JPH04311922A - 液晶電気光学素子の駆動方法 - Google Patents
液晶電気光学素子の駆動方法Info
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- JPH04311922A JPH04311922A JP7923991A JP7923991A JPH04311922A JP H04311922 A JPH04311922 A JP H04311922A JP 7923991 A JP7923991 A JP 7923991A JP 7923991 A JP7923991 A JP 7923991A JP H04311922 A JPH04311922 A JP H04311922A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示体、ライトバルブ
等の駆動方法に関し、詳しくは液晶物質を用いた表示体
の駆動方法に関する。
等の駆動方法に関し、詳しくは液晶物質を用いた表示体
の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反強誘電性液晶の反強誘電相における安
定状態と電場誘起強誘電相の二つの配向状態との間の、
いわゆる三安定スイッチングは、従来の表面安定化強誘
電性液晶素子（ＳＳＦＬＣ） に見られる幾つかの本質
的な問題点を解決する方法の一つとして期待され、活発
に研究が進められている（Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎ
ｉ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
，２７， Ｌ７２９（１９８８）， Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃ
ｈａｎｄａｎｉ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐ
ｐｌ． Ｐｈｙｓ．，２８，Ｌ１２６５（１９８８）
等参照）三安定スイッチングの主な特徴は次の４点であ
る。
定状態と電場誘起強誘電相の二つの配向状態との間の、
いわゆる三安定スイッチングは、従来の表面安定化強誘
電性液晶素子（ＳＳＦＬＣ） に見られる幾つかの本質
的な問題点を解決する方法の一つとして期待され、活発
に研究が進められている（Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎ
ｉ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
，２７， Ｌ７２９（１９８８）， Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃ
ｈａｎｄａｎｉ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐ
ｐｌ． Ｐｈｙｓ．，２８，Ｌ１２６５（１９８８）
等参照）三安定スイッチングの主な特徴は次の４点であ
る。
【０００３】（１） 電圧印加による反強誘電−強誘電
相転移には、直流電圧に対する急峻なしきい値特性があ
る（図７）。
相転移には、直流電圧に対する急峻なしきい値特性があ
る（図７）。
【０００４】（２） その相転移に幅の広い光学的ヒス
テリシスを持つため、反強誘電相あるいは強誘電相を選
択した後に維持電圧ＶＨ を印加しておけば、その状態
を維持することができる。
テリシスを持つため、反強誘電相あるいは強誘電相を選
択した後に維持電圧ＶＨ を印加しておけば、その状態
を維持することができる。
【０００５】（３） 強誘電相における二つの配向状態
を光学的に等価にすることができる。
を光学的に等価にすることができる。
【０００６】（４） 液晶層内の電荷の偏りを防ぐこと
ができるため、ＳＳＦＬＣに見られるような電気光学特
性の経時変化がない。
ができるため、ＳＳＦＬＣに見られるような電気光学特
性の経時変化がない。
【０００７】これらの特徴を用いれば、単純マトリクス
駆動による高精細液晶表示体を作成することができる。 なお、本出願では電場誘起強誘電相における二つの配向
状態を区別するため、それらを強誘電相（＋）、強誘電
相（−）と呼ぶことにする。
駆動による高精細液晶表示体を作成することができる。 なお、本出願では電場誘起強誘電相における二つの配向
状態を区別するため、それらを強誘電相（＋）、強誘電
相（−）と呼ぶことにする。
【０００８】これまでに知られている駆動方法の例とし
ては、図８に示した方法が特開平２−１７３７２４に開
示されている。図８（ａ）のＶｔ とＶｄは、それぞれ
走査電極と信号電極に印加する電圧波形、図８（ｂ）は
それらの合成波形であり、この合成電圧波形が液晶層へ
印加される。１フレームは〔Ｓ〕と〔ＮＳ〕で示した選
択期間と非選択期間から成り、選択期間〔Ｓ〕は、〔Ｒ
〕と〔Ｗ〕で示したリセット期間と書き込み期間から成
っている。
ては、図８に示した方法が特開平２−１７３７２４に開
示されている。図８（ａ）のＶｔ とＶｄは、それぞれ
走査電極と信号電極に印加する電圧波形、図８（ｂ）は
それらの合成波形であり、この合成電圧波形が液晶層へ
印加される。１フレームは〔Ｓ〕と〔ＮＳ〕で示した選
択期間と非選択期間から成り、選択期間〔Ｓ〕は、〔Ｒ
〕と〔Ｗ〕で示したリセット期間と書き込み期間から成
っている。
【０００９】この駆動方法では、リセット期間には液晶
層へ０ボルトを印加することによってＯＦＦ状態へリセ
ットする。そして、ＯＮ状態を選択する場合は、書き込
み期間の後半にＶ（Ａ−Ｆ）ｓよりも大きい電圧を印加
してＯＮ状態へスイッチした後、単極性の維持電圧波形
（Ｖ０−Ｖ２〜Ｖ０＋Ｖ２）を印加して、ＯＮ状態（強
誘電相）を維持する。また、ＯＦＦ状態を選択する場合
には、書き込み期間の後半にＶ（Ａ−Ｆ）ｔ以下の電圧
を印加した後、単極性の維持電圧波形を印加して、ＯＦ
Ｆ状態（反強誘電相）を維持する。
層へ０ボルトを印加することによってＯＦＦ状態へリセ
ットする。そして、ＯＮ状態を選択する場合は、書き込
み期間の後半にＶ（Ａ−Ｆ）ｓよりも大きい電圧を印加
してＯＮ状態へスイッチした後、単極性の維持電圧波形
（Ｖ０−Ｖ２〜Ｖ０＋Ｖ２）を印加して、ＯＮ状態（強
誘電相）を維持する。また、ＯＦＦ状態を選択する場合
には、書き込み期間の後半にＶ（Ａ−Ｆ）ｔ以下の電圧
を印加した後、単極性の維持電圧波形を印加して、ＯＦ
Ｆ状態（反強誘電相）を維持する。
【００１０】この駆動方法による表示原理を、図９を用
いて説明する。反強誘電相での光軸ＯＡはスメクチック
層３４と直交している。この液晶層を図９（ｂ）のよう
に液晶配向膜３１０と透明電極３７が設けられた二枚の
ガラス基板３８で挟み、さらに、偏光軸３９が光軸ＯＡ
と平行又は垂直にセットされた偏光板３５と、その偏
光板と直交している検光板３６とで挟めば、光透過率は
０（ＯＦＦ状態）となる。ここで、Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ以下
の電圧を印加しても光透過率の変化はわずかであり、Ｏ
ＦＦ状態を維持することができる。一方、絶対値がＶ（
Ａ−Ｆ）ｓ以上の正極性電圧を印加すれば、反強誘電相
から強誘電相（＋） へ相転移する。この時の液晶分子
配向方向（光軸）をＯＦ（＋） 、自発分極をＰｓ（＋
） とする。また、絶対値がＶ（Ａ−Ｆ）ｓ以上の負極
性電圧を印加すれば、光軸がＯＦ（−）で自発分極がＰ
ｓ（−）であるもう一方の強誘電相（−） へ相転移す
る。 ＯＦ（＋）、ＯＦ（−）と偏光軸のなす角度をそれぞれ
θ（＋）、θ（−） とすれば、それらは０ではないた
め光が透過し、ＯＮ状態となる。そして、維持電圧ＶＨ
を印加している限りその状態を維持することができる
。さらに、θ（＋）とθ（−）は互いに等しく、二つの
強誘電相（＋）と（−）の光透過率は互いに等しいため
、両者は光学的には等価である。したがって、ＯＮ状態
を選択するためには、光軸がＯＦ（＋）またはＯＦ（−
）のいずれか一方の強誘電相を選択すればよい。
いて説明する。反強誘電相での光軸ＯＡはスメクチック
層３４と直交している。この液晶層を図９（ｂ）のよう
に液晶配向膜３１０と透明電極３７が設けられた二枚の
ガラス基板３８で挟み、さらに、偏光軸３９が光軸ＯＡ
と平行又は垂直にセットされた偏光板３５と、その偏
光板と直交している検光板３６とで挟めば、光透過率は
０（ＯＦＦ状態）となる。ここで、Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ以下
の電圧を印加しても光透過率の変化はわずかであり、Ｏ
ＦＦ状態を維持することができる。一方、絶対値がＶ（
Ａ−Ｆ）ｓ以上の正極性電圧を印加すれば、反強誘電相
から強誘電相（＋） へ相転移する。この時の液晶分子
配向方向（光軸）をＯＦ（＋） 、自発分極をＰｓ（＋
） とする。また、絶対値がＶ（Ａ−Ｆ）ｓ以上の負極
性電圧を印加すれば、光軸がＯＦ（−）で自発分極がＰ
ｓ（−）であるもう一方の強誘電相（−） へ相転移す
る。 ＯＦ（＋）、ＯＦ（−）と偏光軸のなす角度をそれぞれ
θ（＋）、θ（−） とすれば、それらは０ではないた
め光が透過し、ＯＮ状態となる。そして、維持電圧ＶＨ
を印加している限りその状態を維持することができる
。さらに、θ（＋）とθ（−）は互いに等しく、二つの
強誘電相（＋）と（−）の光透過率は互いに等しいため
、両者は光学的には等価である。したがって、ＯＮ状態
を選択するためには、光軸がＯＦ（＋）またはＯＦ（−
）のいずれか一方の強誘電相を選択すればよい。
【００１１】ところが、強誘電相を維持するためには、
維持電圧を印加し続けなければならない。もし、一方極
性の電圧を印加し続けると、液晶層内の不純物イオンが
液晶層と配向膜との界面に掃き寄せられて、液晶の電気
光学特性に悪影響を及ぼす。したがって、外部印加電圧
の極性の偏りによる電気光学特性の経時変化を防ぐため
には、単位時間内の電圧の時間平均値を０にしなければ
ならない。そこで、この駆動方法では、データ電圧波形
を交流として、さらに、１フレーム内においては交流で
はない書き込み電圧波形と維持電圧波形の極性を、１フ
レーム毎に反転することによって、単位時間内での電圧
の時間平均値が零となるようにしている。
維持電圧を印加し続けなければならない。もし、一方極
性の電圧を印加し続けると、液晶層内の不純物イオンが
液晶層と配向膜との界面に掃き寄せられて、液晶の電気
光学特性に悪影響を及ぼす。したがって、外部印加電圧
の極性の偏りによる電気光学特性の経時変化を防ぐため
には、単位時間内の電圧の時間平均値を０にしなければ
ならない。そこで、この駆動方法では、データ電圧波形
を交流として、さらに、１フレーム内においては交流で
はない書き込み電圧波形と維持電圧波形の極性を、１フ
レーム毎に反転することによって、単位時間内での電圧
の時間平均値が零となるようにしている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の駆動方
法は以下に述べるような二つの課題を持っている。
法は以下に述べるような二つの課題を持っている。
【００１３】図８（ｂ） 第２フレームの電圧波形は、
ＯＦＦ状態を選択する場合に液晶層へ印加される電圧波
形である。既に説明したように、絶対値がしきい値以下
の電圧ＶＮＳ＝−（Ｖ０＋Ｖ１）＋Ｖ２ を書き込み期
間の最後に印加し、その直後にＶＮＳよりも小さい維持
電圧を印加する。このような駆動方法で高いコントラス
ト比を得ることは困難である。その理由を、図３を用い
て説明する。
ＯＦＦ状態を選択する場合に液晶層へ印加される電圧波
形である。既に説明したように、絶対値がしきい値以下
の電圧ＶＮＳ＝−（Ｖ０＋Ｖ１）＋Ｖ２ を書き込み期
間の最後に印加し、その直後にＶＮＳよりも小さい維持
電圧を印加する。このような駆動方法で高いコントラス
ト比を得ることは困難である。その理由を、図３を用い
て説明する。
【００１４】簡単のために維持電圧を一定値ＶＨとし、
ＶＮＳ を印加した時の光透過率をＩＮＳで表し、その
直後にＶＨを印加したときの光透過率をＩＨで表すこと
にする。図３の破線で描かれたループＣは、印加電圧の
最大値をＶＮＳとしたときのヒステリシス特性を示して
いる。 この図からわかるように、電圧をしきい値よりも低いＶ
ＮＳから下げて行くときにも、光透過率は矢印のように
変化して、ヒステリシス特性を示す。したがって、電圧
ＶＮＳを印加した直後に維持電圧ＶＨ を印加したとき
の光透過率ＩＨ は図示したようになる。コントラスト
比はＩＨ に反比例するため、ＩＨ を十分小さくする
ことができない従来の駆動方法では、高いコントラスト
比を得ることは困難である。
ＶＮＳ を印加した時の光透過率をＩＮＳで表し、その
直後にＶＨを印加したときの光透過率をＩＨで表すこと
にする。図３の破線で描かれたループＣは、印加電圧の
最大値をＶＮＳとしたときのヒステリシス特性を示して
いる。 この図からわかるように、電圧をしきい値よりも低いＶ
ＮＳから下げて行くときにも、光透過率は矢印のように
変化して、ヒステリシス特性を示す。したがって、電圧
ＶＮＳを印加した直後に維持電圧ＶＨ を印加したとき
の光透過率ＩＨ は図示したようになる。コントラスト
比はＩＨ に反比例するため、ＩＨ を十分小さくする
ことができない従来の駆動方法では、高いコントラスト
比を得ることは困難である。
【００１５】二つめの課題は、一般的に、強誘電相から
反強誘電相への相転移の緩和速度が逆方向の相転移の緩
和速度と比較して遅いため、リセット期間を長くしなけ
ればならず、画面走査に時間がかかる、ということであ
る。
反強誘電相への相転移の緩和速度が逆方向の相転移の緩
和速度と比較して遅いため、リセット期間を長くしなけ
ればならず、画面走査に時間がかかる、ということであ
る。
【００１６】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、その目的とするところは、三安定スイッチングの
特長を十分に生かして、高いコントラスト比と高い光透
過率を得ることができ、さらに電荷の偏りを防ぐことが
できるマルチプレックス駆動方法を提供するところにあ
る。
あり、その目的とするところは、三安定スイッチングの
特長を十分に生かして、高いコントラスト比と高い光透
過率を得ることができ、さらに電荷の偏りを防ぐことが
できるマルチプレックス駆動方法を提供するところにあ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶電気光学素
子の駆動方法は、走査電極を有する基板と信号電極を有
する基板の電極面を対向させた基板間に反強誘電性液晶
が挟持され、反強誘電相から強誘電相へ電場誘起相転移
させる時のしきい値と飽和値をそれぞれＶ（Ａ−Ｆ）ｔ
とＶ（Ａ−Ｆ）ｓ 、また、強誘電相から反強誘電相
へ戻る時のしきい値をＶ（Ｆ−Ａ）ｔとすれば、Ｖ（Ａ
−Ｆ）ｔ ＞Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔであるような液晶電気光学
素子の駆動方法において、非選択期間の最後にリセット
期間を設定し、前記走査電極へは、リセット電圧波形・
書き込み電圧波形および維持電圧波形を前記リセット期
間・書き込み期間（選択期間）および前記非選択期間に
それぞれ印加し、前記信号電極へはデータ電圧波形を前
記書き込み期間に印加することによって駆動する液晶電
気光学素子の駆動方法であり、 Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ 以下
の電圧を印加した時の反強誘電相状態をＯＦＦ状態、Ｖ
（Ａ−Ｆ）ｔ よりも大きい電圧を印加した状態をＯＮ
状態とすれば、ａ）前記リセット電圧波形と前記データ
電圧波形を合成した電圧波形は、前記書き込み期間で選
択された状態がＯＦＦ状態ならばその状態を維持し、Ｏ
Ｎ状態ならばＯＦＦ状態にリセットすることができるよ
うな電圧波形であり、ｂ）前記維持電圧波形の波高値Ｖ
Ｈは下記の（１）式を満足し、
｜Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔ｜＜｜ＶＨ｜＜｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜
（１） ｃ）前記書き込み電圧波形と前記データ電圧波形は
、いずれも少なくとも２個以上の電圧パルスからなり、
前記書き込み期間に液晶層へ印加される電圧パルスのう
ち、最後から二番目の電圧パルスによってＯＮ状態また
はＯＦＦ状態を選択し、最後から二番目の書き込み電圧
パルスとデータ電圧パルスの波高値をそれぞれＶＳ１、
ＶＤ１とすれば、ＶＤ１は−Ｖ２からＶ２の間で可変で
あり、Ｖ２は下記の（２）式と（３）式を同時に満足し
、 ｜ＶＳ１＋Ｖ２｜≧｜Ｖ（
Ａ−Ｆ）ｓ｜
（２） ｜
ＶＳ１−Ｖ２｜≦｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜
（３） ｄ）一番最後の書き込み電圧パルスと一番最後のデ
ータ電圧パルスの波高値をそれぞれＶＳ２、ＶＤ２とす
れば、ＶＤ２＝−ＶＤ１であり、さらに、ＯＦＦ状態を
選択する時には下記の（４） 式を満足し、 ｜ＶＳ２−Ｖ２｜＜｜ＶＨ｜
（４） ｅ）前記リセット期間と前記選択期間の長さを、液
晶電気光学素子の環境温度に応じて変化させることを特
徴とし、さらに、次の２項目のうち何れかに該当するこ
とを特徴とする液晶電気光学素子の駆動方法。
子の駆動方法は、走査電極を有する基板と信号電極を有
する基板の電極面を対向させた基板間に反強誘電性液晶
が挟持され、反強誘電相から強誘電相へ電場誘起相転移
させる時のしきい値と飽和値をそれぞれＶ（Ａ−Ｆ）ｔ
とＶ（Ａ−Ｆ）ｓ 、また、強誘電相から反強誘電相
へ戻る時のしきい値をＶ（Ｆ−Ａ）ｔとすれば、Ｖ（Ａ
−Ｆ）ｔ ＞Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔであるような液晶電気光学
素子の駆動方法において、非選択期間の最後にリセット
期間を設定し、前記走査電極へは、リセット電圧波形・
書き込み電圧波形および維持電圧波形を前記リセット期
間・書き込み期間（選択期間）および前記非選択期間に
それぞれ印加し、前記信号電極へはデータ電圧波形を前
記書き込み期間に印加することによって駆動する液晶電
気光学素子の駆動方法であり、 Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ 以下
の電圧を印加した時の反強誘電相状態をＯＦＦ状態、Ｖ
（Ａ−Ｆ）ｔ よりも大きい電圧を印加した状態をＯＮ
状態とすれば、ａ）前記リセット電圧波形と前記データ
電圧波形を合成した電圧波形は、前記書き込み期間で選
択された状態がＯＦＦ状態ならばその状態を維持し、Ｏ
Ｎ状態ならばＯＦＦ状態にリセットすることができるよ
うな電圧波形であり、ｂ）前記維持電圧波形の波高値Ｖ
Ｈは下記の（１）式を満足し、
｜Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔ｜＜｜ＶＨ｜＜｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜
（１） ｃ）前記書き込み電圧波形と前記データ電圧波形は
、いずれも少なくとも２個以上の電圧パルスからなり、
前記書き込み期間に液晶層へ印加される電圧パルスのう
ち、最後から二番目の電圧パルスによってＯＮ状態また
はＯＦＦ状態を選択し、最後から二番目の書き込み電圧
パルスとデータ電圧パルスの波高値をそれぞれＶＳ１、
ＶＤ１とすれば、ＶＤ１は−Ｖ２からＶ２の間で可変で
あり、Ｖ２は下記の（２）式と（３）式を同時に満足し
、 ｜ＶＳ１＋Ｖ２｜≧｜Ｖ（
Ａ−Ｆ）ｓ｜
（２） ｜
ＶＳ１−Ｖ２｜≦｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜
（３） ｄ）一番最後の書き込み電圧パルスと一番最後のデ
ータ電圧パルスの波高値をそれぞれＶＳ２、ＶＤ２とす
れば、ＶＤ２＝−ＶＤ１であり、さらに、ＯＦＦ状態を
選択する時には下記の（４） 式を満足し、 ｜ＶＳ２−Ｖ２｜＜｜ＶＨ｜
（４） ｅ）前記リセット期間と前記選択期間の長さを、液
晶電気光学素子の環境温度に応じて変化させることを特
徴とし、さらに、次の２項目のうち何れかに該当するこ
とを特徴とする液晶電気光学素子の駆動方法。
【００１８】（１）前記書き込み電圧波形の時間平均値
（波高値と印加時間との積の総和）をＶＡとすれば、時
間平均値が−ＶＡであるような補償電圧波形を走査電極
へ印加し、さらに前記維持電圧波形を交流とすることに
よって、１フレーム内（一度書き込まれてから次に書き
込まれるまでの期間）に印加される電圧の時間平均値を
零とする。
（波高値と印加時間との積の総和）をＶＡとすれば、時
間平均値が−ＶＡであるような補償電圧波形を走査電極
へ印加し、さらに前記維持電圧波形を交流とすることに
よって、１フレーム内（一度書き込まれてから次に書き
込まれるまでの期間）に印加される電圧の時間平均値を
零とする。
【００１９】（２）前記リセット電圧波形・書き込み電
圧波形・維持電圧波形・データ電圧波形の極性を一定周
期毎に反転させることによって、単位時間内に印加され
る電圧の時間平均値を零とする。
圧波形・維持電圧波形・データ電圧波形の極性を一定周
期毎に反転させることによって、単位時間内に印加され
る電圧の時間平均値を零とする。
【００２０】
【実施例】（実施例１）図９（ｂ）に示したように、ガ
ラス基板上に透明電極（ＩＴＯ）を形成し、さらにその
上に液晶配向膜（ポリイミド）を形成する。上下基板に
形成した透明電極は、それぞれ走査電極と信号電極に相
当する。そして、液晶配向膜をラビング処理する。この
ような２枚の基板間に液晶材料４−（１−ｍｅｔｈｙｌ
ｈｅｐｔｙｌｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ−
４’−ｏｃｔｙｌｏｘｙｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｃａｒ
ｂｏｘｙｌａｔｅ（ＭＨＰＯＢＣ）を封入し、環境温度
を反強誘電性カイラルスメクティックＣ相の温度範囲に
保持したものを試料として用いた。液晶層厚は１．７μ
ｍである。この試料を２枚の直交する偏光板で挟み、一
方の偏光板の偏光軸をスメクチック層面と直交させた。 ７０℃における光透過率のヒステリシス特性を図７に示
す。Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ＝１４〔ｖ〕、Ｖ（Ａ−Ｆ）ｓ＝２
０〔ｖ〕、Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔ＝６〔ｖ〕である。
ラス基板上に透明電極（ＩＴＯ）を形成し、さらにその
上に液晶配向膜（ポリイミド）を形成する。上下基板に
形成した透明電極は、それぞれ走査電極と信号電極に相
当する。そして、液晶配向膜をラビング処理する。この
ような２枚の基板間に液晶材料４−（１−ｍｅｔｈｙｌ
ｈｅｐｔｙｌｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ−
４’−ｏｃｔｙｌｏｘｙｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｃａｒ
ｂｏｘｙｌａｔｅ（ＭＨＰＯＢＣ）を封入し、環境温度
を反強誘電性カイラルスメクティックＣ相の温度範囲に
保持したものを試料として用いた。液晶層厚は１．７μ
ｍである。この試料を２枚の直交する偏光板で挟み、一
方の偏光板の偏光軸をスメクチック層面と直交させた。 ７０℃における光透過率のヒステリシス特性を図７に示
す。Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ＝１４〔ｖ〕、Ｖ（Ａ−Ｆ）ｓ＝２
０〔ｖ〕、Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔ＝６〔ｖ〕である。
【００２１】本発明による駆動電圧波形を図１に示す。
図１（ａ）は走査電圧波形、図１（ｂ）のＶｄ（ＯＦＦ
）、Ｖｄ（ＯＮ）はそれぞれ反強誘電相（ＯＦＦ状態）
と強誘電相（ＯＮ状態）を選択するためのデータ電圧波
形である。図２の上段は液晶層へ印加される電圧波形で
あり、走査電圧波形とデータ電圧波形の合成波形である
。そして、図２の下段はそれに対する液晶の電気光学応
答である。リセット電圧はＶＳＥ＝０〔ｖ〕、データ電
圧は｜ＶＤ１｜＝｜ＶＤ２｜＝３〔ｖ〕とし、選択期間
の最後から二番目の書き込み電圧パルスの波高値はＶＳ
１＝１７〔ｖ〕、最後の書き込み電圧パルスの波高値は
ＶＳ２＝−４〔ｖ〕とした。維持電圧波形としては、負
極性から始まる±９〔ｖ〕の交流電圧パルスとした。ま
た、補償電圧波形としては、パルス幅と波高値がそれぞ
れＰＷ２とＶＣ＝−（ＶＳ１＋ＶＳ２＋ＶＳＥ）＝−１
３〔ｖ〕の電圧パルスを、リセット期間の最初に印加す
ることにした。駆動デューティ比とパルス幅ＰＷ１、Ｐ
Ｗ２はそれぞれ１／１０００と４８０μｓｅｃ、８０μ
ｓｅｃであり、維持電圧波形の周波数は１／（１．９９
１×１０−３） Ｈｚである。
）、Ｖｄ（ＯＮ）はそれぞれ反強誘電相（ＯＦＦ状態）
と強誘電相（ＯＮ状態）を選択するためのデータ電圧波
形である。図２の上段は液晶層へ印加される電圧波形で
あり、走査電圧波形とデータ電圧波形の合成波形である
。そして、図２の下段はそれに対する液晶の電気光学応
答である。リセット電圧はＶＳＥ＝０〔ｖ〕、データ電
圧は｜ＶＤ１｜＝｜ＶＤ２｜＝３〔ｖ〕とし、選択期間
の最後から二番目の書き込み電圧パルスの波高値はＶＳ
１＝１７〔ｖ〕、最後の書き込み電圧パルスの波高値は
ＶＳ２＝−４〔ｖ〕とした。維持電圧波形としては、負
極性から始まる±９〔ｖ〕の交流電圧パルスとした。ま
た、補償電圧波形としては、パルス幅と波高値がそれぞ
れＰＷ２とＶＣ＝−（ＶＳ１＋ＶＳ２＋ＶＳＥ）＝−１
３〔ｖ〕の電圧パルスを、リセット期間の最初に印加す
ることにした。駆動デューティ比とパルス幅ＰＷ１、Ｐ
Ｗ２はそれぞれ１／１０００と４８０μｓｅｃ、８０μ
ｓｅｃであり、維持電圧波形の周波数は１／（１．９９
１×１０−３） Ｈｚである。
【００２２】信号電極にＯＮデータ電圧波形Ｖｄ（ＯＮ
） を印加した場合、選択期間の最後から二番目に液晶
層へ印加される電圧はＶＳ１−ＶＤ１＝２０〔ｖ〕とな
るため、反強誘電相から強誘電相（＋） への相転移が
起こる。それに続く最後の電圧は−７〔ｖ〕である。こ
のようにパルス電圧の波高値が＋２０〔ｖ〕 から−７
〔ｖ〕 へ直接変化した場合、７〔ｖ〕は｜Ｖ（Ｆ−Ａ
）ｔ｜以上であるため、反強誘電相を通り越してもう一
方の強誘電相（−）へスイッチする。その後、非選択期
間には −６〜−１２〔ｖ〕と６〜１２〔ｖ〕という維
持電圧パルスが交互に印加されて、交互に強誘電相（−
）と強誘電相（＋）の状態になるため、ＯＮ状態が維持
される。
） を印加した場合、選択期間の最後から二番目に液晶
層へ印加される電圧はＶＳ１−ＶＤ１＝２０〔ｖ〕とな
るため、反強誘電相から強誘電相（＋） への相転移が
起こる。それに続く最後の電圧は−７〔ｖ〕である。こ
のようにパルス電圧の波高値が＋２０〔ｖ〕 から−７
〔ｖ〕 へ直接変化した場合、７〔ｖ〕は｜Ｖ（Ｆ−Ａ
）ｔ｜以上であるため、反強誘電相を通り越してもう一
方の強誘電相（−）へスイッチする。その後、非選択期
間には −６〜−１２〔ｖ〕と６〜１２〔ｖ〕という維
持電圧パルスが交互に印加されて、交互に強誘電相（−
）と強誘電相（＋）の状態になるため、ＯＮ状態が維持
される。
【００２３】次に、信号電極にＯＦＦデータ電圧波形Ｖ
ｄ（ＯＦＦ）を印加した場合、選択期間の最後から二番
目に液晶層へ印加される電圧は１４〔ｖ〕となる。この
値は｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜以下であるため、反強誘電相か
ら強誘電相（＋） への相転移は起こらない。この時の
光透過率は図３に示したようにＩＮＳである。それに続
く最後の電圧は、−１〔ｖ〕である。この電圧は、最後
から二番目の電圧とは逆極性のため、この期間に光透過
率はほぼ０に近い値まで低下する。その後、非選択期間
には−６〜−１２〔ｖ〕と６〜１２〔ｖ〕という維持電
圧パルスが交互に印加される。この場合、光透過率は図
３に示したループＢにほぼ従うように変化する。ただし
、この図では正極性側のみ示してある。
ｄ（ＯＦＦ）を印加した場合、選択期間の最後から二番
目に液晶層へ印加される電圧は１４〔ｖ〕となる。この
値は｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜以下であるため、反強誘電相か
ら強誘電相（＋） への相転移は起こらない。この時の
光透過率は図３に示したようにＩＮＳである。それに続
く最後の電圧は、−１〔ｖ〕である。この電圧は、最後
から二番目の電圧とは逆極性のため、この期間に光透過
率はほぼ０に近い値まで低下する。その後、非選択期間
には−６〜−１２〔ｖ〕と６〜１２〔ｖ〕という維持電
圧パルスが交互に印加される。この場合、光透過率は図
３に示したループＢにほぼ従うように変化する。ただし
、この図では正極性側のみ示してある。
【００２４】このような駆動方法による実際の光透過率
の時間変化を図２に実線で示す。比較のために、従来方
法によって駆動した場合の光透過率を、同図の破線で示
した。これより、ＯＮ状態の光透過率については両者の
間に差は見られないが、ＯＦＦ状態の光透過率には明ら
かな差が認められる。本発明によるＯＦＦ状態の平均光
透過率は、従来方法によるそれのほぼ ２／３ 倍とな
っている。コントラスト比はＯＦＦ状態の光透過率に反
比例するため、コントラスト比は従来のほぼ３／２倍と
なり、１：２５から１：３５へ向上した。さらに、前述
したように補償電圧パルスを１個印加しているため、１
フレーム内に液晶層へ印加される電圧の時間平均値は０
となり、液晶層内での電荷の偏りは起こらない。
の時間変化を図２に実線で示す。比較のために、従来方
法によって駆動した場合の光透過率を、同図の破線で示
した。これより、ＯＮ状態の光透過率については両者の
間に差は見られないが、ＯＦＦ状態の光透過率には明ら
かな差が認められる。本発明によるＯＦＦ状態の平均光
透過率は、従来方法によるそれのほぼ ２／３ 倍とな
っている。コントラスト比はＯＦＦ状態の光透過率に反
比例するため、コントラスト比は従来のほぼ３／２倍と
なり、１：２５から１：３５へ向上した。さらに、前述
したように補償電圧パルスを１個印加しているため、１
フレーム内に液晶層へ印加される電圧の時間平均値は０
となり、液晶層内での電荷の偏りは起こらない。
【００２５】次に、本発明による駆動方法と従来技術に
よる駆動方法の表示速度を比較する。強誘電相から反強
誘電相への緩和時間が約４２０μｓｅｃ であるため、
従来の方法では、選択期間の長さは８０×２＋４２０＝
５８０μｓｅｃ となる。これに対して、本発明による
方法では、選択期間（書き込み期間）の長さは１６０μ
ｓｅｃである。したがって、本発明による駆動方法を用
いれば、従来方法による駆動方法よりも約３．５倍の高
速化が達成される。ただし、どの程度高速化されるか、
ということは、強誘電相から反強誘電相への緩和時間に
よって異なり、緩和時間が長ければ長いほどその効果が
大きくなる。
よる駆動方法の表示速度を比較する。強誘電相から反強
誘電相への緩和時間が約４２０μｓｅｃ であるため、
従来の方法では、選択期間の長さは８０×２＋４２０＝
５８０μｓｅｃ となる。これに対して、本発明による
方法では、選択期間（書き込み期間）の長さは１６０μ
ｓｅｃである。したがって、本発明による駆動方法を用
いれば、従来方法による駆動方法よりも約３．５倍の高
速化が達成される。ただし、どの程度高速化されるか、
ということは、強誘電相から反強誘電相への緩和時間に
よって異なり、緩和時間が長ければ長いほどその効果が
大きくなる。
【００２６】（実施例２）本実施例では、実施例１の駆
動方法においてＶＳ２＝−３〔ｖ〕とした。この場合、
ＶＣ＝−１４〔ｖ〕となる。他の設定値は実施例１と同
様である。ＯＦＦ状態を選択する場合、書き込み期間の
最後から二番目に印加される電圧が＋１４〔ｖ〕である
のに対して、最後に印加される電圧は０〔ｖ〕であり、
逆極性ではない。そのため、この０ボルトの期間内での
光透過率の減少量を実施例１と比較すれば、やや少なく
なる。したがって、ＯＦＦ状態の光透過率は、実施例１
の場合よりも少し高くなり、コントラスト比は１：３０
と少し低くなった。しかし、従来方法によるコントラス
ト比よりも高い。
動方法においてＶＳ２＝−３〔ｖ〕とした。この場合、
ＶＣ＝−１４〔ｖ〕となる。他の設定値は実施例１と同
様である。ＯＦＦ状態を選択する場合、書き込み期間の
最後から二番目に印加される電圧が＋１４〔ｖ〕である
のに対して、最後に印加される電圧は０〔ｖ〕であり、
逆極性ではない。そのため、この０ボルトの期間内での
光透過率の減少量を実施例１と比較すれば、やや少なく
なる。したがって、ＯＦＦ状態の光透過率は、実施例１
の場合よりも少し高くなり、コントラスト比は１：３０
と少し低くなった。しかし、従来方法によるコントラス
ト比よりも高い。
【００２７】（実施例３）本実施例では、実施例１の駆
動方法において、｜ＶＤ１｜と｜ＶＤ２｜の値の上限Ｖ
２を３〔ｖ〕として、その範囲内で変化させた。ただし
、実施例１と同様に ＶＤ１＝−ＶＤ２である。このよ
うにデータ電圧を変調することによって、階調表示を行
うことができた。
動方法において、｜ＶＤ１｜と｜ＶＤ２｜の値の上限Ｖ
２を３〔ｖ〕として、その範囲内で変化させた。ただし
、実施例１と同様に ＶＤ１＝−ＶＤ２である。このよ
うにデータ電圧を変調することによって、階調表示を行
うことができた。
【００２８】（実施例４）本実施例では、図４に示した
ように、非選択期間に印加される維持電圧波形に補償電
圧波形を重畳した。ＶＳ１＝１７〔ｖ〕，ＶＳ２＝−４
〔ｖ〕，ＶＨ＝±９〔ｖ〕，ＶＣ＝−１３〔ｖ〕，｜Ｖ
Ｄ１｜＝｜ＶＤ２｜＝３〔ｖ〕 である。したがって、
維持電圧波形に補償電圧波形を重畳した部分の電圧（Ｖ
Ｈ＋ＶＣ）は−４〔ｖ〕となる。本実施例でも、実施例
１と同様な表示特性が得られた。
ように、非選択期間に印加される維持電圧波形に補償電
圧波形を重畳した。ＶＳ１＝１７〔ｖ〕，ＶＳ２＝−４
〔ｖ〕，ＶＨ＝±９〔ｖ〕，ＶＣ＝−１３〔ｖ〕，｜Ｖ
Ｄ１｜＝｜ＶＤ２｜＝３〔ｖ〕 である。したがって、
維持電圧波形に補償電圧波形を重畳した部分の電圧（Ｖ
Ｈ＋ＶＣ）は−４〔ｖ〕となる。本実施例でも、実施例
１と同様な表示特性が得られた。
【００２９】（実施例５）実施例１と同じ試料を用いて
、図５に示したように維持電圧波形が直流である電圧波
形によって駆動した。ＶＳ１＝１７〔ｖ〕、ＶＳ２＝−
４〔ｖ〕、 ＶＨ＝−９〔ｖ〕、｜ＶＤ１｜＝｜ＶＤ２
｜＝３〔ｖ〕、ＶＳＥ＝０〔ｖ〕である。１フレーム期
間内での印加電圧の平均値は０ではないため、１フレー
ム毎にすべての電圧波形の極性を反転することによって
、単位時間内での平均値が０になるようにした。表示特
性は実施例１と同様に１：１７のコントラスト比が得ら
れた。また、実施例４と同様に、データ電圧を変調する
ことによって、階調表示を行うことができた。
、図５に示したように維持電圧波形が直流である電圧波
形によって駆動した。ＶＳ１＝１７〔ｖ〕、ＶＳ２＝−
４〔ｖ〕、 ＶＨ＝−９〔ｖ〕、｜ＶＤ１｜＝｜ＶＤ２
｜＝３〔ｖ〕、ＶＳＥ＝０〔ｖ〕である。１フレーム期
間内での印加電圧の平均値は０ではないため、１フレー
ム毎にすべての電圧波形の極性を反転することによって
、単位時間内での平均値が０になるようにした。表示特
性は実施例１と同様に１：１７のコントラスト比が得ら
れた。また、実施例４と同様に、データ電圧を変調する
ことによって、階調表示を行うことができた。
【００３０】（実施例６）本実施例で用いた駆動電圧波
形を図６に示す。ここでは、書き込み電圧波形とデータ
電圧波形は、それぞれ３個の書き込み電圧パルスと３個
のデータ電圧パルスから成っている。３個の書き込み電
圧パルスのうち、最初のパルスを補償電圧パルスとして
いる。各電圧の設定は実施例２と同様である。｜ＶＳ２
｜＝｜ＶＤ２｜であるので、補償電圧の波高値（｜ＶＳ
１｜−｜ＶＳ２｜）はしきい値と等しくなる。したがっ
て、この補償電圧は表示特性には何等影響を与えず、実
施例２と同様な表示特性が得られた。ただし、この方法
による走査時間は、実施例２の場合よりもＰＷ２だけ長
くなる。
形を図６に示す。ここでは、書き込み電圧波形とデータ
電圧波形は、それぞれ３個の書き込み電圧パルスと３個
のデータ電圧パルスから成っている。３個の書き込み電
圧パルスのうち、最初のパルスを補償電圧パルスとして
いる。各電圧の設定は実施例２と同様である。｜ＶＳ２
｜＝｜ＶＤ２｜であるので、補償電圧の波高値（｜ＶＳ
１｜−｜ＶＳ２｜）はしきい値と等しくなる。したがっ
て、この補償電圧は表示特性には何等影響を与えず、実
施例２と同様な表示特性が得られた。ただし、この方法
による走査時間は、実施例２の場合よりもＰＷ２だけ長
くなる。
【００３１】（実施例７）実施例１と同じ構成において
、環境温度を１００℃とした。実施例１の場合よりも温
度を高くしたため、強誘電相から反強誘電相への緩和速
度が速くなった。したがって、ＰＷ１＝１６０μｓｅｃ
としても駆動することができ、１：３１のコントラス
ト比が得られた。
、環境温度を１００℃とした。実施例１の場合よりも温
度を高くしたため、強誘電相から反強誘電相への緩和速
度が速くなった。したがって、ＰＷ１＝１６０μｓｅｃ
としても駆動することができ、１：３１のコントラス
ト比が得られた。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、反強
誘電相と電場誘起強誘電相との間のスイッチングを用い
る液晶電気光学素子のマルチプレックス駆動において、
従来の方法よりもＯＦＦ状態の光透過率を低くすること
ができるため、より高いコントラスト比を得ることがで
きる、という効果を有する。本発明は、大型・高精細液
晶ディスプレイやライトバルブへ応用することができる
。
誘電相と電場誘起強誘電相との間のスイッチングを用い
る液晶電気光学素子のマルチプレックス駆動において、
従来の方法よりもＯＦＦ状態の光透過率を低くすること
ができるため、より高いコントラスト比を得ることがで
きる、という効果を有する。本発明は、大型・高精細液
晶ディスプレイやライトバルブへ応用することができる
。
【００３３】
【図１】本発明による第１の実施例を示す図。
【図２】第１の実施例において、液晶層へ印加される電
圧波形と、液晶の電気光学応答を示す図。
圧波形と、液晶の電気光学応答を示す図。
【図３】低電圧領域でのヒステリシス特性を示す図。
【図４】本発明による第４の実施例を示す図。
【図５】本発明による第５の実施例を示す図。
【図６】本発明による第６の実施例を示す図。
【図７】実施例で用いた試料において得られるヒステリ
シス特性を示す図。
シス特性を示す図。
【図８】従来の駆動方法を示す図。
【図９】表示原理を示す図。
〔Ｓ〕・・・・・・・・選択期間、
〔ＮＳ〕・・・・・・非選択期間、
〔Ｒ〕・・・・・・・・リセット期間、〔Ｗ〕・・・・
・・・・書き込み期間（選択期間）、ＯＡ・・・・・・
・反強誘電相における光軸、ＯＦ（＋）・・・・強誘電
相（＋）における液晶分子配向方向（光軸）、 ＯＦ（−）・・・・強誘電相（−）における液晶分子配
向方向（光軸）、 ３４・・・・・・・・スメクチック層、３５・・・・・
・・・偏光板、 ３６・・・・・・・・検光板、 ３７・・・・・・・・透明電極、 ３８・・・・・・・・ガラス基板、 ３９・・・・・・・・偏光板の偏光軸方向、３１０・・
・・・・・液晶配向膜、
・・・・書き込み期間（選択期間）、ＯＡ・・・・・・
・反強誘電相における光軸、ＯＦ（＋）・・・・強誘電
相（＋）における液晶分子配向方向（光軸）、 ＯＦ（−）・・・・強誘電相（−）における液晶分子配
向方向（光軸）、 ３４・・・・・・・・スメクチック層、３５・・・・・
・・・偏光板、 ３６・・・・・・・・検光板、 ３７・・・・・・・・透明電極、 ３８・・・・・・・・ガラス基板、 ３９・・・・・・・・偏光板の偏光軸方向、３１０・・
・・・・・液晶配向膜、
Claims (4)
- 【請求項１】 走査電極を有する基板と信号電極を有
する基板の電極面を対向させた基板間に反強誘電性液晶
が挟持され、反強誘電相から強誘電相へ電場誘起相転移
させる時のしきい値と飽和値をそれぞれＶ（Ａ−Ｆ）ｔ
とＶ（Ａ−Ｆ）ｓ 、また、強誘電相から反強誘電相
へ戻る時のしきい値をＶ（Ｆ−Ａ）ｔ とすれば、Ｖ（
Ａ−Ｆ）ｔ ＞Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔであるような液晶電気光
学素子の駆動方法において、非選択期間の最後にリセッ
ト期間を設定し、前記走査電極へは、リセット電圧波形
・書き込み電圧波形および維持電圧波形を前記リセット
期間・書き込み期間（選択期間）および前記非選択期間
にそれぞれ印加し、前記信号電極へはデータ電圧波形を
前記書き込み期間に印加することによって駆動する液晶
電気光学素子の駆動方法であり、 Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ以下
の電圧を印加した時の反強誘電相状態をＯＦＦ状態、Ｖ
（Ａ−Ｆ）ｔ よりも大きい電圧を印加した状態をＯＮ
状態とすれば、ａ）前記リセット電圧波形と前記データ
電圧波形を合成した電圧波形は、前記書き込み期間で選
択された状態がＯＦＦ状態ならばその状態を維持し、Ｏ
Ｎ状態ならばＯＦＦ状態にリセットすることができるよ
うな電圧波形であり、ｂ）前記維持電圧波形の波高値Ｖ
Ｈは下記の（１）式を満足し、 ｜Ｖ（Ｆ−Ａ）ｔ｜＜｜ＶＨ
｜＜｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜
（１） ｃ）前記書き込み電圧波形と前記データ電圧波形は
、いずれも少なくとも２個以上の電圧パルスからなり、
前記書き込み期間に液晶層へ印加される電圧パルスのう
ち、最後から二番目の電圧パルスによってＯＮ状態また
はＯＦＦ状態を選択し、最後から二番目の書き込み電圧
パルスとデータ電圧パルスの波高値をそれぞれＶＳ１、
ＶＤ１とすれば、ＶＤ１は−Ｖ２からＶ２の間で可変で
あり、Ｖ２は下記の（２）式と（３）式を同時に満足し
、 ｜ＶＳ１＋Ｖ２｜≧｜Ｖ（
Ａ−Ｆ）ｓ｜
（２） ｜
ＶＳ１−Ｖ２｜≦｜Ｖ（Ａ−Ｆ）ｔ｜
（３） ｄ）一番最後の書き込み電圧パルスと一番最後のデ
ータ電圧パルスの波高値をそれぞれＶＳ２、ＶＤ２とす
れば、ＶＤ２＝−ＶＤ１であり、さらに、ＯＦＦ状態を
選択する時には下記の（４） 式を満足することを特徴
とする液晶電気光学素子の駆動方法。 ｜ＶＳ２−Ｖ２｜＜｜ＶＨ｜
（４） - 【請求項２】 前記書き込み電圧波形の時間平均値（
波高値と印加時間との積の総和）をＶＡとすれば、時間
平均値が−ＶＡであるような補償電圧波形を走査電極へ
印加し、さらに前記維持電圧波形を交流とすることによ
って、１フレーム内（一度書き込まれてから次に書き込
まれるまでの期間）に印加される電圧の時間平均値を零
としたことを特徴とする請求項１記載の液晶電気光学素
子の駆動方法。 - 【請求項３】 前記リセット電圧波形・書き込み電圧
波形・維持電圧波形・データ電圧波形の極性を一定周期
毎に反転させることによって、単位時間内に印加される
電圧の時間平均値を零としたことを特徴とする請求項１
記載の液晶電気光学素子の駆動方法。 - 【請求項４】 前記リセット期間と前記選択期間の長
さを、液晶電気光学素子の環境温度に応じて変化させる
ことを特徴とする請求項１記載の液晶電気光学素子の駆
動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07923991A JP3149451B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 液晶電気光学素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07923991A JP3149451B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 液晶電気光学素子の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311922A true JPH04311922A (ja) | 1992-11-04 |
| JP3149451B2 JP3149451B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=13684314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07923991A Expired - Fee Related JP3149451B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 液晶電気光学素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149451B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011403A1 (fr) * | 1995-09-18 | 1997-03-27 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| WO1999046634A1 (fr) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Citizen Watch Co., Ltd. | Afficheur a cristaux liquides anti-ferroelectriques et procede de commande |
| JP2014194539A (ja) * | 2004-08-27 | 2014-10-09 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Ｍｅｍｓ表示素子駆動システムおよび方法 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP07923991A patent/JP3149451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011403A1 (fr) * | 1995-09-18 | 1997-03-27 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| US5886755A (en) * | 1995-09-18 | 1999-03-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| WO1999046634A1 (fr) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Citizen Watch Co., Ltd. | Afficheur a cristaux liquides anti-ferroelectriques et procede de commande |
| US6339416B1 (en) | 1998-03-10 | 2002-01-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Antiferroelectric liquid crystal display and method of driving |
| US6888527B2 (en) | 1998-03-10 | 2005-05-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Antiferroelectric liquid crystal display and method of driving the same |
| JP2014194539A (ja) * | 2004-08-27 | 2014-10-09 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Ｍｅｍｓ表示素子駆動システムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3149451B2 (ja) | 2001-03-26 |
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