JPH0431204B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0431204B2 JPH0431204B2 JP59027312A JP2731284A JPH0431204B2 JP H0431204 B2 JPH0431204 B2 JP H0431204B2 JP 59027312 A JP59027312 A JP 59027312A JP 2731284 A JP2731284 A JP 2731284A JP H0431204 B2 JPH0431204 B2 JP H0431204B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- base
- voltage
- final stage
- stage transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/615—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
この発明は電力変換器等に利用される半導体ス
イツチ素子、特にバイポーラトランジスタのトラ
ンジスタ駆動制御回路に関する。
イツチ素子、特にバイポーラトランジスタのトラ
ンジスタ駆動制御回路に関する。
［従来技術とその問題点］
半導体スイツチ素子はオン電圧が低い程電力変
換器としての損失が小さくなつて有利であること
から、第１図に示すように、ダーリントン（多
重）の接続のトランジスタ１と２との内部に1V
程度の低い電圧源３を設けて、トランジスタ１の
オン電圧、すなわちコレクタ・エミツタ間電圧
VCEを例えば1.5Vから0.5Vのように数分の１にす
る方法が知られている。なお、トランジスタ１の
オンオフ指令信号は、トランジスタ２のベースに
入力される。
換器としての損失が小さくなつて有利であること
から、第１図に示すように、ダーリントン（多
重）の接続のトランジスタ１と２との内部に1V
程度の低い電圧源３を設けて、トランジスタ１の
オン電圧、すなわちコレクタ・エミツタ間電圧
VCEを例えば1.5Vから0.5Vのように数分の１にす
る方法が知られている。なお、トランジスタ１の
オンオフ指令信号は、トランジスタ２のベースに
入力される。
この場合の負荷特性例を第２図に示す。ここ
で、IBはトランジスタ１のベース電流、ICはトラ
ンジスタ１のコレクタ電流、VBEはトランジスタ
１のベース・エミツタ間電圧である。第２図から
わかるように、オン電圧VCEは軽負荷では十分低
い利点があるが、次のような問題点もある。
で、IBはトランジスタ１のベース電流、ICはトラ
ンジスタ１のコレクタ電流、VBEはトランジスタ
１のベース・エミツタ間電圧である。第２図から
わかるように、オン電圧VCEは軽負荷では十分低
い利点があるが、次のような問題点もある。
１ 従来のダーリントントランジスタの如くコレ
クタキヤツチヤダイオードを接続して必要なだ
けベース電流を流すのはむづかしいので、一定
の大きなベース電流を流すと、ベース駆動回路
の電力損失が問題となる。
クタキヤツチヤダイオードを接続して必要なだ
けベース電流を流すのはむづかしいので、一定
の大きなベース電流を流すと、ベース駆動回路
の電力損失が問題となる。
２ 低電圧源３の電圧値が高すぎると、軽負荷の
ときには、負荷電流ICのほとんど全部がトラン
ジスタ２に流れてこのトランジスタ２が過負荷
になることがある。
ときには、負荷電流ICのほとんど全部がトラン
ジスタ２に流れてこのトランジスタ２が過負荷
になることがある。
３ 以上の理由で特にトランジスタ１は軽負荷時
に特に深く飽和してしまうので、ターンオフが
非常に遅くなる。
に特に深く飽和してしまうので、ターンオフが
非常に遅くなる。
４ 低電圧源３に逆方向電流を流せない場合、ト
ランジスタの逆バイアス制御がむづかしい。
ランジスタの逆バイアス制御がむづかしい。
［発明の目的］
そこで、この発明は、上述したような欠点を除
去して、より高性能のトランジスタ駆動制御回路
を提供することを目的とする。
去して、より高性能のトランジスタ駆動制御回路
を提供することを目的とする。
［発明の要点］
かかる目的を達成するために、この発明では、
多重接続トランジスタの最終段のバイポーラトラ
ンジスタのベースと前段トランジスタのエミツタ
との間に低電圧の補償電源を設けて、前記最終段
トランジスタのオン電圧を低下させるようにした
多重接続形トランジスタ回路において、前記最終
段トランジスタのコレクタ・ベース間電圧を検出
し、その検出出力を前記前段トランジスタのベー
スに負帰還の形態で供給するようにしたことを特
徴とする。
多重接続トランジスタの最終段のバイポーラトラ
ンジスタのベースと前段トランジスタのエミツタ
との間に低電圧の補償電源を設けて、前記最終段
トランジスタのオン電圧を低下させるようにした
多重接続形トランジスタ回路において、前記最終
段トランジスタのコレクタ・ベース間電圧を検出
し、その検出出力を前記前段トランジスタのベー
スに負帰還の形態で供給するようにしたことを特
徴とする。
より具体的には、例えばダーリントン接続の最
終段のトランジスタのオン電圧VCEまたはコレク
タ・ベース間電圧VCBを高耐圧のブロツクダイオ
ードを介して検出し、これを演算増幅器で増幅し
て前段のトランジスタ等に入力して負帰還制御系
を作ることにより、例えば最終段トランジスタの
負荷電流ICが変化しても、一定の適正なコレク
タ・ベース間電圧VCBになるように自動制御し、
それにより適正なオン電圧VCEを得、必要最小限
のIBを流すようにする。
終段のトランジスタのオン電圧VCEまたはコレク
タ・ベース間電圧VCBを高耐圧のブロツクダイオ
ードを介して検出し、これを演算増幅器で増幅し
て前段のトランジスタ等に入力して負帰還制御系
を作ることにより、例えば最終段トランジスタの
負荷電流ICが変化しても、一定の適正なコレク
タ・ベース間電圧VCBになるように自動制御し、
それにより適正なオン電圧VCEを得、必要最小限
のIBを流すようにする。
これにより、ベース駆動電力を節約できると同
時に、最終段トランジスタのターンオフ時間を短
くすることができる。
時に、最終段トランジスタのターンオフ時間を短
くすることができる。
多重接続トランジスタの各々のターンオフ時間
をさらに効果的に短くするためには確実に逆バイ
アスを加える回路が必要であり、そのためには複
数の逆バイアス回路を多重接続トランジスタの
各々に対して設けることが有効である。
をさらに効果的に短くするためには確実に逆バイ
アスを加える回路が必要であり、そのためには複
数の逆バイアス回路を多重接続トランジスタの
各々に対して設けることが有効である。
［発明の実施例］
第３図はこの発明の一実施例を示すもので、最
終段トランジスタ１のコレクタ・ベース間電圧
VCBを、高耐圧のブロツクダイオード５を介して
検出し、これを差動増幅器４に供給する。この差
動増幅器４の出力を前段トランジスタ２のベース
に供給して帰還制御系を構成する。なお、トラン
ジスタ１のオンオフ指令信号は、トランジスタ２
のベースに入力される。
終段トランジスタ１のコレクタ・ベース間電圧
VCBを、高耐圧のブロツクダイオード５を介して
検出し、これを差動増幅器４に供給する。この差
動増幅器４の出力を前段トランジスタ２のベース
に供給して帰還制御系を構成する。なお、トラン
ジスタ１のオンオフ指令信号は、トランジスタ２
のベースに入力される。
このような構成において、差動増幅器４とブロ
ツクダイオード５の演算動作により、トランジス
タ１は、第４図に示す如く、一定のVCB（例えば、
VCB＝−0.5V）で動作するように帰還制御され、
それにより適正なオン電圧VCEが得られ、ベース
電流IBは必要最小限とすることができる。
ツクダイオード５の演算動作により、トランジス
タ１は、第４図に示す如く、一定のVCB（例えば、
VCB＝−0.5V）で動作するように帰還制御され、
それにより適正なオン電圧VCEが得られ、ベース
電流IBは必要最小限とすることができる。
これにより、ベース駆動電力を節約できると同
時に、最終段トランジスタ１のターンオフ時間を
短くすることができる。
時に、最終段トランジスタ１のターンオフ時間を
短くすることができる。
この発明において、多重接続トランジスタの
各々のターンオフ時間をさらに短縮するために
は、これらトランジスタに確実に逆バイアスを加
えることのできる構成とすることが必要である。
そのためには、例えば第５図の如き回路とする。
第５図では最終段トランジスタ１に逆バイアスを
加えるために、最終段トランジスタ１のベースと
エミツタとの間に逆バイアス電源６と逆バイアス
用の電界効果トランジスタスイツチ７との直列回
路を挿入し、前段トランジスタ２を逆バイアスす
るために、同様に、前段トランジスタ２のベース
とエミツタとの間に別の逆バイアス電源８と逆バ
イアス用の電界効果トランジスタスイツチ９との
直列回路を挿入する。ここで、逆バイアス用の電
界効果トランジスタスイツチ７および９を逆バイ
アス指令回路１０で制御するようにする。本例で
は前段トランジスタ２をより実用時に近いダーリ
ントン接続となし、トランジスタ２Ａと２Ｂおよ
び保護ダイオード１１により構成している。な
お、トランジスタ１のオンオフ指令信号は、トラ
ンジスタ２のベースおよび逆バイアス指令回路１
０に入力される。
各々のターンオフ時間をさらに短縮するために
は、これらトランジスタに確実に逆バイアスを加
えることのできる構成とすることが必要である。
そのためには、例えば第５図の如き回路とする。
第５図では最終段トランジスタ１に逆バイアスを
加えるために、最終段トランジスタ１のベースと
エミツタとの間に逆バイアス電源６と逆バイアス
用の電界効果トランジスタスイツチ７との直列回
路を挿入し、前段トランジスタ２を逆バイアスす
るために、同様に、前段トランジスタ２のベース
とエミツタとの間に別の逆バイアス電源８と逆バ
イアス用の電界効果トランジスタスイツチ９との
直列回路を挿入する。ここで、逆バイアス用の電
界効果トランジスタスイツチ７および９を逆バイ
アス指令回路１０で制御するようにする。本例で
は前段トランジスタ２をより実用時に近いダーリ
ントン接続となし、トランジスタ２Ａと２Ｂおよ
び保護ダイオード１１により構成している。な
お、トランジスタ１のオンオフ指令信号は、トラ
ンジスタ２のベースおよび逆バイアス指令回路１
０に入力される。
なお、本例における最終段以外のトランジスタ
の構成は図示のダーリントン接続に限られるもの
ではなく、任意所望の形態とすることができ、ま
た、バイポーラのみでなく電界効果トランジスタ
またはそれらの複合素子でもよい。
の構成は図示のダーリントン接続に限られるもの
ではなく、任意所望の形態とすることができ、ま
た、バイポーラのみでなく電界効果トランジスタ
またはそれらの複合素子でもよい。
［発明の効果］
この発明によれば、電圧補償されたダーリント
ン接続などの多重接続形トランジスタ回路におい
て、次のような諸効果を発揮することができる。
ン接続などの多重接続形トランジスタ回路におい
て、次のような諸効果を発揮することができる。
(1) 最終段トランジスタのコレクタ・ベース間電
圧VCBが一定になるように帰還制御する回路を
付加したことにより、必要なだけのベース電流
しか最終段トランジスタに流れず、以て省電力
を実現できる。
圧VCBが一定になるように帰還制御する回路を
付加したことにより、必要なだけのベース電流
しか最終段トランジスタに流れず、以て省電力
を実現できる。
(2) 同様の作用で、軽負荷時に最前段トランジス
タが過負荷になる心配は全くない。
タが過負荷になる心配は全くない。
(3) 同様の作用で、最終段トランジスタおよび前
段トランジスタ共に深く飽和することはなく、
臨界飽和領域で使用されるので、ターンオフが
速くなる。
段トランジスタ共に深く飽和することはなく、
臨界飽和領域で使用されるので、ターンオフが
速くなる。
(4) 逆バイアス電圧源とその電圧印加制御用スイ
ツチを多重接続トランジスタの個数に対応して
複数個用意することにより、これら多重接続ト
ランジスタの各々に対して確実に逆バイアスを
加えることができる。
ツチを多重接続トランジスタの個数に対応して
複数個用意することにより、これら多重接続ト
ランジスタの各々に対して確実に逆バイアスを
加えることができる。
第１図は従来のオン電圧補償形ダーリントン接
続トランジスタの構成例を示す回路図、第２図は
第１図の動作特性例を示す説明図、第３図はこの
発明の回路構成例を示す回路図、第４図はこの発
明の動作特性例を示す説明図、第５図はこの発明
の他の実施例を示す回路図である。 １…最終段トランジスタ、２…前段トランジス
タ、３…補償用低電圧源、４…差動増幅器、５…
高耐圧ブロツクダイオード、６，８…逆バイアス
電源、７，９…逆バイアス用スイツチ、１０…逆
バイアス指令回路。
続トランジスタの構成例を示す回路図、第２図は
第１図の動作特性例を示す説明図、第３図はこの
発明の回路構成例を示す回路図、第４図はこの発
明の動作特性例を示す説明図、第５図はこの発明
の他の実施例を示す回路図である。 １…最終段トランジスタ、２…前段トランジス
タ、３…補償用低電圧源、４…差動増幅器、５…
高耐圧ブロツクダイオード、６，８…逆バイアス
電源、７，９…逆バイアス用スイツチ、１０…逆
バイアス指令回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多重接続トランジスタの最終段のバイポーラ
トランジスタのベースと前段トランジスタのエミ
ツタとの間に低電圧の補償電源を設けて、前記最
終段トランジスタのオン電圧を低下させるように
した多重接続形トランジスタ回路において、前記
最終段トランジスタのコレクタ・ベース間電圧を
検出し、その検出出力を前記前段トランジスタの
ベースに負帰還の形態で供給するようにしたこと
を特徴とするトランジスタ駆動制御回路。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のトランジスタ駆
動制御回路において、前記最終段トランジスタの
コレクタ電圧をブロツクダイオードを介して検出
し、その検出出力と前記最終段トランジスタのベ
ース電圧とを差動増幅器に供給し、その差動増幅
出力を前記前段トランジスタのベースに供給する
ようにしたことを特徴とするトランジスタ駆動制
御回路。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載のト
ランジスタ駆動制御回路において、前記多重接続
されたトランジスタの各ベースに、それぞれ逆バ
イアス電源および該逆バイアス電源の電圧印加を
それぞれ制御するスイツチング手段を接続したこ
とを特徴とするトランジスタ駆動制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027312A JPS60172816A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | トランジスタ駆動制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027312A JPS60172816A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | トランジスタ駆動制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60172816A JPS60172816A (ja) | 1985-09-06 |
| JPH0431204B2 true JPH0431204B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=12217565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027312A Granted JPS60172816A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | トランジスタ駆動制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60172816A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036218A (en) * | 1990-03-21 | 1991-07-30 | International Business Machines Corporation | Antisaturation circuit |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59027312A patent/JPS60172816A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60172816A (ja) | 1985-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6395734A (ja) | 高安定性と低レスト電流を有する論理インターフェイス回路 | |
| US4833424A (en) | Linear amplifier with transient current boost | |
| US4636713A (en) | Monolithically integratable control circuit for switching inductive loads comprising a Darlington-type final stage | |
| US3544808A (en) | High speed saturation mode switching circuit for a capacitive load | |
| US4369380A (en) | Circuit for controlling a transistor static switch for d.c. loads with high turn-on current | |
| US4847515A (en) | Static relay and application thereof to a bipolar inverter or to a load in which a current flows in a random direction | |
| JPH0431204B2 (ja) | ||
| US4672235A (en) | Bipolar power transistor | |
| JPS5718107A (en) | Amplifying circuit | |
| US3978350A (en) | Dual mode solid state power switch | |
| JPH0249051B2 (ja) | ||
| GB1098685A (en) | Electronic circuit | |
| JPS6072405A (ja) | 線形増幅器出力段回路 | |
| JPH07263982A (ja) | インターフェイス回路 | |
| JPS61114609A (ja) | 広範囲増幅器回路 | |
| JPS6269718A (ja) | モノリシツク集積化制御回路 | |
| JPH0210661Y2 (ja) | ||
| JPH027534B2 (ja) | ||
| SU1508339A1 (ru) | Мостовой усилитель | |
| US4763016A (en) | Feedback control device for switching off a transistor | |
| SU1146791A1 (ru) | Усилитель мощности | |
| US20030016061A1 (en) | Differential pair with high output signal crossover | |
| US6650183B2 (en) | Amplifier apparatus for an output stage of a laser driver circuit | |
| SU1202025A1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
| KR940007878B1 (ko) | 증폭기 차단회로 |