JPH0432171A - 電子装置の製造方法 - Google Patents

電子装置の製造方法

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JPH0432171A
JPH0432171A JP13395190A JP13395190A JPH0432171A JP H0432171 A JPH0432171 A JP H0432171A JP 13395190 A JP13395190 A JP 13395190A JP 13395190 A JP13395190 A JP 13395190A JP H0432171 A JPH0432171 A JP H0432171A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は液晶表示装置のようなＩＣを実装した電子装
置に係り、特にそのＩＣと基板上の電極とが、フェース
・ダウン・ボンディング法により電気的に接続されてな
る場合の接続部の構造に関する。
（従来の技術） 一般に、ＩＣを実装した電子装置例えば液晶表示装置に
おいては、その液晶表示板の周辺部に、液晶駆動用ＩＣ
を実装する方法として、液晶駆動用ＩＣ上のバンプと液
晶表示板上の取出し電極とを直接接続する、フェース・
ダウン・ボンディング法が知られている。特に、接続材
料として異方性導電膜を用いて電気的に接続する方法は
、低コストで高密度実装を実現する方法として、新たに
提案されている。
例えば、特開昭６２−４３１３８号公報に開示された液
晶表示装置は、第５図に示すように構成され、液晶表示
板１のガラス基板２上に形成された取出し電極であるメ
タル配線電極３（例えばクロムを下地としたニッケルか
らなる配線電極）と、液晶駆動用ＩＣＪ上の金バンプ５
とが、熱可塑性樹脂と融着性樹脂とをベースとした樹脂
中に導電粒子である半田粒子が分散された異方性導電Ｊ
ＩＩ６を介して、フェース・ダウン・ボンディング法に
より接続されている。
この例では、異方性導電膜６の膜厚を金バンプ５の高さ
より薄く設けており、従って、液晶駆動用ＩＣ４と異方
性導電膜６との間には、間隙７が形成されている。それ
故、フェース・ダウン−ボンディング後、液晶駆動用Ｉ
Ｃ４の裏面側からエポキシ系の封止樹脂８で覆うことに
より、液晶駆動用ＩＣ４の固着を補完している。
しかし、この提案には、次のような欠点がある。
（１）ガラス板２上に形成されたメタル配線電極３の材
料が、金属のみ、或いはその最表面層が金属からなって
いる。従って、寿命試験或いは信頼性試験などの高温高
湿の条件下では、配線電極３の金属の腐蝕や電蝕による
高抵抗化、更に断線が生じていた。
（２）液晶駆動用ＩＣ４と異方性導電膜６との間には間
隙７があるので、液晶駆動用ＩＣ４のガラス基板２への
付着強度が弱い。エポキシ系の封止樹脂８で覆うことに
より、初期的には電気的に接続されていても、寿命試験
や熱衝撃試験など信頼性試験にかけると、オープンが発
生する。
（３）液晶駆動用ＩＣ４の裏面側からエポキシ系の封止
樹脂８で覆うために、ポティング、並びにキュアという
工程が入り、工程が長くなる。又、封止樹脂８の材料費
がかかり、コスト高となる。
（４）異方性導電膜６の接着層樹脂として熱可塑性樹脂
を用いているため、高温高湿試験や高温保存試験など熱
が加わる信頼性試験で、熱可塑性樹脂が軟化し、異方性
導電膜１の剥がれに起因するオープンが発生していた。
又、別の例として、特開昭６２−２４４１４３号公報に
開示されているものがある。これは、第６図に示すよう
に、ガラス基板９上に形成された取出し電極であるＩＴ
Ｏ配線電極１０と、液晶駆動用ＩＣＩＩのアルミニウム
電極１２上の金属バンプ１３とが、接着層１４内に金属
バンプ１３の硬度よりも硬い粉体からなる導電粒子１５
が分散された異方性導電膜１６を介して接続される、半
導体素子の製造方法である。
ここで、異方性導電膜１６の接着層１４の樹脂としては
熱可塑性樹脂を用いており、金属バンプ１３の硬度より
も硬い粉体からなる導電粒子１５として、焼結カーボン
を用いている。尚、図中の符号１７はパッシベーション
膜である。
しかし、この提案にも、次のような欠点がある。
（１）導電粒子１５である粉体の焼結カーボンは高抵抗
であるため、接続部の抵抗値が高くなってしまう。更に
、これには、下記（３）と同様な画質の問題がある。
（２）金属バンプ１３の硬度よりも硬い導電粒子１５は
、金属バンプ１３に良く　“食い込み”良好な接続が得
られるが、ＩＴＯ配線電極１ｏに対しては“食い込み”
ことが出来ない。従って、導電粒子１５とＩＴＯ配線電
極１０との間の接続強度が弱く、たとえ初期的に良好な
電気的接続が得られても、熱衝撃試験などの信頼性試験
においてはオープンが発生していた。
（３）ガラス基板９上の取出し電極である配線電極１０
として、ＩＴＯ薄膜を用いているため、金属配線に比較
し抵抗値が高くなる。特に、ＴＰＴ　（薄膜トランジス
タ）駆動方式の液晶表示装置の場合には、液晶駆動用Ｉ
ＣＩＩの出力電圧の降下が起こり、画質の低下を来す。
（４）異方性導電膜１６の接着層１４の樹脂として、熱
可塑性樹脂が用いられており、熱が加わる信頼性試験で
熱可塑性樹脂が軟化し、異方性導電膜１６の剥がれに起
因するオープンが発生する。
（発明が解決しようとする課題） 以上、半田粒子系の異方性導電膜は知られているものの
、前者の従来技術では、配線電極３と液晶駆動用ＩＣ４
の金バンプ５との接続を、導電粒子が金バンプの硬度よ
りも軟らかい半田粒子からなり、接着層として熱可塑性
樹脂からなる異方性導電膜を用いて行なっているため、
接続抵抗値が高く、信頼性に乏しいという欠点があった
。
又、後者の例では、配線電極１ｏと金属バンプ１３との
接続を、異方性導電膜１６を介して行なう場合、導電粒
子１５が金属バンプ１３の硬度よりも硬い粉体からなり
、且つ接着層１４が熱可塑性樹脂からなる異方性導電膜
１６を用いて接続しているため、Ｔｏ配線電極１ｏと異
方性導電膜１６中の導電粒子１５との接続強度が弱く、
更に液晶駆動用ＩＣＩＩのガラス基板９への接続強度が
弱く、信頼性に乏しいという欠点があった。
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、異方性導
電膜が電極と金属バンプのいずれに対しても良好に接続
され、低抵抗の電気的接続を得ることが出来る電子装置
を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、基板上に形成された電極に、ＩＣに設けた
金属バンプが導電粒子を含む異方性導電膜を介しフェー
ス・ダウン・ボンディング法により電気的に接続されて
なる電子装置において、上記導電粒子の硬度は上記電極
及び上記金属バンプの硬度よりも小さい電子装置である
。
又、他の発明は、基板上に形成された電極に、ＩＣに設
けた金属バンプが導電粒子を含む異方性導電膜を介しフ
ェース・ダウン・ボンディング法により電気的に接続さ
れてなる電子装置において、上記導電粒子の硬度は上記
電極及び上記金属バンプの硬度よりも大きい電子装置で
ある。
（作用） この発明によれば、異方性導電膜中の導電粒子としてＰ
ｂ−３ｎ系の半田粒子を用いているため、加熱しながら
の加圧処理により、半田粒子はＩＴＯ配線電極と金バン
プの間で潰れ、接触面積が広くなり、且ついずれに対し
ても良く密着するので、良好な電気的接続を得ることが
出来る。更に、半田粒子の粒径が金バンプの高さより小
さいので、ＩＴＯ配線電極と金バンプとの間以外にある
半田粒子はそのままの形状を保っており、ショートなど
の不具合は発生しない。又、膜厚が金バンプの高さより
厚い異方性導電膜を用いているため、加熱しながらの加
圧処理により、ＩＴＯ配線と金バンプ以外の領域では、
熱硬化性樹脂からなる接着層がガラス基板並びに液晶駆
動用ＩＣの表面層のパッシベーション膜と強固に密着す
る。又、接着層として熱硬化性樹脂を用いているため、
加熱しながらの加圧処理でキュアし硬化する。従って、
高温高湿試験や高温保存試験などの信頼性試験で軟化す
ることなく、高信頼性の接続部を有する電子装置が得ら
れる。
更に、他の発明によれば、液晶表示板上の取出し電極が
金属又は金属多層膜で、その表面層がアルミニウム又は
アルミニウムを主体とする金属からなり、且つ異方性導
電膜中の導電粒子がニッケルで且つ接着層が熱硬化性樹
脂からなるものを用いている。
従って、加熱しながらの加圧処理で、ニッケル粒子は取
出し電極と金属バンプのいずれに対しても良く“食い込
み”、又、熱硬化性樹脂からなる接着層により液晶駆動
用ＩＣは、液晶表示板上に強固に装着されるので、電気
的接続が良好で、高信頼性である電子装置を提供するこ
とが出来る。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明による２つの実施例を
詳細に説明する。
［第１の実施例コ この第１の実施例は請求項１に対応するもので、電子装
置として液晶表示装置を例にとれば第１図及び第２図に
示すように構成されている。
即ち、この第１の実施例は、液晶表示板２１として、ガ
ラス基板２２上に形成された取出し電極の配線材料がＩ
ＴＯ単層よりなる場合を例に取り述べたものであり、Ｉ
ＴＯ配線電極２３の膜厚は１２００人で、液晶駆動用Ｉ
Ｃ２４は１２０アウトの物を用いている。そして、この
液晶駆動用ＩＣ２４上の金属バンプ例えば金バンプ２５
が異方性導電膜２６を介しフェース會ダウン・ボンディ
ング法により電気的に接続されている。
この接続構造を詳しく示したものが第１図であリ、液晶
表示板２１のガラス基板２２上には所定位置にＩＴＯ配
線電極２３が形成されている。
方、液晶駆動用ＩＣ２４に一面にはシリコンの熱酸化膜
である二酸化シリコン膜２７が形成され、この二酸化シ
リコン膜２７の所定位置にはアルミニウム電極２８が形
成されている。このアルミニウム電極２８は、液晶駆動
用ＩＣ２４の表面全域に亘って形成されたシリコン・ナ
イトライドなどからなるパッシベーション膜２９によっ
て保護されている。
更に、アルミニウム電極２８の所定部分はパッシベーシ
ョン膜２９が穿孔されており、その部分のアルミニウム
電極２８上には、例えばチタン、ニッケル、金等がこの
順序で構成されたバリヤ・メタル層３０が形成されてい
る。このバリヤ・メタル層３０上には、金バンプ２５が
メツキ法などによって形成されている。この場合、金バ
ンプ２５の高さは約２５μｍ１大きさは約１００μｍ角
のものが用いられている。
又、液晶表示板２１と、液晶駆動用ＩＣ２４が、異方性
導電膜２６を介しフェース・ダウン・ボンディング法に
より電気的に接続される。この場合の異方性導電膜２６
としては、接着層３１に導電粒子３２が分散されている
。導電粒子３２の硬度は、ＩＴＯ配線電極２３及び金属
バンプ２５の硬度よりも小さく設定されている。即ち、
接着層３１はエポキシ系の熱硬化性樹脂にして、導電粒
子３２はＰｂ−５ｎ共晶組成の半田粒子で、粒径が約５
μｍ乃至１５μｍと微細化されている。尚、異方性導電
膜２６全体の膜厚は３０μｍである。
さて次に、ガラス基板２２上のＩＴＯ配線電極２３へ、
液晶駆動用ＩＣ２４をフェース・ダウン・ボンディング
法により電気的に接続する工程について、説明する。
即ち、この第１の実施例で用いている異方性導電膜２６
は、粘着性のあるものであり、これを液晶駆動用ＩＣ２
４よりやや大きく切り、ガラス基板２２上の所定の位置
に貼る。
次に、配線電極２３と金バンプ２５の位置合せを行ない
、図示しないボンダー・ツールを用い、液晶駆動用ＩＣ
２５の裏面側より約６Ｋｇで加圧（約５０ｇ／バッド）
・加熱（ツール温度で１９０℃）しながら約６０秒間保
持する。
この時、液晶表示板２１は約５５℃に加熱したステージ
上に載せてあり、ガラス基板２２の裏面側より加熱され
ている。
接続後は、第１図に示すように金バンプ２５と配線電極
２３の間の導電粒子３２は加熱しながらの加圧処理によ
り潰れ、接触面積が広くなる、潰れた導電粒子３２は金
バンプ２５と配線電極２３のいずれに対しても良く密着
し、良好な低抵抗の電気的接続を得ることが出来る。
一方、配線電極２３と金バンプ２５の間以外にある導電
粒子３２は潰れず、そのままの形状を保ち、ショートは
発生せず良好な絶縁抵抗値を示した。又、異方性導電膜
２６の膜厚が約３０μｍと、金バンプ２５の高さより厚
いものを用いているため、液晶駆動用ＩＣ２４と異方性
導電膜２６との間には間隙が形成されず、接着層３１が
ガラス基板２２並びにＩＣ表面層のパッシベーション膜
２つのいずれに対しても良く密着する。更に、接着層３
１はエポキシ系の熱硬化性樹脂であるため、接続時にツ
ール温度１９０℃で、約６０秒間保持することによりキ
ュア度が増し、強固に密着する。
この第１の実施例による液晶表示装置の接続部の接触抵
抗を評価したところ、接続箇所１２０に対し、イニシャ
ルで平均１．１Ω、最大値が２．８Ωであり、オープン
発生は一箇所も無く、又、ショートの発生も無かった。
１００℃（１時間）乃至−４０℃（１時間）、５００サ
イクルの熱衝撃試験、７０℃、ＲＨ９５％、１０００時
間の高温高湿試験、７０℃、１０００時間の高温試験、
−１０℃乃至６５℃（ＲＨ９５％）、１０サイクルの温
湿度サイクル試験、振動試験や衝撃試験等の機械試験、
など各種信頼性試験によりこの実施例による液晶表示装
置を評価した所、接続箇所に起因するオープン・ショー
トの発生は皆無であった。そして、接触抵抗の変化は、
最も厳しいにおいて平均４．２Ω、最大値が９，１Ωで
あった。
又、図示しないが、ガラス基板２２上に他のＩＴＯ配線
電極が形成されており、液晶駆動用ＩＣ２４が他のＩＴ
Ｏ配線電極と対面している構造の場合、即ち、第２図に
示される２つの金バンプ２５の間に他のＩＴＯ配線電極
が形成されている場合でも、この液晶表示装置は、液晶
駆動用ＩＣ２４下で異方性導電膜２６に起因したショー
トなどの不具合が発生することはなかった。
尚、上記第１の実施例においては、剛体よりなる金属バ
ンプとして金の場合を例にとり詳細に説明したが、接続
時の加熱しながらの加圧工程で塑性変形が少ない剛体金
属、例えばニッケル・バンプなどを用いても、この発明
が適用出来るのは勿論である。
又、この第１の実施例においては、異方性導電膜２６の
膜厚が約３０μｍであり、金バンプ２５の高さが約２５
μｍである場合を例にとって説明した。しかし、この場
合、異方性導電膜２６の膜厚が約５０μｍ以上、例えば
５５μｍとすると、異方性導電膜２６の流れ出し量が多
くなり、ゴミなどがあると導電粒子３２が塞き止められ
て、ショートが発生する確率が高くなる。それ故、異方
性導電膜２６の膜厚は金バンプ２５の高さの２倍以下が
最適である。尚。本来、最適な異方性導電膜２６の膜厚
は、ＩＴＯ配線電極２３の膜厚にも依存するが、この値
は通常、金バンプ２５の高さに比較して無視出来る。
又、この第１の実施例においては、ガラス基板２２上に
形成された取出し電極である配線電極２３全体がＩＴＯ
単層の場合を例に取り説明したが、配線電極２３の表面
層がＩＴＯであるならば、この発明が適用出来る。
このような例として、配線電極２３がモリブデン−タン
タル合金上に形成されたＩＴＯ膜よりなる場合などがあ
る。又、第１図に示す導電粒子３２を介して金バンプ２
５が接続される配線電極２３を含んで、その近傍の配線
電極のみが表面層がＩＴＯであっても、この発明が適用
出来るのは勿論である。
又、この第１の実施例においては、異方性導電膜２６中
の導電粒子３２がＰｂ−８ｎ共晶組成の半田粒子を用い
た場合を例に取り説明したが、組成がＰｂ−５ｎを基と
した半田粒子ならば同様の効果があり、この発明が適用
出来る。
又、この発明による液晶表示装置は、強固に密着した高
信頼性の接続部を有するので、液晶駆動用ＩＣ２４の裏
面側から封止樹脂で覆うことは不要であるが、封止樹脂
で覆っても、この発明が適用出来るのは勿論である。
［第２の実施例］ この第２の実施例は請求項２に対応するもので、電子装
置として液晶表示装置を例にとれば第３図に示すように
構成されている。
即ち、液晶表示板のガラス基板４２上には、所定箇所に
配線電極４３が形成されている。この配線電極４３は、
表面層がアルミニウム又はアルミニウムを主体とする金
属又は金属多層膜からなる取出し電極であり、この実施
例ではクロム、アルミニウムがこの順に形成されている
（以下、Ｃｒ／Ａｌと略す）。そして、Ｃｒ、ＡＩＩの
膜厚はそれぞれ５００人、４０００人に設定されている
。
一方、出力数１２０の液晶駆動用ＩＣ４４には、アルミ
ニウム電極４８とパッシベーション膜４９が形成され、
アルミニウム電極４８上には図示しない例えばチタン、
ニッケル、金がこの順序で構成されたバリヤ・メタル層
が形成されている。このバリヤーメタル層の上には、例
えば金よりなる金属バンプ４５がメツキ法などによって
形成されている。
この場合、金属バンプ４５の高さは約２５μｍ１大きさ
は約１００μｍ角のものが用いられている。
又、ピッチは２３０μｍである。液晶駆動用ＩＣ４４の
金属バンプ４５以外の表面は、既述のようにシリコン・
ナイトライドなどからなるパッシベーション膜４９によ
って保護されている。
更に、液晶駆動用Ｉ　Ｃ４４の金属バンプ４５とガラス
基板４２の配線電極４３が異方性導電膜４６を介しフェ
ース・ダウン・ボンディング法により電気的に接続され
るが、異方性導電膜４６としては、接着層５１内に導電
粒子５２が分散されたものを用いる。接着層５１はエポ
キシ系の熱硬化性樹脂からなり、導電粒子５２は例えば
ニッケル粒子からなる。つまり、この第２の実施例では
、導電粒子５２の硬度は配線電極４３及び金属バンプ４
５の硬度よりも大きく設定されている。
尚、異方性導電膜４６の膜厚は、約３０μｍに設定され
ている。又、ニッケル粒子からなる導電粒子５２は完全
には球状ではなく、例えば“イガグリ状”であるが、粒
径（大きさ）は約４μｍ乃至６μｍに設定されている。
さて次に、ガラス基板４２上のＣｒ／Ａ、Ｑからなる配
線電極４３へ、液晶駆動用Ｉ　Ｃ４４の金属バンプ４５
をフェース・ダウン・ボンディング法により電気的に接
続する工程について、説明する。
即ち、この第２の実施例で用いている異方性導電膜４６
は、粘着性のあるものであり、これを液晶駆動用Ｉ　Ｃ
４４よりやや大きく切り、ガラス基板４２上の所定の位
置に貼る。
次に、配線電極４３と金属バンプ４５との位置合せを行
ない、図示しないボンダー・ツールを用い、液晶駆動用
Ｉ　Ｃ４４の裏面側より約６Ｋｇで加圧（約５０ｇ／バ
ッド）・加熱（ツール温度で１９０℃）しながら約６０
秒間保持する。
この時、ガラス基板４２を含む液晶表示板は、約５５℃
に加熱したステージ上に載せてあり、ガラス基板４２の
裏面側より加熱されている。
次に、ボンダー・ツールを液晶駆動用Ｉ　Ｃ４４から離
せば、金属バンプ４５と配線電極４３とが異方性導電膜
４６中に導電粒子５２を介して接続される。
以上の工程により、液晶駆動用Ｉ　Ｃ４４は液晶表示板
上に実装される。
この発明で用いる接着層４１は、エポキシ系の熱硬化性
樹脂であり、接続時に図示しないツールにて、１９０℃
で、約６０秒間保持することによりキュア度が増し、液
晶駆動用Ｉ　Ｃ４４の表面保護層であるパッシベーショ
ン膜４９、ガラス基板４２に強固に密着する。それ故、
液晶駆動用１ｃ４４全体が、ガラス基板４２上に強固に
装着され、その後のポツティングによる樹脂補強の工程
も不必要となる。
又、液晶駆動用Ｉ　Ｃ４４上の金属バンプ４５の高さが
揃っている場合には、第３図に示すように、それぞれの
金属バンプ４５が導電粒子５２を介して配線電極４３に
接続される。しかし、液晶駆動用Ｉ　Ｃ４４には、ＩＣ
の出力数以上の金属バンプ４５が形成されており、これ
らの高さは必ずしも一様ではない。
金属バンプ４５は通常メツキ法により形成されるが、歩
留りの点より、金属バンプ４５の高さにバラツキがある
。出力数１２０の液晶駆動用ＩＣ４４の場合には、バン
プ数は例えば１８０であり、高さ２５μｍの金属バンプ
４５のバラツキは、通常±３．５μｍ１即ち、約７μｍ
の高低差がある。
導電粒子５２の径粒は約４μｍ乃至約６μｍである市販
の異方性導電膜４６、例えば某社のＣＰ−４１３１を用
いて、図示しないボンダー・ツールにて一括してフェー
スΦダウン・ボンディングを行なうと、第４図に示すよ
うに、バンプ高さの高い金属バンプ４５ａの箇所におい
ては良好な接続がなされるが、高さの低い金属バンプ４
５ｂ、４５ｃの箇所においては、導電粒子５２が金属バ
ンプ４５ｂ、４５ｃ或いは配線電極４３と接触せず、電
気的にオーブンが発生するということがしばしば起こっ
た。
そこで、大きい導電粒子を用いると、高低差のある金属
バンプ４５　ａ　ｓ　４５　ｂ　ｓ　４５　ｃのいずれ
に対しても、良好な接続がなされることを発明者は見出
だした。そして、導電粒子５２として、粒径が約１０μ
ｍ（±１．５μｍ）のニッケル粒子を含有する異方性導
電膜４６を用い、接続実験を行なった所、電気的にオー
プンが発生するということは、無くなった。尚、導電粒
子５２の粒径の範囲は、例えば６μｍ乃至２０μｍの範
囲で効果がある。
この発明による液晶表示装置の接続部の接触抵抗を評価
した所、接続箇所１８０に対し、イニシャルで平均０．
７Ω、最大値が１．４Ωであり、オーブン発生は一箇所
も無く、又、ショートの発生も無かった。
１００℃（１時間）乃至−４０℃（１時間）、５００サ
イクルの熱衝撃試験、７０℃、ＲＨ９５％、１０００時
間の高温高湿試験、７０℃、１０００時間の高温試験、
−１０℃乃至６５℃（ＲＨ９５％）、１０サイクルの温
湿度サイクル試験、振動試験や衝撃試験等の機械試験、
など各種信頼性試験によりこの発明による液晶表示装置
を評価した所、接続箇所に起因するオーブン・ショート
の発生は皆無であった。
以上、この発明の第２の実施例として、液晶駆動用ＩＣ
上の金属バンプが金の場合を例にとり詳述したが、ニッ
ケル粒子より軟らかく、ニッケル粒子が良く　“食い込
む”金属バンプ、例えばＰｂ−５ｎ系、Ｉｎ−８ｎ系、
などの半田バンプの場合にも、この発明が適用出来る。
又、この発明の実施例において、ガラス基板４２上に形
成された取出し電極の配線電極４３がＣｒ／ＡＤよりな
る場合を例に挙げて説明したが、配線電極４３が金属又
は金属多層幕で、その表面層に来る材料がアルミニウム
、アルミニウム合金、又はアルミニウムを主体とする金
属（アルミニウムの上に薄い金属が形成されている場合
など）からなっているならば、この発明が適用出来る。
このような例として、ガラス基板４２上にモリブデン、
アルミニウム、モリブデンがこの順に形成された配線電
極４３並びに配線電極４３がある（Ｍｏ、Ａ　１１％　
Ｍ　ｏ　）　にこで、それぞれの膜厚は例えば７００人
、４０００人、５００人である。
尚、この発明による液晶表示装置は、強固に密着した高
信頼性の接続部を有するので、液晶駆動用ＩＣ３の裏面
側から封止樹脂で覆うことは不要であるが、封止樹脂で
覆っても、この発明が適用出来るのは勿論である。
又、この発明による液晶表示装置は、アルミニウムを主
体とする低抵抗の取出し電極を用いているため、配線抵
抗値に敏感なＴＰＴ　（薄膜トランジスタ）駆動方式の
液晶表示装置に適用すると、高画質のものを得ることが
出来、特に有効である。
又、この発明による液晶表示装置は、その駆動２式が単
純マトリクス方式酸るいはＴＰＴ　（薄膜トランジスタ
）方式などによらず、いずれの方式の液晶表示装置にも
適用出来る。
尚、上記各実施例では、電子装置として液晶表示装置を
例に取り説明したが、この発明は液晶表示装置に限定さ
れることなく、例えばサーマルヘッドや密着センサなど
ＩＣを実装した電子装置の全てに適用可能である。
［発明の効果コ この発明による第１の実施例の電子装置は、異方性導電
膜の導電粒子である半田粒子の硬度が電極及び金属バン
プの硬度よりも小さいので、金などの剛体よりなる金属
バンプとＩＴＯ電極のいずれに対しても良好に接続され
、低抵抗の電気的接続を得ることが出来る。
又、異方性導電膜の接着層はエポキシ系の熱硬化性樹脂
であり、その膜厚が金属バンプの高さより厚いため、ガ
ラス基板並びに液晶駆動用ＩＣと強固に密着し、高信頼
性の接続部を提供することが出来る。
又、ガラス基板上に形成された取出し電極の配線の少な
くとも表面層がＩＴＯよりなっており、寿命試験或いは
信頼性試験などで、配線の腐蝕や電食による断線は生ぜ
ず、高信頼性となる。
又、強固で高信頼性の接続部を提供することが出来るの
で、封止樹脂で覆うことが不要となり、低コストとなる
。
この発明による第２の実施例の電子装置は、異方性導電
膜の導電粒子であるニッケル粒子の硬度が電極及び金属
バンプの硬度よりも大きいので、金、半田などよりなる
金属バンプと配線・取出し電極のいずれに対しても良好
に接続され、低抵抗の電気的接続を得ることが出来る。
又、異方性導電膜の接着層はエポキシ系の熱硬化性樹脂
であり、ガラス基板並びに液晶駆動用ＩＣと強固に密着
し、高信頼性の接続部を提供することが出来る。
又、ガラス基板上に形成された取出し電極の配線が、主
にアルミニウムよりなっており、低抵抗の配線を提供す
ることが出来る。そして、ＴＰＴ（薄膜トランジスタ）
駆動の液晶表示装置に適用すると、高画質のものを得る
ことが出来る。
又、強固で高信頼性の接続部を提供することが出来るの
で、封止樹脂で覆うことが不要となり、低コストとなる
。
第３図はこの発明による第２の実施例に係る電子装置を
示す断面図、第４図は第２の実施例におけル金属バンプ
の高さによる配線電極との接続状態を示す断面図、第５
図及び第６図は従来の電子装置（液晶表示装置）の２例
を示す断面図である。
２２．４２・・・ガラス基板、２３．４３・・・配線電
極、２４．４４・・・液晶駆動用ＩＣ，２５・・・金バ
ンプ、２６．４６・・・異方性導電膜、２８．４８・・
・アルミニウム電極、３１．５１・・・接着層、３２．
５２・・・導電粒子、４５・・・金属バンプ。
出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ゛−−−、−一一′ （−一＼ど−−ノ 第６ｒｌ！Ｊ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に形成された電極に、ＩＣに設けた金属バ
    ンプが導電粒子を含む異方性導電膜を介しフェース・ダ
    ウン・ボンディング法により電気的に接続されてなる電
    子装置において、 上記導電粒子の硬度は上記電極及び上記金属バンプの硬
    度よりも小さいことを特徴とする電子装置。
  2. （２）基板上に形成された電極に、ＩＣに設けた金属バ
    ンプが導電粒子を含む異方性導電膜を介しフェース・ダ
    ウン・ボンディング法により電気的に接続されてなる電
    子装置において、 上記導電粒子の硬度は上記電極及び上記金属バンプの硬
    度よりも大きいことを特徴とする電子装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998033217A1 (en) * 1997-01-24 1998-07-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US6333554B1 (en) 1997-09-08 2001-12-25 Fujitsu Limited Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same
US8080447B2 (en) 2004-09-15 2011-12-20 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device including exposing a dicing line on a wafer
JP2017022306A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 株式会社豊田中央研究所 回路モジュール
CN111863650A (zh) * 2020-07-14 2020-10-30 南昌凯迅光电有限公司 一种改善led芯片外观的测试方法
WO2023103061A1 (zh) * 2021-12-09 2023-06-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008085227A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2010021594A (ja) * 2009-10-29 2010-01-28 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998033217A1 (en) * 1997-01-24 1998-07-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US6333554B1 (en) 1997-09-08 2001-12-25 Fujitsu Limited Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same
US6344690B1 (en) 1997-09-08 2002-02-05 Fujitsu Limited Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same
US6495441B2 (en) 1997-09-08 2002-12-17 Fujitsu Limited Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same
US6786385B1 (en) 1997-09-08 2004-09-07 Fujitsu Limited Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same
US8080447B2 (en) 2004-09-15 2011-12-20 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device including exposing a dicing line on a wafer
JP2017022306A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 株式会社豊田中央研究所 回路モジュール
CN111863650A (zh) * 2020-07-14 2020-10-30 南昌凯迅光电有限公司 一种改善led芯片外观的测试方法
WO2023103061A1 (zh) * 2021-12-09 2023-06-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

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