
し、前記アームのうち少なくとも１つのアームが前記層
のそれぞれに位置し、移行層を介して接続した部分を有
し、さらに、複数の捲回部を有し、前記ヨークに巻き付
けてあってそれとの間に少なくとも２つの磁束相互作用
部を与えるコイルを包含することを特徴とする薄膜磁気
トランスジューサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記ヨークが壁運動よりもむしろ主とし
て回転によって磁束を導くように構成、配置してあるこ
とを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項３】 請求項２記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記ヨークが２５％以下の磁束伝導が壁
運動によって生じるように構成、配置してあることを特
徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項４】 請求項２記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記ヨークが１０％以下の磁束伝導が壁
運動によって生じるように構成、配置してあることを特
徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項５】 請求項１記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記層が通路で接続してあることを特徴
とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項６】 請求項１記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記コイルが前記移行層に少なくとも一
部位置することを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ
。 - 【請求項７】 請求項１記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、さらに、前記ヨークに少なくとも１つの
他のコイルが巻き付けてあることを特徴とする薄膜磁気
トランスジューサ。 - 【請求項８】 請求項７記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記コイルの各々が、少なくとも部分的
に、前記移行層に配置してあることを特徴とする薄膜磁
気トランスジューサ。 - 【請求項９】 請求項１記載の薄膜磁気トランスジュ
ーサにおいて、前記コイルが少なくとも２つの捲回部を
有することを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項１０】 ほぼ第１方向に沿って延びる複数の
比較的長いアームを有し、これらのアームが前記第１方
向に対してほぼ横方向に延びる比較的短い部分で連結し
てあるヨークを包含し、各アームが前記第１方向に対し
て横方向に向いた易磁化軸線を有し、壁運動よりもむし
ろ主として回転によって磁束が前記アームを通って伝導
するようになっており、さらに、前記ヨークにコイルが
巻き付けてあってそれとの間に少なくとも２つの磁束相
互作用部を与えることを特徴とする薄膜磁気トランスジ
ューサ。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記ヨークが２５％以下の磁束伝導
が壁運動によって生じるように構成、配置してあること
を特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項１２】 請求項１０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記ヨークが１０％以下の磁束伝導
が壁運動によって生じるように構成、配置してあること
を特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項１３】 請求項１０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記易磁化軸線が前記第１方向に対
して直角であることを特徴とする薄膜磁気トランスジュ
ーサ。 - 【請求項１４】 請求項１０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記比較的短い部分が前記第１方向
に対して斜めに延びており、前記比較的短い部分におけ
る壁運動による磁束伝導を低減することを特徴とする薄
膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項１５】 請求項１０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記ヨークが前記比較的長いアーム
のうち２つだけを包含し、各アームに前記コイルが巻き
付けてあり、全部で２つの磁束相互作用部が前記ヨーク
と前記コイルの間に設けられることを特徴とする薄膜磁
気トランスジューサ。 - 【請求項１６】 請求項１０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、少なくとも前記比較的短い部分が異
なった易磁化軸線を有し、少なくとも１つの易磁化軸線
が前記比較的短い部分における磁束伝導方向に対して横
方向となっていて、前記比較的短い部分に壁運動で生じ
る磁束伝導量を低減することを特徴とする薄膜磁気トラ
ンスジューサ。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記層が積層であることを特徴とす
る薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項１８】 請求項１６記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記異なった易磁化軸線のうちの１
つが前記第１方向に対して直角であることを特徴とする
薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項１９】 請求項１６記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記複数のアームのうち少なくとも
１つが前記第１方向に対して斜めに延びる部分を包含し
、この部分が前記複数の層を含み、そこに壁運動で生じ
る磁束伝導量を低減することを特徴とする薄膜磁気トラ
ンスジューサ。 - 【請求項２０】 複数のアームを有し、各アームが少
なくとも１つの易磁化軸線を有するヨークと、このヨー
クに巻き付けてあってそれとの間に少なくとも２つの磁
束相互作用部を与えるコイルとを包含し、前記少なくと
も１つのアームが互いに斜めになった細長い部分を有し
、かつ、前記部分を通る磁束伝導方向に対して横方向の
易磁化軸線を有し、前記斜めの部分のうちの１つが他方
のアームに、前記部分あるいは前記他方のアームのうち
のいずれかの易磁化軸線に対して平行に流れることなく
前記アーム間を磁束が通過できるように結合してあるこ
とを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項２１】 請求項２０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、複数の薄膜層で形成してあり、前記
斜めの部分が個別に前記層内に位置しており、前記部分
のうちの前記１つの部分が前記層間に延在する中間部を
介して前記他方のアームに結合して有ることを特徴とす
る薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項２２】 請求項２０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、複数の薄膜層で構成してあり、前記
斜めの部分が個別に前記層内に位置しており、移行層を
介して相互に連結してあり、前記コイルが少なくとも部
分的に前記移行層内に位置していることを特徴とする薄
膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項２３】 請求項２０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記部分の各々の易磁化軸線が前記
部分が延びる方向に対して直角であることを特徴とする
薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項２４】 請求項２０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記複数のアームの各々が互いに斜
めになっている細長い部分を有し、それぞれ、前記部分
を通る磁束の流れ方向に対して横方向の易磁化軸線を有
することを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項２５】 請求項２４記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、複数の薄膜層で形成してあり、前記
各アームの前記斜めの部分が前記層に個別に位置してお
り、前記層の第１層に配置した部分がほぼ第１方向に延
び、この第１方向に対して直角の易磁化軸線を有し、前
記層のうち第２層に配置した部分が前記第１方向に対し
て斜めの第２方向に延び、前記第２方向に対して直角の
易磁化軸線を有することを特徴とする薄膜磁気トランス
ジューサ。 - 【請求項２６】 複数のアームを有するヨークを包含
し、少なくとも１つのアームが複数の部分を包含し、こ
れらの部分のうちのいくつかが第１方向に沿った磁束流
に合わせて延びており、他の部分が前記第１方向に対し
て横方向の磁束流に合わせて延びており、前記部分のう
ちの少なくとも１つが積層した副層を有し、これら積層
した副層が異なった向きの易磁化軸線を有し、前記ヨー
クにコイルが巻き付けてあり、それとの間に少なくとも
２つの磁束相互作用部を与えていることを特徴とする薄
膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項２７】 請求項２６記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、第１方向に沿って磁束流に合わせて
延びる部分のうちの少なくとも１つが前記積層した副層
を有し、これら副層のうちの１つにおける易磁化軸線が
前記第１方向に対して直角であることを特徴とする薄膜
磁気トランスジューサ。 - 【請求項２８】 請求項２７記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記少なくとも１つの部分の積層し
た副層のうちの他方の副層の易磁化軸線が前記第１方向
に対して平行であることを特徴とする薄膜磁気トランス
ジューサ。 - 【請求項２９】 請求項２７記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記少なくとも１つの部分の積層し
た副層のうちの他方の副層の易磁化軸線が前記第１方向
に対して斜めであることを特徴とする薄膜磁気トランス
ジューサ。 - 【請求項３０】 請求項２６記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、複数の薄膜層で形成してあり、第１
方向に沿っ磁束流に合わせて延びる部分が前記層のうち
の第１層に配置してあり、前記第１方向に対して直角に
向いた易磁化軸線を有し、前記横方向に沿って磁束流に
合わせて延びる部分が前記層のうちの第２層に配置して
あり、前記積層した副層を有することを特徴とする薄膜
磁気トランスジューサ。 - 【請求項３１】 請求項３０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記第２薄膜層に配置した前記部分
の積層した副層のうちの１つが前記第１方向に対して直
角の易磁化軸線を有することを特徴とする薄膜磁気トラ
ンスジューサ。 - 【請求項３２】 請求項３１記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記第２薄膜層に配置した前記部分
の積層した副層が直行する易磁化軸線をを有することを
特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項３３】 請求項３０記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記第１層の部分のうちの少なくと
も１つが移行層を介して前記第２層の部分とに連結して
あり、前記コイルが少なくとも部分的に前記移行層に配
置してあることを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ
。 - 【請求項３４】 請求項３３記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記第２薄膜層が前記移行層の上方
に配置してあり、移行層が形成された後に形成されるこ
とを特徴とする薄膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項３５】 請求項１、１０、２０または２６記
載の薄膜磁気トランスジューサにおいて、前記アームの
うちの少なくとも１つのアームが、記憶媒体に隣接して
配置されることになっており、このアームとこの記憶媒
体の間で磁束の転送を行わせるようになっている比較的
小さい表面積の部分と、前記アームの磁束をそこから、
前記トランスジューサに隣接した、前記アームのうちの
別のアームに優先的に伝導される領域へ放射させる比較
的大きな表面積の部分とを包含することを特徴とする薄
膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項３６】 請求項３５記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記別のアームが、前記記憶媒体に
隣接して配置するようになっている比較的小さい表面積
の部分と、前記トランスジューサに隣接した領域の磁束
を前記アーム内へ伝導させ、前記比較的小さい表面積の
部分を経由して前記磁気媒体へ伝導するようにした比較
的大きい表面積の部分とを包含することを特徴とする薄
膜磁気トランスジューサ。 - 【請求項３７】 請求項３６記載の薄膜磁気トランス
ジューサにおいて、前記コイルが、前記アームの各々に
、前記比較的小さい表面積の部分と、前記比較的大きい
表面積の部分との中間の領域で巻き付けてあることを特
徴とする薄膜磁気トランスジューサ。
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