JPH04318955A - ダミーウェハー用ガラス基板 - Google Patents
ダミーウェハー用ガラス基板Info
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- JPH04318955A JPH04318955A JP3112563A JP11256391A JPH04318955A JP H04318955 A JPH04318955 A JP H04318955A JP 3112563 A JP3112563 A JP 3112563A JP 11256391 A JP11256391 A JP 11256391A JP H04318955 A JPH04318955 A JP H04318955A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス遮光膜な
らびにセラミックス表面保護膜を持つガラス基板に関す
るものである。
らびにセラミックス表面保護膜を持つガラス基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体集積回路の製造工程に
おいて、その回路パターンが正確に焼付けられるかどう
かを確認する必要があった。そのために、ガラスを基板
として作られたダミーウェハーと呼ばれるものが使用さ
れてきた。これはシリコンウェハーと同形状を持つ薄板
のガラス基板に金属クロム等の膜を成膜したものを露光
現像工程に通して集積回路の回路パターンを形成せしめ
たものである。これを用いて光学的方法による自動検査
装置により焼付られる回路パターンの正確さを焼付けに
先立ってあるいは必要に応じて焼付け工程中において検
査するのが一般的であった。
おいて、その回路パターンが正確に焼付けられるかどう
かを確認する必要があった。そのために、ガラスを基板
として作られたダミーウェハーと呼ばれるものが使用さ
れてきた。これはシリコンウェハーと同形状を持つ薄板
のガラス基板に金属クロム等の膜を成膜したものを露光
現像工程に通して集積回路の回路パターンを形成せしめ
たものである。これを用いて光学的方法による自動検査
装置により焼付られる回路パターンの正確さを焼付けに
先立ってあるいは必要に応じて焼付け工程中において検
査するのが一般的であった。
【０００３】しかしながらこの方法では上記ダミーウェ
ハーを製作するための処理工程が長いこと、ダミーウェ
ハーのガラス基板が繰り返し使用が出来ないことなどの
問題がある。これを解決するため、ガラスウェハー表面
に直接感光性レジストを塗布し、露光，現像を行なって
、残ったレジスト像によって焼付パターンを検査する方
法が開発されている（Ｕ．Ｓ．Ｐ．４，７５８，０９４
）。一方、ウェハー処理工程で使用されている自動装
置の多くは、ウェハーの位置検出のため赤外線を用いた
検出装置を装備しており、ダミーウェハーについても少
なくともその一部分が赤外線を遮蔽あるいは反射する機
能を持っている必要がある。
ハーを製作するための処理工程が長いこと、ダミーウェ
ハーのガラス基板が繰り返し使用が出来ないことなどの
問題がある。これを解決するため、ガラスウェハー表面
に直接感光性レジストを塗布し、露光，現像を行なって
、残ったレジスト像によって焼付パターンを検査する方
法が開発されている（Ｕ．Ｓ．Ｐ．４，７５８，０９４
）。一方、ウェハー処理工程で使用されている自動装
置の多くは、ウェハーの位置検出のため赤外線を用いた
検出装置を装備しており、ダミーウェハーについても少
なくともその一部分が赤外線を遮蔽あるいは反射する機
能を持っている必要がある。
【０００４】この解決のため、ダミーウェハーの縁辺周
辺部にリング状の金属膜を成膜したものが実用に供せら
れる様になった（前出Ｕ．Ｓ．Ｐ．）。このリング膜の
材料としては、クロムまたはアルミニウムなどの金属膜
、あるいは金属間化合物である珪化モリブデンが用いら
れてきた。
辺部にリング状の金属膜を成膜したものが実用に供せら
れる様になった（前出Ｕ．Ｓ．Ｐ．）。このリング膜の
材料としては、クロムまたはアルミニウムなどの金属膜
、あるいは金属間化合物である珪化モリブデンが用いら
れてきた。
【０００５】しかしながらアルミニウム、珪化モリブデ
ンなどは化学的耐久性に乏しく耐薬品性に劣るためダミ
ーウェハーの繰り返し使用に耐えないという欠点があり
、またクロムは半導体処理工程におけるシリコンウェハ
ーに対する汚染物質のひとつになるなどの問題を抱えて
いる。このような状況のもとにガラス基板との密着性と
化学的耐久性に優れ、耐擦傷性も兼ね備えた膜材料を縁
辺部周辺に成膜したダミーウェハーの出現が待たれてい
た。
ンなどは化学的耐久性に乏しく耐薬品性に劣るためダミ
ーウェハーの繰り返し使用に耐えないという欠点があり
、またクロムは半導体処理工程におけるシリコンウェハ
ーに対する汚染物質のひとつになるなどの問題を抱えて
いる。このような状況のもとにガラス基板との密着性と
化学的耐久性に優れ、耐擦傷性も兼ね備えた膜材料を縁
辺部周辺に成膜したダミーウェハーの出現が待たれてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の膜材料が有していた前述の欠点を解消しようとするも
のであり、化学的耐久性，機械的耐久性に優れた遮光膜
部を持つ、回路パターン検査用ダミーガラスウェハーを
提供するものである。
の膜材料が有していた前述の欠点を解消しようとするも
のであり、化学的耐久性，機械的耐久性に優れた遮光膜
部を持つ、回路パターン検査用ダミーガラスウェハーを
提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決すべくなされたものであり、ガラス基板の表面の一
部にセラミックスからなる遮光膜を設けてなることを特
徴とするダミーウェハー用ガラス基板を提供するもので
ある。
解決すべくなされたものであり、ガラス基板の表面の一
部にセラミックスからなる遮光膜を設けてなることを特
徴とするダミーウェハー用ガラス基板を提供するもので
ある。
【０００８】また本発明は、ガラス基板の表面の一部に
金属、金属酸化物またはセラミックスからなる遮光膜を
設け、さらに珪化ジルコニムウ酸化物の透明膜を少くと
も前記遮光膜を覆うように設けてなることを特徴とする
ダミーウェハー用ガラス基板を提供するものである。
金属、金属酸化物またはセラミックスからなる遮光膜を
設け、さらに珪化ジルコニムウ酸化物の透明膜を少くと
も前記遮光膜を覆うように設けてなることを特徴とする
ダミーウェハー用ガラス基板を提供するものである。
【０００９】薄板ガラスウェハーの表面に、スパッタリ
ング法あるいは蒸着法によりセラミックス材料、例えば
珪化ジルコニムウの薄膜を成膜せしめ、これにより位置
検出装置の赤外光を反射あるいは遮蔽させる機能を持た
せる。このままの状態でも、耐擦傷性，化学的耐久性に
十分優れた遮光膜として作用するが、更に苛酷な機械的
こすり洗浄や、化学薬品での処理にも耐えられることが
要求される場合、珪化ジルコニウム膜の表面に、珪化ジ
ルコニウム酸化物の透明膜を、保護膜として成膜する。
ング法あるいは蒸着法によりセラミックス材料、例えば
珪化ジルコニムウの薄膜を成膜せしめ、これにより位置
検出装置の赤外光を反射あるいは遮蔽させる機能を持た
せる。このままの状態でも、耐擦傷性，化学的耐久性に
十分優れた遮光膜として作用するが、更に苛酷な機械的
こすり洗浄や、化学薬品での処理にも耐えられることが
要求される場合、珪化ジルコニウム膜の表面に、珪化ジ
ルコニウム酸化物の透明膜を、保護膜として成膜する。
【００１０】珪化ジルコニウム酸化物の透明膜による保
護膜は、従来のクロム膜あるいはアルミニウム膜に対す
る保護膜としても耐擦傷性，耐薬品性に十分に優れた効
果を持つ。
護膜は、従来のクロム膜あるいはアルミニウム膜に対す
る保護膜としても耐擦傷性，耐薬品性に十分に優れた効
果を持つ。
【００１１】ガラス基板の表面の一部に遮光膜を設ける
には、スパッタ法により所望の箇所に成膜してもよいし
、また表面の全部に遮光膜を成膜してから所望の箇所以
外の遮光膜をエッチング等の方法により除去する方法を
採用してもよい。
には、スパッタ法により所望の箇所に成膜してもよいし
、また表面の全部に遮光膜を成膜してから所望の箇所以
外の遮光膜をエッチング等の方法により除去する方法を
採用してもよい。
【００１２】本発明のダミーウェハー用ガラス基板の表
面の遮光膜を除く部分に通常の方法によりレジストをコ
ートすることによりダミーウェハーのブランクが得られ
る。さらにリソグラフィー等の常法により該ブランクの
前記レジストに回路パターンを形成せしめることにより
集積回路パターン検査用ダミーウェハーを得ることがで
きる。
面の遮光膜を除く部分に通常の方法によりレジストをコ
ートすることによりダミーウェハーのブランクが得られ
る。さらにリソグラフィー等の常法により該ブランクの
前記レジストに回路パターンを形成せしめることにより
集積回路パターン検査用ダミーウェハーを得ることがで
きる。
【００１３】
【実施例】
［実施例１］直径５インチ、厚さ０．５５ｍｍの合成石
英ガラスからなる基板１の周辺部にスパッタ法で、厚さ
９００ÅのＺｒＳｉ２ 膜２を図１に示す様に１０ｍｍ
の巾で成膜しダミーウェハー試料Ａをつくった。図２は
断面図である。この膜の耐久性を調べるため、この試料
についてテーバー試験機による試験を行い、試験の前後
の透光度変化を測定した。結果を表１（テーバー試験前
後の膜の透光度変化）に示す。
英ガラスからなる基板１の周辺部にスパッタ法で、厚さ
９００ÅのＺｒＳｉ２ 膜２を図１に示す様に１０ｍｍ
の巾で成膜しダミーウェハー試料Ａをつくった。図２は
断面図である。この膜の耐久性を調べるため、この試料
についてテーバー試験機による試験を行い、試験の前後
の透光度変化を測定した。結果を表１（テーバー試験前
後の膜の透光度変化）に示す。
【００１４】また、上記の膜の化学的耐久性を調べるた
め、上記ダミーウェハー試料Ａを９０℃の１Ｎ−ＨＮＯ
３ 溶液、１Ｎ−ＨＣｌ溶液、５ｗｔ％ＫＯＨ溶液中に
１時間浸漬したのちテーバー試験機による試験を行い、
その試料について透光度を測定した。試料Ａからの透光
度の変化を表２（各種薬液に浸漬後のテーバー試験によ
る透光度変化）に示す。表１，表２に示すようにＺｒＳ
ｉ２ は従来技術であるＡｌ膜，Ｃｒ／ＣｒＯｘ 膜（
Ｃｒ膜の上にＣｒＯｘ 膜を成膜）に比べて高い化学的
耐久性と耐擦傷性を有している。
め、上記ダミーウェハー試料Ａを９０℃の１Ｎ−ＨＮＯ
３ 溶液、１Ｎ−ＨＣｌ溶液、５ｗｔ％ＫＯＨ溶液中に
１時間浸漬したのちテーバー試験機による試験を行い、
その試料について透光度を測定した。試料Ａからの透光
度の変化を表２（各種薬液に浸漬後のテーバー試験によ
る透光度変化）に示す。表１，表２に示すようにＺｒＳ
ｉ２ は従来技術であるＡｌ膜，Ｃｒ／ＣｒＯｘ 膜（
Ｃｒ膜の上にＣｒＯｘ 膜を成膜）に比べて高い化学的
耐久性と耐擦傷性を有している。
【００１５】［実施例２］実施例１と同じ方法により、
図３に示すように前記ガラス基板１の周辺部に厚さ９０
０ÅのＺｒＳｉ２ 膜２を成膜し、さらにその上に２０
０ÅのＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜３を成膜した２層構造膜を
有するダミーウェハーを作成した。表１，表２に示すよ
うに、ＺｒＳｉ２ 単層膜に比べても高い化学的耐久性
と耐擦傷性を示した。
図３に示すように前記ガラス基板１の周辺部に厚さ９０
０ÅのＺｒＳｉ２ 膜２を成膜し、さらにその上に２０
０ÅのＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜３を成膜した２層構造膜を
有するダミーウェハーを作成した。表１，表２に示すよ
うに、ＺｒＳｉ２ 単層膜に比べても高い化学的耐久性
と耐擦傷性を示した。
【００１６】［実施例３］実施例１と同様な方法により
、前記ガラス基板の周辺部に厚さ６００ÅのＣｒ膜を成
膜し、その上に３００ÅのＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜を成膜
した２層構造膜を有するダミーウェハーを作成した。ま
た同様にＣｒ膜とその上にＣｒＯｘ 膜とを成膜し、さ
らにその上に、ＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜を成膜した３層構
造膜を有するダミーウェハーを作成した。実施例１と同
様な方法により、化学的耐久性を調べた。その結果は、
表１，表２に示すようにＣｒ／ＣｒＯｘ 膜を成膜した
ものに比べて高い化学的耐久性と耐擦傷性を有している
。
、前記ガラス基板の周辺部に厚さ６００ÅのＣｒ膜を成
膜し、その上に３００ÅのＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜を成膜
した２層構造膜を有するダミーウェハーを作成した。ま
た同様にＣｒ膜とその上にＣｒＯｘ 膜とを成膜し、さ
らにその上に、ＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜を成膜した３層構
造膜を有するダミーウェハーを作成した。実施例１と同
様な方法により、化学的耐久性を調べた。その結果は、
表１，表２に示すようにＣｒ／ＣｒＯｘ 膜を成膜した
ものに比べて高い化学的耐久性と耐擦傷性を有している
。
【００１７】［比較例］実施例１と同様な方法で前記ガ
ラス基板の周辺部に膜厚９００ÅのＡｌ膜を成膜したダ
ミーウェハー、９００ÅのＣｒ膜とその上にＣｒＯｘ
膜とを成膜したダミーウェハーを作成した。実施例１と
同様な方法により膜の耐久性を調べた結果を表１，表２
に示した。
ラス基板の周辺部に膜厚９００ÅのＡｌ膜を成膜したダ
ミーウェハー、９００ÅのＣｒ膜とその上にＣｒＯｘ
膜とを成膜したダミーウェハーを作成した。実施例１と
同様な方法により膜の耐久性を調べた結果を表１，表２
に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】以上示したように、ＺｒＳｉ２ 遮光膜
はＣｒ系の膜に比べて高い化学的耐久性を有し、また機
械的擦傷にも強い膜であることから、ダミーウェハーの
遮光膜として使用された場合、各種薬品による処理や機
械的コスリ洗浄に対して充分耐える特性を発揮する。更
に、機械的な耐擦傷性が極めて高くまた化学的耐久性も
高い透明なＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜を保護コート用として
前記遮光膜の上に成膜する場合は、ＺｒＳｉ２ 膜のみ
ならず、従来のＣｒ膜やＡｌ膜による遮光膜に対しても
充分な機械的，化学的な耐久性を付与することが可能と
なる。
はＣｒ系の膜に比べて高い化学的耐久性を有し、また機
械的擦傷にも強い膜であることから、ダミーウェハーの
遮光膜として使用された場合、各種薬品による処理や機
械的コスリ洗浄に対して充分耐える特性を発揮する。更
に、機械的な耐擦傷性が極めて高くまた化学的耐久性も
高い透明なＺｒＳｉ２ Ｏｘ 膜を保護コート用として
前記遮光膜の上に成膜する場合は、ＺｒＳｉ２ 膜のみ
ならず、従来のＣｒ膜やＡｌ膜による遮光膜に対しても
充分な機械的，化学的な耐久性を付与することが可能と
なる。
【図１】本発明の遮光膜の設けられたダミーウェハー用
ガラス基板の実施例の正面図
ガラス基板の実施例の正面図
【図２】遮光膜のみを設けた本発明の一実施例の断面図
【図３】遮光膜の上に透明保護膜を設けた本発明の一実
施例の断面図
施例の断面図
１ ガラス基板
２ 遮光膜
３ 透明保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス基板の表面の一部にセラミックスか
らなる遮光膜を設けてなることを特徴とするダミーウェ
ハー用ガラス基板。 - 【請求項２】セラミックスからなる遮光膜が珪化ジルコ
ニウムからなることを特徴とする請求項１記載のダミー
ウェハー用ガラス基板。 - 【請求項３】ガラス基板の表面の一部に金属、金属酸化
物またはセラミックスからなる遮光膜を設け、さらに珪
化ジルコニウム酸化物の透明膜を少くとも前記遮光膜を
覆うように設けてなることを特徴とするダミーウェハー
用ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112563A JPH04318955A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | ダミーウェハー用ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112563A JPH04318955A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | ダミーウェハー用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318955A true JPH04318955A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=14589816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3112563A Withdrawn JPH04318955A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | ダミーウェハー用ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04318955A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462732B1 (ko) * | 1999-08-17 | 2004-12-20 | 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 | 더미 웨이퍼 및 더미 웨이퍼를 사용한 열처리 방법 |
| KR100469189B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2005-01-31 | 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 | 더미 웨이퍼 및 열 처리 방법 |
| US6967796B2 (en) | 1998-09-11 | 2005-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and optical system |
| US20120276689A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-11-01 | Joseph Eugene Canale | Glass Wafers for Semiconductor Fabrication Processes and Methods of Making Same |
| JP2022508112A (ja) * | 2018-11-14 | 2022-01-19 | サイバーオプティクス コーポレーション | 改良されたウエハー状センサ |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP3112563A patent/JPH04318955A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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