JPH04307303A

JPH04307303A - 位置検出装置

Info

Publication number: JPH04307303A
Application number: JP7185291A
Authority: JP
Inventors: Nagakatsu Ito; 伊藤　永勝; Kazuhiko Sakai; 酒井　一比古
Original assignee: CKD Corp
Current assignee: CKD Corp
Priority date: 1991-04-04
Filing date: 1991-04-04
Publication date: 1992-10-29
Anticipated expiration: 2010-10-18
Also published as: JPH0797006B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁石を備えた被検出体
の近傍に設けられ、被検出体との相対位置変化に伴い変
化する磁石からの磁界強度に基づき、被検出体の位置を
検出する位置検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、実開平２ー９７６０４号公報
に開示されているように、磁電変換素子を移動体側のみ
開放し磁性材料からなる磁気シールド体で覆い、外界か
らの磁気を遮蔽して精度良く被検出体の位置を検出する
位置検出装置が存在した。即ち、図８で模式的に示され
るように、磁石１を備えた被検出体２の近傍に、所定方
向の磁界の強度に応じて電気的特性が変化する磁電変換
素子５を設け、その磁電変換素子５の磁石１の側を開放
した状態で磁気シールド体６で覆って外界からのノイズ
磁界等を遮蔽すると共に、磁電変換素子５を電気回路７
さらに表示手段８に接続することにより、被検出体２と
の相対位置の変化に伴い変化する磁石１からの磁界強度
を電位差や電流値の変化に変換して表示手段８に表示さ
せる移動体２の位置検出装置３が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そのような従来の位置
検出装置５にあって、磁気シールド体６は磁性材料で構
成されていたため、磁気シールド体６は外部からのノイ
ズ磁界等だけでなく、磁石１からの磁界までも吸引して
しまう。従って、そのような磁気シールド体６により、
磁石１から磁電変換素子３への磁界強度が減少する。そ
の場合、磁電変換素子３の電気的特性の変化が鈍化して
検出精度が悪くなり、極端な場合には誤った位置検出が
なされる虞もあった。

【０００４】そこで、被検出体の位置を精度良く確実に
検出することを目的として、本発明が生み出された。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そのような本第１発明の
構成は、磁石を備えた被検出体の近傍に配設され、該被
検出体との相対位置変化に伴い変化する前記磁石からの
磁界強度に基づき、該被検出体の位置を検出する位置検
出装置であって、磁界強度に応じて電気的特性が変化す
る磁電変換素子と、該磁電変換素子の前記磁石側を開放
した状態で該磁電変換素子を覆う磁気シールド用磁性体
と、前記磁電変換素子の近傍に設けられた磁気誘導用磁
性体と、を有してなることを特徴とする位置検出装置で
ある。

【０００６】また、本第２発明の構成は、磁石を備えた
被検出体の近傍に配設され、該被検出体との相対位置変
化に伴い変化する前記磁石からの磁界強度に基づき、該
被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、磁界
強度に応じて電気的特性が変化する磁電変換素子と、該
磁電変換素子の前記磁石側を開放した状態で前記磁電変
換素子を覆う磁気シールド用磁性体と、を備え、該磁気
シールド用磁性体に、透磁率が該磁気シールド用磁性体
よりも小さい磁気抵抗部を設けてなることを特徴とする
位置検出装置である。

【０００７】

【作用】本第１発明にかかる位置検出装置は、磁界強度
に応じて電気的特性が変化する磁電変換素子を有し、磁
石を備えた被検出体の近傍に配設される。そして、その
磁電変換素子の磁石側を開放した状態で磁電変換素子を
覆う磁気シールド用磁性体を設けると共に、磁電変換素
子の近傍に磁気誘導用磁性体を設けている。

【０００８】従って、外部からのノイズ磁界等は磁気シ
ールド用磁性体で遮蔽されると共に、磁石からの磁界は
磁気誘導用磁性体により誘導されて磁電変換素子に達す
る。磁気誘導用磁性体が磁界を誘導するので、磁石から
の磁界が磁気シールド用磁性体に集まるのを妨げること
ができる。それ故、磁気誘導用磁性体により誘導された
磁界強度に従い磁電変換素子は被検出体との相対位置変
化に応じて電気的特性を変化させ、それによって、被検
出体の位置を精度良く確実に検出することが出来る。

【０００９】また、本第２発明にかかる位置検出装置は
、磁界強度に応じて電気的特性が変化する磁電変換素子
を有し、磁石を備えた被検出体の近傍に配設される。そして、その磁電変換素子の磁石側を開放した状態で磁
電変換素子を覆う磁気シールド用磁性体を設けると共に
、その磁気シールド用磁性体に透磁率が磁気シールド用
磁性体よりも小さい磁気抵抗部を設けている。

【００１０】従って、外部からのノイズ磁界等は磁気シ
ールド用磁性体で遮蔽されるが、磁石からの磁界は磁気
シールド用磁性体に集まり難い。そのため、被検出体と
の相対位置変化に伴い変化する磁石からの磁界強度に応
じて磁電変換素子の電気特性も変化し、それによって被
検出体の位置を精度良く確実に検出することが出来る。

【００１１】

【実施例】図面に基づき本発明の一実施例を詳細に説明
する。但し、本発明は以下に詳述する一実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
当業者が想到し得る全ての実施例を含む。

【００１２】本発明の一実施例であるピストン位置検出
装置１０は、図１に示すように、非磁性体からなるシリ
ンダ９０の外壁に取り付けられ、シリンダ９０内を摺動
するピストン９２に埋め込まれた永久磁石１からの磁界
の変化に基づきピストン９２の位置を検出するためのも
のである。

【００１３】ピストン位置検出装置１０は、プリント基
板６０表面に検出回路６２を構成する各素子が配設され
ると共にプリント基板６０の裏面に磁気抵抗（ＭＲ）素
子チップ２０が取り付けられている。また、プリント基
板６０の裏面には、検出回路６２に電源を供給するため
のリード線７０も接続されている。そして、シリンダ９
０への取付面側を除き、それらプリント基板６０、検出
回路６２、及びＭＲ素子チップ２０等を覆う鋼板製シー
ルドカバー８０が設けられている。シールドカバー８０
は矩形板状蓋体８０ａの四方からそれと垂直に脚部８０
ｂが設けられ、矩形で底浅の容器状外観を有する。その
蓋体８０ａの両端付近には、磁気抵抗部として機能する
切欠き部８０ｃが二条の溝として設けられている。また
、脚部８０ｂの端部周縁には、合成ゴムよりなる基盤８
２が装着され、この基盤８２がシリンダ９０の外壁に固
定されることによって位置検出装置１０がシリンダ９０
に取り付けられている。

【００１４】ＭＲ素子チップ２０は、図２及び図３に模
式的に示すように、表面にパーマロイ製の磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子パターン２４及び半田パッド部２６が形成され
たガラス製基板２２（図４参照）のパターン形成部２５
の表面をＳｉＯ２の絶縁体３４で覆った後、その絶縁体
３４の表面及び基板２２の裏面に、コバルト系アモルフ
ァスで厚さ１０μｍの磁性薄膜３０及び同じく５μｍの
磁性薄膜３２をそれぞれ積層し、更に表面の磁性薄膜３
２の上に、ＳｉＯ２の絶縁体３６を積層することにより
形成されている。なお、半田パッド部２６の上面には、
ニッケルメッキ２７だけが施されている。

【００１５】ＭＲ素子チップ２０は、図５に示すように
、洗浄工程（Ｉ）からダイシング工程（Ｘ）までを経て
製造される。まず、洗浄工程（Ｉ）においてガラス基板
２２ａを洗浄層の中性洗剤の中で洗浄して基板表面を浄
化し、次の工程における蒸着が良好に行えるよう準備す
る。蒸着工程（ＩＩ）では、基板２２ａの片側面に、Ｉ
ＣＢ蒸着装置によりパーマロイ４０を蒸着する。更にレ
ジスト工程（ＩＩＩ）　において、スピンナーによりパ
ーマロイ４０の外側面にフォトレジスト４１を塗布し、
プリベイクする。

【００１６】プリベイク後、露光工程（ＩＶ）にて、図
４に示すようなパターン形状を複数型どったワーキング
マスクをフォトレジスト４１の塗布面に被せつつアライ
ナーにより紫外線を照射する。照射後、現像工程（Ｖ）
で、現像液を蓄えた現像槽に入れて現像し、基板２２ａ
上の蒸着膜に塗布されたフォトレジスト４１により複数
のＭＲ素子パターンを型どる。さらに、これをポストベ
イクした後、エッチング工程（ＶＩ）で、エッチング槽
においてフォトレジスト４１に覆われていないパーマロ
イ４０を腐食して、パーマロイ４０によるＭＲ素子パタ
ーン２４及び半田パッド部２６を形成する。

【００１７】剥離工程（ＶＩＩ）　で、残ったフォトレ
ジスト４１を剥離する。そして、磁性膜形成工程（ＶＩ
ＩＩ）でＭＲ素子パターン２４が形成されたパターン形
成部２５を露出させたマスクを被せ、パターン形成部２
５の上へ絶縁体３４を積層し、半田パッド部２６の上に
ニッケルメッキ２７を施す。更に、絶縁体３４の上に磁
性薄膜３２を蒸着し、基板２２ａの逆側面には、全面に
磁性薄膜３０を蒸着する。

【００１８】そして、真空高温炉による熱処理工程（Ｉ
Ｘ）を経て、ダイシング工程（Ｘ）で約４ｍｍ四方ほど
の各パターン毎に切断して個々のＭＲ素子チップ２０を
形成する。なお、熱処理工程（ＩＸ）は、必須の工程で
はなく省略されることもある。

【００１９】つぎにプリント基板６０に設けられた検出
回路６２について図６に基づき説明する。検出回路６２
は、電源電圧を分圧して基準電圧を設定する抵抗Ｒ１、
Ｒ２、それらの抵抗と並列に設けられたＭＲ素子チップ
２０、設定された基準電圧とＭＲ素子チップ２０の抵抗
値の変化に基づき変化するＭＲ出力電圧との大小を比較
するコンパレータ７２、コンパレータ７２の出力部に接
続されその出力に基づきＯＮ・ＯＦＦするｐｎｐ型トラ
ンジスタ７４、及びトランジスタ７４がＯＮしたとき点
灯する表示ランプ６８等で構成され、リード線７０を介
して電源７８から電力の供給を受けている。

【００２０】シリンダ９０内でピストン９２に連動する
永久磁石１と位置検出装置１０に設けられたＭＲ素子チ
ップ２０との相対的な位置関係、及び検出回路６２の作
動原理を図１、図６及び図７に基づき詳述する。

【００２１】図７ａ）に示すように、永久磁石１が線Ｐ
上を移動する場合に点０のＭＲ素子チップ２０に及ぶ磁
束の変化の様子は、永久磁石１を固定し線Ｐに平行で点
０を含む線Ｑ上をＭＲ素子チップ２０が移動した場合の
磁束の様子と同じである。

【００２２】図７ａ）乃至ｃ）に示されるように、永久
磁石１がＭＲ素子チップ２０に最も近づいたとき、ＭＲ
素子チップ２０に及ぶ磁束密度の水平成分は最大である
ため、ＭＲ出力電圧も最大となる。そのとき、ＭＲ出力
電圧が抵抗Ｒ１，Ｒ２で設定された基準電圧を上回るの
で、コンパレータ７２のｏｕｔ出力電圧がＬｏｗとなり
、トランジスタ７４がＯＮされ表示ランプ６８が点灯す
る。

【００２３】永久磁石１がＭＲ素子チップ２０から遠ざ
かり、ＭＲ素子チップ２０に及ぶ水平方向の磁束密度が
減ると、ＭＲ出力電圧も減少し基準電圧を下回わる。す
ると、コンパレータ７２のｏｕｔ出力電圧もＨｉとなっ
てトランジスタ７４はＯＦＦして表示ランプ６８も消え
る。

【００２４】以上説明したように、本実施例においては
、磁電変換素子であるＭＲ素子パターン２４の上下に鋼
板製シールドカバー８０よりも透磁率の高いアモルファ
ス磁性薄膜３０、３２が配設されている。そのアモルフ
ァス磁性薄膜３０、３２により、シールドカバー８０に
磁石１からの磁界が集まるのを妨げつつ、ＭＲ素子パタ
ーン２４へ磁石１からの磁界を誘導している。

【００２５】また、本実施では、シールドカバー８０に
切欠き部８０ｃを二条の溝として設けている。この切欠
き部８０ｃは、シールドカバー８０による磁気回路にお
いて磁気抵抗としての機能を果たすため、その磁気回路
の磁気抵抗値は、切欠き部８０ｃが設けられていないシ
ールドカバー８０の磁気抵抗値よりも大きくなって、磁
石１からの磁界は集まり難くなっている。

【００２６】そのような、切欠き部８０ｃの有無に基づ
く相違を明らかにするため、本実施例に相当するモデル
と、切欠き部８０ｃが設けられていない点で本実施例と
相違する比較モデルとを設計して有限要素解析を行った
。その解析結果を示す図８乃至図１０において、（Ａ）
は本実施例に対応させ切欠き部１８０ｃが設けられたモ
デルを、（Ｂ）は切欠き部を有しない比較モデルを、そ
れぞれ示す。判り易くするため、図８乃至図１０は何れ
も、検出部２００に磁石１が最も近付いた位置での磁界
の様子または磁束密度ベクトルを示す。図９に示す磁束
密度ベクトルは、ピストン１９２に連動する磁石１０１
からの磁束密度をシールドカバー１８０、２８０で囲ま
れた検出部２００で検出した。

【００２７】図８（Ａ）と（Ｂ）とを比べれば明らかな
ように、切欠き部が設けられていない比較モデル（Ｂ）
では磁石１からの磁界がシールドカバー２８０に集まり
検出部２００に磁界が及ぶのが妨げられているのに対し
、切欠き部１８０ｃが設けられている本実施例に相当す
るモデル（Ａ）では磁石１からの磁界がシールドカバー
１８０に集まり難くなって磁界は十二分に検出部２００
に達している。また、それらの磁界を検出部２００付近
で拡大した様子、及び検出部２００を六点に分け各点で
の磁束密度ベクトルを、図９に示す。表１には図９に示
した磁束密度ベクトルをＸ成分とＹ成分とに分けて掲げ
た。

【００２８】

【表１】

【００２９】表１においてＸ成分、Ｙ成分の基準となる
Ｘ軸及びＹ軸は、検出部２００の各点を原点として、図
９に示す検出部２００の六点、６から１の方向をＹ軸の
正方向に、そのＹ軸と直行するＸ軸は、検出部２００か
ら磁石１０１と逆の方向を正方向にとった。また、検出
部２００の六点の平均値をＸ，Ｙ各成分毎に示した。

【００３０】表１の平均値に示すように、ＭＲ素子パタ
ーン２４の抵抗値を変化させるＹ成分（水平成分）の大
きさは、切欠き部がある場合（Ａ）と、ない場合（Ｂ）
とで大きく異なる。即ち、図８及び図９に基づき詳述し
たように、切欠き部１８０ｃを設けると、磁石１０１か
らの磁界は、シールドカバー１８０に集まり難くなるの
で、切欠き部がある場合（Ａ）は切欠き部がない場合（
Ｂ）に比べ検出部２００の磁束密度Ｙ成分の平均値が１
．５倍以上の大きな値となっている。従って、切欠き部
がない場合（Ｂ）に比べ切欠き部がある場合（Ａ）は、
検出感度を１．５倍以上に高めることが可能である。

【００３１】また、図１０に示すように、たとえ切欠き
部１８０ｃを設けていても、シールドカバー１８０は外
部からの磁界（８０００アンペアの電流を流した導線１
９０の周囲に発生する磁界）を有効に遮蔽する。磁石１
０１からの磁界に比べ導線１９０による外部磁界は極め
て強いため、シールドカバー１８０に設けられた切欠き
部１８０ｃのような小さなエアーギャップは、磁石１０
１からの磁界には大きく影響するが強い外部磁界に殆ど
影響を及ぼさないからであると考えられる。

【００３２】本実施例によれば、アモルファス磁性薄膜
３０、３２によって、シールドカバー８０に磁石１から
の磁界が集まるのを妨げつつＭＲ素子パターン２４へ磁
石１からの磁界を誘導すると共に、シールドカバー８０
に切欠き部８０ｃを設けて、磁石１からシールドカバー
８０への磁界強度を減らしている。従って、外界からの
ノイズ磁界等は、シールドカバー８０で遮蔽されつつ、
アモルファス磁性薄膜３０、３２で誘導された磁石１か
らの磁界強度に応じＭＲ素子パターン２４の電気抵抗値
が変化し、ＭＲ出力電圧は図７ｂ）に示すように、永久
磁石１がＭＲ素子チップ２０の直下付近にあるときだけ
高い値を示す良好な特性が得られる。従って、切欠き部
８０ｃを設けたシールドカバー８０と共にアモルファス
磁性薄膜３０、３２を用いた本実施例によれば、ピスト
ン９２の位置を精度良く確実に検出することが出来る。

【００３３】また、磁気誘導用として適した一定の薄さ
（おおよそ１μｍ〜３０μｍ）に全体を精度良く形成す
ることが難しかった（適切な薄さに形成したとしても特
性の変化が生じてしまう）一般の板材に比べ、磁性薄膜
３０、３２はイオンプレーティングビーム法、真空蒸着
、またはスパッタリング等の薄膜形成技術により、特性
をコントロールしつつ一定の薄さに精度良く形成し得て
磁界の誘導を的確に行うことが出来る。従って、そのよ
うな磁性薄膜３０、３２を用いた本実施例によれば、Ｍ
Ｒ出力電圧を適切にコントロールし、移動体の位置を正
確に検出することが可能である。

【００３４】さらに、前述のように、従来例に比べて良
好なＭＲ出力電圧特性が得られる本実施例によれば、基
準電圧の設定にあたって許容幅があるため、温度変化や
ノイズ等の外乱に対し柔軟に対応することが出来ると共
に、ＭＲ素子チップ２０を汎用のものとすることが可能
となった。即ち、良好なＭＲ出力電圧特性を有するＭＲ
素子チップ２０は、永久磁石の磁力や電気回路等の相違
に基づき基準電圧の値にバラツキがある他の位置検出装
置にも有効に用いることが出来る。

【００３５】加えて、本実施例で用いられるアモルファ
スの磁性薄膜３０、３２は、一般の結晶膜に比べて成膜
条件が緩く製造が容易であるため、安価に量産すること
が出来る。

【００３６】さらに加えて、本実施例で用いられるＭＲ
素子チップ２０は、図５に示すような製造工程を経て、
即ち、蒸着によりガラス基板２２ａ上に複数のＭＲ素子
チップ２０のための成膜を一度に行なった後、個々のチ
ップ２０毎に切断しているので、特性の揃ったＭＲ素子
チップ２０を容易に量産することが出来る。

【００３７】なお、本実施例では、切欠き部８０ｃを設
けたシールドカバー８０と共にアモルファス磁性薄膜３
０、３２を用いたが、どちらか一方だけでも良い。すな
わち、切欠き部の設けられていないシールドカバーと共
にアモルファス磁性薄膜３０、３２を用いることによっ
ても、磁石１からの磁界がシールドカバーに集まるのを
妨げてＭＲ素子に磁界を誘導し、良好なＭＲ出力電圧特
性を得て、ピストン９２の位置を精度良く確実に検出す
ることが出来る。

【００３８】また、アモルファス磁性薄膜を用いないで
シールドカバー８０に切欠き部８０ｃを設けただけでも
、磁石１からの磁界がシールドカバーに集まるのを妨げ
、良好なＭＲ出力電圧特性を得て、ピストン９２の位置
を精度良く確実に検出することが出来る。

【００３９】本実施例では、二枚の磁性薄膜３０、３２
により永久磁石１からの磁界を誘導しているので、一枚
の磁性薄膜３０だけで誘導する場合に比べ、永久磁石１
からの磁界がシールドカバー８０に集まるのを更に妨げ
、より強く磁界を誘導することが出来、ＭＲ出力電圧を
より適切にコントロールして、ピストン９２の位置を検
出する精度及び確度の向上を図ることが可能となった。しかしながら、二枚の磁性薄膜のどちらか一方のみでも
、永久磁石１からの磁界がシールドカバー８０に集まる
のを妨げつつ、その磁界をＭＲ素子パターン２４に誘導
して、磁性薄膜を用いない場合に比べ良好なＭＲ出力電
圧特性を得て、ピストン９２の位置を精度良く確実に検
出することが出来る。また、磁気誘導手段の配設位置も
、例えば永久磁石等磁力発生体の移動方向と平行に磁電
変換素子に並設する等、磁界を効果的に誘導できる位置
であれば良い。

【００４０】また、前述した本実施例においてアモルフ
ァス磁性薄膜３０、３２に垂直方向の透磁率が小さく水
平方向の透磁率が大きいという磁気異方性を有する材料
を用いれば、その磁気異方性を利用して磁束密度の方向
だけでなく大きさもコントロールすることにより、永久
磁石からの磁界がシールドカバー８０に集まるのを妨げ
つつ、永久磁石１がＭＲ素子チップ２０に最も近付いた
ときだけＭＲ素子パターン２４に水平方向の磁束密度成
分が及ぶようにすることも可能であり、そうすれば位置
検出装置１０の精度を更に向上させることが出来る。

【００４１】さらに、本発明にかかる磁気誘導用磁性体
としては、本実施例のアモルファス磁性薄膜のような強
磁性体だけでなく、反磁性体、または弱磁性体など、蒸
着等により薄膜を形成し得る全ての磁性体を使用するこ
とができる。磁石からの磁界がシールド用磁性体に集ま
るのを妨げつつ、磁石と磁電変換素子との相対位置変化
に対応した磁電変換素子の電気的特性の変化を磁気誘導
により実現し得るものであれば、空気の透磁率と異なる
透磁率を有し保持力の小さい各種の物質を磁気誘導用磁
性体として用いることが出来るからである。

【００４２】本発明にかかる位置検出装置は、本実施例
のようにピストンのような往復運動をする移動体の位置
を検出する場合だけでなく、モータ等の回転体や往復運
動以外の運動をする移動体の位置を検出する場合にも用
いることができる。本実施例のように磁石側が移動し位
置検出装置が固定されているのとは逆に、磁石側が固定
され位置検出装置が移動する場合であっても良い。また
、本発明にかかる位置検出装置は、磁石からの磁界強度
に基づき被検出体の位置を検出するものであったが、そ
の磁石の代わりに電磁石や電流の流れる導体等であって
も良く、それら磁界を発生させる種々のものからの磁界
強度に基づき被検出体の位置を検出することが出来る。

【００４３】本実施例では、磁性薄膜を形成した基板２
２としてガラスを用いたが、シリコンやセラミック等を
用いても良い。また、本実施例ではＳｉＯ２が用いられ
た絶縁体３４、３６として、ポリイミド等の有機絶縁材
料が用いられても良い。

【００４４】本実施例では磁電変換素子として強磁性金
属抵抗素子（ＭＲ素子）を用いたが、その代わりにホー
ル素子や半導体磁気抵抗素子等を用いることもできる。本実施例では、磁気抵抗部として溝状の切欠き部が使用
されたが、切欠き部の形状は、円孔状、矩形状等の種々
の形状とすることが可能である。切欠き部に代えて、種
々の形状の凹部を設けたり、鋼板より透磁率の小さい他
の物質、例えばプラスチック等をシールドカバーに埋め
込んだりすることによって、磁気抵抗部を形成しても良
い。また、シールドカバー８０を複数に分割し間隙を隔
てて配設することにより磁気抵抗部を形成しても良い。結局、磁気抵抗部としては、シールドカバーが形成する
磁気回路の磁気抵抗値を大きくするための全ての手段が
用いられ得る。

【００４５】

【発明の効果】以上、一実施例を用いて詳述した本第１
発明にかかる位置検出装置は、磁電変換素子の磁石側を
開放した状態で磁電変換素子を覆う磁気シールド用磁性
体と、磁気シールド用磁性体の開放部近傍に設けられた
磁気誘導用磁性体とを有している。従って、外部からの
ノイズ磁界等は磁気シールド用磁性体で遮蔽されると共
に、磁石からの磁界は磁気誘導用磁性体により誘導され
て、磁気シールド用磁性体に集まるのが妨げられつつ磁
電変換素子に達する。それ故、被検出体との相対位置変
化にともない変化する磁石からの磁界強度によって磁電
変換素子の電気的特性が変化し、被検出体の位置を精度
良く確実に検出することが出来る。

【００４６】また、本第２発明にかかる位置検出装置は
、磁電変換素子の磁石側を開放した状態で磁電変換素子
を覆う磁気シールド用磁性体を設けると共に、その磁気
シールド用磁性体に透磁率が磁気シールド用磁性体より
も小さい磁気抵抗部を設けている。従って、外部からの
ノイズ磁界等は磁気シールド用磁性体で遮蔽されるが、
磁石からの磁界は磁気シールド用磁性体に集まり難い。そのため、被検出体との相対位置変化にともない変化す
る磁石からの磁界強度に応じて磁電変換素子の電気特性
も変化し、それによって被検出体の位置を精度良く確実
に検出することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るピストン位置検出装置
１０の概略を示す説明図である。

【図２】ＭＲ素子チップ２０の側面拡大説明図である。

【図３】ＭＲ素子チップ２０の分解説明図である。

【図４】基板２２表面におけるパターン図である。

【図５】ＭＲ素子チップ２０の製造工程図である。

【図６】本実施例の位置検出装置１０の電気回路図であ
る。

【図７】ピストンの変位にともなう変化説明図である。

【図８】本実施例のモデルと従来例のモデルとを用いて
比較した有限要素解析結果の説明図である。

【図９】本実施例のモデルと従来例のモデルとを用いて
比較した有限要素解析結果の要部説明図である。

【図１０】本実施例のモデルを用いて行なった外部磁界
からの磁気シールドの様子を示す有限要素解析結果の説
明図である。

【図１１】従来例を説明したブロック図である。

【符号の説明】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　磁石を備えた被検出体の近傍に配設さ
れ、該被検出体との相対位置変化に伴い変化する前記磁
石からの磁界強度に基づき、該被検出体の位置を検出す
る位置検出装置であって、磁界強度に応じて電気的特性
が変化する磁電変換素子と、該磁電変換素子の前記磁石
側を開放した状態で該磁電変換素子を覆う磁気シールド
用磁性体と、前記磁電変換素子の近傍に設けられた磁気
誘導用磁性体と、を有してなることを特徴とする位置検
出装置。
【請求項２】　　磁石を備えた被検出体の近傍に配設さ
れ、該被検出体との相対位置変化に伴い変化する前記磁
石からの磁界強度に基づき、該被検出体の位置を検出す
る位置検出装置であって、磁界強度に応じて電気的特性
が変化する磁電変換素子と、該磁電変換素子の前記磁石
側を開放した状態で前記磁電変換素子を覆う磁気シール
ド用磁性体と、を備え、該磁気シールド用磁性体に、透
磁率が該磁気シールド用磁性体よりも小さい磁気抵抗部
を設けてなることを特徴とする位置検出装置。